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くろふぃぶりんさんの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 2863



例文

送信FIFO8aにおいては、サンプリングクロックWCKIの立ち下がり時に、サンプリング周期(n)のデータD0(n)〜D2(n)を入力し、サンプリングクロックWCKIの立ち上がり時に、サンプリング周期(n+1)のデータD0(n+1)〜D2(n+1)を入力する。例文帳に追加

A transmission FIFO 8a receives data D0(n)-D2(n) with a sampling period (n) at a trailing of the sampling clock WCK 1 and receives data D0(n+1)-D2(n+1) with a sampling period (n+1) at a leading of the sampling clock WCK 1. - 特許庁

3GPPのフレームプロトコルにおいて、Windowの設定位置を計算するための処理負荷を少なくしてWindow判定処理を行う方法を提供する。例文帳に追加

To provide a Window decision processing method which reduces the processing load for calculating the set position of a Window in the frame protocol of the 3GPP. - 特許庁

複数台の三相ブリッジ回路を並列接続した自励式変換装置において、フィルタ回路(三相コンデンサ)74を、三相ブリッジ回路73_1、73_2の全出力または全入力が合成された箇所に接続する。例文帳に追加

In the self-excitation type converter in which a plurality of three-phase bridge circuits are connected in parallel with each other, the filter circuit (three-phase capacitor) 74 is connected to a position where all the outputs or all the inputs of the three-phase bridge circuits 73_1 and 73_2. - 特許庁

そして、この熱抵抗率H、浴槽水温度T_WP、風呂保温動作開始温度T_WS、および平均外気温度T_fAveに基づいて、浴槽水温度低下時間Δt_Wを算出する。例文帳に追加

The bathtub water temperature lowering time Δt_W is calculated on the basis of the heat resistivity H, the bathtub water temperature T_WP, a bath heat retaining operation start temperature T_WS, and the average outside air temperature T_fAve. - 特許庁

例文

制御装置300は、f−V変換部302と、電圧制限器304と、電気角演算器306と、正弦波データテーブル308と、三相正弦波電圧算出部310と、ローパスフィルタ312と、PWM作成部314と、メモリ318とを備える。例文帳に追加

The controller 300 includes an f-V converter 302, a voltage limiter 304, an electrical-angle computing element 306, a sine-wave data table 308, a three-phase sine-wave voltage computer 310, a low-pass filter 312, a PWM preparation part 314, and a memory 318. - 特許庁


例文

微細孔を有する熱可塑性樹脂製多孔性フィルムを基材層として少なくとも1層と印刷記録層とを含む印刷用シートであって、前記微細孔は、フィルムの1方向に伸びる幹フィブリルとこの幹フィブリル間を連結する枝フィブリルとからなる3次元網状組織により形成されており、前記枝フィブリルの形成密度は、前記幹フィブリルの形成密度より高いことを特徴とする印刷用シート。例文帳に追加

The forming density of the branch fibrils is higher than that of the trunk fibrils. - 特許庁

両比較器12,13の出力をAND回路15に入力し、そのAND回路15の出力を前記フルブリッジ回路2の駆動回路6に入力し、フルブリッジ回路のデューティー制御を行う。例文帳に追加

The outputs of the comparators 12 and 13 are input to an AND circuit 15, and the output of the AND circuit 15 is input to the drive circuit 6 of the full-bridge circuit 2 and duty-control of the full-bridge circuit is carried out. - 特許庁

第1の複合材料は、ミクロフィブリル化セルロースの水性スラリーの水分をアセトンで置換したミクロフィブリル化セルローススラリーと、ポリ乳酸のクロロホルム溶液を混合後、乾燥、粉砕することにより製造できる。例文帳に追加

The first composite material can be produced by mixing a polylactic acid chloroform solution with a microfibrillated cellulose slurry obtained by replacing the water of a microfibrillated cellulose aqueous slurry with acetone, drying the mixture and then crushing the dried product. - 特許庁

送信データの種類に応じて無線パケットの優先度を設定し(ST1100)、この優先度に基づいて衝突回避時間の最大値であるT_CWを算出する(ST1200)と共に、バックオフ時間T_Bを、0〜T_CWの範囲内からランダムに選択する(ST1300)。例文帳に追加

