「紫外レーザ」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

各ファイバグレーティング２１は光ファイバ心線１の被覆層の外側から紫外レーザを照射することによってコア内の屈折率に周期的な変調を与えたものである。例文帳に追加

In respective fiber gratings 21, ultraviolet laser is radiated from the outside of a coating layer of the coated optical fiber 1 to provide periodic modulation to the refractive index in the core. - 特許庁

そして、ファイバ取り出し口１０を貫通して半導体レーザ素子１と外部の素子との間で光伝送を行う光ファイバ芯線４が設けられ、ファイバ取り出し口１０が紫外線硬化性樹脂２０２により封止されている。例文帳に追加

A coated optical fiber 4 through which light is transmitted between the element 1 and an external element is provided through the port 10, and the port 10 is sealed with an ultraviolet-curing resin 202. - 特許庁

２００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の波長領域の光を含む紫外線に対する光線透過率の極めて低い液状感光性樹脂組成物を、前記紫外線により光硬化させ、レーザー彫刻可能な円筒状フレキソ印刷原版を形成するための方法の提供。例文帳に追加

To manufacture a cylindrical flexographic printing original plate on which laser engraving is possible by photo-curing a liquid photosensitive resin composition having a very low light transmittance to ultraviolet light including light in a wavelength region of 200-450 nm under the above ultraviolet light. - 特許庁

本発明の紫外線吸収剤としてフラーレンを含んでなる層間絶縁樹脂を用いることにより、通常、乾燥、硬化させる際に、加熱工程を通ることにより、紫外線吸収剤が失活せずに、ＵＶレーザーの加工性をもつ層間絶縁樹脂を得ることができる。例文帳に追加

As an ultraviolet absorber according to this invention, an interlayer insulating resin including fullerene is used thereby causing no deactivation of the ultraviolet absorber, while they pass through the heating step in the steps of usual drying and hardening and can obtain the interlayer insulating resin having the UV-laser processability. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することであり、具体的には、コンタクトホールパターンの疎密依存性に優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition for exposure with far UV excellent in density dependence of a contact hole pattern. - 特許庁

赤色又は黄色の着色剤とオキシム系開始材を用いることにより紫外線領域の吸収を調整しつつ充分着色があり、紫外線及びレーザー露光において高感度でさらに硬化深度が良好である組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a photocurable resin composition which is adequately colored while regulating absorption in the ultraviolet region by using a red or yellow colorant and an oxime-based initiator, and which has high sensitivity in ultraviolet exposure and laser exposure and ensures a good curing depth. - 特許庁

フッ素樹脂成形体表面に、有機ケイ素化合物、紫外線吸収性化合物およびフッ素系界面活性剤を含有する溶液、分散液または懸濁液を付着させ、該付着表面に紫外レーザー光を照射することを特徴とするフッ素樹脂成形体表面の改質法。例文帳に追加

This method for modifying the surface of the fluororesin formed product is characterized by adhering a solution, dispersion or suspension containing an organic silicon compound, an ultraviolet light-absorbing compound and a fluorosurfactant to the surface of the fluororesin formed product and then irradiating the adhered surface with an ultraviolet laser beam. - 特許庁

光硬化性樹脂１３５を硬化させる紫外線ランプＵＶＬを、カップリングレンズ１３０を基準に半導体レーザとは反対側に配置するとともに、カップリングレンズ１３０を基準に紫外線ランプＵＶＬとは反対側に反射手段として鏡Ｍを配置する。例文帳に追加

An ultraviolet lamp UVL is arranged on the opposite side of the semiconductor laser with respect to the coupling lens 130 to harden the photosetting resin 135, and a mirror M being a reflecting means is arranged on the opposite side of the ultraviolet lamp UVL with respect ot the coupling lens 130. - 特許庁

紫外レーザ光８によって下地となる紫外光を吸収する薄膜パターン２を光分解または熱分解剥離させて透明電極ごと剥離することができ、効率的に所望のパターンを得ることができ、大面積の処理も高速で行うことができる。例文帳に追加

The thin-film pattern 2 absorbing ultraviolet rays to be a base layer is photolyzed or pyrolyzed to be peeled off by the ultraviolet laser beams to enable to peel off the transparent electrode in whole, efficiently obtain a desired pattern, and also to carry out a large-area treatment at high speed. - 特許庁

アレイ導波路１５の位相誤差を解消するため、紫外線レーザビームを、マスク１８，２０のマスク１９，２１を介して、各導波路に照射し、紫外線誘起屈折率変化を利用して、各導波路の位相調整をする。例文帳に追加

