「紫外レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

紫外線、エキシマレーザー光、電子線等を使用する半導体素子等の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度かつ高解像性、良好なパターン形状を満足するポジ型感光性組成物を提供する。例文帳に追加

To solve the problems of a performance-improving the technique for microfabrication of a semiconductor element or the like that uses ultraviolet radiation, excimer laser light, an electron beam or the like, and to provide a positive photosensitive composition, having high sensitivity and high resolution and satisfying a good pattern profile. - 特許庁

本発明の極端紫外光源装置は、メインパルスレーザ光の照射前に、ＣＷ（ＱＣＷを含む）光を所定角度からターゲットに照射することにより、ターゲットを蒸発させて適切な密度及び形状を得る。例文帳に追加

To provide an extreme ultraviolet light source device which can provide appropriate density and shape to a target by irradiating the target with CW (Continuous Wave) (including QCW(Quasi-Continuous Wave)) light from a predetermined angle prior to irradiation of main pulse laser light, thereby evaporating the target. - 特許庁

半導体レーザ１０１（ＬＤ）、光ファイバ１０２、パッケージ基板１０３、ＬＤ駆動用ＩＣチップ１０４、光ファイバ支持基板１０５、紫外線硬化樹脂１０６、モニタ用フォトダイオード（ＰＤ）１０７、フェルール１０８で構成される。例文帳に追加

The optical module is composed of a semiconductor laser 101 (LD), an optical fiber 102, a package substrate 103, an LD driving IC chip 104, an optical fiber holding substrate 105, ultraviolet ray setting resin 106, a photodiode (PD) 107 for monitoring, and a ferrule 108. - 特許庁

第２工程は、所定の光Ｌとして、紫外領域の１ｆｓ〜１０００ｆｓの極短パルスのレーザ光Ｌ３を用いて、半導体層３と透明基板２との界面をアブレーション加工することにより、透明基板２を半導体層３から容易に分離することができる。例文帳に追加

In the second step, a laser light L3 with an ultrashort pulse of 1 to 1,000 fs in an ultraviolet range is used as a predetermined light L, and a boundary surface between the semiconductor layer 3 and the transparent substrate 2 is abraded, so as to easily separate the transparent substrate 2 from the semiconductor layer 3. - 特許庁

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、ラインエッジラフネスが改善され、感度、解像力、焦点深度が優れ、レジストパターン表面上の異物が減少し、更に定在波も低減したポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition suitable for far ultraviolet rays, particularly KrF eximer laser light, having improved line edge roughness, excellent sensitivity, resolution and focal depth and capable of reducing foreign substance on a resist pattern and decreasing standing wave. - 特許庁

本発明では、真空紫外Ｆ_２レーザー（波長１５７ｎｍ）により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物を光化学的にシリカガラスに改質する過程において、所望の被接合材料を接触させておくことにより、非熱的に材料を接合させる光化学的溶接を行う。例文帳に追加

The photochemical welding method where a material is joined, without heat, by bringing it into contact with a desired material to be joined in a step to photochemically convert a compound containing an Si-O-Si bond to silica glass using a vacuum ultraviolet F_2 laser (wavelength of 157 nm) is provided. - 特許庁

検査中に紫外レーザ光の光量変動を検出して検査への影響の有無を判定し、かつ光源の寿命予測と異常を検知するとともに、光学系の内部を清浄化して光学部品の寿命延長と長期信頼性を確保するようにしたパターン欠陥検査装置である。例文帳に追加

In this pattern defect inspection device, the quantity change in the ultraviolet laser beam is detected during inspection, to thereby determine the existence of an influence on the inspection, and service life prediction and abnormality of the light source are detected, and the inside of an optical system is cleaned, to thereby ensure prolongation of service life and long-term reliability of optical parts. - 特許庁

半導体や液晶等の製造に用いる露光装置において、紫外線等の光を放射する放電ランプにレーザ光を用いて高いエネルギーを供給する場合、放電容器に穴を開けることなく、発生した光を効率的に利用できる光学系を備えた露光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an aligner equipped with an optical system capable of efficiently utilizing generated light without opening a hole on an electric discharge container in a case when high energy is supplied employing laser light to a discharge lamp which emits light such as ultraviolet rays or the like, in the aligner employed for the manufacture of a semiconductor, a liquid crystal or the like. - 特許庁

