「紫外レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

特にＡｒＦエキシマレーザーおよびＦ_２ エキシマレーザーに代表される遠紫外線に適応可能で、放射線に対する透明性が高く、しかも十分な感度、耐熱性、保存安定性等を有する新規な感放射線性酸発生剤、並びに該感放射線性酸発生剤を含有するポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a new photo-sensitive acid generator adaptable for far ultraviolet rays represented by especially ArF eximer laser and F_2 eximer laser, having a high transparency to radiation, also sufficient sensitivity, heat resistance, preservation stability, etc., and a positive type photoresist composition containing the radiation-sensitive acid generator. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ等の（極）遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線に有効に感応し、感度に優れ、微細パターンを高精度に且つ安定して形成可能な化学増幅型ポジ型レジスト膜を成膜することができる感放射線性組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive composition which effectively sensitizes (extremely) far ultraviolet rays such as KrF excimer laser, ArF excimer laser, or EUV, X-rays such as synchrotron radiations, and electron beams, has excellent sensitivity, and can form chemical amplification type positive resist films capable of high precisely and stably forming fine patterns. - 特許庁

長さ１０〜２０ｍｍの基板１上に可変波長レーザー媒質を幅１０〜５０μｍ、厚さ数μｍのストライプ状に整形して数１０〜数１００本平行にならべ、それぞれに紫外レーザー光を２方向から照射して干渉による縞模様を作り、光エッチング法で周期的な凹凸（回折格子）を作る。例文帳に追加

Several ten-several hundred variable wavelength laser media are shaped into a stripe shape with a width of 10-50 μm and a thickness of several μm to be parallelly arranged on a substrate 1 with a length of 10-20 mm and, irradiated with ultraviolet laser beam from two directions to form stripe patterns due to interference and cyclical unevennesses (diffraction lattices) are formed by an optical etching method. - 特許庁

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して高感度で、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物用樹脂およびレジスト組成物、レジスト組成物に適したこのような樹脂の製造方法、並びに、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a (co)polymer which is useful as a resist material or the like, especially a (co)polymer for a resist material which is suitable for microfabrication using excimer laser or electron beam, its production method, a resist composition using this (co)polymer and a pattern forming method. - 特許庁

ポリマーをターゲットとして使用するパルスレーザーデポジション法によって基板上にダイヤモンド様炭素薄膜を形成する方法において、分子内にベンゼン環を有する線状構造ポリマーをターゲットとして使用し、これにパルス幅が５０ｎｓ以下の紫外光パルスレーザーを照射することを特徴とするダイヤモンド様炭素皮膜の形成方法。例文帳に追加

The method for forming the thin film of diamond-like carbon on the substrate by a pulsed laser deposition method using the polymer as a target, is characterized by employing a linear structured polymer having a benzene ring in the molecule as a target, and irradiating the target with an ultraviolet-light pulsed laser having a pulse width of 50 ns or less. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー以下の短波長光、例えば、Ｆ_２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）やＥＵＶ（真空紫外線１３ｎｍ）を光源とするプロセスに有用であり、高解像性で断面形状の良好なレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材を提供できるアルカリ可溶性ポリシロキサン樹脂を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition useful for a process using light with shorter wavelength than KrF excimer laser light, for example, F_2 excimer laser light (157 nm) or EUV (vacuum ultraviolet light 13 nm), allowing formation of resist pattern with high resolution and good shape of cross section, and to provide an alkali-soluble polysiloxane resin capable of providing a substrate provided with the resist layer. - 特許庁

活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザーあるいはＡｒＦエキシマレーザーに代表される遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、膜厚均一性が優れ、しかも基板接着性、精度、感度、解像度等にも優れたレジストパターンを与える感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition as a chemically amplifying resist which is sensitive to active radiation, for example, far UV rays represented by KrF excimer laser or ArF excimer laser and which can form a resist pattern with excellent uniformity in film thickness, excellent adhesion property with a substrate, accuracy, sensitivity, resolution and so on. - 特許庁

本レーザー加工用積層体の製造方法は、上記重合体組成物を架橋させてレーザー加工用重合体シートを形成し、このシート表面に光重合性組成物原料（エラストマー、エチレン性不飽和基を有する化合物、重合開始剤等）からなる光重合性層を設け、紫外線を照射する。例文帳に追加

In the manufacturing method of the laminate for laser processing, a polymer sheet for laser processing is formed by crosslinking the polymer composition and a photopolymerizable layer composed of a photopolymerizable composition material such as an elastomer, a compound having an ethylene unsaturated group, a polymerization initiator or the like, and it is irradiated with ultraviolet rays. - 特許庁

