「こつまくかいんぷらんと」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを含む回路装置、薄膜トランジスタを含む液晶ディスプレイおよび回路装置を含む液晶ディスプレイにおいて、薄膜トランジスタの電気特性のばらつきを小さくすること。例文帳に追加

To reduce variation in electric characteristics of the thin film transistor in: a thin film transistor; a circuit apparatus including the thin film transistor; a liquid crystal display including the thin film transistor; and a liquid crystal display including the circuit apparatus. - 特許庁

また、キメラペプチドは、原形質膜、ミトコンドリア膜、または核膜などの生体膜をトランスロケーションさせることができる。例文帳に追加

Also, the chimera peptide can perform the translocation of the bio-membrane such as a plasma membrane, mitochondria membrane, nuclear membrane or the like. - 特許庁

卵殻膜加水分解ペプチドの誘導体は、卵殻膜加水分解物のＮ−第４級アンモニウム誘導体、卵殻膜加水分解物のＮ−アシル化誘導体、卵殻膜加水分解物のＮ−シリル化誘導体および卵殻膜加水分解ペプチドのエステル誘導体からなる群から選ばれるのが好ましく、卵殻膜加水分解物の誘導体の１種以上の化粧料中での含有量は０．０５〜３０質量％であることが好ましい。例文帳に追加

The derivative is preferably selected from the group consisting of an N-quaternary ammonium derivative, an N-acylated derivative and an N-silylated derivative of eggshell membrane hydrolyzates and an eggshell membrane-hydrolyzed peptide's ester derivative. - 特許庁

薄膜の加工方法と薄膜トランジスタの製造方法および高密度プラズマエッチング装置例文帳に追加

PROCESSING METHOD OF THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THIN FILM TRANSISTOR AND HIGH DENSITY PLASMA ETCHING DEVICE - 特許庁

薄膜トランジスタでもって実用的なオペアンプ回路を構成する。例文帳に追加

To constitute a practical operational amplifier circuit by using a thin-film transistor. - 特許庁

カプセル被膜とそれに内包されるカプセル充填液とからなるカプセルであって、このカプセル被膜のカプセル被膜マトリックスとしてカードランが用いられている、耐熱性カプセル。例文帳に追加

The heat-resistant capsule comprising the capsule coating film and a capsule filling liquid encapsulated with the coating film is characterized by using curdlan as the matrix for the capsule coating film. - 特許庁

本発明の電界効果トランジスタは、カーボンナノチューブ２３を被覆する絶縁保護膜２４と、プラズマＣＶＤ膜２９と、絶縁保護膜２４とプラズマＣＶＤ膜２９との間に形成された金属膜３０とを有する。例文帳に追加

This field-effect transistor includes: an insulation protective film 24 covering carbon nanotubes 23; a plasma CVD film 29; and a metal film 30 formed between the insulation protective film 24 and the plasma CVD film 29. - 特許庁

液相プロセスを用いて、安全かつ所望な膜厚の良質な膜を形成することができる高次シラン組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a higher-order silane composition capable of forming a safe, high-quality film with desired thickness through a liquid phase process. - 特許庁

単一の又は複数の強膜プロテーゼを患者の眼内へインプラントすることで、部分的に又は全体的に、老眼に調節力を回復させることができる強膜プロテーゼ、および強膜プロテーゼを含むシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a scleral prosthesis which is implanted alone or multiply in a patient's eye to partially or completely restore the accommodative power to a presbyopic eye, and to provide a system including the scleral prosthesis. - 特許庁

プラント構成部材であるＢＷＲプラントの再循環系配管に皮膜形成装置を接続する（ステップＳ１）。例文帳に追加

A film formation device is connected to a recirculation system pipe of a BWR plant which is a plant component (step S1). - 特許庁

管内壁面に形成する塗膜層の膜厚の均一化を図ることのできる塗膜層形成方法、及び、輝度の均一化を図ることのできるランプの製造方法及びランプの製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a coated film layer forming method capable of forming a coated film layer with a uniform thickness on an inner wall surface of a tube, and to provide a manufacturing method and manufacturing device of a lamp with uniform brightness. - 特許庁

管内壁面に形成する塗膜層の膜厚の均一化を図ることのできる塗膜層形成方法、及び、輝度の均一化を図ることのできるランプの製造方法及びランプの製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a coating film layer forming method capable of uniformizing thickness of the coating film layer formed on the inside wall surface of a tube, and to provide a lamp manufacturing method and apparatus capable of uniformizing brightness. - 特許庁

これにより、光透過性膜３１の膜厚を厚く形成することなく、ランプ１の非点灯時に外光がバルブ１５を透過することを防止し、ランプ１の外観向上や擬似的な点灯の防止を実現する。例文帳に追加