In order to remove a deviation in phase of the array waveguide 15, an ultraviolet laser beam is radiated to ward each waveguide via each mask 19 and 21 of the masks 18 and 20, respectively, and the phase adjustment for each waveguide is made by the application of change in ultraviolet-ray induction refractive index. - 特許庁

紫外発光体１はサファイア（α−Ａｌ_2 Ｏ_3 ）基板２の（００１）面上に形成された酸化亜鉛に基づく半導体混晶４を有しており、この半導体混晶４に室温でＣＷ発振Ｈｅ−Ｃｄレーザー又は電子ビームを全面に照射して紫外光を発生させる。例文帳に追加

An ultraviolet light-emitting body 1 has a semiconductor mixed crystal 4, based on zinc oxide formed on the (001) plane of a sapphire (α-Al2O3) substrate 2, and a CW-oscillated He-Cd laser or an electron beam is irradiated onto the entire surface of the mixed crystal 4 at a room temperature to cause ultraviolet light to be emitted. - 特許庁

紫外光学系は、中心に回転対称軸CLを有しレンズ半径が紫外レーザビームの直径よりも大径の第１レンズと４３、第１レンズ４３を回転させるレンズ回転機構５３と、レンズ回転機構５３の作動を制御する制御装置６０とから構成される。例文帳に追加

The ultraviolet optical system is constituted of: a first lens 43 which has the rotation symmetry axis CL in the center and whose radii is larger than the diameter of an ultraviolet laser beam; a lens rotating mechanism 53 for rotating the first lens 43; and a controller 60 for controlling the operation of the lens rotating mechanism 53. - 特許庁

紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）のいずれかで示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。例文帳に追加

To provide: a new photoacid generator, suitable as a photoacid generator of a resist material, that controls elution in water especially in ArF immersion exposure, suppresses formation of foreign matter characteristic of immersion exposure, satisfies problems of density dependency and exposure margin, is effectively used, etc.; a resist material using the generator; and a pattern forming method. - 特許庁

高純度六方晶窒化ホウ素単結晶を直接型半導体固体発光素子として使用し、該結晶に電子線を照射して励起することによって、深紫外領域２１５ｎｍの光を発生し、あるいはこれを共振して深紫外レーザ光を発生させる。例文帳に追加

A high-purity hexagonal boron nitride is used as a direct semiconductor solid-state light-emitting element, and electronic rays are irradiated on the crystal to excite it, whereby a light of deep-ultraviolet region 215 nm is generated, or deep-ultraviolet laser beams are generated by resonating it. - 特許庁

不純物の含有や泡の発生を低減せしめ、構造欠陥が少なく、高い透過率を保持して紫外光線領域の高出力レーザ光を利用する光学装置などに好適な耐紫外線特性を有する石英ガラスの製造方法を得る。例文帳に追加

To obtain a method of manufacturing quartz glass in which the inclusion of impurities or the generation of bubbles is reduced and the formation of defects in the structure is suppressed, and which has high transmittance and ultraviolet ray resistant property suitable for an optical device utilizing high power laser light in the ultraviolet ray region. - 特許庁

紫外・真空紫外（ＵＶ／ＶＵＶ）領域における透過率が十分高く且つ耐レーザー性や耐ＵＶ／ＶＵＶ性に優れたフッ化物単結晶、それを実現可能とするフッ化物の熱処理方法及びフッ化物単結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a fluoride single crystal which has sufficiently high transmittance in ultraviolet/vacuum ultraviolet (UV/VUV) regions and is excellent in laser resistance and resistance to UV/VUV, to provide a method for heat-treating a fluoride to obtain such a fluoride single crystal, and to provide a method for producing the fluoride single crystal. - 特許庁

２５０ｎｍ以下の波長の遠紫外線、特にＡｒＦエキシマレーザー光に対する解像力がよく、さらに、優れたドライエッチング耐性を有するレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resist composition having good resolving power to far UV having ≤250 nm wavelength, particularly ArF excimer laser light and also having superior dry etching resistance. - 特許庁

白金族元素イオン含有溶液に紫外線領域波長レーザーを照射することにより前記白金族元素イオンを還元し、生成した白金族元素を回収する。例文帳に追加

A platinum group element ion-containing solution is irradiated with an ultraviolet region wavelength leaser to reduce the platinum group element ions, and the produced platinum group elements are recovered. - 特許庁

その際、干渉縞の周期は露光用紫外レーザーのビーム入射角で変わるので、それぞれのストライプに違った周期の回折格子を付けることができる。例文帳に追加

At this time, since the cycle of interference fringes is changed by the beam incident angle of ultraviolet laser for exposure, diffraction lattices different in cycle can be applied to the respective stripes. - 特許庁

