「絶縁劣化」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

作業性が良好で、臭気が少なく、熱劣化後の電気絶縁性が良好で、硬化収縮が少なく、得られる硬化物が低収縮で高固着性の保持率に優れ、かつ、得られる硬化物特性が良好な電気絶縁用樹脂組成物、これを用いた電気機器絶縁物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition for electrical insulation which provides fine workability, hardly emits an odor, retains fine electrical insulation after being thermally deteriorated, hardly generates curing shrinkage, allows the derivation of a cured material superior in retaining low shrinkage and high fixing properties, and allows the derivation of a cured material of a fine physical property, and to provide a manufacturing method for an electric equipment insulator using the resin composition. - 特許庁

半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜を介して形成された第一の電極を含む第一の素子と、半導体基板上に所定の厚みの絶縁膜よりも薄い絶縁膜を介して形成された第二の電極を含む第二の素子とを有する半導体素子の製造方法であって、第二の素子の特性劣化を防ぐことが可能な半導体素子の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor element having a first element, including a first electrode formed on a semiconductor substrate via an insulation film with a predetermined thickness, and a second element including a second electrode, formed on the semiconductor substrate via an insulation film that is thinner than the insulation film with the predetermined thickness, which is capable of preventing deterioration of characteristics of the second element. - 特許庁

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。例文帳に追加

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration. - 特許庁

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。例文帳に追加

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film. - 特許庁

油入電気機器の余寿命を推定する際に、絶縁油中の絶縁紙劣化指標成分量から絶縁紙の平均重合度または平均重合度残率への従来の換算方法および寿命推定式等を使用せずに精度よく油入電気機器の寿命を診断する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for precisely diagnosing lifetimes of oil-immersed electrical equipment, without having to apply conventional conversion method and lifetime estimation system or the like to an average polymerization degree or the residual rate of the average polymerization degree of an insulating paper, from the content of the component of an insulating paper deterioration index in an insulating oil, when estimating the remaining lifetimes of the oil-immersed electrical equipment. - 特許庁

柱上変圧器１内に設けられている絶縁材料の劣化を、当該絶縁材料に照射した複数波長の反射吸光度の差から診断するにあたり、前記柱上変圧器１の二次ライン線絶縁紙１１に、照射用光ファイバケーブル６・受光用光ファイバケーブル７を備える光ファイバプローブを一定圧力で接触させる。例文帳に追加

When a deterioration of insulation provided in the pole transformer 1 is diagnosed by using a difference from reflected absorbance of a plurality of wavelength irradiated at the insulation, insulating paper 11 of a second line in the pole transformer 1 are contacted with the optical fiber probe provided with the irradiation optical fiber cable 6 and the acceptance optical fiber cable 7 under constant pressure. - 特許庁

平均電界が５ｋＶ／ｍｍ〜２０ｋＶ／ｍｍの超低周波電圧を水トリー劣化したケーブルに１０分〜１００分課電して、絶縁破壊の有無を調べ、絶縁破壊したケーブルについて有害水トリーが発生したものと判定し、絶縁破壊しなかったケーブルについて、有害水トリーが存在せず試験によりＡＣ残存性能が低下していないと判定する。例文帳に追加

Very low frequency voltage with average voltage field of 5 kV/mm to 20 kV/mm is charged to a cable degraded by water tree for 10 to 100 minutes to test breakdown and generation of harmful water tree is judged for the breakdown cable and no harmful water tree and no lowering of AC remaining performance are judged by the test for no breakdown cables. - 特許庁

クロム化合物の含有せず、従って環境の劣化を伴うことなしに、耐食性および耐水性の劣化を防ぎ、さらには歪み取り焼鈍後の被膜外観および溶接性を改善した無機質絶縁被膜付き電磁鋼板を提供する。例文帳に追加

To provide an electromagnetic steel sheet with an inorganic insulating film, which prevents deterioration of corrosion resistance and water resistance and improves the film appearance and weldability after stress-relief annealing without containing a chromium compound and hence without deteriorating environment. - 特許庁

これによって、外気に含まれる水分などの劣化因子が接着剤２０７中を伝わって封止領域２０８内に入り込んだ場合にも、この劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをサイプ１０４によって阻害することができる。例文帳に追加

Thereby, even when the deteriorating element such as moisture contained in the external air enters into the sealing region 208 transmitted in the adhieive 207, the sipe 104 prevents the deteriorating element from being transmitted in the insulating film 103. - 特許庁

