「上行電流」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

したがって、感光体１１の感度とＬＤ等のレーザー光源のしきい値電流のばらつきによる電位変動を切り分けて、ＰＷＭ制御を行う際のＰＷＭdutyを適確に設定することができ、レーザー光源毎の縦/横比のばらつきをなくして、形成画像の画像品質を向上させることができる。例文帳に追加

Therefore, potential fluctuation caused by the variance of the sensitivity of the photoreceptor 11 and the threshold current of the laser beam source such as an LD is segmented, so that PWM duty in the case of performing PWM control is accurately set, and the variance of an aspect ratio in every laser beam source is eliminated to improve the quality of a formed image. - 特許庁

この高効率制御では、ペルチェ素子２における冷暖房の実能力を空調にとっての必要能力まで変化させることで上記吹き出し温度を目標吹き出し温度に向けて変化させる際、ペルチェ素子２での消費電力に対する同素子２の吸熱側から加熱側への熱の移動が最高効率で行われるよう、ペルチェ素子２の駆動電流が可変とされる。例文帳に追加

In the high efficiency control, a drive current of the Peltier element 2 is variably controlled so that heat is transferred from a heat suctioning side to a heating side of the element 2 at the maximum efficiency relative to the power consumption in the Peltier element 2 when changing the actual ability of cooling and heating in the Peltier element 2 to an ability required for air conditioning to change the blowing temperature to the target blowing temperature. - 特許庁

荷電粒子ビームの経路に沿った特定のスリット・アパーチャより上／前のすべての偏向器を使用してビームを最大偏向まで静的に偏向させ、次に、静的偏向の方向に対して直交する方向と平行する方向にスキャンすると同時に、各スリット・アパーチャの縁部によって捕捉された荷電粒子ビームの電流を順に記録する。例文帳に追加

A beam is statically deflected to the maximum deflection by all the deflectors 110 and in front of a specific slit aperture along the path of the charged particle beam, then scanning is made in a direction in parallel with a direction for crossing the direction of static deflection, at the same time, the current of the charged particle beam captured by the end part of each slit aperture 150 is recorded successively. - 特許庁

駆動制御回路１は、ファンモータ７に通電される電流値が、ラジエータファンの回転が阻害されていることを示す予め設定された設定値以上となる阻害条件が成立したときには、この阻害条件が成立している間、ファンモータ７の駆動を停止させる阻害対応制御を実行する構成とした。例文帳に追加

If an impediment condition is met in which the value of a current carried by the fan motor 7 is equal to or greater than a preset value which indicates that rotation of the radiator fan is impeded, a drive control circuit 1 executes control to cope with the impediment by stopping the drive of the fan motor 7 while the impediment condition stands. - 特許庁

リアクタンス値の互いに異なる複数のセットを設定したときに受信される各受信信号ｙ（ｔ）を検出して複数の受信信号間の相関行列Ｒ_ｙｙを計算しこれを固有値分解してその固有ベクトルを計算し上記電流ステアリングベクトルに基づきＭＵＳＩＣスペクトルを計算して受信信号の到来角を計算する。例文帳に追加

Each reception signal y(t) received when the plurality of sets whose reactance values are different from one another is detected to calculate a correlation matrix R_yy among a plurality of reception signals, the correlation matrix R_yy is decomposed into characteristic values to calculate its characteristic vector, and a music spectrum is calculated on the basis of the current steering vector to calculate the arrival angle of the reception signals. - 特許庁

この多層構造体薄片１１の一方の主面上にバイオ系物質１２を載せ、この主面に垂直な方向からバイオ系物質１２にカーボンナノチューブプローブ１４を接触または接近させ、このカーボンナノチューブプローブ１４と金属薄膜１１ｂとの間に電圧を印加してバイオ系物質１２に電流を流すことで測定を行う。例文帳に追加

A biological material 12 is placed on one main surface of the multilayered structure lamina 11, and a carbon nanotube probe 14 is brought into contact with or close to the biological material 12 from the direction vertical to the main surface, and a voltage is applied between the carbon nanotube probe 14 and the metal thin films 11b, and a current is carried to the biological material 12, to thereby perform measurement. - 特許庁

画像形成の休止時間Ｔｒｅｓｔが所定値Ｔｓｔａｔｅｄ以上の場合には、画像形成開始から所定枚数Ｐｃｏｎｔｒｏｌのシートに画像形成を行うまでの間、感光ドラムの前露光動作を禁止するとともに、一次帯電器の帯電電流値を通常値よりも小さくする。例文帳に追加

