「厚膜試料」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

粒子線または電磁波を用いて基板上の膜の厚みを測定するにあたり、測定自体の異常あるいは試料の異常を同時に検出することができる膜厚測定方法を得る。例文帳に追加

To provide a method of measuring film thickness that can concurrently detect both an abnormality of measurement itself and an abnormality of a sample, when measuring a film thickness on a substrate using a corpuscular beam or an electromagnetic wave. - 特許庁

スライドガラス１の片面に、イオンビームスパッタ堆積法により銀薄膜（厚さ５０ｎｍ）２とＳｉＯ_２膜（厚さ１０ｎｍ）７を順に堆積したものを試料溶液の支持基板とする。例文帳に追加

A silver thin film (thickness 50 nm) 2 and an SiO_2 film (thickness 10 nm) 7 are deposited in order on one side surface of a slide glass 1 by ion beam sputtering deposition, so that a supporting substrate for sample solution is formed. - 特許庁

波長依存性を有する多層膜試料の膜厚をより高い精度を測定することが可能な多層膜解析装置および多層膜解析方法を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer film analyzer and a multilayer film analyzing method capable of measuring the thickness of a multilayer film sample having wavelength dependence with higher accuracy. - 特許庁

基板６２ａの一方の表面上に膜厚が段階的に変化するよう薄膜６２ｂが形成された薄膜板６２を試料面上に載置し、光を薄膜６２ｂに照射する。例文帳に追加

A thin film plate 62 formed with thin films 62b so as to stepwise change their film thicknesses on one surface of a substrate 62a is placed on a sample surface and the thin films 62b are irradiated with light. - 特許庁

把持部１１に試料を１２を把持し、把持部１１が有する回転ステージで角度を調整し、吐工液面に対して垂直ではなく角度を持たせて、斜め上方に引き上げ、垂直に引き上げる場合と違い、試料１２の全体に膜厚の差が発生する。例文帳に追加

A sample 12 is held by a holding part 11 and lifted slantingly upward by adjusting the angle by a rotation stage which the holding part 11 has and keeping the angle not perpendicularly to the liquid spraying face to produce the coating thickness difference in the entire body of the sample 12 unlike that in the case of lifting perpendicularly. - 特許庁

試料の表面に偏光光を照射する入射光学系と、試料表面で反射した楕円偏光の偏光変化量に基づいて試料表面に関するデータを出力する検出光学系とを備えた膜厚測定装置において、前記検出光学系における検光子と分光器との間に受光取込みエリアを制限するためのピンホール部を設けた。例文帳に追加

The film thickness measuring instrument equipped with an incidence optical system which irradiates the surface of the sample with polarized light and a detection optical system which outputs data regarding the sample surface according to the quantity of polarization variation of elliptic polarized light reflected by the sample surface is provided with a pinhole part for limiting a photodetection area between an analyzer and a spectroscope of the detection optical system. - 特許庁

加速電圧を下げたＳＴＥＭ観察での電子ビームの試料透過能力の低下やイオンビームの照射により生じるダメージ層の悪影響を防ぎ、試料の所望の領域への損傷を最小限にしてダメージ層を効果的に除去すること、および薄膜試料の厚さがより薄くなっても最適な加工終了時点を検出して加工失敗を防ぐ。例文帳に追加

To prevent decrease in the sample transmission capacity of electron beams in a STEM observation with decreased acceleration voltage and the bad influence of a damaged layer generated by the application of ion beams, to remove the damaged layer effectively by minimizing the damage to a desired region in a sample, and to prevent processing failure by detecting an optimum processing completion point in time even if the thickness of a thin-film sample is reduced. - 特許庁

基板の上に薄膜を有し、かつ基板や薄膜の表面が鏡面状の試料について、薄膜の厚さが極めて薄い場合であっても、正確に分析ができるグロー放電発光分光分析装置および方法を提供する。例文帳に追加

To provide a glow discharge emission spectrophotometer and a method capable of accurate analysis, even when the thickness of a thin film is extremely thin relative to the sample having the thin film on a substrate, where the surface of the substrate or the thin film has a mirror-surface shape. - 特許庁