赤色レーザ光で記録・再生ができ、高密度記録が可能であるとともに紫外線等に対する耐環境性と情報保存性が優れ、かつ簡便で安価な製造が可能な光記録媒体とその記録再生方法および記録再生装置を提供する。例文帳に追加

To provide an optical recording medium which permits recording and playing back with a red laser beam and high-density recording, has excellent environmental resistance to UV rays etc., and information preservable property and and can be easily manufactured at a low cost and to provide a recording and playing back method and a recording and playing back apparatus for the same. - 特許庁

ｉ線、ｇ線等の紫外線のみならず、可視光線、ＫｒＦ等のエキシマレーザー光、電子線、Ｘ線、イオンビーム等の放射線にも利用でき、簡単な製造工程で、高感度、高解像度、高耐熱性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a nonpolymer-based radiation-sensitive resist composition having high sensitivity, high resolution and high heat resistance and soluble in a solvent in an easy manufacturing process, the composition which can be used for not only UV rays such as i-line and g-line but for radiation such as visible rays, KrF excimer laser light or the like, electron beams, X rays and ion beams. - 特許庁

ブルーレーザーにより記録又は再生を行なう光ディスクの光透過膜として好適な、耐久性と硬化膜の波長４００ｎｍ近傍での高透過率とを両立させることができる紫外線硬化型組成物及びこれを採用した光ディスクを提供する。例文帳に追加

To provide an ultraviolet-setting type composition that can satisfy both durability and a high transmission rate of its hardened film at a wavelength of about 400 nm, which are suitable for the light-transmitting film of an optical disk, to which recording or reproducing is made with a blue laser, and the optical disk in which the composition is used. - 特許庁

半導体製造時のパターン露光に使用する光リソグラフィー装置（ステッパー）用のレンズ材料や、各種エキシマレーザー装置用窓材などに使用する真空紫外光透過材料を得るためのフッ化物単結晶の製造法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a fluoride single crystal which is useful for obtaining a lens material for a photolithography device (stepper) used for pattern exposing at the time of the production of a semiconductor or a vacuum ultra-violet transmissive material used as a window material or the like for various excimer laser systems. - 特許庁

ＫｒＦおよびＡｒＦ、Ｆ２等のエキシマレーザ、Ｘ線、電子ビーム、ＥＵＶ（極端紫外光）用各種レジスト原料や、高機能性ポリマー原料として注目を集めている高純度２−アルキル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a 2-alkyl-2-adamantyl (meth)acrylate having high purity and attracting attention as various resist raw materials for excimer laser such as KrF, ArF and F2 laser, X-ray, electron beam and EUV (extreme-ultraviolet rays) and as a raw material for highly functional polymers. - 特許庁

レーザー発光素子のロット差等、波長変動による裏写りの防止効果が優れ、かつ非画像部の着色が少なく検版性に優れ、紫外領域の吸収が少なくＰＳ版への焼付時間への悪影響が少ない熱現像感光材料を提供する。例文帳に追加

To provide a heat-developable photosensitive material superior in effects on preventing reversal imaging due to fluctuation of wavelength caused by difference in the lots of laser beams emitting element, and small in coloring in nonimage parts and superior in reproducibility and small in absorption in the ultraviolet region and an adverse effect on a time necessary for printing on a PS plate. - 特許庁

その結果、ＣＬＢＯ結晶により波長変換を行い２２５ｎｍ以下の波長の短い紫外光レーザを出力する場合、ＣＬＢＯ結晶の表面温度を１３０℃以下、好ましくは９０℃以下とすれば、上記波長以下の領域における透過率の低下はほとんど生じないことが分かった。例文帳に追加

In the case of performing a wavelength conversion by the CLBO crystal and outputting the ultraviolet radiation laser with a short wavelength of 225 nm or less, a decline in the transmittivity in the area below the above wavelength hardly occurs by setting the surface temperature of the CLBO crystal to 130°C or less, preferably to 90°C or less. - 特許庁