In the case a rest time Trest from an image forming operation is equal to or exceeding a prescribed value Tstated, a pre-exposure operation of the photoreceptor drum is inhibited, and also, the electrifying current value of a primary electrifier is made smaller than a normal value by the time when images are formed on the prescribed number Pcontrol of sheets after starting the image forming operation. - 特許庁

半導体装置の製造方法において、半導体基板上に設けられる回路を複数の回路ブロックに分割し、上記分割された各回路ブロックの各々において、独立して電源供給を可能とする配線を形成する工程と、上記配線を介して電源供給を行って回路ブロック毎での直流電流試験を行う工程と、上記複数の回路ブロックの各々に対応して設けられる配線を相互に接続する配線形成工程と含むようにする。例文帳に追加

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of dividing the circuit, formed on the semiconductor wafer into a plurality of circuit blocks, forming wirings capable of independently supplying power to each of circuit blocks divided, performing DC current test for each circuit blocks, by independently supplying power through the wiring, and forming the wiring for mutually connecting wirings which are arranged corresponding to each of a plurality of the circuit blocks. - 特許庁

第１動作周波数で動作する第１プロセッサ（１１）と、上記第１プロセッサに比べてリーク電流が少なく抑えられ、且つ、上記第１動作周波数よりも低い第２動作周波数で動作する第２プロセッサ（１２）と、アプリケーションソフトウェアの実行先を、上記アプリケーションソフトウェアの要求動作速度に応じて、上記第１プロセッサと上記第２プロセッサとに選択的に切り換え可能な選択部（１０）とを設ける。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit has a first processor 11 operable at a first operating frequency, a second processor 12 with leakage current lower than the first processor and operable at a second operating frequency lower than the first operating frequency, and a selection part 10 capable of selectively switching the execution destination of application software to the first processor or second processor in accordance with a requested operating speed of the application software. - 特許庁

書込み、消去、及び読み出しの各動作においてそれぞれ所定電圧が供給されるコントロールゲート電極及びメモリゲート電極を含む不揮発性メモリセル（ｍｍ０〜ｍｍ１５）が形成された半導体記憶装置において、上記不揮発性メモリセルからデータ読み出しが行われるときに、上記コントロールゲート電極と上記メモリゲート電極との間のカップリングによりメモリゲート電極の電位を上げることでメモリセルからの読出し電流を増大させるための制御回路を設ける。例文帳に追加

The semiconductor memory device where nonvolatile memory cells (mm0 to mm15) including control gate and memory gate electrodes to which predetermined voltages are supplied in writing, erasing and reading operations are formed, is provided with a control circuit for increasing reading currents from the memory cells by increasing the potential of the memory gate electrode by coupling the control gate and memory gate electrodes when data are read from the nonvolatile memory cells. - 特許庁

このコンピュータ実行可能命令は、マイクロプロセッサ８０により実行されると、二次信号を受け取り、その二次信号を詳細係数及び近似係数に分解し、検知した負荷電流が所定の閾値を上回り、且つ、詳細係数及び前記近似係数が共にトリップ信号生成の閾条件を満たしている場合、電気回路の動作を中断させるために用いられるトリップ信号を生成するように、マイクロプロセッサ８０を駆動させる命令である。例文帳に追加

The computer executable instruction, when executed by the microcontroller 80, serves as an instruction which drives the microcontroller 80 so as to receive and decompose the secondary signal into detailed and approximate coefficients, and generate a trip signal for use in interrupting an operation of the electrical circuit when a current of the sensed load is above a predetermined threshold and the detailed and approximate coefficients indicate that threshold conditions for trip signal generation are satisfied. - 特許庁

本発明の目的は、特性情報を用いて光学濃度検出手段の検出値から像担持体上の画像のトナー量を検出し、且つ光学濃度検出手段の暗電流が検出性能に影響を及ぼさないトナー量検出技術を提供すると共に、トナー量検出技術を用いて画像濃度制御を行い常に優れた画像を安定して出力できる画像形成装置を提供することにある。例文帳に追加

To provide a toner quantity detection technology configured to detect a toner quantity of an image on an image carrier based on a detection value obtained by an optical density detection means through the use of property information and configured such that the dark current of the optical density detection means may not affect the detection performance, and to provide an image forming apparatus configured to perform the image density control using the toner quantity detection technology and always stably output excellent images. - 特許庁

