「忠実」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, a sixth oxide film 119 for sidewall formation is formed to about 2000 Å thick which is larger than a standard thickness all over a surface of the substrate 100, the sixth oxide film 119 is overetched and a sidewall 119SW is formed.例文帳に追加

その後、基板１００の表面全体に、サイドウォール形成用の第６の酸化膜１１９を、標準厚さよりも厚い約２０００Åで形成して、第６の酸化膜１１９をオーバーエッチングし、サイドウォール１１９ＳＷを形成する。 - 特許庁

The exhaust cleaning catalyst comprises a first layer (1) containing a HC adsorbent, a second layer (2) containing NOx cleaning-up catalytic component on the first layer, and an alkali compound (3) with a crystal diameter of 250 Å and contained in the second layer (2) together with Rh, Pd, and Pt.例文帳に追加

ＨＣ吸着材を含む第１層（１）上にＮＯｘ浄化触媒成分を含む第２層（２）を積層してなり、第２層（２）が、Ｒｈ、Ｐｄ及びＰｔなどと結晶子径が２５０Å以下であるアルカリ化合物（３）とを含有する排気ガス浄化触媒である。 - 特許庁

Further, the MO_xN_y metal compound is an extremely efficient oxygen diffusion barrier at 1,000°C, and achieves, in a p-type metal oxide semiconductor (pMOS) device, an extremely aggressive equivalent oxide film thickness (EOT) and an inversion layer thickness of 14 Å or less.例文帳に追加

さらに、本発明のＭＯ_ｘＮ_ｙ金属化合物は、１０００℃において非常に効率的な酸素拡散障壁であり、ｐ金属酸化物半導体（ｐＭＯＳ）デバイスにおいて、非常に攻撃的な等価酸化膜厚（ＥＯＴ）および１４Å未満の反転層厚を可能にする。 - 特許庁

The substrate having the high performance heat ray reflection film is characterized in that the multilayer film is formed on the surface of a transparent substrate by depositing a titanium nitride(TiN) film and ah oxide film sequentially, and the titanium nitride film has a face-centered cubic structure such that the lattice spacing of (111) face is 2.439 to 2.464 Å.例文帳に追加

透明基板表面に、窒化チタン（ＴiＮ）膜、酸化物膜が順次積層された多層膜において、該窒化チタン膜は、（１１１）面の面間隔が２．４３９Å〜２．４６４Åである面心立方構造を有することを特徴とする高性能熱線反射膜付き基板。 - 特許庁

By this method, a solar cell satisfying a single p-i-n junction having a single-intrinsic amorphous silicon layer having a thickness of 800 to 2,200 Å and having an open circuit voltage of a range from 0.887 V to 0.986 V and a fill factor of a range from 0.645 to 0.74 is manufactured.例文帳に追加

本方法により８００〜２２００Åの厚みの単−真性アモルファスシリコン層を有する単ｐ−ｉ−ｎ接合を具備し、０．８８７V〜０．９８６Vの範囲の開放電圧及び０．６４５〜０．７４の範囲の曲線因子を有する太陽電池を作製する。 - 特許庁

A soft magnetic laminate, having ≤500 Å thickness and constituted of a soft magnetic layer and a non-magnetic layer or a first soft magnetic layer and a second soft magnetic layer, having a crystal structure different from that of the first soft magnetic layer is provided between a non-magnetic substrate and a perpendicalar magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板と、垂直磁気記録層との間に、５００オングストローム以下の厚さを有する軟磁性層及び非磁性層から構成されるか、あるいは第１の軟磁性層及び第１の軟磁性層と異なる結晶構造を有する第２の軟磁性層から構成される軟磁性積層体を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting device having a positive electrode formed on a p-type semiconductor layer via a p-type contact layer, the p-type contact layer is 250 Å or smaller in film thickness, and Mg concentration is 1.5×10^20/cm^3 or higher.例文帳に追加

ｐ型半導体層の上に、ｐ型コンタクト層を介して形成された正電極を備える半導体発光素子であって、前記ｐ型コンタクト層が、膜厚２５０Å以下の膜厚で、Ｍｇ濃度１．５×１０^２０／ｃｍ^３以上に設定されてなる半導体発光素子。 - 特許庁

In this case, the gate oxide film 14 is formed by adjusting the partial pressure of the mixed gas of an oxidizing agent with an etchant so that the oxidizing agent (such as an N2O and an CO2) is combined with the etchant (such as H2) and the thin (to 12 Å) and high-quality oxide film 14 is controllably grown.例文帳に追加

