「光電流応答」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

フォトカプラ１３の入力発光ダイオード１３ａは、定電流回路１４に流れる電流に基づいて発光するように接続されており、フォトカプラ１３の出力フォトトランジスタ１３ｂは、入力発光ダイオード１３ａから放射される光に応答してオンオフする。例文帳に追加

The input LED 13a of the photocoupler 13 is connected so as to emit light, based on the current flowing into a constant current circuit 14, allowing the output photo transistor 13b of the photo-coupler 13 to be turned on/off, corresponding to the light emitted from the input LED 13a. - 特許庁

本発明は、光電センサに光電流以外の電流を流すことにより光電センサ自身を温度制御手段として用い、これにより正確で応答性のよい温度調整を行うことが出来、かつヒーター等の温度制御手段が不要になることを特徴とする。例文帳に追加

In a method, the photoelectric sensor itself is used as a temperature control means, by making current other than the photoelectric current to flow to the photoelectric sensor, and thereby, accurate temperature adjustment of proper response can be carried out; and the need for a temperature control means, such as a heater, is eliminated. - 特許庁

フォトダイオードが検出したサンプリング電流に応じた電流をサンプルホールド用コンデンサに充放電させて自動光量制御を行う場合に、サンプリング電位の光量応答性が良く、且つホールド時の光量低下も解決できるようにする。例文帳に追加

To make the light amount responsibility of a sampling potential favorable and to solve a problem of an light amount reduction in holding. - 特許庁

増幅器２の入出力間電圧がＭＯＳＦＥＴのしきい値電圧より低い電圧でも、受光ＩＣの光電流・電圧変換回路内の増幅器が飽和せず、回路全体の応答速度が低下しない光電流・電圧変換回路を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a photocurrent/voltage conversion circuit where an amplifier 2 therein of a light receiving IC is not saturated even in the case that a voltage between the input and the output of the amplifier 2 is lower than a threshold voltage of a MOSFET, and the response speed of the entire circuit is not reduced. - 特許庁

このようにして複数の単位電流狭窄構造が発光取出し領域４１内に形成されることによって、電流を各単位電流狭窄構造に分散させると共に、各単位電流狭窄構造内での電流密度を高めることができ、素子１１全体としての応答特性の均一化及び高速化が可能になる。例文帳に追加

In this manner, by forming a plurality of unit current constriction structures in the light emission take-out region 41, current is dispersed into each unit current constriction structure, and at the same time current density in each unit current constriction structure can be improved, thus making uniform and speeding up response characteristics as an entire element 11. - 特許庁

この素子の光オン時の立ち上がりは、光電流増倍層として蒸着膜を用いたものに比べてかなり速く、高速応答化が可能である。例文帳に追加

The rise of the photocurrent at the time of optically turning on the element is considerably fast as compared with the vapor deposited film used as the photocurrent multiplying layer, and can rapidly respond. - 特許庁

デジタル応答及び小型化が可能な全反射光スイッチであって、駆動電圧または駆動電流が低く且つクロストークが少ない光スイッチを提供する。例文帳に追加

To provide an optical switch which is a totally reflective optical switch capable of digital response and miniaturization, has low driving voltage and driving current and hardly causes crosstalk. - 特許庁

次に、一連の光学的測定結果と変調シーケンスとが相関されて（２０８）、複数の駆動電流のそれぞれに対する光応答が抽出される。例文帳に追加

The stream of optical measurements is then correlated with the modulation sequences (208) to extract optical responses to each of the plurality of drive currents. - 特許庁

この熱過渡応答成分の補正は、光分波器１０、時間分解光スペクトラム測定装置１１、処理装置１２および制御電流データベース１３が用いて達成できる。例文帳に追加

The correction of the thermal transient response component can be attained by using an optical branching device 10, a time decomposition optical spectrum measurement device 11, a processing unit 12 and a control current database 13. - 特許庁

１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、応答性に優れ、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法および検出装置を提供する。例文帳に追加