The priority of the radio packet is set corresponding to the type of transmission data (ST1100), T_CW being the maximum value of a collision avoidance time is calculated on the basis of this priority (ST1200), and a back-off time T_B is randomly selected from a range of 0-T_CW(ST1300). - 特許庁

例文

制御回路7はフルブリッジインバータ回路6を人の可聴域を外れた20kHz〜30kHzで駆動し、ハーフブリッジインバータ回路5を人の可聴域を外れた40kHz以上で駆動する。例文帳に追加

The control circuit 7 drives a full-bridge inverter circuit 6 at a frequency of 20-30 kHz outside the human audible range, and drives a half-bridge inverter circuit 5 at a frequency over 40 kHz outside the human audible range. - 特許庁

例文

ディザ信号値Fwaveとディザ入力ゲインKWIDを乗算し、モデルパラメータb1で除算することにより、強制加振入力Uwaveが算出される(S320)。例文帳に追加

Forced vibration input Uwave is calculated by multiplying the dither signal value Fwave with the dither input gain KWID, and dividing it by a model parameter b1 (S320). - 特許庁

このプロファイル情報はプロファイル部33からWAP−GW10aおよびJSP10bに供給される。例文帳に追加

The profile information is supplied from the profile section 33 to a WAP-GW10a and a JSP10b. - 特許庁

ワード線駆動回路30は、ワード線WLを駆動するドライバDRVと、ドライバDRVとワード線WLとの間に設けられるトランスファートランジスタTRAと、ゲート制御回路32を含む。例文帳に追加

The word line driving circuit 30 is provided with a driver DRV for driving the word line WL, a transfer transistor TRA provided between the driver DRV and the word line WL, and a gate control circuit 32. - 特許庁

数平均分子量(Mn)が50000≦Mn≦130000、重量平均分子量(Mw)が130000≦Mw≦290000であるセルロースエステルを含有する事を特徴とする光学フィルム。例文帳に追加

The optical film is characterized by containing a cellulose ester with number-average molecular weight (Mn) and weight average molecular weight (Mw) satisfying inequalities 50,000Mn130,000 and 130,000≤Mw≤290,000. - 特許庁

制御装置を構成するCPU24は、Hブリッジ回路21内の上段の2つのFET1、FET2と、下段の2つのFET3、FET4とを相補PWM駆動する。例文帳に追加

A CPU 24 to constitute the controllers makes complementary PWM drive of two FETs 1 and 2 at the upper stage in the H-bridge circuit 21 and two other FETs 3 and 4 at the lower stage. - 特許庁

オーディオキャンセラ20は、各チャンネルのオーディオ信号X_L(t),X_R(t)を取得し、これをフィルタ係数W_L[k],W_R[k]にて畳み込み演算することにより、適応フィルタ23L,23Rにて雑音除去信号U_L(t),U_R(t)を生成する。例文帳に追加

An audio canceler 20 acquires audio signals X_L(t) and X_R(t) of respective channels, which are subjected to convolutional operation using filter coefficients W_L[K] and W_R[k] to generate noise-eliminated signals U_L(t) and U_R(t) by adaptive filters 23L and 23R. - 特許庁

一方サンプリングポイントが監視対象エリア10、12、14に切り替わるごとに、ウインドディスクリW1、W2、W3を選択し、各ウインドディスクリに含まれる天然放射能のレベルを補正値演算部46で求める。例文帳に追加

On the other hand, at every switching of sampling points to monitoring object areas 10, 12 and 14, window discriminators are selected to calculate the level of natural radioactivity included in each window discriminator with a correction value operator 46. - 特許庁

アクティブフィルタ回路は、第1抵抗R1と、演算増幅器3と、第2抵抗Rfと、キャパシタCfと、スイッチSW1とを具備する。例文帳に追加

An active filter circuit includes a first resistor R1, an operational amplifier 3, a second resistor Rf, a capacitor Cf and a switch SW1. - 特許庁

境界は、Nウェル302境界360,361,362,363により決められるのではなく、チャネルやアクティブ領域301の境界といったPFETフィーチャから測られるような所定距離により位置されるよう適切に設計することができる。例文帳に追加

The boundary may be appropriately designed to be located by a predetermined distance as measured from a PFET feature, such as a boundary of a channel or an active region 301, rather than being determined by an N-well 302 boundary 360, 361, 362, 363. - 特許庁