ゲート酸化物（１４）が、酸化剤（例えばＮ_2Ｏ、ＣＯ_2）をエッチング剤（例えばＨ_2）と組合わせ、薄い（〜１２Å）高品質の酸化物（１４）を制御自在に成長させるように、分圧を調節することによって形成される。 - 特許庁

The high purity boehmite produced by hydrothermally treating ammonium dawsonite obtained by the reaction of an aluminum ammonium sulfate solution or an aluminum sulfate solution with an ammonium bicarbonate solution, firing and after firing, hydrothermally treating has 100-270 m2/g BET specific surface area and 20-90 Å crystallite diameter determined by peak (020) of X-ray diffraction pattern.例文帳に追加

硫酸アルミニウムアンモニウム溶液、又は、硫酸アルミニウム溶液と重炭酸アンモニウム溶液の反応で得られるアンモニウムドーソナイトを水熱処理、焼成、焼成後水熱処理することによって製造される高純度のＢＥＴ比表面積、結晶子径の制御されたベーマイト。 - 特許庁

The bismuth-substituted type terbium-iron-garnet single crystal for a wavelength band of 1.3 μm, which is composed of a simple substance having a lattice constant within a range of 12.482-12.484 Å and a Faraday rotation angle of 45° and exhibiting temperature characteristic of ≤0.030°/°C in absolute value, is produced.例文帳に追加

波長1.3μｍ帯域用で、格子定数を12.482Å以上且つ12.484Å以下の範囲とし、ファラデー回転角45度、温度特性が絶対値で0.030度／℃以下の単体からなるビスマス置換型テルビウム−鉄−ガーネット単結晶を製造する。 - 特許庁

The coating layer 2 is a silicon-containing film including a plasma polymer of an organosilicon compound formed on the inner surface of the container 1 by a plasma CVD from a starting raw material containing the organosilicon compound, and has a thickness of 50-700 Å and an atomic ratio of silicon to oxygen of 1/1.5-1/2.3.例文帳に追加

被覆層２は、有機珪素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより容器１の内表面上に形成された有機珪素化合物のプラズマ重合体を含む珪素含有被膜であり、５０〜７００オングストロームの厚さを備え珪素と酸素との原子比が１／１．５〜１／２．３である。 - 特許庁

In the stainless steel resin laminate in which stainless steel is joined to a resin to be an insulating layer, the thickness of an oxidized membrane existing on the surface of the stainless steel which is not in contact with the resin is made to 0.01-50 Å.例文帳に追加

ステンレスと絶縁層となる樹脂が接合されたステンレス樹脂積層体において、樹脂と接していないステンレスの表面に存在する酸化皮膜厚みが、０．０１Å〜５０Åであることを特徴とするステンレス樹脂積層体およびその製造方法。 - 特許庁

This purification method comprises bringing a mixture which has R-1234yf as the major component and includes hydrohaloalkene impurities other than the R-1234yf and hydrohaloalkane impurities into contact with a molecular sieve having an effective pore diameter of 5-10 Å to remove at least part of the impurities.例文帳に追加

Ｒ−１２３４ｙｆを主成分とし、Ｒ−１２３４ｙｆを除くハイドロハロアルケン不純物、およびハイドロハロアルカン不純物を含む混合物を、有効細孔径が５〜１０Åの分子篩に接触させて前記不純物の少なくとも一部を除去する精製方法。 - 特許庁

Formation of particle of silver oxide (I) and coating on the surface of the particle with the carbon particle are accomplished by adding alkaline solution to water solution of silver salt, containing a powder with an average diameter for carbon particle of 900 Å or smaller.例文帳に追加

平均粒径９００Å以下の炭素粒子粉末を含有する銀塩水溶液中に塩基性溶液を添加することにより、酸化銀(Ｉ)粒子を形成すると共に該粒子の表面を前記炭素粒子で被覆させることを特徴とする酸化銀−炭素複合材料の製造方法を採用する。 - 特許庁

A phosphor layer 1008 having a thickness of about 20 μm and an aluminium metal back layer 1009 having a thickness of about 1,000 Å for covering the phosphor layer 1008 are formed on the inner face of a face plate 1007 made of soda-lime glass, having a thickness of 3 mm.例文帳に追加

ソーダライムガラス製で３ｍｍ厚のフェイスプレート１００７の内面には約２０μｍ厚の蛍光体層１００８と、蛍光体層を覆うように約１０００Å厚のアルミメタルバック層１００９が形成されている。 - 特許庁