To provide an InGaAs light-receiving element array which has photosensitivity in a wavelength region exceeding 1.7 μm, with superior responsiveness, and a low dark current, and to provide its fabrication process and a detection apparatus. - 特許庁

信号利得Ｇを有しかつ、p-ｉ-nやショットキー型のような優れた応答性と低い暗電流性を備えた可視−紫外光波帯の高感度の有機−無機ハイブリッド接合型光電変換素子を提供する。例文帳に追加

To provide an organic-inorganic hybrid junction type photoelectric transducer of high sensitivity, which has signal gain G and has a visible-ultraviolet optical wave band having superior response and low dark current property such as a p-i-n or Schottky type. - 特許庁

高い外部量子効率、低い暗電流、速い応答速度の有機光電変換層を備える光電変換素子，撮像素子を低コストで製造する。例文帳に追加

To provide a photoelectric conversion element which has an organic photoelectric conversion layer of high external quantum efficiency, low dark current, and high response speed, and can be manufactured at a low cost, and to provide an image pickup element. - 特許庁

第２の制御ロジックは、複数のＬＥＤストリングの各々でモニタされた順方向電流及び調光データに応答して調光制御信号を生成する。例文帳に追加

A second control logic generates a dimming control signal in response to a forward direction current and dimming data monitored by each of the plurality of LED strings. - 特許庁

発光素子にエネルギーを補給する補助容量を用いることなく、発光素子の状態の変化に対応した早い応答速度で出力電流を安定化させること。例文帳に追加

To stabilize an output current at a fast response speed corresponding to change in state of a light-emitting element without using an auxiliary capacitor which supplies energy to the light-emitting element. - 特許庁

そのようなＸ線光電変換器１０では、Ｘ線光導電層３で電子の走行性が低下しないので、シグナルである信号電流の量が高くなり、かつ、Ｘ線の照射に対する信号電流の応答性が非常に高い。例文帳に追加

In the X-ray photoelectric converter 10 like that; since an electron trafficability is not decreased in the X-ray photoconductive layer 3, an amount of signal current as a signal increases; moreover, a signal current responsiveness against an X-ray irradiation is extremely high. - 特許庁

電極２１と電極２３との間に電源３５を接続して半導体光素子１３に電流を印加して、この電流の印加に応答して半導体光素子１３により発生されたエレクトロルミネッセンスＩ_ＥＬを研磨面１３ｄを介して観測する。例文帳に追加

A power supply 35 is connected between electrodes 21 and 23 to apply a current to the semiconductor opto-electrical element 13, and electroluminescence I_EL generated by the semiconductor opto-electrical element 13 in response to the application of the current is observed via the polished surface 13d. - 特許庁

第１の電極３１と第２の電極３２との間の印加電流に応答するエレクトロルミネッセンスを半導体発光デバイス１ａに発生させる。例文帳に追加

Electroluminescence responding to an applied current between the first electrode 31 and the second electrode 32, is generated in the semiconductor light emitting device 1a. - 特許庁

低電流指令の領域での過渡応答性を改善し、レーザ共振器に安定した電力を供給してレーザ光の正確な照射再現性を実現する。例文帳に追加

To improve transient responsiveness in the region of a low current command, to supply stable power to a laser resonator and to realize the accurate irradiation reproducibility of a laser beam. - 特許庁

第２スイッチング素子は，第２制御信号の第２レベルに応答して駆動トランジスタの第１主電極から出力された電流を発光素子に供給する。例文帳に追加

A second switching element supplies a current output from the first main electrode of the driving transistor to the light emitting element in response to the second level of a second control signal. - 特許庁

CMOS感光半導体素子アレイの応答をサンプリングすることによって形成される電子的サンプルイメージに関する暗電流エラーを最小限に抑える方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for minimizing dark current errors with respect to an electronic sample image formed by sampling the response of a CMOS photosensitive semiconductor element array. - 特許庁

