「抵抗反応」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

正極の表面の電子とリチウムイオンとの反応が円滑となり抵抗が低減し、局部的な抵抗が小さくなる。例文帳に追加

Reaction of electrons with lithium ions on the surface of the positive electrode is made smooth, and local resistance is decreased. - 特許庁

それにより、反応ガスの触媒層までのガス拡散抵抗が小さくなり、触媒層からの生成水排出抵抗が小さくなる。例文帳に追加

Gas diffusion resistance to the catalyst layer of the reaction gas is made low, and exhaust resistance of produced water from the catalyst layer is made low. - 特許庁

同様に、カソード側、アノード側および電池全体について測定された膜抵抗および反応抵抗について、その整合性を判定する。例文帳に追加

In a similar manner, consistency is determined for film resistance and reactive resistance that have been measured for cathode side, anode side, and whole battery. - 特許庁

反応抵抗（特に低温時の反応抵抗）を低減させると共に電解質の分解反応を抑制してサイクル特性に優れたリチウム二次電池を提供すること。例文帳に追加

To provide a lithium secondary battery excellent in cycle characteristics through reduction of reaction resistance (especially, that at low temperature) and restraint of decomposition reaction of electrolyte. - 特許庁

長寿命であり、かつ反応抵抗が小さいリチウムイオン電池を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium ion battery having long life and low reaction resistance. - 特許庁

正極表面での電子とリチウムイオンとの反応を円滑にし、抵抗を低減する。例文帳に追加

Reaction of electrons with lithium ions on the surface of a positive electrode is made smooth, and the resistance is reduced. - 特許庁

集積化マイクロ電極およびそれを用いた高抵抗媒体中の電極反応計測方法例文帳に追加

INTEGRATED MICRO-ELECTRODE AND MEASURING METHOD FOR ELECTRODE REACTION IN HIGH-RESISTANCE MEDIUM USING SAME - 特許庁

薄膜抵抗体の金属が酸化反応を起こして断線するのを抑制する構成を得る。例文帳に追加

To prevent metal of a thin film resistor from causing an oxidization reaction and hereby being broken. - 特許庁

第１拡散抵抗層１４の表面に、H2成分の反応を促進する触媒層１８を設ける。例文帳に追加

A catalyst layer 18 is formed on the surface of the first diffused resistance layer for promoting reaction of H2 component. - 特許庁

電極反応抵抗を低減することがで、燃料電池の出力特性の向上を実現する。例文帳に追加

To realize improvement of an output characteristic of a fuel cell by reducing an electrode reaction resistance. - 特許庁

そして、反応型化成皮膜は導電性が高いので、内部抵抗の上昇もない。例文帳に追加

Then there is no increase in internal resistance since the reactive chemical conversion coating has high conductivity. - 特許庁

形成される抵抗体において、導電材料の反応割合が１５％以上、８０％以下である。例文帳に追加

In the formed resistor, the reaction ratio of the conductive material is 15% to 80%. - 特許庁

反応装置は、チャンバと、抵抗ヒータと、第１の温度センサと、第２の温度センサとを備えている。例文帳に追加

A reactor comprises a chamber, a resistive heater, a first temperature sensor and a second temperature sensor. - 特許庁

よって、内部抵抗の上昇を抑制しつつ、電解液の分解などの副反応を抑制できる。例文帳に追加

By the above, side reactions like decomposition of the electrolyte can be restrained while restraining increase of internal resistance. - 特許庁

多孔質体の流れ抵抗減少と化学反応促進等を同時に実現する。例文帳に追加

To simultaneously realize reduction in flowing resistance of a porous body and promotion of chemical reaction. - 特許庁

抵抗体組成物のガラスセラミックスとの反応・拡散現象を抑えることができ、白金と酸化錫とを均一に分散することができるので、抵抗体３の抵抗値が安定する。例文帳に追加

Reaction with the glass ceramics of the resistor composition or a diffusion phenomenon can be avoided and the platinum and the tin oxide can be uniformly dispersed, thus stabilizing the resistance value of the resistor 3. - 特許庁