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、感度、解像度、基板密着性、ドライエッチング耐性といったレジスト性能に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a resist composition highly transparent to a light of a wavelength of at most 250 nm, particularly to an ArF excimer laser light, excellent in resist performances such as sensitivity, resolution, adhesion to a substrate and dry etching resistance, and therefore suitable for the far ultraviolet light excimer laser lithography, an electron beam lithography and the like, and a pattern forming method using the resist composition. - 特許庁

窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザを製造する場合において、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２、３を異種基板、例えばサファイア基板１上に成長させた後、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層２、３のうち共振器端面の形成位置の近傍の部分を紫外レーザ光の照射により基板１から剥離させる。例文帳に追加

When a semiconductor laser using a III-V nitride compound semiconductor is manufactured, III-V nitride compound semiconductor layers 2, 3 are grown on different types of substrates such as, for example, a sapphire substrate 1, and then a part near the forming position of the end face of the resonator of the layers 2, 3 is separated from the substrate 1 by irradiating the substrate with an ultraviolet laser beam. - 特許庁

ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。例文帳に追加

In an active layer formation process of the semiconductor device using a ZnO film 40 for an active layer, laser annealing L1 is executed to the ZnO film 40 by a pulse laser of ultraviolet light to reduce resistance thereof, and a specific resistance value of a channel part of the ZnO film 40 excessively reduced in resistance then is increased to a value ≥10^3 Ω cm by an oxidation treatment. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー以下の短波長光、例えば、Ｆ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）やＥＵＶ（真空紫外線１３ｎｍ）を光源とするプロセスに有用であり、高解像性で断面形状の良好なレジストパターンを形成可能なポジ型レジスト組成物およびそのレジスト層を設けた基材を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition useful in a process with light having a shorter wavelength than KrF excimer laser light, e.g. F2 excimer laser light (157 nm) or EUV (extreme-ultraviolet radiation 13 nm) as a light source and capable of forming a resist pattern having high resolution and a good sectional shape and to provide a base material with a resist layer of the resist composition. - 特許庁

波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマーレーザー光に対して透明性が高く、高感度であるといったレジスト性能を有し、ドライエッチング耐性に優れ、遠紫外光エキシマーレーザーリソグラフィーや電子線リソグラフィー等に好適なレジスト組成物、および、このレジスト組成物を用いた微細なパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a resist composition having high transparency to light with wavelength ≤250 nm, especially to ArF excimer laserbeam and resist performance such as high sensitivity, excellent in dry etching tolerance, and suitable for far-ultraviolet light excimer laser lithography, electronic beam lithography, etc., and to provide a method for forming fine patterns using the composition. - 特許庁

Ｆ_2 レーザ光を光源とする光学装置の光学部材として用いられる合成石英ガラスにおいて、波長１５７．６ｎｍにおける内部透過率が８５％／ｃｍ以上であって、かつＦ_2 レーザやＸｅ_2 エキシマランプなどの紫外線照射による１５７．６ｎｍ内部透過率変動量が５％／ｃｍ以下である合成石英ガラス。例文帳に追加

The synthetic quartz glass used as an optical member of an optical device using F2 laser light as a light source has ≥85%/cm internal transmittance at 157.6 nm wavelength and ≤5%/cm variation of the internal transmittance at 157.6 nm by irradiation with UV from an F2 laser, an Xe2 excimer lamp or the like. - 特許庁

従来のようなフォトリソグラフィ等を用いないで低屈折率層２で覆われたフォトブリーチング用ポリマ層３に紫外線レーザビームＢを集光、照射しながら基板１側又はレーザビームＢのいずれかを相対的に移動させてパターニングを行ない、光伝搬層となるコア層５及びそれをガイドする側面クラッド層６，６を形成する。例文帳に追加

Patterning is carried out without using a conventional photolithographic method or the like but by focusing a UV laser beam B to a polymer layer 3 for photo-bleaching coated with a low refractive index layer 2 to irradiate the layer while either a substrate 1 side or the laser beam B is relatively moved so as to form a core layer 5 as a light propagation layer and side clad layers 6 to guide the light. - 特許庁

そして、この発明の保護眼鏡用レンズは、前記第一レンズ要素１を、紫外線波長域、可視光線波長域あるいは赤外線波長域で特定の波長を有するレーザ光線を選択的に吸収する吸収剤を含有すると共に、可視光線波長域において透明な基材としている。例文帳に追加