The coating layer 3 is an amorphous carbon film formed on the coating layer 2 by a plasma CVD from a starting raw material containing a carbon compound, and has a thickness of 10-300 Å and a surface tension of ≤55×10^-3 N/m.例文帳に追加

被覆層３は、炭素化合物を含む出発原料からプラズマＣＶＤにより被覆層２上に形成されたアモルファスカーボン被膜であって１０〜３００オングストロームの厚さと５５×１０^−３Ｎ／ｍ以下の表面張力とを備える。 - 特許庁

Since the very hard protective film 3 made of ZrO2-Y2O3 is formed to have a thickness of 100 to 500 Å, the surface roughness (rugged surface) of the sliding surface is maintained and thus advantageous for preventing a stiction phenomenon (the occurrence of a stiction phenomenon is suppressed).例文帳に追加

ＺｒＯ_2 −Ｙ_2 Ｏ_3 の系からなる高硬度の保護膜３を 100〜500 オングストロームの厚みで形成したので、摺動面の面粗さ（凹凸面）が維持されてスティクション現象に対して有利になる（スティクション現象の発生を抑制できる）。 - 特許庁

In this aluminum foil for the electrolytic capacitor, when measurement is made from the surface of the aluminum foil, the average value of depth to an oxygen concentration of 15 atomic % is 100 to 300 Å, and the depth is within 1/3 to 3 times larger than the average value.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面から測定して、１５ａｔｏｍｉｃ％酸素濃度に至るまでの深さの平均値が１００〜３００Åであり、前記深さが前記平均値の１／３〜３倍の範囲内にあることを特徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔。 - 特許庁

This sheet material is composed of zinc oxide, chromium oxide or a combination thereof, a stabilized layer 49 having a thickness of about 5 to 70 Å is formed on copper foil 12, and a resistance material 79 is vapor- deposited on the stabilized layer 49.例文帳に追加

酸化亜鉛、酸化クロムまたはそれらの組み合わせからなり、約５Åと約７０Åとの間の厚さを有する安定化層４９を銅箔１２上に形成し、この安定化層４９上に抵抗材料７９を蒸着させる。 - 特許庁

That is to say, the manufacturing method of the organic light emitting element comprises a process of heating the alkali metal containing cesium carbonate or the like by 8 wt.% or less at a temperature of 400°C or less, and forming a film at a rate of 0.1 Å/sec. or less by vapor deposition.例文帳に追加

すなわち炭酸セシウム等のアルカリ金属の濃度をアルカリ金属として８重量％以下とし、４００℃以下の加熱温度、毎秒０．１Å以下の成膜レートで蒸着する工程を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法を用いる。 - 特許庁

In the magneto-optical recording medium having at least a first recording layer 4 and a second recording layer 5 on a translucent board 2, the first recording layer 4 consists of Gd, Fe and Co, includes 28-30 atom % Gd, and has 50-100 Å film thickness.例文帳に追加

光透過性基板２上に、少なくとも第１の記録層４と、第２の記録層５とを有する光磁気記録媒体１において、第１の記録層４は、Ｇｄ、Ｆｅ，Ｃｏから成るものとし、Ｇｄが２８〜３０〔ａｔｏｍ％〕含有されるものとし、かつ膜厚が５０〜１００Åとする。 - 特許庁

Circular trenches T1-Tn of width S, depth (d), and spacing (w) are made at the topside of a semiconductor substrate of two layers of n+ and n, a silicon oxide film 8 of 7,000 Å or over is grown therein, and further is filled with polysilicon 10.例文帳に追加

ｎ^＋とｎの２層半導体基板上面に巾Ｓ深さｄ間間ｗの環状トレンチＴ_１〜Ｔ_ｎを形成し、その内部に７０００Å以上の膜厚のシリコン酸化膜８を成膜し、更にポリシリコン１０を充填する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon LSI device having an insulating film which is at most 15 Å in terms of SiO2 by a method wherein physical film thickness of an interface buffer layer which is used for holding excellent interface characteristic with a silicon substrate is reduced with superior controllability while practical existence of the interface buffer layer is maintained.例文帳に追加

シリコン基板との界面特性を良好に保つための界面バッファ層の実質的な存在を維持しつつ、その物理膜厚を制御性良く低減させ、ＳｉＯ_2換算１５オングストローム以下の絶縁膜を有するシリコンＬＳＩデバイスの製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Because the Pt/Ru alloy catalyst which has a lattice constant value of 3.856 to 3.885 Å, and of which the particle size is 2 to 5 nm, and which is carried on a carrier is superior in CO poisoning resistance, its activity is further excellent in use.例文帳に追加