純抵抗、活性化分極抵抗、濃度分極抵抗の相互間に存在する連鎖反応の関係を考慮に入れて、バッテリの劣化度を正確に演算すること。例文帳に追加

To compute accurately the degree of degradation of a battery by taking into consideration the relation among chain reactions existing mutually among a pure resistance, an activation polarization resistance and a concentration polarization resistance. - 特許庁

抵抗変化素子の保温性能を高め、抵抗変化素子の周囲の絶縁層との反応を防止するとともに、隣接する抵抗変化素子との間でのリークの発生を抑制することができる不揮発性記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a nonvolatile memory capable of preventing reaction with an insulating layer surrounding a variable resistive element by improving the heat-insulation performance of the variable resistive element, and capable of suppressing the occurrence of leakage from an adjoining variable resistive element. - 特許庁

平坦面４ａ上に、磁気抵抗効果により外部磁界を検出する磁気検出素子１０と、磁気検出素子１０と同じ電気抵抗を有し、外部磁界に反応しない固定抵抗素子２０を形成する。例文帳に追加

The flat face 4a is formed thereon with a magnetic detecting element 10 for detecting the external magnetic field by magnetoresistance effect, and a fixed resistance element 20, having electrical resistance identical to that of the magnetic detecting element 10 and that does not react with the external magnetic field. - 特許庁

蛇行する反応ガス流路内の流路抵抗を均一化し、反応ガスを電極面全面にわたって良好に分配することを可能にする。例文帳に追加

To enable to distribute a reaction gas well throughout the electrode face by making uniform the flow-path resistance in a zigzag reaction gas passage. - 特許庁

減算部３６は、電圧検出値Ｖ_ａｃｔから、内部抵抗推定器３４にて算出される内部抵抗推定値ａ_ｅｓｔに係る内部抵抗成分推定値Ｗ_ｅｓｔと、反応抵抗成分算出部３２にて算出される反応抵抗成分推定値Ｈ_ｅｓｔとを減算して開路電圧推定値Ｅ_ｅｓｔを算出する。例文帳に追加

A subtraction part 36 calculates an open-circuit voltage estimation value E_est by subtracting an internal resistance component estimation value W_est concerned in an internal resistance estimation value a_est calculated in an internal resistance component estimation device 34, and a reaction resistance component estimation value H_est calculated in a reaction resistance component calculating part 32, from a voltage detection value V_act. - 特許庁

従来の金属／反応防止膜／多結晶シリコンの構造では、反応防止膜／多結晶シリコン間の接触抵抗が大きく、ゲート抵抗が高くなる。例文帳に追加

To solve the problem of a conventional metal/reaction preventing film/polycrystal silicon structure where the contact resistance between the reactive preventing film and the polycrystal silicon is high to raise a gate resistance, resulting in increased circuit delay of an MOS transistor. - 特許庁

内部インピーダンスの測定に基づく反応抵抗の値の大きさは、主に微小短絡の大きさによって大きく変化するので、反応抵抗の値を測定することで微小短絡を高精度で検出することが可能となる。例文帳に追加

The minute short circuit can be detected by measuring the valve of the reaction resistance because the value of reaction resistance estimated by measuring the internal impedance sharply varies mainly depending on the size of the minute short circuit. - 特許庁

半導体基板１１上に、磁気強度変化に反応する第１，第２の半導体磁気抵抗素子１８，１９と、磁気強度変化に殆ど反応しない第１，第２の半導体素子２０，２１と、第１の半導体磁気抵抗素子１８及び第２の半導体磁気抵抗素子１９と、第１の半導体素子２０及び第２の半導体素子２１とがそれぞれ対向する２組の抵抗をなすブリッジ回路２８を構成するための素子電極（電極部）２２，２３，２４，２５とを備える。例文帳に追加

To provide a magnetic head capable of stabilizing the output temperature characteristics of a semiconductor magnetic resistance element, and improving productivity. - 特許庁