可視光透明性及び紫外線吸収性に優れ、ＵＶ−レーザーによる加工が可能なフッ素樹脂含有剥離性フィルムを提供することを目的とする。例文帳に追加

To prepare a fluororesin-containing peelable film excellent in visible light transparency and ultraviolet light-absorbing properties, and capable of being processed with a UV-laser. - 特許庁

得られた酸化亜鉛エピタキシャル薄膜は、２５℃において１５ｍＷのＨｅ−Ｃｄレーザー（３２５ｎｍ）で励起したとき、紫外部（３８１ｎｍ）に励起子発光を示すものである。例文帳に追加

The obtained epitaxial zinc oxide thin film exhibits an exciton luminescence at the ultraviolet region (381 nm) when excited at 25°C by He-Cd laser (325 nm) of 15 mW. - 特許庁

水蒸気を含む空気よりなる対象領域に、波長が２７０ｎｍ〜１８０ｎｍの紫外線レーザー光を照射することにより、上記対象領域内に水滴又は氷粒を生じさせる。例文帳に追加

The object region composed of air containing steam is irradiated with ultraviolet light laser beams at 270-180 nm wavelength to thereby produce the waterdrops or ice grains in the object region. - 特許庁

波長３００ｎｍ以下の光、特にＦ_2エキシマレーザー（１５７ｎｍ）等の真空紫外光に対して透過性の高い高分子化合物を得る上で有用な新規なフッ素原子含有重合性不飽和単量体を提供する。例文帳に追加

To obtain a fluorine atom-containing polymerizable unsaturated monomer useful for providing a polymer compound having high transmission of a vacuum ultraviolet light such as a light at ≤300 nm wavelength, especially an F_2 excimer laser (157 nm), etc. - 特許庁

また、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物膜に真空紫外レーザー光を照射することにより、露光部分のみ酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）に改質される。例文帳に追加

Further, by irradiating the solid compound film containing the Si-O-Si bond with vacuum UV laser light, only the exposed region is modified into silicon oxide (SiO_2). - 特許庁

このフッ素樹脂レジストパターン３１に、高いエッチング耐性を有するフッ素化合物の存在下で、エキシマランプ又はエキシマレーザ１２から紫外光１３を照射する。例文帳に追加

This resist pattern 31 is irradiated with ultraviolet rays 13 from an excimer lamp or an excimer laser 12 in the existence of a fluorine compound having high etching tolerance. - 特許庁

アブレーション閾値よりも小さいエネルギー量を持つ紫外線レーザ光により基板上に形成されたシリコーンポリマー層のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を切断して開裂した酸素原子とケイ素原子を再結合させる。例文帳に追加

A silicone polymer layer formed on a substrate is treated with a UV laser beam having the energy quantity amount lower than an ablation threshold to cut Si-O-Si bonds in the polymer layer and to recombine the cleft oxygen atoms and silicon atoms. - 特許庁

レーザー感光層の部分的な除去と紫外線ビームの照射に対する所要時間を低減し、あるいは所要機器に対する所要スペースと設備投資が低減されるように改善を行うこと。例文帳に追加

To shorten the time required to partially remove a laser beam sensitive layer and the time necessary for irradiation with UV beams, or to reduce the necessary space for required instruments and equipment investment. - 特許庁

露光光源として遠紫外線、特にＫｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、現像欠陥の問題を生じない優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a superior positive type photoresist composition which does not cause the problem of development defects when far UV, particularly KrF excimer laser light, is used as a light source for exposure. - 特許庁

本発明は、発酵状態を熟練技術者の官能評価に頼らず、紫外線レーザーのパルス光照射による蛍光強度の測定により、定量的に発酵状態を把握することを目的とする。例文帳に追加

To quantitatively grasp fermentation conditions by measuring fluorescent intensity due to irradiation of pulse light of an ultraviolet laser, without having to depend on the organic-functional evaluation of the fermentation conditions by a skilled engineer. - 特許庁

遠紫外光、特にＫｒＦエキシマレーザー光に好適で、現像欠陥の問題を生じず、しかも半導体製造プロセス上、安定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive type photoresist composition suitable for far ultraviolet light, particularly KrF excimer laser light, not causing the problem of development defects and excellent in stability in a semiconductor producing process. - 特許庁

サイドローブマージンに優れ、遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロファブリケーションに好適に使用できるポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which is excellent in the side lobe margin and is adequately usable in a micro fabrication using far UV light, particularly an ArF excimer laser beam. - 特許庁