暗電流を低減するとともに、応答速度の低下を抑制することができる、ＺｎＯ系酸化物半導体からなる酸化物半導体受光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an oxide semiconductor photo-detecting device composed of a ZnO based oxide semiconductor by which a dark current is reduced, and the lowering of a speed of a response is suppressed. - 特許庁

大きな内部容量のＬＥＤでも、消費電流増大を最小限に抑え、過渡応答時間を短く、高速に変調でき、パルス波形歪みの小さい出力光を得る。例文帳に追加

To minimize the increase of current consumption, to reduce a transient responding time, to accelerate modulation and to obtain output light of small pulse waveform distortion even in the LED of a large internal capacity. - 特許庁

バックライト制御ユニット２０５は、液晶表示パネルの温度上昇に応答してパネルを照射するバックライトモジュールの光源のＬＥＤの駆動電流を低下させる。例文帳に追加

The backlight control unit 205 reduces the driving current of the LED of the light source of a backlight module for illuminating the panel in response to temperature increase of the liquid crystal display panel. - 特許庁

ＦＥＴ等の定電流素子における電力損失を可及的に抑制して発熱を小さくすると共に、高速応答可能であり、種々のＬＥＤ回路部に対して精度良く調光可能なＬＥＤ駆動装置を提供する。例文帳に追加

To provide an LED drive that suppresses power losses in constant current elements, such as FETs, as soon as possible for reducing heat generation, responds speedily, and precisely controls light to various kinds of LED circuit parts. - 特許庁

本発明によるディスプレイ装置は、光源のターンオン／ターンオフ動作時に電流応答速度を改善して、ディスプレイ特性が向上されたディスプレイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device in which display properties are improved by improving current response speed at turn-on/turn-off operation of a light source. - 特許庁

応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子−正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light emitting element in which a lowering in recombination probability of electron and hole due to piezoelectric effect can be suppressed without causing such a problem as a lowering in response or an increase in threshold current density. - 特許庁

演算処理部９は、検出された光応答電流の特性を検出し、かつ該特性に基づいて、試料溶液に特定の物質が含まれているか否かを判定する。例文帳に追加

An operation processing section 9 detects the characteristics of the detected optical response current, and determines whether the sample solution contains a specific substance, based on the characteristics. - 特許庁

定常状態の測定で得られた制御電流と熱応答関数をもとに、半導体レーザの光周波数を高速かつ高精度に制御できるようにする。例文帳に追加

To provide a wavelength control method for a semiconductor laser by which an optical frequency of the semiconductor layer can be controlled at a horizontal synchronizing signal with high accuracy based on a control current obtained by measurement of a steady-state and a thermal response function. - 特許庁

過電流保護回路の回路動作の安定性を向上させ、出力用ＭＯＳＦＥＴの熱による破壊強度を向上させた光応答型半導体スイッチを提供すること。例文帳に追加

To provide an optical response semiconductor switch for which circuit operation stability of an over-current protection circuit is improved and breakdown strength against breakdown caused by heat of an output MOSFET is improved. - 特許庁

周波数応答性低減回路１７は、バーストモード調光用の調光パルス信号を受信し、その調光パルス信号が出力されている間に、騒音低減回路１５の応答性を低減する状態に遷移することで、バーストモード調光時におけるランプ電流波形の急峻な変動を抑制する。例文帳に追加

The frequency response reducing circuit 17 receives a dimming pulse signal for the burst mode dimming, and while the dimming pulse signal is outputted, a response of the noise reducing circuit 15 is shifted to be reduced, and a rapid and steep variation of the lamp current wave when a burst mode dimming is performed. - 特許庁

光照射によりリークするセンサー素子の電位の変化を抑制することにより、みずからのリーク電流増減によるバイアス電圧変化を抑制し、照度に対する応答特性の優れたリーク電流を生成することが可能となる。例文帳に追加

By suppressing the potential variation of the sensor element leaked by light irradiation, bias voltage variation by increase or decrease of the leakage current of itself can be suppressed, and leakage current of excellent response characteristics to illuminance can be generated. - 特許庁