直流漏れ電流Ｉ_d の測定信号ｉ_o （ｔ）を逆変換する事により波形変歪の生じていない信号ｉ_i （ｔ）を得て、この信号ｉ_i （ｔ）に含まれる劣化信号を観察する事に基づいて行なう、ＣＶケーブルの絶縁劣化診断の信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve reliability of a diagnostic method of insulation degradation for a CV cable that a signal ii (t) with no distortion of a waveform is obtained by inversely converting a measurement signal io (t) of a DC leakage current Id and then is performed based on observing a degradation signal included in the signal ii (t). - 特許庁

半導体素子から発生した熱を効率良く外部接続端子を取り付けた絶縁基板に逃がすことができるので半導体装置自体の温度上昇を防ぎ、ＤＲＡＭなどの温度上昇が記憶保持特性の劣化を招いていた半導体素子の特性の劣化を防ぐことができる。例文帳に追加

Since heat generated from the semiconductor element can be released efficiently to the insulating substrate fixed with external connection terminals, temperature rise of the semiconductor device itself is prevented and deterioration of characteristics can be prevented in a semiconductor element, e.g. a DRAM, where temperature rise causes deterioration in memory holding characteristics. - 特許庁

抵抗測定部７は、測定対象物Ｉの絶縁抵抗を乾燥状態及び湿潤状態で測定すし、劣化状態判定部８は抵抗測定部７の測定結果に基づいて測定対象物Ｉの劣化状態を判定する。例文帳に追加

A resistance measuring part 7 measures an insulation resistance of the measuring object I in the dry state and in the wet state, and a deterioration state determination part 8 determines the deterioration state of the measuring object I, based on a measurement result by the resistance measuring part 7. - 特許庁

拡散バリア層、特に酸素拡散バリア層をソース基板の１つの主面上に設けることにより、半導体／絶縁体界面の劣化、特に界面の電気的品質の劣化を有利に防止する半導体オンインシュレータウエハを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor-on-insulator wafer capable of effectively preventing degradation of a semiconductor/insulator interface, especially degradation in electrical quality of the interface, by providing a diffusion barrier layer, especially an oxygen diffusion barrier layer, on one main surface of a source substrate. - 特許庁

フィルム層間の密着力に優れ、フィルムの吸湿劣化のない、電気絶縁破壊電圧保持が高くかつ誘電特性の安定した、機械特性劣化が少ない面実装対応コンデンサー用ポリエチレン−２，６ナフタレートフィルムを提供する。例文帳に追加

To prepare a polyethylene-2,6-naphthalate film which has excellent adhesivity between film layers, is free from the moisture-absorbing deterioration of the film, has a high dielectric breakdown voltage and stable dielectric characteristics, scarcely deteriorates mechanical characteristics, and is used fur surface mount-corresponding capacitors. - 特許庁

ワイヤを巻回した巻線部に接着剤（樹脂）がほとんど付着しておらず、温度サイクルによる断線やワイヤ被膜の劣化による絶縁抵抗の劣化などの少ない、信頼性の高い巻線型コイル部品及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable wound coil component and a method for manufacturing the same with little attaching of an adhesive agent (resin) to a winding section of wires, and having a few breakings of wires, caused by temperature cycle and deterioration of insulation resistance caused by deterioration of wire coating. - 特許庁

絶縁層２３を、キシリレンポリマーで形成することにより、貫通電極構造のキャパシタンスを効果的に低減して、信号の劣化が低減できると共に、高速信号伝送が可能になる。例文帳に追加

When the insulation layer 23 is formed of a xylylene polymer, the capacitance of the through electrode structure is reduced effectively and the deterioration of a signal can be reduced thus enabling high speed signal transmission. - 特許庁

本来の要求特性を維持しつつ、水酸化カリウムなどの電解液による劣化が起き難い絶縁皮膜を形成するエポキシ樹脂粉体塗料を提供する。例文帳に追加

To provide an epoxy resin powder coating forming an insulation film hardly causing deterioration by electrolytic liquid such as potassium hydroxide while maintaining original required characteristic. - 特許庁

コギングトルクやトルクリップルを低減することができ、かつコイルの絶縁性の劣化を防止することできるステーターコア、及びモータステーターを提供する。例文帳に追加

To provide a stator core which can reduce cogging torque and torque ripples and can prevent the deterioration of the insulating performance of a coil, and to provide a motor stator. - 特許庁