被酸化試料の酸化処理にあたり、高速かつ効率的な酸化膜の形成が可能で、比較的低温での均一な膜厚の酸化膜の形成及び改善、且つその電気特性を向上すること。例文帳に追加

To enable the rapid and efficient formation of an oxide film of a uniform thickness at a relatively low temperature when oxidizing a sample to be oxidized, and also to improve the oxide film and electrical characteristics thereof. - 特許庁

電磁界の共振現象を利用して膜状絶縁体試料の厚さを容易にかつ高精度に測定することができる厚さ測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide a thickness measuring method capable of easily and accurately measuring the thickness of a film-like insulator sample by using the resonance phenomenon of an electromagnetic field. - 特許庁

試料表面に形成された薄膜の厚みを測定し、測定結果をデータ処理装置の表示画面に表示するようにした膜厚測定装置において、前記表示画面に、薄膜の測定結果と薄膜の製造プロセスにおける処理状況とを同時に表示できるようにした。例文帳に追加

In the film thickness measuring device for measuring the thickness of a thin film formed on the surface of a specimen and displaying measured results on the display screen of a data processor, the measured results and a processing state in the manufacturing process of the thin film can be simultaneously displayed on the display screen. - 特許庁

偏光変化量の測定情報に基づいて試料表面８ａの薄膜の厚みを測定する膜厚測定装置において、試料８の乗載ステージ７またはステージ７の近傍に、校正用のサンプル２１を配置すると共に、このサンプル表面の雰囲気を不活性ガスでパージするためのガス供給手段２４を備えている。例文帳に追加

The film thickness measuring instrument which measures the thickness of a thin film on the surface 8a of a sample according to measurement information on the quantity of polarization variation has a reloading stage 7 for the sample or the sample 21 for correction arranged nearby the stage 7 and is also equipped with a gas supply means 24 which purges the atmosphere around the sample surface with inert gas. - 特許庁

電子顕微鏡および光学顕微鏡でのシート状試料の断面観察や膜厚を測定する際の凍結切片法により断面出しを行う場合において、試料を垂直にセットする際の作業性を向上させることにより、膜厚測定の誤差を小さくすると共に、作業毎のバラツキ幅を抑えること。例文帳に追加

To reduce the measuring error of film thickness and to suppress width irregularity at every work, in setting a cross section by a frozen section method when the cross section of a sheet-like sample is observed or the thickness thereof is measured by an electron microscope or an optical microscope, by enhancing the workability at time of the vertical setting of the sample. - 特許庁

薄膜の表面に加速したイオン４を照射し、その表面から放出される二次電子５に起因する試料電流により薄膜の厚さを測定する。例文帳に追加

The thickness of the thin film is measured by irradiating the surface of the thin film with accelerated ions 4, and measuring a specimen current resulting from secondary electrons 5 emitted from the surface. - 特許庁

膜厚２０ｎｍ程度以下の極薄シリコン絶縁膜中の水素濃度をＳＩＭＳ等で分析する場合に使用する水素標準試料を得る。例文帳に追加

To provide a hydrogen standard sample that is used for analyzing hydrogen concentration in an extremely thin silicon insulation film with a film thickness of approximately 20 nm or less by the SIMS or the like. - 特許庁

本発明は超薄膜の測定技術に関し、より具体的には堆積された２００Å以下の厚さの超薄膜酸化物の正確な測定のために、測定すべきデバイスとともに、モニター試料を用いる技術に関する。例文帳に追加

The technology is a measurement technology for a very thin film more concretely which uses a monitor sample together with a device to be measured to accurately measure a deposited very thin film oxide of ≤200 Åin thickness. - 特許庁

多層薄膜試料について各層の薄膜の厚さまたは組成を分析する蛍光Ｘ線分析装置において、十分に迅速で正確な分析ができる装置を提供する。例文帳に追加

To provide a fluorescent X-ray spectrometer quickly accurately analyzing the thickness or the composition of a thin film in each layer of a multi-layer thin film sample. - 特許庁