光ディスク装置（ＯＤＤ）とＰＣのインタフェースにＳＡＴＡを用い、消費電流低減のための規格であるＨＩＰＭ規格を使用する場合、最も消費電流の少ないＳｌｕｍｂｅｒの状態を使用する際は、コマンドに対する応答が遅くならないような工夫が望まれる。例文帳に追加

To solve a problem wherein a contrivance is desired not to delay a response to a command, when using a Slumber state with the most reduced current consumption, in case of using an HIPM standard being a standard for reducing a current consumption, using an SATA for an interface between an optical disk device (ODD) and a PC. - 特許庁

半導体層上に積層され、半導体層とショットキー接合する１００ｎｍ以下の膜厚の薄膜金属層を形成し、薄膜金属層へ変調電圧若しくは変調光を加え、薄膜金属層にオーミック接続する第１電極と第２電極の間に変調電圧若しくは変調光に応答する応答電流を発生させる。例文帳に追加

A thin-film metal layer is formed which is laminated on a semiconductor layer, Schottky-junctioned with the semiconductor layer and has a film thickness of ≤100 nm, a modulated voltage or modulated light is applied to the thin-film metal layer to generate a response current responding to the modulated voltage or modulated light between a first electrode and a second electrode which are ohmic-connected with the thin-film metal layer. - 特許庁

半導体受光素子は、入射光に応答して検出電流を発生させる光検出部３０８と、光検出部の一方端に設けられた、導電性材料より成る第１導電性接触部３１６と、光検出部の他方端に接続された第１導電性接続部３１８を有する。例文帳に追加

The semiconductor photosensitive element has a photodetection part 308 which generates a detection current in response to incident light, a first conductivity type contact part 316 which is provided to one end of the photodetection part and is formed of a conductive material and a first conductivity type connection part 318 connected to the other end of the photodetection part. - 特許庁

単位断面積あたりのランプ電流が０．２Ａ／ｃｍ^2以上で、アマルガムを用いずに高温領域での発光効率改善を実現し、始動直後の光出力の立ち上がりや、調光時の光応答性が良好な片口金形蛍光ランプを提供する。例文帳に追加

To provide a single base type fluorescent lamp with a lamp current per unit cross section area is ≥0.2 A/cm^2, excellent rising of optical output immediately after starting and an optical response in modulating light by realizing the improvement of luminous efficiency in a high temperature area without using amalgam. - 特許庁

ＯＬＥＤ素子２０２によるフォトセンサ２１０への照射に応答し、フォトセンサ２１０にてＯＬＥＤ素子２０２の輝度に対応した光電流が発生することで、蓄積容量２０８の電圧が該光電流により調整されて駆動素子２０４を通る電流が制御され、よってＯＬＥＤ素子２０２の輝度が変化する。例文帳に追加

Responding to the irradiation of the OLED element 202 to the photosensor 210, the photocurrent, corresponding to the luminance of the OLED element 202, is generated at the photosensor 210, so that the voltage of the storage capacitor 208 is adjusted by the photocurrent to control the current that passes through the drive element 204, thereby the luminance of the OLED element 202 is varied. - 特許庁

メサストライプ形状の積層体の側部に埋込層を有する半導体光素子および集積型半導体光素子において、埋込層を流れる無効電流を抑制するとともに、高速応答特性を実現することができる半導体光素子および集積型半導体光素子を得る。例文帳に追加

To provide a semiconductor optical element and an integrated type semiconductor optical element which suppress a reactive current flowing in a buried layer and obtains a high-speed response characteristic in the semiconductor optical element and the integrated type semiconductor optical element each of which has a buried layer at the side of a mesa stripe shape laminated body. - 特許庁

複雑なフィードバック制御を必要とせず、バイアス電流を大きくすることなく発光素子が消光状態から発光状態へ遷移する時の立ち上がり応答遅延時間を短縮することができ、またドループ現象の影響による弊害をなくすことができる発光素子駆動回路を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element driving circuit for shortening the rise response delay time at the transition of a light emitting element from a quenched state to a light emitting state without requiring complicated feedback control and increasing a bias current and capable of removing damage due to the influence of a drooping phenomenon. - 特許庁