上記の課題を解決するために、本発明に係る開閉器では電流の投入・遮断を行う可動電極２５及び固定電極２４と、可動電極２５及び固定電極２４を内部に収納し、絶縁円筒２０ａと端板とを接合させて形成される真空容器２０と、真空容器２０に固定され、絶縁円筒２０ａと端板との接合部を覆うように配置される電界集中緩和シールド５ａ，５ｂ，５ｃとを備えることを特徴とする。例文帳に追加

The switch includes a movable electrode 25 and a fixed electrode 24 for applying or cutting off a current; a vacuum container 20 enclosing the movable electrode 25 and the fixed electrode 24 inside and formed by joining an insulating cylinder 20a to end plates; and electric field concentration relaxing shields 5a, 5b, 5c fixed to the vacuum container 20 and arranged to cover joint parts between the insulating cylinder 20a and the end plates. - 特許庁

当該コントローラ５０は、汎用レジスタＲと、予め記憶された主要パラメータＰ１と、受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２を記憶するメモリ６０と、当該回路遮断装置１内の電流および電圧の少なくとも一方が、予め記憶された当該主要パラメータＰ１と受信した当該主要遮断器パーソナリティパラメータＰ２とによって規定される各既定閾値を上回る場合に、トリップ保護を実行するための構成部品とを含む。例文帳に追加

The controller 50 includes a memory 60 on which a universal register R, previously stored key parameters P1 and the received key breaker personality parameters P2 are stored, and components to execute trip protection when at least one of a current and a voltage within the circuit breaker device 1 exceeds a respective predetermined threshold as defined by the previously stored key parameters P1 and the key breaker personality parameters P2. - 特許庁

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device. - 特許庁

ホストが１００ｍＡ以上の電流供給を許可した場合に、マイクロコンピュータ７が、トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３をトランジスタＴｒ３、トランジスタＴｒ１、トランジスタＴｒ２の順で所定の間隔をあけて順次オンして、ヒーター抵抗５、プラズマ・クラスター・イオン回路４、ファンモーター回路８の電源投入を行い、ラッシュカレントをＵＳＢ規格の許容範囲に収めることを特徴とするイオン発生装置。例文帳に追加

If a host permits current supply of 100 mA or more, a micro computer 7 sequentially turns on with a prescribed time interval in the order of a transistor Tr3, a transistor Tr1, and a transistor Tr2, to supply power to a heater resistor 5, a plasma cluster ion circuit 4, and a fan motor circuit 8, accommodating a rush current within the tolerable range of USB specification. - 特許庁

水素吸蔵合金電極における水素吸蔵合金相互及び水素吸蔵合金と集電体との接触性を高めると共に、水素吸蔵合金電極における保液性を高め、水素吸蔵合金電極を負極に用いたニッケル・水素蓄電池において、高い電流で放電を行った場合における電池電圧を高めると共に、充放電サイクル特性を向上させ、さらに過充電時に電池の内圧が高くなるのを防止する。例文帳に追加

To provide a nickel-hydrogen storage battery including a negative electrode consisting of hydrogen storage alloy capable of enhancing contact of hydrogen storage alloy pieces of the electrode and of the hydrogen storage alloy and a current collector, improving the solution retaining in the electrode, heightening the battery voltage when discharging with a large current, enhancing the charging-discharging cyclic characteristics, and preventing the internal pressure rise of the battery when it is over-charged. - 特許庁

トッププレート４上に載置された被加熱物を誘導加熱する誘導加熱コイル１９と、誘導加熱コイル１９に高周波電流を供給するインバータ回路３４と、本外内部に設けられた調理室１１と、調理室１１の開口部を開閉する調理室扉７と、調理室１１の内部と本体１の外部とを連通する調理室排気風路２９と、調理室１１内の上方に設けられた上方加熱手段３８と、調理室１１内の下方に設けられ、誘導加熱コイル１９と、上方加熱手段３８及び誘導加熱コイル１９を制御する制御手段３０とを備え、制御手段３０は、調理室１１内に配置され、誘導加熱コイル１９からの磁力の影響により発熱する発熱体を含む調理機材に対応した制御を行う。例文帳に追加

The controlling means 30 is disposed in the cooking chamber 11, and carries out control corresponding to a cooking instrument including a heating element heated by the influence of magnetic force from the induction heating coil 19. - 特許庁