薄膜試料の厚み分布を光の走査を行うことなく、直線状に求めることができる膜特性値分布の測定方法および測定装置を提供する。例文帳に追加

To obtain a measurement method and a measuring apparatus for a film characteristic value distribution whereby a thickness distribution of a thin film sample can be linearly obtained without scanning a light. - 特許庁

光源の経年変化の較正を途中で行なう場合であっても、測定試料の薄膜の解析を連続的に行なうことが可能な膜厚測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a film thickness measuring device capable of continuously analyzing the film thickness of a sample to be measured even in the case that changes in a light source with the passage of time is calibrated at some midpoint. - 特許庁

その屈折率が未知の薄膜試料における膜厚や屈折率といった光学特性をより高い精度を測定することが可能な光学特性測定装置および光学特性測定方法を提供する。例文帳に追加

To provide an optical characteristics measuring device and an optical characteristics measuring method, capable of measuring the optical characteristics, with higher accuracy, such as film thickness and refractive index, in a thin-film sample whose refractive index is unknown. - 特許庁

標準膜厚サンプルを用意して事前に測定するなどの手間を無くして、試料上の膜の少なくとも屈折率を簡単に、かつ正確に求めること。例文帳に追加

To easily and exactly determine at least the refractive index of the film on a sample by eliminating the labor of preparing a standard film thickness sample and previously measuring the film thickness or the like. - 特許庁

試料と、カンチレバーに保持された探針との間に可変直流電圧を印加する原子間力顕微鏡を用いて、絶縁性薄膜の膜厚分布を測定する膜厚評価方法で、試料の測定領域に電圧を変化させて印加するとともに、発生電流および絶縁破壊電圧を測定し、前記測定領域のうち任意の１点の膜厚を基準値として、各測定点の絶縁破壊電圧および（１）式の関係に基づいて、前記測定領域内の相対膜厚の分布を求めることとする。例文帳に追加

The present invention relates to a film thickness evaluation method for measuring the distribution of film thickness of an insulation thin film by using an atomic force microscope which applies a variable DC voltage between a sample and a probe held by a cantilever. - 特許庁

膜厚測定用標準試料１００は、シリコン基板１０１上に設けられたＬａ含有膜１０３およびＬａ含有膜１０３の上部に設けられてＬａ含有膜１０３を覆うとともに金属窒化物を含む保護膜１０５を含む。例文帳に追加

A standard sample for film thickness measurement 100 includes an La containing film 103 provided on a silicon substrate 101 and a protective film 105 provided on top of the La containing film 103 to cover the La containing film 103 and containing a metal nitride. - 特許庁

試料の複数の表面に対してレジスト溶液を均一な膜厚でもって塗布することができるレジスト塗布装置およびレジスト塗布方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resist coating device and a resist coating method for coating a plurality of surfaces of a sample with a resist solution by a uniform coating thickness. - 特許庁

この時検出される散乱強度の分布は、試料１２の膜厚、密度および表面・界面のラフネスや結晶方位といった構造が不均一である場合、その不均一性を反映したスペックルとなる。例文帳に追加

If the structure of the sample 12, such as film thickness, density, the roughness of a surface or interface, and crystal orientation, is nonuniform, the distribution of the scattering intensities detected becomes a speckle that reflects the nonuniformity. - 特許庁

撥水性を有する薄膜の厚みの不均一やバラツキなどによって、スペクトル解析に支障をきたす問題や試料スポットの凝集位置精度を改善し測定精度を改善する。例文帳に追加

To improve aggregation position accuracy of a sample spot, and to improve measurement accuracy, by solving a problem wherein spectrum analysis is hindered by unevenness or dispersion of the thickness of a thin film having water repellency. - 特許庁

この膜厚測定装置では、白色偏光干渉法によって、接触状態にあるガラス板１１と試料１０の間の干渉画像を取得する。例文帳に追加

This film thickness measuring device acquires an interference image between a glass plate 11 and a sample 10, which are in contact state with the white polarization interference method. - 特許庁

電子顕微鏡等による各種観察やイオンビームによる加工に適するように、試料に付着させるイオン液体の形状及び膜厚を調整する機構を有する荷電粒子線装置を提供する。例文帳に追加