重合速度が良好で、かつ解像度及び細線密着性に優れ、特にＵＶ（紫外光）レーザの走査露光に好適な感光性エレメントを提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive element having a good rate of polymerization, excellent in resolution and adhesion of thin lines and suitable particularly for scanning exposure with a UV (ultraviolet light) laser. - 特許庁

このバンドル出力は、少なくとも一部分を−４０℃以下に冷却する冷却装置を備えている波長変換部により波長変換され、所要波長の紫外レーザ光を得る。例文帳に追加

The bundle output is subjected to wavelength conversion by a wavelength converting part provided with a cooler for cooling at least a part at -40°C or lower, and an UV laser light having a desired wavelength is obtained. - 特許庁

ＣＬＢＯ結晶を上記温度に制御することにより、波長２２５ｎｍ以下の紫外光レーザを、出力を低下させることなく発生させることが可能となる。例文帳に追加

By controlling the CLBO crystal to the above temperature range, the ultraviolet radiation laser with a wavelength of 225 nm or less can be generated without lowering the output. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、解像力、露光マージンの優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition excellent in resolution and exposure margin, which can be suitably used for microphotofabrication using far-UV rays, particularly ArF excimer laser light. - 特許庁

レーザー溶融熱転写方式で使用するインクシートのインク層が、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定化剤の少なくとも一つを含有することを特徴とするインクシート。例文帳に追加

An ink layer of an ink sheet used by a laser melting thermal transfer system contains at least one of an ultraviolet absorber, an antioxidant and a light stabilizer. - 特許庁

界面活性剤水溶液中で金属亜鉛のレーザーアブレーションによって２ｎｍ〜１００ｎｍの平均粒径を有する酸化亜鉛ナノ微粒子を製造することを特徴とする紫外線発光体用酸化亜鉛ナノ微粒子の製造方法。例文帳に追加

The zinc oxide nanoparticles have the average particle diameter of 2-100 nm by laser ablation of metal zinc in a surfactant aqueous solution. - 特許庁

本発明は、ショートニング性能に優れ、プロセスマージン性能が優れ、遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロファブリケーションに好適に使用できるポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition having excellent shortening performance and process margin performance, and suitable for microfabrication which uses far-UV light, in particular, ArF excimer laser light. - 特許庁

露光光源として遠紫外線、特にＫｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、現像欠陥の問題を生じず、しかも半導体製造プロセス上、安定性の優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which does not cause development defects when far UV, particularly KrF excimer laser light is used as a light source for exposure and has superior stability in a semiconductor producing process. - 特許庁

光散乱源の除去が可能であり、且つ、紫外線照射による新たな蛍光を発生しない、レーザー素子として有用であるセシウムホウ酸化合物結晶の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a cesium boric acid compound crystal which can remove a light-scattering source and which is useful as a laser element without generating new fluorescence by the irradiation of ultraviolet light. - 特許庁

遠紫外光、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用したミクロフォトファブリケーションに於いて好適に使用することができる、ラインエッジラフネス、パターン倒れの問題が解消されたポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition which can be suitably used for microphotofabrication using far UV rays, in particular ArF excimer laser light and which eliminates problems of line edge roughness and pattern collapse. - 特許庁

短波長の半導体レーザを用いても、カップリングレンズの固定に紫外線硬化型接着剤を用いた従来の工法をそのまま活用できる光源装置を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a light source device in which conventional techniques using a UV curing adhesive to fix a coupling lens can be effectively used even when a short wavelength semiconductor laser is used. - 特許庁

このキャップケース２の前面にはＵＶ透過フィルタ６が装着され、頭部を動かすことにより被検査体のキズ面を紫外線照射やヘリウムネオンレーザを照射しキズを検出することができる。例文帳に追加

A UV transmission filter 6 is mounted on the front of the cap case 2, and the injured surface of an examination target is irradiated with ultraviolet rays or a helium neon laser, by moving the head to detect flaws. - 特許庁

アルゴンイオンレーザ１０から発せられる波長約３６３．８ｎｍの紫外光を集光照射機構４０等を介して測定対象試料６０であるシリコンウェーハ上に集光させる。例文帳に追加

Ultraviolet light with a wavelength about 363.8 nm emitted from an argon ion laser 10 is condensed on a wafer of a measuring object test piece 60 through a condensing irradiation mechanism 40 and the like. - 特許庁

Ｆ_２ レーザ光に対しても光吸収が少なく、耐紫外線性が良好で、かつ加工作業性が良く、高精度を実現できるフォトマスクを提供することである。例文帳に追加

To provide a photomask having little absorption of light even for F2 laser beams, having good resistance against UV rays and good processing workability which realizes high accuracy. - 特許庁