FET32,34,36,38のゲート幅W2およびゲート長L2はそれぞれ、FET12,22のゲート幅W3およびゲート長L3に等しい。例文帳に追加

A gate width W2 and the gate length L2 of the FETs 32, 34, 36, 38 are equal to gate width W3, and the gate length L3 of FETs 12, 22, respectively. - 特許庁

ハイブリッド回路1000は、直並列変換器110、単位差動符号化回路120−1、…、120−N、並列型信号変換回路200、離散フーリエ逆変換回路(IDFT)300、並びに並直列変換器301及び302を有する。例文帳に追加

This hybrid circuit 1000 has a serial parallel converter 110, a parallel type signal conversion circuit 200, an inverse discrete Fourier transform circuit (IDFT) 300 and parallel serial converters 301, 302. - 特許庁

D級増幅器(10)は、ブリッジ回路(24)と、電源電圧検知部(30)と、PWM利得制御部(22)とを具備する。例文帳に追加

A class-D amplifier (10) comprises a bridge circuit (24), a power-supply voltage detection section (30), and a PWM gain control section (22). - 特許庁

最大効率運転制御器203は、風速V_windから発電機速度指令W_gen^*を算出する。例文帳に追加

A maximum efficiency operation controller 203 computes a generator speed command W_gen^* from the wind speed V_wind. - 特許庁

トリップ出力回路とインターロック回路のフォトボルPV1〜PV3の入力回路に抵抗R4,R5とスイッチ回路SW1,SW2を設け、点検信号11Tの出力でタイマT1,T2でスイッチ回路SW1,SW2をオフさせることで入力電流を通常時よりも減じて点検する。例文帳に追加

Resistors R4, R5 an switching circuits SW1, SW2 are provided for the photovoltaic elements PV1 to PV3 of a tripping output circuit and an interlocking circuit. - 特許庁

モード3において、第1のクロックCKをVDDに維持し、第2のクロックXCK’をGNDから第2の高レベル(2VDD)に変化させると共に、第3のスイッチング素子SW3をオンし、第1及び第2のスイッチング素子SW1,SW2をオフする。例文帳に追加

In mode 3, the first clock CK is sustained at VDD, the second clock XCK' is changed from GND to a second high level (2VDD), the third switching element SW3 is turned on, and the first and second switching elements SW1 and SW2 are turned off. - 特許庁

ミクロフィブリル化セルロース2の表面にポリ乳酸3が被覆されたもの(第1の複合材料)である。例文帳に追加

The first composite material comprises microfibrillated cellulose 2 and polylactic acid 3 coated on the surface of the microfibrillated cellulose 2. - 特許庁

半導体装置10の複数の内部端子PD1、PD2、PD3と電源線7との間に不揮発性スイッチ部NSW1、NSW2、NSW3を設ける。例文帳に追加

Nonvolatile switch sections NSW1, NSW2, and NSW3 are arranged between a plurality of internal terminals PD1, PD2, and PD3 of the semiconductor device 10 and a power wire 7, respectively. - 特許庁

遊技機1では、複数のサブリール23L,23C,23Rのうち一の左サブリール23Lが4thリール(第2サブリール)110による演出の開始を示唆する特定の図柄(4thリールを指し示す「矢印」)を有する。例文帳に追加

In the game machine 1, a left subordinate reel 23L of a plurality of subordinate reels 23L, 23C and 23R has a specific symbol ("arrow" indicating a fourth reel) suggesting the start of presentation in the fourth reel 110 (second subordinate reel). - 特許庁

商用電源50の出力が負荷に接続されているときには、GNDに接続された一対のSW33,34がオフしている。例文帳に追加

When the output of a commercial power source 50 is connected to the load, a pair of switches SW 33, 34 connected to a GND are turned off. - 特許庁

ポリアミド樹脂40〜80wt%と、酸変性ポリオレフィン系樹脂1〜59wt%と、黒鉛粉末1〜30wt%とを含むポリアミド樹脂組成物であって、 上記黒鉛粉末が、上記ポリアミド樹脂組成物中でアスペクト比(平均粒径/平均厚み)が平均30以上300未満で分散していることを特徴とするポリアミド樹脂組成物。例文帳に追加

This invention relates to the polyamide resin composition containing 40 to 80 wt.% polyamide resin, 1 to 59 wt.% acid-modified polyolefin resin and 1 to 30 wt.% graphite powder, wherein the graphite powder is dispersed in the polyamide resin composition so that an aspect ratio (average particle diameter/average thickness) is 30 to <300 on average. - 特許庁