To provide a charged particle beam device having a mechanism in which ionic liquid shape and membrane thickness are adjusted to be adhered to samples so as to be suitable for various observations by electronic microscope or processing by ion beam. - 特許庁

試料の表面特性を測定する非破壊技術に関し、偏光計スペクトルを用いて、表面の複屈折や膜厚などを測定するシステムを提供する。例文帳に追加

To provide a system which relates to a non-destructive technology for measuring a surface parameter of a sample for measuring the birefringence of a surface, a film thickness, etc. using a polarimetric spectrum. - 特許庁

モデルからの算出値とエリプソメータの測定値を比較して、両方の値の差が小さくなるようにフィッティングを行い試料の膜厚及び光学定数を特定する。例文帳に追加

A value, calculated from the model, is compared to a value measured by the ellipsometer, and a fitting process is carried out so that the difference between both values becomes small, thereby specifying the film thickness and the optical constants of the sample. - 特許庁

蒸着の都度、カーボン棒先端形状を円錐状に削ることなく、連続的に効率良く短時間で試料に所定膜厚を蒸着できるようにする。例文帳に追加

To realize continuous and efficient vapor deposition which forms a film with predetermined thickness onto a sample in a short time, without sharpening a tip of a carbon rod into a conical shape in every vapor deposition. - 特許庁

次に該定量分析値の近似値を用いて、該導電性膜と該未知試料との組成の違いによる該厚さの近似値を真値に近づけるように補正する。例文帳に追加

Next, the approximate value of the thickness due to the difference of the composition of the conductive film and the unknown sample is corrected so as to be allowed to approach a real value using the approximate value of the quantitative analytic value. - 特許庁

窓部７に取り付けられるベリリウム薄板８は例えば厚み２５μｍであり、ピンホールを埋める目的で、少なくとも試料室９側の面上には、更にベリリウムによる蒸着膜が形成されている。例文帳に追加

The beryllium thin plate 8 mounted to a window section 7 is, for example, has a thickness of 25 μm, and further a vapor-deposited film by beryllium is formed on the surface at a side of at least the sample chamber 9 for the purpose of embedding a pin hole. - 特許庁

入射ビーム径をことさら絞り込まなくても、試料表面における測定領域を必要に応じて限定することのできる膜厚測定装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a film thickness measuring instrument which can limit a measurement area on the surface of a sample at need without specially decreasing the diameter of an incident beam. - 特許庁

以下逐次近似的に、該厚さの補正と該定量分析値の補正を、予め設定してある収束条件を満たすまで交互に繰り返すことにより、導電性膜の影響を補正した未知試料の組成を求めることができる。例文帳に追加

In a sequentially approximate manner the correction of the thickness and the correction of the approximate value are alternately repeated until a preset converging condition is satisfied to calculate the composition of the unknown sample corrected in the effect of the conductive film. - 特許庁

試料Ｓに照射される測定光の光束径が或る程度大きいとき、その照射領域内で膜厚が不均一であると、得られる干渉スペクトルは周期の異なる複数の余弦関数の積分で表される形式となる。例文帳に追加

When a light flux diameter of measuring light irradiated on a sample S is relatively large, a nonuniform film thickness in the irradiated area provides an interference spectrum with a form represented by an integration of a plurality of cosine functions having different periods. - 特許庁

半導体素子などに於ける膜の化学的組成、屈折率、厚さ、体積空隙率を試料に非接触且つ非破壊で簡便且つ正確に、しかも、高速に測定できるようにする。例文帳に追加

To measure the chemical composition, refractive index, thickness and volume void ratio of the membrane in a semiconductor element or the like simply and accurately at a high speed in a non-destructive manner in the non-contact state with a sample. - 特許庁

薄膜の特性、すなわち透過率と膜厚とを同一装置で同時に測定でき、さらに生産ラインまたは成膜装置内に測定装置を組み込んでインラインで試料の全数検査および管理を行うことができる薄膜の特性測定方法を提供する。例文帳に追加