Thereby, external light is prevented from transmitting the bulb 15 when the lamp 1 is not lit without thickly forming he transparent film 31, the appearance of the lamp is improved and prevention of false lighting is realized. - 特許庁

本発明の放電ランプ３には、発光管１１の内面１１１Ａ１にホウ素酸化物膜からなる失透抑制膜１８が形成されている。例文帳に追加

The discharge lamp 3 has a devitrification control film 18 made of a boron oxide film formed on an inner face 111A1 of the arc tube 11. - 特許庁

本発明の放電ランプ３には、発光管１１の内面１１１Ａ１にゲルマニウム酸化物膜からなる失透抑制膜１８が形成されている。例文帳に追加

The discharge lamp 3 has a devitrification control film 18 consisting of a germanium oxide film formed on the inner surface 111A1 of the arc tube 11. - 特許庁

コードストリップと貫通孔２ｃとのクリアランスは、０．１ｍｍと極めて狭くされている。例文帳に追加

A clearance between the code strip and the through-hole 2c is extremely narrowed to be 0.1 mm. - 特許庁

基板上にシランカップリング剤を適切に成膜し、基板処理のスループットを向上させる。例文帳に追加

To enhance throughput of substrate processing by depositing a silane coupling agent appropriately on a substrate. - 特許庁

高い精度の配光特性を満たすことのできる遮光膜付きランプと、簡便でかつ低コストで製造することのできる遮光膜付きランプの製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a lamp, having light-shielding films satisfying light distribution characteristics with high precision, and also obtain a manufacturing method of the lamp having the light-shielding films, capable of manufacturing simply and at a low cost. - 特許庁

調整後の電解質膜をクランプ片の位置を変えることなく乾燥して無含水状態の電解質膜とする。例文帳に追加

The electrolyte membrane after adjusting is dried without changing the positions of the clamp pieces to form the electrolyte membrane in the no water-content state. - 特許庁

この発明に係る蛍光ランプは、金属酸化物を分散した懸濁液を塗布して保護膜５を形成した蛍光ランプにおいて、 以下の条件を満たすことを特徴とする蛍光ランプ。例文帳に追加

In the fluorescent lamp in which a protection membrane 5 is formed by coating an aqueous suspension in which a metal oxide is dispersed, this is the fluorescent lamp in which the following conditions are satisfied. - 特許庁

船舶、橋梁、一般建築、発電・火力プラント設備等の鋼材に塗装する際に膜厚の分布を非接触で計測する塗膜膜厚分布計測装置及び方法を提供することを課題とする。例文帳に追加

To provide an instrument and a method for coating film thickness measurement which measure a distribution of film thickness without contacting when a steel material of ship, bridge, general construction, thermal power generation plant facilities. - 特許庁

クランプが車両部材に組み付けられるとき、誤組付けが確実に防止されるようにすることである。例文帳に追加

To surely prevent a clamp from being erroneously assembled to a vehicle member. - 特許庁

多孔質無機基材表面のＯＨ基に、疎水性シランカップリング剤を反応させて得られた多孔質無機膜からなる浸透気化分離膜。例文帳に追加

The pervaporation separation membrane consists of a porous inorganic membrane obtained by reacting a hydrophobic silane coupling agent with OH groups on the surface of a porous inorganic base material. - 特許庁

特に蛍光ランプの蛍光膜として使用した場合、点灯中のランプの輝度低下を抑制することを可能にした蛍光体、および光束維持率の高い長寿命の蛍光ランプを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a fluorescent substance that is capable of inhibiting the reduction of lamp brightness while the lamp is kept on, especially when the substance is used as a fluorescent screen of a fluorescent lamp, and to provide a fluorescent lamp with a high lumen maintenance factor and a prolonged life. - 特許庁

本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜から触媒元素を除いた後、トップゲート型プラナー構造の薄膜トランジスタを作製する。例文帳に追加

The present invention includes adding catalytic element to an amorphous semiconductor film and heating the resultant product to form a crystalline semiconductor film; removing the catalytic element from the crystalline semiconductor film; and then fabricating a thin film transistor of a top-gate planar structure. - 特許庁

ウエハＷの被成膜面に薄膜を形成し処理チャンバ２内から図示しない搬送アームで搬出した後、クランプ１１をクランプ加熱位置（ＩＩＩ）に下降させクランプ１１の下面に形成された接触突起３０をサセプタ９上に接触させてクランプ１１を加熱する。例文帳に追加