The first lens element used for the goggles is composed of a base material which contains an absorbent selectively absrbing a specific wavelength in a UV wavelength region, visible ray wavelength region or IR wavelength region, and is transparent in the visible ray wavelength region. - 特許庁

本発明の樹脂膜のエッチング方法は、尿素、アルカリ金属化合物、アミン化合物を含有するエッチング液を用いて、ウエットエッチングする際に、紫外線、マイクロ波、レーザーおよび赤外線から選ばれた少なくとも１種を照射するか、または、磁場をかけることを特徴とするものである。例文帳に追加

In the method of etching the resin film, at least one type selected from ultraviolet rays, microwaves, laser beams, and infrared rays is applied or a magnetic field is applied when performing wet etching using etching liquid containing urea, an alkali metal compound, and an amine compound. - 特許庁

熱可塑性樹脂（Ａ）とフィラー（Ｂ）を含有してなり、レーザーフラッシュ法で測定した熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である成形品であって、さらに最外層をアクリル系樹脂で表面コートしてあることを特徴とする耐紫外線用樹脂成形品、およびアクリル系樹脂の膜厚が０．５〜２００μｍであることを特徴とする上記耐紫外線用樹脂成形品。例文帳に追加

The ultraviolet ray-resistant resin molded article comprises (A) a thermoplastic resin and (B) a filler, has a heat conductivity of at least 1 W/mK measured by the laser flash method, and has at an outermost layer a surface coat of an acrylic resin, and a thickness of the acrylic resin membrane is 0.5-200 μm. - 特許庁

また、本発明を、放電領域外に配置された極端紫外光放射種にレーザビームを照射し、発生したプラズマを放電領域に供給して、極端紫外光（ＥＵＶ）を発生させるＥＵＶ光源装置にも適用でき、プラズマを高い密度を維持した状態で放電領域に供給することができる。例文帳に追加

Furthermore, a plasma generation method can be applied to an extreme ultraviolet light source device for generating extreme ultraviolet light (EUV) while the laser beam is irradiated to an extreme ultraviolet light emissive species arranged outside a discharge zone and the generated plasma is supplied to the discharge zone, and the plasma can be supplied to the discharge zone while it maintains the high density. - 特許庁

ターゲット物質を供給するターゲットノズル４と、該ターゲットノズルによって供給されるターゲット物質に対してレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ発振器１と、該プラズマから放射される極端紫外光を集光するＥＵＶ集光ミラー５と、ターゲット物質に対してレーザビームを照射する位置に非対称な磁場を形成する電磁石コイル６及び７とを有する。例文帳に追加

This extreme ultraviolet light source device includes: a target nozzle 4 for supplying a target substance; a laser oscillator 1 for generating plasma by irradiating the target substance supplied by the target nozzle with a laser beam; an EUV collection mirror 5 for collecting extreme ultraviolet light emitted from the plasma; and electromagnet coils 6 and 7 for forming an asymmetrical magnetic field at a position at which the target substance is irradiated with the laser beam. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源に対して、感度が優れ、更にパターンプロファイルが優れ、クラッキングの発生が防止できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist compsn. for far UV exposure excellent in sensitivity to a short wavelength light source in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, excellent further in pattern profile and capable of preventing cracking. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び露光のラチチュードの優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and exposure latitude. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、パターン倒れ性、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）が抑制できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for improving the performance of essential micro-photofabrication using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and also to provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays which suppresses pattern collapse or LER (line edge roughness). - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び密着性の優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and adhesion. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、ＰＥＢ時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which solves problems in the techniques to improve the performance of microphotofabrication itself using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and to provide a positive photoresist composition for far UV exposure with low dependence on the PEB (post exposure bake) time. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide an excellent positive photoresist composition for exposure to far UV rays and having a wide defocus latitude of an isolated line pattern. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源に対して高い感度を有し、更に現像欠陥の発生が軽減され、優れたパターンプロファイルが得られる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To ensure high sensitivity to a short wavelength light source, to suppress the occurrence of development defects and to obtain a superior pattern profile by using a compd. having a specified structure besides an acid decomposable resin and a photo-acid generating agent. - 特許庁

紫外線重合性化合物としてのアミノ基含有多官能（メタ）アクリレート化合物を、５〜２０質量％含有した光ディスク用紫外線硬化型樹脂組成物とすると共に、それを用いて光反射層上および／または基板レーザー光照射面への保護層硬化膜を形成した光ディスクとする。例文帳に追加