半導体基板上に下部電極３が配設され、下部電極３上に抵抗が変化する抵抗変化素子４が配設され、抵抗変化素子４上に上部電極５が配設され、抵抗変化層４と上部電極５の側壁面には、抵抗変化層４のドライエッチング時に発生した反応生成物８が付着している。例文帳に追加

A lower electrode 3 is arranged on a semiconductor substrate and the resistance change element 4 which changes in resistance is arranged on the lower electrode 3; and an upper electrode 5 is arranged on the resistance change element 4, and the reaction product 8 produced when the resistance change layer 4 is dry-etched sticks on the side wall surfaces of the resistance change layer 4 and the upper electrode 5. - 特許庁

この抵抗加熱ヒータ６０は、扁平な略六面体形状に形成された反応管５８の上面、下面、左右両側面にそれぞれ隣接して対向する面状の上面抵抗加熱部６２、下面抵抗加熱部６４、左側面抵抗加熱部６６および右側面抵抗加熱部６８を有している。例文帳に追加

This resistance heating heater 60 comprises a planar upper face resistance heating part 62, lower face resistance heating part 64, left side face resistance heating part 66, and right side face resistance heating part 68 respectively adjacent and opposed to the upper face, lower face, left face, and right face of a reaction tube 58 taking the form of an almost flat hexahedron. - 特許庁

炭化水素系燃料の酸化反応や水蒸気改質反応の反応効率に影響を及ぼすガスの流路の面積や流路の抵抗に対する設計の自由度を高めると共に水蒸気改質反応の反応効率を高める。例文帳に追加

To increase the degree of freedom of design about the surface area of a gas passage and the resistance of the passage, which affect the efficiency of oxidation reaction or steam reforming reaction of hydrocarbon base fuel, and to improve the reaction efficiency of the steam reforming reaction. - 特許庁

紫外線を透過させる石英ガラスを有する紫外線センサーは、出力値が光線強度によって変化する光感応抵抗器と、光感応抵抗器の上方に設けられ、光反応抵抗器の受ける光線を濾過する石英ガラスとを含む。例文帳に追加

The ultraviolet sensor, having quarts glass allowing ultraviolet rays to pass through, comprises a photoresponsive resistor of which the output value changes according to light-beam intensity and the quartz glass which is placed above the photoresponsive resistor and filters light beams received by the photoresponsive resistor. - 特許庁

本発明は、酸化物活物質および硫化物固体電解質材料の反応によって生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い硫化物固体電解質粒子を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide a sulfide solid electrolyte particle capable of suppressing formation of a high resistance layer caused by reactions of an oxide active material and a sulfide solid electrolyte material, and low in interface resistance. - 特許庁

測定されたインピーダンス特性から膜抵抗を除去し、反応抵抗を詳細に解析することができるインピーダンス特性評価方法およびインピーダンス特性評価装置を提供する。例文帳に追加

To provide an impedance characteristics evaluation method and an impedance characteristics evaluation device, which can analyze reaction resistance in detail by removing film resistance from impedance characteristics measured. - 特許庁

チップ抵抗器に人の汗や海水が付着した時に、その抵抗体や電極が汗等に含まれるＮａＣｌと化学反応を起こして消滅しないようにする。例文帳に追加

To protect the resistor or electrode of a chip resistor against damage caused by NaCl which is contained in human sweat or seawater to react chemically on the resistor or electrode of a chip resistor when human sweat or seawater is attached to the chip resistor. - 特許庁

その反応生成物であるステアタイト磁器質物質の個数、および１個の面積を、一定の好ましい範囲に定量化して、抵抗体の抵抗値の変化を抑える。例文帳に追加

The number of steatite porcelain materials as reaction products and the area of the discrete steatite porcelain material are quantified so as to within certain preferable ranges respectively to restrain the resistor from varying in resistance value. - 特許庁