After a thin film is formed on the filming surface of a wafer W and the wafer W is carried out from a processing chamber 2 by means of a carrying arm (not shown), a clamp 11 is lowered to a clamp heating position (III) and heated by touching a protrusion 30 formed on the lower surface of the clamp 11 onto a susceptor 9. - 特許庁

保護膜を厚膜化するとともに光反射膜の膜剥がれを抑制することによって、光束維持率および外観などの品質向上をはかった蛍光ランプおよびこのランプを装着した照明器具を実現することを目的とする。例文帳に追加

To provide a fluorescent lamp and a lighting device equipped with the lamp, capable of improving the quality such as a luminous flux maintenance factor and the appearance by increasing the thickness of a protective film and restraining a light reflective film from peeling off. - 特許庁

角膜インプラントの内表面から外表面への栄養分の効率的な移動を可能にし、その結果、適切な栄養分を角膜の外側部分の組織にもたらす角膜インプラントを提供する。例文帳に追加

To provide corneal implants that will allow for the efficacious transmission of nutrients from the inner surface of a corneal implant to the outer surface, so that tissue in the outer portion of the cornea is properly nourished. - 特許庁

この発明に係るコンパクトランプの製造方法は、Ｕ字管の内部に保護膜を用いかつ保護膜乾燥後にＵ字管同士の接合工程が存在するコンパクトランプの製造方法において、保護膜乾燥時に保護膜が完全に乾燥する前で、Ｕ字管同士の接合部分に相当する保護膜除去部分が未乾燥のうちに保護膜除去部分の保護膜を除去することを特徴とする。例文帳に追加

In the manufacturing method for this compact lamp wherein a protective film is used in U tubes and there is a junction process of U tubes after drying the protective film, the protective film in a protective film removal part equivalent to the joint part of U tubes is removed before it gets dried and before the protective film dries completely when the protective film is drying. - 特許庁

プラント構成部材の表面へのフェライト皮膜の形成に要する時間を短縮し、かつ、プラント構成部材の水平表面及び垂直表面に形成されるそれぞれのフェライト皮膜の厚みの差を小さくできるプラント構成部材へのフェライト皮膜形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a ferrite film formation method to a plant configuration member capable of shortening a time required to form a ferrite film to the surface of a plant configuration member and also reducing a difference in thickness between respective ferrite films formed on a horizontal surface and a vertical surface of the plant configuration member. - 特許庁

膜結合性プレニルトランスフェラーゼにおける、NDxxDxxxD、NQxxDxxxD、NQxxExxxD、DDxxDxxxD、DQxxDxxxD、またはDQxxExxxDからなる群より選択される少なくとも１つの保存モチーフを有し、かつプレニル基を導入する酵素活性を示す膜結合性プレニルトランスフェラーゼ。例文帳に追加

The membrane-bound prenyltransferase exhibiting enzymic activities for introducing a prenyl group has at least one conservative motif selected from the group consisting of NDxxDxxxD, NQxxDxxxD, NQxxExxxD, DDxxDxxxD, DQxxDxxxD and DQxxExxxD, and exhibits enzymic activities of introducing the prenyl group. - 特許庁

光源ランプ１５を、光硬化性樹脂組成物膜と離隔対向し、光源ランプ１５の軸方向と光硬化性樹脂組成物膜の移動方向とが交差するように配置する。例文帳に追加

A light source lamp 15 is opposed to a photo-setting resin composition film at a distance such that the axis of the light source lamp 15 crosses the moving direction of the photo-setting resin composition film. - 特許庁

基板とゲート電極とゲート絶縁膜とソース及びドレイン電極と半導体薄膜とを含む酸化物薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁膜又は半導体薄膜は、特定エッチングガスを使用するヘリコンプラズマ乾式工程を通じてパターン化されるステップを含んでいる。例文帳に追加

The method for preparing the oxide thin film transistor having a substrate, a gate electrode, a gate insulating film, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor thin film includes a step for patterning the gate insulating film or the semiconductor thin film through the helicon plasma dry etching process. - 特許庁

ランプ光５０を用いて、絶縁膜３０もしくはゲート電極２０を選択的に加熱して絶縁膜３０を成膜し、連続してアモルファスシリコン膜７０を成膜することによって、基板１０の温度を低温に保ったまま高品質の絶縁膜及び非晶質シリコン膜を形成でき、スループットを落とすことなく、信頼性及び性能の優れた薄膜トランジスタが得られる。例文帳に追加

Lamp light 50 is used, an insulating film 30 or a gate electrode 20 is selectively heated to form the insulating film 30, and an amorphous silicon film 70 is continuously formed, thus forming a high-quality insulating film and amorphous silicon film while the temperature in a substrate 10 is kept low, and hence obtaining the thin-film transistor having excellent reliability and performance without deteriorating the throughput. - 特許庁