The ultraviolet curing resin composition for an optical disk is prepared by including 5 to 20 mass% of an amino group containing multifunctional acrylates compound as an ultraviolet polymerization compound, and the optical disk is formed by using the ultraviolet curing resin composite for a protection curing film on an optical reflection layer/a substrate laser beam irradiation surface. - 特許庁

メタンハイドレート層９５の近くの集光位置Ｐ１まではレーザ光Ｌ１が低損失で進み、集光位置Ｐ１で発生した紫外域または真空紫外域の高調波光Ｌ２がメタンハイドレート層９５に照射されることで、高効率にメタンハイドレートが分解されて炭化水素が生成される。例文帳に追加

The laser light L1 travels with low light loss to a focus point P1 near the methane hydrate layer 95, and the harmonic light L2 in the ultraviolet range or the vacuum ultraviolet range that is generated at the focus point P1 is emitted onto the methane hydrate layer 95 to decompose the methane hydrate at high efficiency to generate a hydrocarbon. - 特許庁

入射端２ａから入射された紫外線レーザー光を伝播して出射端２ｂから出射する紫外線伝送ファイバ１において、ＯＨ基含有量が１０００ｐｐｂ以下の合成石英ガラスからなるガラスファイバ２の略軸心部に、その入射端２ａと出射端２ｂとの間を連通する連通孔３を備える。例文帳に追加

The ultraviolet ray transmission fiber 1 propagates ultraviolet laser beams which are made incident from an incident end 2a, are made outgoing from an outgoing end 2b and is provided with a communication hole 3 which communicates the incident end 2a and the outgoing end 2b nearly on an axial center part of the glass fiber 2 consisting of synthetic quartz glass with OH group content ≤1,000ppb. - 特許庁

特にエキシマレーザーなどの紫外線を用いた半導体露光装置に好適に用いられるために必要な特性を全て兼ね備えた光学用石英ガラス部材に係わる物品並びにその製造方法、具体的には、高均質、低複屈折及び高い紫外線照射耐性を兼ね備える光学用合成石英ガラス部材並びにその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an article related to a silica glass member for optical use having all properties required for its suitability in a semiconductor aligner, especially one using ultraviolet radiation such as an excimer laser and its manufacturing process, specifically a synthetic silica glass member for optical use having a high homogeneity, a low birefringence and a high resistance to UV irradiation and its manufacturing process. - 特許庁

本発明による紫外光線検出システム１００では、全累積照射線量に対する暗電流バックグラウンド増加率が抑制され、ＡｒＦ−エキシマレーザのような紫外放射線源のパラメータは、信号上に暗電流バックグラウンドが重ね合わされることによって信号が急速に劣化することなくモニタされる。例文帳に追加

For the ultraviolet beam detecting system 100, the increase factor of a dark current background relative to the total accumulated irradiation dose is suppressed, and a parameter of an ultraviolet radiation source such as ArF-excimer laser is monitored with no rapid degradation in signal by allowing the signal to be overlaid with a dark current background. - 特許庁

レーザー光で紫外線遮蔽性樹脂層を消色した部分に、ムラのない光透過性が得られ、かつ紫外線遮蔽性樹脂層に傷が付きにくく、しかも大型印刷版の作製において、位置決め作業が容易で、かつ版と密着させる際に空気を抱き込みにくく版材に全面が密着しやすいマスクフィルムを与える部材を提供する。例文帳に追加

To provide a member giving a mask film in which even light transmittance is obtained in a portion of an ultraviolet screening resin layer decolored by laser light, in which the ultraviolet screening resin layer is hard to scuff, and which ensures easy positioning work in manufacture of a large printing plate and is less liable to catch up air when made to adhere to the plate, whereby the whole surface adheres easily to the plate material. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、露光後加熱温度依存性、エッチング表面荒れが低減され、さらには疎密依存性が小さく、サイドローブマージンに優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays, the composition showing little dependence on heating temperature after exposure in a microphotofabrication process using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, having decreased surface roughening by etching, having low dependence on pattern density, and having excellent side lobe margin. - 特許庁

可視光を吸収することで光重合を開始する組成物と、重合性不飽和基と紫外線に感光する重合開始基とを有する化合物と、を含有する感光層を有する光重合性平版印刷版を可視光レーザーで画像露光し、現像を行った後、紫外線光で全面露光を行うことを特徴とする。例文帳に追加