被覆層3のエッジとボンディング部2WBとの交差角度θは90度を超える。例文帳に追加

A crossed axes angle θ between the edge of the coating layer 3 and the bonding portion 2WB exceeds 90°. - 特許庁

駆動回路13、14はMOSFET111、121のPWM信号を出力する。例文帳に追加

The drive circuits 13 and 14 output the PWM signals of the MOSFETs 111 and 121. - 特許庁

増幅部用スイッチSW3の接続によって信号検出回路SDも起動する。例文帳に追加

A signal detecting circuit SD is also activated by the connection of the switch SW3 for the amplification section. - 特許庁

押圧ローラ106と受けローラ103とは、インクヘッド107によって記録メディアWKに付着された紫外線硬化型インクIKを押圧する。例文帳に追加

The press roller 106 and receiving roller 103 press the ultraviolet curable ink IK attached to the recording medium WK by the ink head 107. - 特許庁

PID増幅器35は、ハーフブリッジ出力電流I_3と、総合制御部28からの電流基準I_RとPID増幅器36の出力V_36の和とを比較増幅する。例文帳に追加

A PID amplifier 35 compares a half-bridge output current I_3 with the sum of the reference current I_R and the output V_36 of a PID amplifier 36 from an integrated control unit 28 and amplifies the result of comparison. - 特許庁

そして、LPPWindow生成回路53,位相比較器61,AC位相シフタ62及びPLL回路63で、ウォブリングパルスの位相をプリピットの位相に合わせ込み、これを記録或いは再生クロックとして出力する。例文帳に追加

Then, by an LPPWindow producing circuit 53, a phase comparator 61, an AC phase shifter 62 and a PLL circuit 63, the phase of the wobbling pulse is fitted into the phase of the prepit and outputted as the recording or reproducing clock. - 特許庁

このD級増幅器は、ジッタのないマスタークロックΦpに基づいて、キャリア信号Pctを生成しPWM回路13へ出力する。例文帳に追加

The present class-D amplifier generates a carrier signal Pct and outputs it to a PWM circuit 13 based on a master clock Φp with no jitter. - 特許庁

溝巾W1が4.0mmより大な周方向主溝3により、リブ巾RWがトレッド接地巾TWの0.1〜0.3倍の巾広のリブ状陸部6を含む複数のリブ状陸部4に区分する。例文帳に追加

A rib width RW is partitioned in a plurality of rib-like land part 4 containing the rib-like land part 6 having the width of 0.1 to 0.3 times of the tread contact land width TW by a peripheral main groove 3 larger having a groove width W1 of larger than 4 mm. - 特許庁

加熱ローラ13のフッ素樹脂層13cの厚さTg、ゴム層13bの厚さTjを100μm≦Tg≦180μm、50μm≦Tj≦150μmとし、ゴム層13bの熱伝導率を0.6W/m・K〜1.5W/m・Kとした定着装置とする。例文帳に追加

In the fixing unit, the thickness Tg of a fluororesin layer 13c and the thickness Tj of a rubber layer 13b in a heating roller 13 are defined as 100Tg180 μm and 50Tj150 μm, and the thermal conductivity of the rubber layer 13b is defined as 0.6-1.5 W/mK. - 特許庁

被検査LSI4内部の複数の電源端子PD1〜PD3と電源線10との間にスイッチSW1〜SW3を、被検査LSI内部の電源線と接地線11間にスイッチSWTを設ける。例文帳に追加

An LSI 4 under test contains switches SW1-SW3 between a plurality of power electrodes PD1-PD3 and a power line 10 and a switch SWT between the power line and a ground line 11. - 特許庁

さらに、圧電基板5の周縁部には、SAWフィルター10,20,30共通の接地電極である枠状のアースパターン7が、SAWフィルター10,20,30を囲むように設けられている。例文帳に追加

Moreover, the peripheral part of the piezoelectric substrate 5 is provided with a frame-shaped earth pattern 7 to be a ground electrode common to the SAW filters 10, 20, and 30 so as to surround the SAW filters 10, 20, and 30. - 特許庁