発光表示装置を構成する各画素回路は，現在選択信号に応答してターンオンし，データ信号を伝達するスイッチングトランジスタＭ５，データ信号に対応する電流を出力する駆動トランジスタＭ１，及び直前選択信号に応答してターンオンする第１及び第２トランジスタＭ３，Ｍ４を含む。例文帳に追加

Each pixel circuit constituting a display device includes: a switching transistor M5 which may be turned on in response to the current selection signal to transfer a data signal; a driving transistor M1 for outputting a current corresponding to the data signal; and first and second transistors M3 and M4 being turned on in response to the previous selection signal. - 特許庁

有機光電変換素子において、光電変換効率向上や応答速度向上のために外部から電圧を印加する場合に、暗電流が増大することなく、しかもキャリアの読み出し効率を下げることもない、有機光電変換素子を提供すること。例文帳に追加

To provide an organic photoelectric conversion device which is applied with voltage from outside for improving photoelectric conversion efficiency and response speed without increasing dark current and lowering the carrier reading efficiency. - 特許庁

出力電圧の制御信号に対する応答性を向上させて調光をより適切に行うとともに、電圧変換部に対して突入電流が作用するのを抑制することが可能な光源駆動回路、光源装置および表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a light source driving circuit which can perform light control more appropriately by improving response to a control signal of output voltage and can suppress action of a rush current to a voltage conversion part, to provide a light source device, and to provide a display. - 特許庁

種々の実施形態において、情報記憶層の小領域の光学状態は、当該小領域に可視光を適用し、情報記憶媒体内の情報記憶層の下に位置するフォトダイオード層が前記可視光に応答して電流を生成するか否かを検出することで、決定する。例文帳に追加

In various embodiments, the optical state of small region of the information-storage layer can be determined by exposing the small region to visible light, and determining whether or not a photodiode layer in an information-storage medium below the information-storage layer generates an electrical current in response to illumination. - 特許庁

スイッチ素子Ｔは、走査信号φに応答して、対応する各発光素子Ｌのゲート１９にトリガ信号を与え、発光素子Ｌはゲート１９にトリガ信号が与えられ、しきい電圧またはしきい電流よりも高い電圧または大きい電流の発光信号φが与えることによって発光する。例文帳に追加

In response to a scanning signal ϕ, each of switch elements T provides a trigger signal to a gate 19 of each corresponding light-emitting element L, and the light-emitting element L emits a light by providing the trigger signal to the gate 19 and providing a light-emitting signal ϕ having a voltage larger than a threshold voltage or a current larger than a threshold current. - 特許庁

光感知部５００は、外部から表示部３００に入射される第２光の光量に対応する電流ＰＣを出力し、該電流に応じて比較判定部６００は感知信号ＳＳ１又はＳＳ２を出力し、第１駆動部２００は、該感知信号に応答して光発生部１００をオン又はオフさせる。例文帳に追加

A light sensing section 500 outputs a current PC corresponding to the light quantity of the second light made incident on the display element 300 from the outside and a comparison judgment section 600 outputs a sensing signal SS 1 or SS 2 according to the current and a first driving section 200 turns the light generating section 100 on or off in response to the sensing signal. - 特許庁

本発明による有機発光ダイオード駆動回路は、電流により発光する有機発光ダイオード、スキャンパルスに応答してデータ電圧を第１ノードに供給する第１スイッチ、第１ノード上のデータ電圧により有機発光ダイオードに流れる電流を制御する第２スイッチ、及び第１ノードのデータ電圧を制御するストレス補償回路を備える。例文帳に追加

The organic light emitting diode driving circuit according to the present invention includes the organic light emitting diode which emits light with a current, a first switch which supplies a data voltage to a first node in response to a scan pulse, a second switch which controls a current flowing in the organic light emitting diode by the data voltage on the first node, and a stress compensation circuit which controls the data voltage on the first node. - 特許庁