薄膜デバイス１４０の形成後、水溶性、有機溶剤溶融性、あるいは加熱または紫外線照射により剥離作用を有する接着剤からなる第２分離層１６０を介して薄膜デバイス１４０を一次転写体１８０に接合した後に、基板側からレーザー光を照射する。例文帳に追加

After the thin-film device 140 is formed, the thin-film device 140 is joined to a primary transfer destination 180 via a second isolation layer 160 composed of water soluble adhesive, organic solvent soluble adhesive, or adhesive that has a stripping action through heating or ultraviolet irradiation, and then, a laser beam is projected from the back of the substrate. - 特許庁

可視・紫外レーザーを用いる手段では検出が困難な多層膜反射型マスク上の極微小欠陥を、高速で検査可能とし、かつコンパクトで誰でも簡単に利用できる光源を用いて実現することを可能とする。例文帳に追加

To provide a method and device for inspecting multilayered mask for defect by which even an extremely small defect that is formed on a multilayered reflection type mask and is difficult to be detected by means of a means using a visible/ ultraviolet laser can be inspected at a high speed by using a compact light source that can be utilized easily by anybody. - 特許庁

表面を鏡面研磨したシリコンあるいはガラスからなる基板１０の鏡面上にレジスト膜Ｒを形成し、このレジスト膜に集束電子ビームあるいは紫外線レーザなどにより露光し、さらに現像して、凹凸形状に対応するパターンのレジスト膜Ｒａを形成する。例文帳に追加

A resist film R is formed on a mirror finished surface of a substrate 10 consisting of silicon or glass subjected to mirror finish polishing on its surface and this resist film is exposed by a convergent electron beam or UV laser, etc., and is developed, thereby, the resist films Ra of the patterns corresponding to rugged shapes are formed. - 特許庁

表面を導電性被膜３で被包して両端に一対の電極５、６を装着した円柱状のセラミック素体２に対して、その表面全周にわたって波長４００ｎｍ以下でエネルギー密度が５Ｊ／ｃｍ^２ 以上の紫外線レーザを照射して溝切り加工を施す。例文帳に追加

A grooving process is applied to all over the surface of a cylindrical ceramic element 2 with the surface coated with a conductive film 3 and with a pair of electrodes 5 and 6 mounted at both its end by irradiating it with an ultraviolet laser having a wavelength of 400 nm or less and an energy density of 5 J/cm^2. - 特許庁

多層の追記型光ディスクの半透明反射層と色素記録層の間で使用され、信号の書き込み時にレーザー光により加熱された場合であっても、信号の読み取りエラーを発生させることのない樹脂層を形成することが可能な光ディスク用紫外線硬化型組成物を提供する。例文帳に追加

To provide an ultraviolet light curable type composition for an optical disc, capable of forming a resin layer used between a semi-transparent reflective layer and a pigment-recording layer of a multi-layered rerecording type optical disc, and without generating the reading error of a signal even on being heated by a laser beam in writing the signal. - 特許庁

絶縁膜５２の、内層パターン５１と重なる位置に、該絶縁膜の表面におけるパルスエネルギ密度が第１のパルスエネルギ密度になるように紫外域のパルスレーザビームを入射させて、該絶縁膜を貫通する穴６０を形成する。例文帳に追加

A hole 60 penetrating the insulating film is formed by making incident a pulse laser beam in the ultraviolet range on the position overlapping the internal layer pattern 51 of the insulating film 52 so as to make pulse energy density on the surface of the insulating film to become first pulse energy density. - 特許庁

コア領域３及びクラッド領域２、４に紫外レーザ光を照射することによって、コア領域３及び光信号が拡散するクラッド領域２、４共に周期的な屈折率分布を有するグレーティングが形成され、クラッドモードによる過剰損失を抑制することができる。例文帳に追加

By irradiating the core region 3 and clad region 2, 4 with UV laser beam, gratings having periodical distribution of refractive indices are formed in both of the core region 3 and the clad region 2, 4 where the optical signals are diffused, and the excess loss due to the clad mode can be suppressed. - 特許庁