本発明は、、電極活物質および硫化物固体電解質材料の反応により生じる高抵抗層の生成を抑制でき、界面抵抗の低い電極活物質層を提供することを主目的とする。例文帳に追加

To provide an electrode active material layer restraining generation of a high resistance layer generated with reaction between the electrode active material layer and a sulfide solid electrolyte material, and having low an interface resistance. - 特許庁

あるチャンネルにおいて抵抗値（配管抵抗値）が変化しても、他のチャンネルに流れる流体の流量を一定に保つ化学反応装置を実現すること。例文帳に追加

To attain a chemical reactor that keeps a flow of fluid flowing in other channels constant even if a resistance value (piping resistance) varies in some channel. - 特許庁

検出部としての電極１６に被覆された触媒層２４でＣＯが酸化すると、その反応熱によって電気抵抗値が変化し、補償部としての電極１８の電気抵抗値とに差が生じる。例文帳に追加

When CO is oxidized by a catalyst layer 24 applied to an electrode 16 as a detection part, an electric resistance value is varied by the reaction heat thereof, and a difference between the the electric resistance of the electrode 16 and the electric resistance value of an electrode 18 as a compensation part. - 特許庁

保護膜とチップ基板との間からの水分の滲入によって電界腐食反応が生じ、抵抗体の腐食および消失が生じることにより断線が生じることのないチップ抵抗器を提供する。例文帳に追加

To provide a chip resistor in which there is no break in a wire caused by corrosion and disappearance of a resistor, because of the occurrence of an electric field corrosion reaction resulting from the permeation of water from between a protective film and a chip substrate. - 特許庁

特定の疾患、とくに感染性疾患に対する抵抗性を高めることになる免疫反応を引き起こすために用いられる方法。例文帳に追加

a technique used to cause an immune response that results in resistance to a specific disease, especially an infectious disease.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

一度抵抗性を獲得した化学療法薬に対するがん細胞の反応性を改善する力が研究されている物質。例文帳に追加

a substance that is being studied for its ability to make cancer cells respond better to chemotherapy drugs to which they have become resistant.  - PDQ®がん用語辞書 英語版

電解液との反応性が低く、かつ、電池として用いたときの内部の電気抵抗も低いリチウムニッケル複合酸化物を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium-nickel complex oxide which has a low reactivity with an electrolyte liquid and a low internal electric resistance when used for a cell. - 特許庁

感応部１が水素と反応して、電気抵抗が変化することを検出部２で検出することによって、水素濃度を検出することができる。例文帳に追加

The sensitive part 1 reacts with the hydrogen, and the change in the electric resistance is detected therein by the detecting part 2 to detect the hydrogen concentration. - 特許庁

内部抵抗の低減、活物質の反応面積の確保、及び活物質の剥離防止のすべてを満たす、リチウムイオン二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a lithium ion secondary battery achieving low internal resistance, ensuring the reaction area of an active material, and preventing the active material from peeling off. - 特許庁

電気抵抗が低く、かつ通常の湿式反応により得られたマグネタイト粒子と比較して低磁化のマグネタイト粒子を提供すること。例文帳に追加

To provide a magnetite particle having low electrical resistance and a low magnetization as compared with a magnetite particle obtained by a conventional wet reaction. - 特許庁

植物における病害抵抗性反応を制御し得る植物遺伝子をコードするポリヌクレオチドを提供する。例文帳に追加

To provide a polynucleotide which codes a plant gene capable of controlling disease resistance reaction in a plant. - 特許庁

この構造により、パッド電極３上では、前記金属反応領域が電流経路となり、パッド電極３上の抵抗値が低減される。例文帳に追加

According to this constitution, the metal reaction region serves as a current path on the pad electrode 3, and the resistance on the pad electrode 3is reduced. - 特許庁

具体的には、流路２６、２７の高さＴ１、Ｔ２および長さＬ１、Ｌ２が、反応ガスの流通抵抗が十分高くなるように設定されている。例文帳に追加

Concretely, heights T1, T2 and lengths L1, L2 of the flow passages 26, 27 are set so that distribution resistance of the reaction gas becomes sufficiently high. - 特許庁