３．８５６〜３．８８５Åの格子定数値を有し，粒子サイズが２〜５ｎｍであり，担体に担持されたＰｔ／Ｒｕ合金触媒は耐ＣＯ被毒性にすぐれる耐ＣＯ被毒性がすぐれるために，使用上でさらに活性が優秀である。 - 特許庁

Namely, in the case the film thickness of Al_2O_3 formed on the upper face of the film for forming columnar projections by a vapor deposition method is controlled to 50 to 100 Å, a film of Al_2O_3 is not formed, but insular many particles 4 consisting of Al_2O_3 are formed at random.例文帳に追加

すなわち、柱状突起形成用膜の上面に蒸着法により形成されるＡｌ_2Ｏ_3の膜厚が５０〜１００Åになるようにすると、Ａｌ_2Ｏ_3が膜状に形成されず、Ａｌ_2Ｏ_3からなる島状の多数の粒子４がランダムに形成される。 - 特許庁

This material comprises a non-porous anodic oxide film formed on aluminum or an aluminum alloy, which is 500-8000 Å thick, has porosity of 30% or less, and has water content of 6-30% in the whole film.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に無孔質陽極酸化皮膜が形成され、該無孔質陽極酸化皮膜の厚さが５００〜８０００Åであり、有孔度を３０％以下であり、かつ、皮膜全体の含水率が６〜３０％の無孔質陽極酸化皮膜とする。 - 特許庁

In such a method for producing an electromagnetic wave shielding light transmitting window material, the antiglare layer contains black or dark black ink, the black or dark black ink contains resin, the antiglare layer is formed by printing and the thickness of the antiglare layer is preferably in the range of 100-10000 Å.例文帳に追加

防眩層が黒又は暗色系インキを含む態様、黒又は暗色系インキが樹脂を含む態様、防眩層が印刷により形成された態様、防眩層の厚みが１００〜１００００Åである態様等が好ましい。 - 特許庁

The polysilicon layer 202 is at least 2,000 Å in thickness and 0.14 μm or less in width.例文帳に追加

該電気ヒューズ１００は、ポリシリコン層２０２上にシリサイド層２０４が形成されてなり、半導体基板２１２から電気ヒューズ１００を分離させる第１の絶縁体部分と、その真上にある少なくとも１つの電気導体から電気ヒューズを分離させる第２の絶縁体部分とを備える。 - 特許庁

The funnel glass for the color cathode-ray tube contains PbO of 10-30 wt%, its absorption coefficient to X-ray wave length of 0.6 Å is 40 cm^-1 or more and it contains Fe_2O_3 of 0.06-10 wt%.例文帳に追加

ＰｂＯ含有量が１０〜３０重量％であり、０．６オングストロームの波長のＸ線に対する吸収係数が４０ｃｍ^−１以上であるカラー陰極線管用ファンネルガラスにおいて、Ｆｅ_２Ｏ_３を０．０６〜１０重量％含有してなることを特徴とする。 - 特許庁

The gas adsorption apparatus employs a fibrous active charcoal having a BET specific surface area of 1,000-1,800 m^2/g, an amount of surface acidic groups of ≤0.5 meq/g and an average pore diameter of 17-20 Å whose precursor is made of a phenolic fiber.例文帳に追加

ＢＥＴ比表面積１０００〜１８００ｍ^２／ｇ、表面酸性基量が０．５ｍｅｑ／ｇ以上、平均細孔直径が１７〜２０Åであって、前駆体がフェノール系繊維からなる繊維状活性炭を用いることを特徴とするガス吸着処理装置。 - 特許庁

By forming an Ni-Fe alloy by an electroplating method using a pulse current, the mean crystal grain diameter of the Ni-Fe alloy film can be made 105 Å or smaller, and the composition ratio of Fe can be set in the range from 60 wt.% to 75 wt.%.例文帳に追加

Ｎｉ−Ｆｅ合金膜を、パルス電流を用いた電気メッキ法によりメッキ形成すれば、前記Ｎｉ−Ｆｅ合金膜の平均結晶粒径を、１０５Å以下にし、しかもＦｅの組成比を、６０ｗｔ％から７５ｗｔ％に設定することが可能である。 - 特許庁

The deodorizer comprises activated carbon which is a porous carbon material, the rate of carbonization of the activated carbon is ≥90%, the specific surface area is ≥1,700 m^2/g and a plurality of micropores present in the surface have been made through and adjusted to 5-10 Å diameter.例文帳に追加