活性放射線（例えば、ＡｒＦエキシマレーザー、ＥＵＶ、電子線等）に代表される遠紫外線に感応するレジストとして好適な感放射線性樹脂組成物及びレジスト被膜付き基板並びにパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a radiation-sensitive resin composition suitable as a resist having sensitivity with respect to far ultraviolet rays, represented by active radiation (for example, ArF excimer laser, EUV, electron beam, and so forth), a substrate with resist film, and a pattern forming method. - 特許庁

３５０〜５００ｎｍの範囲に主たる発光波長領域を有する露光光源、特に青色のＬＥＤあるいは紫外青紫色レーザー光を発振する露光光源を備えた画像形成装置において、高画質の画像を繰り返し、安定に得ることができる画像形成装置を提供することである。例文帳に追加

To provide an image forming apparatus with which images of high image quality can be repetitively and stably obtained in the image forming apparatus equipped with an exposure light source having a major light emission wavelength region within a range from 350 to 500 nm, more particularly a blue LED or an exposure light source oscillating an ultraviolet blue-purple laser light. - 特許庁

紫外から青紫色レーザー光に対して高感度であると共に、基板に対する密着性に優れ、感光性塗布液中又は感光性層における光重合開始剤の残留・析出がなく、絶縁性等の電気特性に優れ、廃棄における環境負荷の問題もない感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法を提供する例文帳に追加

To provide a photosensitive composition having high sensitivity to UV to blue-violet laser light, excellent adhesiveness to a substrate, no residue or precipitation of a photopolymerization initiator in a photosensitive coating liquid or a photosensitive layer, and excellent electric characteristics such as insulating property, and causing no problem of environmental load upon discarding, and to provide an image forming material, an image forming member and an image forming method using the composition. - 特許庁

赤外、近赤外、および可視の領域だけでなく紫外領域でも使用でき、高い屈折率に起因して高い設計の自由度を有し、レリーフ面の凹部が他の材料で埋められても回折機能が失われず、さらにハイパワーレーザ用途でも安定して使用し得るレリーフ型回折光学素子を提供する。例文帳に追加

To provide a relief type diffraction optical device which can be used in not only infrared, near infrared, and visible light regions but also in the ultraviolet light region and has a high flexibility of design because of a high refractive index and doesn't lose a diffracting function even when recesses of a relief surface are filled with other materials, and can be stably used for high power laser. - 特許庁

フレキソ印刷の印刷版は、エラストマー結合剤、少なくとも１つのモノマー、重合が進むにつれて紫外線の吸光度が減少する光開始剤システム、および９〜１２マイクロメーターの赤外線を吸収する少なくとも１つの添加物を含んでいるエラストマー組成物の少なくとも１つのレーザー彫り込み可能な強化エラストマー層を支持体の上に含むレーザー彫り込み可能なフレキソ印刷の印刷要素で作られる。例文帳に追加

The flexographic printing plate is formed with the laser engravable flexographic printing element including at least one laser engravable reinforced elastomer layer of an elastomer composition containing an elastomer binder, at least one monomer, a photoinitiator system whose UV absorbance lowers in accordance with the progress of polymerization and at least one additive which absorbs IR of 9-12 μm on the base. - 特許庁

金属蒸着面（ｄ）を少なくとも一層持ち、プラスティックフィルム（ｂ）で両面を保護されたスリット糸の積層最外部に紫外線吸収剤を含む合成樹脂層（ａ）をコーティングで設けられた糸をレーザースリッターで得て、その素材構成の一部とする生地及びカーシートを得る。例文帳に追加

Yarn is produced by means of laser slitter which has at least one metal vapor-deposited surface (d) and is coated with a synthetic resin layer (a) containing ultraviolet ray absorbing agent at the outermost layer of the laminated slit yarn protected by a plastic film (b) at both sides, thereby obtaining a textile, one of whose material constitution is the yarn, and a car sheet. - 特許庁

非晶質半導体膜を加熱処理とレーザー光または紫外線、赤外線などの強光の照射により結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、そのような結晶質半導体膜で活性領域を形成した半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor film and its manufacturing method which heat treats and has an amorphous semiconductor film irradiated with a laser beam or strong rays, such as ultraviolet or infrared rays to crystallize this film, improves the orientation ratio of the obtained crystalline semiconductor film, and forms active regions with such a crystalline semiconductor film. - 特許庁