The photopolymerizable material for the lithographic printing plate having a photosensitive layer containing a composition to be induced to start photopolymerization by absorbing a visible light and a compound having a polymerizable unsaturated group and a polymerization initiating group sensitive to ultraviolet rays is characterized by being imagewise exposed to visible laser beams and developed and then overall exposed to ultraviolet rays. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を達成すべく、現像欠陥、特にラインパターン及びトレンチパターン形成におけるブリッジングを低減した遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for exposure to a far ultraviolet ray in which bridging for forming a developing defect or particularly line pattern and a trench pattern is reduced so as to perform a subject in a technique for improving an original performance of a microphotofabrication used for a far ultraviolet ray or particularly an ArF excimer laser beam. - 特許庁

原料として有機珪素化合物を用いる合成石英ガラスの製造方法において、石英ガラス中の水素分子濃度を高く維持しつつ有機珪素原料を十分に酸化して、優れたレーザー耐久性を備え、かつ紫外線透過率も高い石英ガラスを合成する。例文帳に追加

To synthesize quartz glass having excellent laser durability and high ultraviolet transmittance by sufficiently oxidizing an organic silicon raw material while keeping the concentration of hydrogen molecule in the quartz glass high in the method of manufacturing the synthetic quartz glass using the organic silicon compound as a raw material. - 特許庁

遠紫外線に感応する微細加工用ポジ型レジスト組成物であって、十分なドライエッチング耐性、感度、およびAｒFエキシマレーザーに対する透明性を有し、かつ優れたアルカリ現像性を有するポジ型レジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To provide a positive resist composition for microprocessing which is sensitive to far UV rays and which has sufficient dry etching durability, sensitivity, transparency for ArF excimer laser light and excellent alkali developing property. - 特許庁

波長３００ｎｍ以下の光、特にＦ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）等の真空紫外光に対して透過性の高い高分子化合物を得る上で有用な新規なフッ素原子含有重合性不飽和単量体の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a new fluorine-containing polymerizable unsaturated monomer useful for producing a polymer compound having high transparency to the light having wavelength of ≤300 nm, especially vacuum ultraviolet rays of F_2 excimer laser (157 nm), or the like. - 特許庁

本発明は、極紫外線の放電プラズマソースあるいはレーザー生成プラズマソースとの使用に適し、かつ、ソース内のあるいはソース付近のガスが、装置のさらに別の部分に入り込むのを制限するリソグラフィ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a lithography apparatus which is suitable for use in a discharge plasma source of extreme ultraviolet ray or a laser generation plasma source and restricts that gas in the source or near the source enters the other portion of the apparatus. - 特許庁

基板密着性に優れ、しかも波長３００ｎｍ以下の光、特にＦ２エキシマレーザー（１５７ｎｍ）等の真空紫外光に対して透過性が高い高分子化合物を得る上で有用な新規なラクトン環含有重合性単量体を提供する。例文帳に追加

To provide a new lactone ring-containing polymerizable monomer useful for obtaining a macromolecular compound having excellent adhesion to a substrate, and high transparency to a light having ≤300 nm wavelength, especially a vacuum ultraviolet light of an F2 excimer laser (157 nm) or the like. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、疎密依存性が小さく、サイドローブマージンが広い優れたポジ型感光性組成物を提供することにある。例文帳に追加

To solve the problem on techniques to improve the intrinsic performance of microphotofabrication using far-UV rays, particularly ArF excimer laser light and to provide an excellent positive resist composition having low dependence on the pattern density and a wide side robe margin. - 特許庁

ファイバーブラッググレーティングは、紫外線レーザー光照射で被覆樹脂を昇華させ燃やして除去し、さらに照射を継続して形成することが出来るため、ファイバーブラッググレーティング製造工程で被覆樹脂除去の工程を省略することが出来る。例文帳に追加

The fiber Bragg grating is formed by further continuous irradiation with the laser ultraviolet laser beam even after sublimating and burning the coated resin, thus the step for removing the coated resin is dispensed of in the manufacturing step of the fiber Bragg grating. - 特許庁

遠紫外線とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するリソグラフィーにおいて、矩形プロファイルをもつレジストパターンを高感度、高解像力で実現し得る、更に焦点深度が優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive-type photoresist composition, capable of forming a resist pattern having rectangular profile with high sensitivity and high resolving power in lithography, using far-UV, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength and superior in the focus depth. - 特許庁

該低抵抗ｎ型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。例文帳に追加

A raw material is photodecomposed by an optical excitation method using vacuum ultraviolet rays so as to obtain the low-resistance n-type semiconductor diamond by a diamond vapor phase synthetic method, and a lithium material is irradiated with excimer laser rays so as to scatter lithium atoms for feeding. - 特許庁