多孔質の炭素物質である活性炭からなる脱臭材であって、その炭素化率が９０％以上で、比表面積が１７００ｍ^２／ｇ以上で、表面にある複数の微細孔を貫通させ、その直径を５〜１０Åに形成した。 - 特許庁

The deodorizing filter 31 detachably installed in an air cleaner and the like is constituted by seven baggy storage chambers 41a of an air- permeable non-woven fabric 41 filled almost equally with activated carbon 42 with the pore size of 10 to 13 Å immersed in a chlorine based solution and then rinsed with water and dried.例文帳に追加

空気清浄機等に装着自在に取り付けられる脱臭フィルタ３１は、塩素系溶液に浸漬させた後に水洗い・乾燥させた細孔径１０〜１３Åの活性炭４２を、通気性を有する不織布４１の７個の袋状の収納室４１ａに略均等に充填して構成されている。 - 特許庁

Incidence X rays 103 of copper Cuα1 (1.5374 Å) from an X-ray tube 101 pass through a slit 102 and is reflected from a crystal r surface that is an artificial crystal ingot 105 at an incidence point 104, and enters an X-ray detection section 112 as reflection X-rays 111.例文帳に追加

Ｘ線管１０１からの銅Ｃｕα_１（１．５３７４Å）の入射Ｘ線１０３はスリット１０２を通り入射点１０４で人工水晶インゴット１０５である水晶ｒ面で反射し、反射Ｘ線１１１として、Ｘ線検出部１１２に入る。 - 特許庁

The modified electrode has an electrode member on a substrate, and a specific metallocene polymer compound immobilized on the electrode member via chemical coupling, wherein the metallocene polymer compound has a spacer having length ≥8 Å between a metallocene part and a reactive group capable of causing polymerization.例文帳に追加

基板上に電極材料を有し、該電極材料上に化学結合を介して固定化されている特定のメタロセンポリマー化合物を備えている修飾電極であって、前記メタロセンポリマー化合物は、メタロセン部分と重合を引き起こしうる反応性基との間に８Å以上の長さを持つスペーサーを有していることを特徴とする修飾電極。 - 特許庁

The polyamide resin composition containing the layered silicate of 0.01-40 mass% in the polyamide obtained from a dicarboxylic acid component having an adipic acid as a main ingredient and a diamine component having meta-xylylene diamine as the ingredient is characterized in that the distance of layer space in the silicate is 20 Å or more.例文帳に追加

アジピン酸を主成分とするジカルボン酸成分とメタキシリレンジアミンを主成分とするジアミン成分とから得られるポリアミドに、層状珪酸塩を0.01〜40質量％含有したポリアミド樹脂組成物において、層状珪酸塩の層間距離が20Å以上であることを特徴とするポリアミド樹脂組成物。 - 特許庁

The polymerization catalyst for polymerizing a compound having an olefinic double bond is characterized by using the organoaluminoxane characterized by being absorbed in an inorganic porous body comprising ≥80 mol.% porous body with 10-200 Å pore diameter expressed in terms of the aluminum atom as one component of the catalyst.例文帳に追加

また、本発明の重合用触媒は、オレフィン性二重結合をもつ化合物を重合させるための触媒であって、アルミニウム原子換算で８０モル％以上が細孔径１０〜２００オングストロームの無機多孔質体に吸着される特性を有する有機アルミノキサン化合物を触媒の一成分とすることを特徴とする。 - 特許庁

as a diffraction peak (±0.2°) for Bragg angle 2θ to a characteristic X ray (wavelength 1.514 Å) of CuKα in an organic solvent in the presence of water comprises containing an oxidation preventive agent.例文帳に追加

ＣｕＫαの特性Ｘ線（波長１．５１４Å）に対するブラッグ角２θの回折ピーク（±０．２゜）として、少なくとも７．０〜７．５゜に最大回折ピークを有する不定形チタニルフタロシアニンを水の存在下で有機溶媒により結晶変換を行なうチタニルフタロシアニンの製造方法において、該有機溶媒中に酸化防止剤を含有することを特徴とするチタニルフタロシアニンの製造方法。 - 特許庁

Oxygen, carbon dioxide and water contained in crude ammonia as impurities are removed by contacting commercial crude ammonia for industrial use or crude ammonia recovered from the process for gallium nitride type compound semiconductor, with the catalyst having manganese or nickel oxide as the effective component, followed by further contacting the crude ammonia with synthetic zeolite of 4-10 Å equivalent pore diameter.例文帳に追加