To realize the method capable of measuring the characteristics of a thin film, that is, the transmissivity and thickness of the thin film at the same time by the same apparatus and incorporating a measuring device in a production line or film forming apparatus to perform the total inspection and control of a sample in-line. - 特許庁

既知の膜厚の標準試料についてあらかじめ求めておいたスケール因子を用いて，配向密度分布関数ρの特性パラメータと，薄膜の膜厚ｔとを変化させて，理論ロッキングカーブが測定ロッキングカーブに最も合致するように，パラメータフィッティングを実施し，これによって膜厚ｔを決定する。例文帳に追加

Using a scale factor found beforehand concerning a standard substance of an already-known film thickness, parameter fitting is performed so that the theoretical rocking curve may coincide most with a measured rocking curve, by changing the characteristic parameters of the distribution function ρ and the thickness (t) of the thin film, and consequently the film thickness (t) is determined. - 特許庁

膜厚測定装置１８は、標準試料において、第一のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流と第二のエネルギーの電子ビームを照射した場合の基板電流とを変数とする参照関数と膜厚との関係を示す参照データを取得し、参照データを考慮して第一の基板電流値と第二の基板電流値とに基づき測定対象の薄膜の膜厚を算出する。例文帳に追加

The device 18 acquires a reference data that shows a relationship between reference functions using as a variable the substrate currents when the film 34 is irradiated with the first and second energy electron beams and film thickness in a reference sample, and calculates the film thickness of the thin film on the basis of the first and second substrate current values while taking the reference data into consideration. - 特許庁

薄膜を形成した試料２００に切刃１００を薄膜の膜厚方向に斜めに押し込みながら、切刃１００が受ける水平力を測定し、その測定データを切刃１００の移動量に対してプロットしたグラフを得る。例文帳に追加

A horizontal force acting on a cutting blade 100 is measured, while obliquely pressing the cutting blade 100 into a sample 200 having the thin film formed therein, in a direction of the film thickness of the thin film, and a graph is obtained which is plotted with measured data respect to movement amounts of the cutting blade 100. - 特許庁

破壊検査により良品と判定された試料により、モニタパターン用の溝４２ａの溝幅Ｌ_1 ，深さＤと埋め込み成膜４９の膜厚ｔとに応じた埋め込み成膜４９凸部のステップ高さを標準値を設定する。例文帳に追加

By a sample which is determined as a superior product by a destruction inspection, the standard value of a step height of a projection part of a embedding formed film 49 in correspondence to a groove width L1 and a depth D of a monitor patterning groove 42a and a film thickness t of the embedding formed film 49 is set. - 特許庁

導電性膜で被われた試料に電子線を照射し、発生する特性Ｘ線を用いて組成分析を行う際に、予め導電性膜の厚さを知ること無しに、導電性膜の影響を補正した組成を求めることができるようにする。例文帳に追加

To calculate a composition corrected in the effect of a conductive film without preliminarily grasping the thickness of the conductive film when compositional analysis is performed using characteristic X rays emitted by irradiating a sample covered with the conductive film with an electron beam. - 特許庁

銅を含む１層またはそれ以上の層からなる素材上に、１０重量パーセント以下の銅を含むスズ合金メッキ層が施されている試料のメッキ厚みと銅濃度を同時に測定することができるＸ線膜厚計を提供する。例文帳に追加

To provide an X-ray film thickness meter, capable of simultaneously measuring plating thickness of a sample, whereon a tin alloy plating layer containing copper of 10 wt.% or less is laid on a material, consisting of one layer or more containing copper. - 特許庁

従来の飛行時間型二次イオン質量分析を利用した表面構造の解析方法では、試料が固体表面の有機化合物や分子結合性化合物の単層膜の場合に、試料表面から削っていくことが困難なために、厚さ方向の組成プロファイルを求めることが困難である。例文帳に追加

To solve the problem that it has been difficult to determine a constituent profile in a thickness direction since it is difficult to scrape a sample from a sample surface in the case where the sample is a single-layer film of an organic compound and a molecular-binding compound in a solid surface by an analytical method of surface structures using conventional time-of-flight secondary ion mass spectrometry. - 特許庁