α-オレフィン・環状オレフィン共重合体は、(A)炭素原子数が2〜30の直鎖状または分岐状のα-オレフィンからなる群より選ばれる少なくとも1種の構成単位と、(B)環状オレフィンに由来する構成単位からなる群より選ばれる少なくとも1種の構成単位とからなるα-オレフィン・環状オレフィン共重合体であって、(a)GPCにより求められるMw/Mnが1.0<(Mw/Mn)≦1.8であり、(b)重量平均分子量(Mw)が1,000≦Mw≦5,000,000であり、かつ(c)α-オレフィンに由来する構成単位と環状オレフィンに由来する構成単位とのモル比が99/1〜20/80である。例文帳に追加

(b) a weight average molecular weight (Mw) of 1,000≤Mw≤5,000,000, and simultaneously, (c) a molar ratio of the constituting unit derived from the α-olefin to that derived from the cyclic olefin of 99/1 to 20/80. - 特許庁

計算回路36は、符号語D_2を発見できたときに回路34から出力される符号語D_2から、その各1ビットを反転した状態での最も確からしい符号語の探索により行ベクトルW_k1を算出する。例文帳に追加

A calculation circuit 326 calculates a row vector W_k1 from the code word D_2, outputted from the circuit 34 through the most probable retrieval code in an inverted state of each bit, when finding out the code word D_2. - 特許庁

PWM生成回路1には、PWMデューティ設定部2、パルス幅変調回路3、デッドタイム付加回路4、出力論理選択回路5、PWM周期設定レジスタMDPRD、U相PWMデューティレジスタCMPU、 V相PWMデューティレジスタCMPV、及びW相PWMデューティレジスタCMPWが設けられている。例文帳に追加

A PWM generating circuit 1 is provided with: a PWM duty setting unit 2; a pulse duration modulation circuit 3; a dead time addition circuit 4; an output logic selection circuit 5; a PWM period setting resistor MDPRD; a U phase PWM duty resistor CMPU; a V phase PWM duty resistor CMPV; and a W phase PWM duty resistor CMPW. - 特許庁

保証コード検査部1Dは、各拡張論理ブロック3F,3W,3Bについて、それぞれの保証コード5を検査する。例文帳に追加

A guarantee code inspection part 1D inspects each guarantee code 5 for the respective extended logical blocks 3F, 3W and 3B. - 特許庁

サブアセンブリは、圧電素子28、フレキシブルプリント基板30、キャビティプレート34、ディセンダープレート36、音響吸収材38、スペーサ40及びオリフィスプレート42から成り、これらは一体に結合されている。例文帳に追加

The subassembly includes a piezoelectric element 28, a flexible printed substrate 30, a cavity plate 34, a descender plate 36, an acoustic absorbing material 38, a spacer 40 and an orifice plate 42, and they are integrally connected. - 特許庁

波長170nmから380nmの全域における透過率が80%以上、163nmの吸収ピークが実質的に存在せず、OH含有量:30wtppm以下、Cl含有量:10wtppm以下、フッ素含有量:7000wtppm以上、30000wtppm以下、であることを特徴とする石英ガラスとした。例文帳に追加

The synthetic quartz glass is characterized in that the transmissivity in the whole wavelength region of 170-380 nm is80%, no absorption peak substantially exists at 163 nm, the OH content is30 ppm by weight, the Cl content is10 ppm by weight, and the fluorine content is 7,000-30,000 ppm by weight. - 特許庁

D−RNC 38は、S−RNC 40に要求メッセージを送信して、ドリフティングWTRUの測定を要求する。例文帳に追加

The D-RNC 38 sends a request message to the S-RNC 40 requesting measurements of the drifting WTRU. - 特許庁

ゲート・スタックに三層構造、すなわちCVDによるTiN形層(102)、PVDによるTiN層(103)及びCVDによるW金属層(104)を取り入れたMOSFET構造。例文帳に追加

A MOSFET structure adopts as a gate stack a three-layered structure composed of a TiN-type layer 102 formed through a CVD method, a TiN layer 103 formed through a PVD method, and a W metal layer 104 formed through a CVD method. - 特許庁

例文

フィルタ36C1からフィルタ36C3に切り換える際には、ターレット駆動モータ54Cによってプーリ55Aを回転させ、ターレット36Cを矢印cw方向に60°回転させる。例文帳に追加

At switching from the filter 36C1 to the filter 36C3, a pulley 55A is rotated by a turret drive motor 54C, and the turret 36C is rotated by 60° in the direction of the arrow cw. - 特許庁

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