本発明の表面処理方法は、大気圧よりも低い圧力下でシランカップリング剤Ｙ１を気化させ、気化したシランカップリング剤Ｙ２の雰囲気に無機膜１０を有する基板Ｗを晒すことで無機膜１０上にシランカップリング剤の被膜を形成する表面処理工程を有する。例文帳に追加

The surface treatment method comprises a surface treatment process where a silane coupling agent Y1 is vaporized under pressure lower than atmospheric pressure, and a substrate W having an inorganic film 10 is exposed to the atmosphere of the vaporized silane coupling agent Y2 so as to deposit the film of the silane coupling agent on the inorganic film 10. - 特許庁

板材の厚さに応じて出側クランプと入側クランプとの間のクランプ間隔を調整できるようにし、板材が薄板の場合にはクランプ間隔を狭くし、板材が厚板の場合にはクランプ間隔を広くして溶接不良を防止すること。例文帳に追加

To prevent weld defects by making a clamp gap adjustable between an outlet clamp and an inlet clamp in accordance with the thickness of a metal plate, thereby narrowing the clamp gap when the plate is thin and widening the clamp gap when the plate is thick. - 特許庁

簡単な構造でかつ確実に基板との固着を解消することが可能なクランプ部材および当該クランプ部材を用いた成膜装置、成膜方法、半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a clamp member surely unclamping a substrate by simple structure, a film forming device using the clamp member, a film forming method, and a method for manufacturing a semiconductor device. - 特許庁

シランカップリング基含有含フッ素エーテル化合物、溶液組成物、コーティング膜および物品例文帳に追加

SILANE COUPLING GROUP-CONTAINING FLUORINE-CONTAINING ETHER COMPOUND, SOLUTION COMPOSITION, COATING FILM AND ARTICLE - 特許庁

ガラス製等の基板５０上に低温プロセスで非晶質シリコン膜からなる半導体膜１００を形成した後（成膜工程）、ランプアニールを施して半導体膜１００を多結晶化させる（結晶化工程）。例文帳に追加

After forming a semiconductor film 100 made of an amorphous silicon film on a substrate 50 formed of glass or the like with a low-temperature process (film-forming process), lamp annealing is performed to thereby make the film 100 polycrystalline (crystallization process). - 特許庁

本発明の一つの目的は、手術の間において、強膜切開部をしっかりと閉じて保持するための簡易で安価なクランプを提供することである。例文帳に追加

To provide a simple and low-cost clamp capable of tightly closing and holding an incision in sclera during an operation. - 特許庁

枕木を挟み込むようにして枕木に連結するための仮置き台用クランプにおいて、従来と異なる構成にて回り止め手段を構成する。例文帳に追加

To constitute detent means by a configuration different from before in a clamp for a temporary base to be connected to a sleeper so as to hold the sleeper. - 特許庁

また、本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板上に形成されたＭＯＳ型の薄膜トランジスタであって、その薄膜トランジスタを構成する酸化シリコンからなるゲート絶縁膜の界面準位密度が２×１０^１１／ｃｍ^２ｅＶ以下であり、絶縁基板がプラスチック基板である。例文帳に追加

The thin-film transistor is an MOS type thin-film transistor formed on an insulating substrate, wherein the interface state density of the gate insulating film of silicon oxide composing the thin-film transistor is 2×10^11/cm^2 eV or lower, and the insulating substrate is a plastic substrate. - 特許庁

プラズマエッチング処理室内壁の耐食性皮膜や蛍光ランプのガラスバルブ内面の皮膜などに用いられる希土類酸化物皮膜を、簡便に、緻密平滑な皮膜として得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for easily obtaining a rare earth oxide coating film to be used for the corrosion-resistant film of an inner wall of a plasma etching chamber, the coating film of an inner surface of a glass bulb of a fluorescent lamp, or the like as a dense and smooth coating film. - 特許庁

シロキサンネットワーク膜は、テトラアルコキシシラン架橋剤とトリアルコキシ−モノアルキルシランカップリング剤との反応産物からなる。例文帳に追加

The siloxane network film consists of a reactant of a tetra-alkoxy silane crosslinking agent and a trialkoxy-monoalkyl silane crosslinking agent. - 特許庁

ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。例文帳に追加

When the SiCO film is used as the hard mask, a method includes: exposing the CF film for about 5-10 seconds in a plasma atmosphere activated with an organic compound of silicon, for example, trimethyl silane gas; next, adding nitrogen plasma to this plasma and depositing the SiCN film on the fluorine-added carbon film; and thereafter, depositing the SiCO film by the plasma activating trimethyl silane gas and oxygen gas. - 特許庁