非晶質半導体膜を加熱処理とレーザー光または紫外線、赤外線などの強光の照射により結晶化して得られる結晶質半導体膜の配向率を高め、そのような結晶質半導体膜で活性領域を形成した半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device together with its manufacturing method where an amorphous semiconductor film is crystallized in a heating process along with irradiation of strong beam such as laser beam, ultraviolet ray, and infrared ray to raise orientation of a resultant crystalline semiconductor film, and the crystalline semiconductor film is used to form an active region. - 特許庁

エキシマレーザーなどの遠紫外線以外にも、シンクロトロン放射線などのＸ線、電子線などの荷電粒子線といった、放射線のいずれにも対応できるので、今後さらに微細化が進行すると予想される集積回路製造用のレジストとして有利に使用できる感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a radiation sensitive resin composition which can be advantageously used as a resist for the production of an integrated circuit supposed to be made minuter in future by making the composition adaptable to any radiation, e.g. X-rays such as synchrotron radiation or charged corpuscular radiation such as electron beams besides far UV such as excimer laser light. - 特許庁

レジスト材料等の構成成分樹脂として有用な有機溶剤への溶解性に優れた重合体、このような重合体の製造方法、遠紫外光エキシマレーザーリソグラフィー、中でも波長２５０ｎｍ以下の光、特にＡｒＦエキシマレーザー光、および電子線リソグラフィー等に対して高感度でドライエッチング耐性に優れる好適なレジスト組成物、ならびに、このレジスト組成物を用いた高精度で微細なパターン形成方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a polymer useful as a resist material, or the like, especially the polymer as the resist material suitable for a fine processing using an ArF excimer laser or an electron beam, to provide a method for producing the same, to obtain a resist composition by using the same, and to provide a method for forming a pattern. - 特許庁

コア１１とクラッド１２とを有する光ファイバ母材１を加熱、線引きしてなる紫外線伝送用光ファイバであって、上記コア１１は少なくともＯＨ基および／またはＦを合計で１００〜５０００ｐｐｍ含有し、かつ、１２ｍＪ／ｃｍ^2のＡｒＦエキシマレーザーを常温、常圧下で１０^7ショット照射したときに、下記（Ｉ）または（ＩＩ）の要件を充足するシリカガラスからなり、当該光ファイバの外周には、溶融したアルミニウムまたはその合金を被覆し凝固させてなる被覆層をさらに有する、紫外線伝送用光ファイバ。例文帳に追加

The optical fiber for UV transmission is obtained by heating and drawing an optical fiber preform 1 comprising a core 11 and a clad 12. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light (193 nm wavelength) and ensuring superior resolving power and pattern profile even if plenty of time passes until post- heating after exposure. - 特許庁

深紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対して、良好な感度、解像度を有し、且つ基板との密着性が良好で、従来のレジストに使用していた現像液（例えば２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）に対しても良好な現像性を示すポジ型フォトレジスト組成物を提供することである。例文帳に追加

To provide the positive photoresist composition good in sensitivity to deep ultraviolet rays, especially, ArF excimer laser beams and good in resolution and adhesion to a substrate and good in developability in developing solutions used for the conventional resists, such as an aqueous solution of 2.38% tetramethylammonium hydroxide. - 特許庁

ＡｒＦエキシマレーザーの波長１９３ｎｍを含む遠紫外線領域で透明で、かつドライエッチング耐性も高い化学構造を持ちながら、標準現像液である２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で、膨潤のない解像性能の優れたネガ型のパタン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a negative pattern which is transparent in the far UV region including 193 nm wavelength of ArF excimer laser light, which has a chemical structure with high durability against dry etching and shows excellent resolution without swelling in a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution as a standard developer. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ションにおいて、感度及び解像力に優れ、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られ、疎密依存性の少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and resolving power, ensuring excellent resolving power and pattern profile even if time passes considerably until after-heating after exposure and having small density dependency in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light. - 特許庁

紫外線に対する耐久性に優れた結晶性物質、特に、Ｆ_２エキシマレーザーに対する耐久性に優れたフッ化カルシウム単結晶を比較的容易かつ安価に検査及び製造する方法、当該フッ化カルシウム単結晶から製造される光学素子、かかる光学素子を利用した露光装置、デバイス製造方法並びにデバイスを提供する。例文帳に追加