工業用として市販されている粗アンモニアまたは窒化ガリウム系化合物半導体プロセスから回収された粗アンモニアを、酸化マンガンまたはニッケルを有効成分とする触媒と接触させた後、さらに細孔径が４〜１０Å相当の合成ゼオライトと接触させて、粗アンモニアに不純物として含まれる酸素、二酸化炭素、水を除去する。 - 特許庁

The cleaning method for the substrate by using a cleaning solution so as to remove particles of a contaminant is characterized by using, as the cleaning solution, a solvent that is selected from among chain hydrofluorocarbon and hydrofluoroether each having an electrically negative level larger than the contaminant and a molecular volume of ≤130 Å^3.例文帳に追加

汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が１３０Å^３以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 - 特許庁

The actinic-ray- or radiation-sensitive resin composition includes an arylsulfonium salt that when exposed to actinic rays or radiation, generates an acid, the arylsulfonium salt containing at least one aryl ring on which there are a total of one or more electron donating groups, the acid generated upon exposure to actinic rays or radiation having a volume of ≥240 Å^3.例文帳に追加

活性光線または放射線の照射により酸を発生するアリールスルホニウム塩であり、少なくとも１つのアリール環上に電子供与性基を合計１つ以上有し、且つ活性光線または放射線の照射により発生する酸の体積が２４０Å^３以上であるアリールスルホニウム塩を含有することを特徴とする感活性光線性または感放射線性樹脂組成物。 - 特許庁

An electrode configured of the aluminum pattern layer is formed on one face of a transparent base material, and the thickness of the oxide coating of aluminum on the opposite side face of at least the transparent base material side of the aluminum pattern layer is set to 13 Å or less so that it is possible to provide an electrode film for a touch panel and a touch panel using the electrode film.例文帳に追加

透明基材の一方の面にアルミニウムパターン層からなる電極が形成されており、該アルミニウムパターン層の少なくとも該透明基材側とは反対側の面のアルミニウムの酸化物皮膜の厚みが１３Å以下であるタッチパネル用電極フィルム、及び該電極フィルムを用いたタッチパネル。 - 特許庁

In the dielectric glass for a capacitor, the dielectric constant of glass is at least 5, its dielectric loss tangent is not more than 0.05, its volume resistivity is at least 108 Ωcm, its liquid phase viscosity is at least 103.5 dPa, the thickness of a dielectric glass film is not more than 50 μm, and its average surface roughness Ra is not more than 50 Å.例文帳に追加

コンデンサー用誘電体ガラスは、ガラスの誘電率が５以上、誘電正接が０．０５以下、体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上、液相粘度が１０３．５ｄＰａ・ｓ以上であり、誘電体ガラスフィルムの厚さが５０μｍ以下、且つ、平均表面粗さＲａが５０Å以下とする。 - 特許庁

The silicon wafer heat-treating method is of the type of heat-treating the silicon wafer by a vertical heat treatment furnace, wherein the inert gas flow rate immediately after the start of putting the silicon wafer into the furnace is ≥30 L/min and ≤45 L/min and the thickness of an oxide film formed on the silicon wafer surface when the wafer is put into the furnace is ≤16 Å.例文帳に追加

本発明にかかるシリコンウエハの熱処理方法は、縦型熱処理炉を用いてシリコンウエハを熱処理する熱処理方法であって、前記シリコンウエハの炉入れ開始直後の不活性ガス流量を３０Ｌ／ｍｉｎ以上４５Ｌ／ｍｉｎ以下とし、炉入れ時にシリコンウエハ表面に形成される酸化膜厚を１６Å以下になすことを特徴とする。 - 特許庁

In the transparent conductive material, the aluminum pattern layer is laminated on one surface of a transparent base material, a curable transparent resin layer is laminated on the aluminum pattern layer, the thickness of an aluminum oxide film on a surface of the aluminum pattern layer opposite to at least its transparent base material side surface is not more than 13 Å, and the contact angle of a surface of the curable transparent resin layer with water is at least 79°.例文帳に追加

透明基材の一方の面にアルミニウムパターン層と、該アルミニウムパターン層上に硬化性透明樹脂層が積層されており、該アルミニウムパターン層の少なくとも該透明基材側とは反対側の面におけるアルミニウム酸化物皮膜の厚みが１３Å以下であり、且つ、該硬化性透明樹脂層表面の水の接触角が７９°以上であることを特徴とする、透明導電材。 - 特許庁