To provide relatively easy processes for inexpensively examining and preparing a crystalline substance showing an excellent durability against ultraviolet irradiation, especially a calcium fluoride single crystal showing an excellent durability against F_2 excimer laser, an optical element manufactured from the calcium fluoride single crystal, exposure equipment using this optical element, a device and its manufacturing process. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and giving a resist pattern free from residue on development and having no density dependency even when an acid decomposable resin containing an introduced alicyclic hydrocarbon part is used in micro- photofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength. - 特許庁

本発明の目的は、遠紫外線光、特に波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザを用いるミクロフォトファブリケーションの性能向上技術の課題を解決することであり、より具体的には、微細なパターン形成においてもパターン倒れがなく、良好な解像性を示すネガ型レジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To solve problems on the technique for improving performances of microphotofabrication using far ultraviolet light, especially ArF excimer laser light of 193 nm wavelength, in particular, to provide a negative resist composition which avoids pattern collapse even in fine pattern formation and exhibits good resolution. - 特許庁

遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決すべく、現像性に優れ、且つ、露光ラチチュード及びラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition having high developability, exposure latitude and line edge roughness performance to solve a problem of an essential performance improvement technology of microphotofabrication using far-ultraviolet light, EUV, an electron beam, or the like, especially ArF excimer laser light. - 特許庁

ＫｒＦエキシマレーザー、極端紫外線、電子線またはＸ線等の放射線に感応する化合物及び感放射線性組成物であり、金属触媒を使用することなくかつ簡単な工程で製造できる、高感度、高解像度、高耐熱性、高エッチング耐性かつ溶剤可溶性の非高分子系感放射線性組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a compound sensitive to radiations including KrF excimer laser, extreme ultraviolet radiations, electron beams and X-rays, which is a nonpolymeric composition sensitive to such radiations, and producible by a simple process without using any metal catalyst, wherein the composition is highly sensitive, has high resolution, high heat resistance and high etching resistance and is soluble to solvents. - 特許庁

微細加工のためのフォトリソグラフィー、特にＫｒＦレーザー、極短紫外線、電子線、Ｘ線などを露光源として用いたリソグラフィーにおいて、エッチング耐性及び解像性に優れ、基板界面において良好なパターン形状を与えるポジ型レジスト組成物、及びこれを用いたパターン形成方法の提供。例文帳に追加

To provide a positive resist composition having an enhanced etching resistance and an excellent resolution and providing an excellent pattern profile on a substrate boundary face, in photolithography for fine processing, and particularly in lithography adopting, as an exposure source, KrF laser, extreme ultraviolet rays, electron beam, X-rays, or the like, and to provide a pattern forming method utilizing the positive resist composition. - 特許庁

極端紫外光発生装置において、バルク高温超伝導体とパルス磁場発生用のコイルを極低温に冷却できるようにした構造体による磁場発生装置とその磁場発生装置の磁力線の通る中心軸を中空とし、駆動用レーザ光とマイクロ波の導波管となるようにする。例文帳に追加

In the extreme ultraviolet light generating device, a magnetic field generating device having a structure with which a bulk high-temperature superconductor and a coil for pulse magnetic field generation can be cooled down to very low temperature, and a center axis that magnetic lines of force of the magnetic field generating device pass through, are made to be hollow to serve as a waveguide of drive laser light and a microwave. - 特許庁

色相に優れ、且つ、形成されたパターン状の膜における欠けや剥がれが抑制され、画素形状が良好であり、コンタクトホール形成性にも優れた着色パターンを形成しうる、紫外光レーザーによるパターン形成性に優れた光硬化性青色着色組成物、それを用いたカラーフィルタ、その製造方法、該カラーフィルタを備えた液晶表示装置を提供する。例文帳に追加

To provide a photocuring blue colorant composition for color filter excellent in pattern forming property by UV light laser which is excellent in hue and with which the chipping and peeling of the pattern-like film formed can be suppressed and which is good in pixel shape and can form a coloring pattern excellent in contact hole formation property, a color filter in which the composition is used, a manufacturing method thereof, and a liquid crystal display apparatus having the color filter. - 特許庁