強誘電体キャパシタに対して還元性雰囲気中の熱処理を施しても、容量絶縁膜を構成する強誘電体膜又は高誘電体膜の分極特性が劣化しないようにする。例文帳に追加

To prevent deterioration in the polarization characteristic of a ferroelectrics film or a high dielectrics film constituting a capacitor insulating film even when heat treatment in a reducing atmosphere is applied to a ferroelectrics capacitor. - 特許庁

キャパシタの強誘電体又は高誘電体からなる容量絶縁膜が水素バリア膜から発生する水素によって劣化することを確実に防止できるようにする半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device that can surely prevent a capacity insulation film, made of ferroelectric or high dielectric in a capacitor from being deteriorated by hydrogen generating from a hydrogen barrier film, and to provide a manufacturing method for the device. - 特許庁

従来よりも簡素化された製造プロセスにより、半導体記憶装置のキャパシタを構成する容量絶縁膜の水素による劣化を確実に防止できるようにする。例文帳に追加

To surely prevent a capacitive insulating film constituting the capacitor of a semiconductor memory device from being degraded due to hydrogen, by means of a simpler manufacturing process than before. - 特許庁

使用済みの有機レジストパターンを除去するときに、その下地が有機低誘電率膜を含む層間絶縁膜である場合にも、該有機低誘電率膜の膜質が劣化することのないアッシング方法を提供する。例文帳に追加

To provide an ashing method, in which the quality of an organic low permittivity film will not deteriorate when a used organic resist pattern is removed, even if an underlying interlayer insulation film includes the organic low permittivity film. - 特許庁

火花放電ギャップの続流を防止して火花電極自身が損傷すること、また放電時の電極材の蒸気や粒子で電極間絶縁抵抗が劣化することなどを未然に防ぐ。例文帳に追加

To prevent a continuous flow of spark discharge gap and prevent damage of spark electrode itself as well as deterioration of insulation resistance between electrodes due to vapor or particles of electrode materials when discharged. - 特許庁

これにより、ゲート絶縁膜１０４及びスペーサ領域にホットエレクトロンが捕獲されることにより生じる半導体素子の特性劣化を抑制し、動作速度を改善することができる。例文帳に追加

Thus the characteristics deterioration of a semiconductor element due to the capture of hot electrons in a gate insulation film 104 and spacer regions can be suppressed to improve the operating speed. - 特許庁

キャパシタを覆う絶縁膜を形成する際、キャパシタ中の強誘電体膜の劣化を防ぐことができる半導体装置とその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can prevent deterioration of a ferro-dielectric film in a capacitor when forming an insulation film covering a capacitor, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

一対の電極と液晶シートとの間に、それぞれ絶縁性防水膜として無機の酸化膜または窒化膜あるいは有機膜を設けることにより、液晶シート中の水分による電極の劣化を防止する。例文帳に追加

Deterioration of the electrode due to moisture in the liquid crystal sheet is prevented, by providing inorganic oxidized or nitrified films or organic films as insulating moisture-preventing films respectively between a pair of electrodes and the liquid crystal sheet. - 特許庁

半導体ウエーハの表面に積層されている低誘電率絶縁体を、半導体回路を劣化せしめることなく、ストリートに沿って除去することができる加工機を提供する。例文帳に追加

To provide a processing machine which can remove a low dielectric constant insulator laminated on the surface of a semiconductor wafer along a street without deteriorating a semiconductor circuit. - 特許庁

採取したガス成分の中にアセチレンガスが含まれるか否かを調べ（Ｓ１００３）、採取したガス成分中にアセチレンガスが含まれていれば、接続部に絶縁劣化が生じているものと判定する（Ｓ１００４）。例文帳に追加

It is investigated whether acetylene gas is contained in the sampled gas component (S1003), and, when acetylene gas is contained in the sampled gas component, it is determined that insulation degradation has occurred in the joint (S1004). - 特許庁

引出し電極系の高電位電極に高電圧を供給する系統の絶縁劣化を抑えると共に、高電位電極への配線の作業性の悪さを解消する。例文帳に追加

To suppress insulation deterioration of a system that supplies high voltage to a high potential electrode of an extraction electrode system, and to eliminate poor workability of wiring to the high-potential electrode. - 特許庁

素体の外表面に形成される電極層の酸化及び絶縁抵抗の劣化を防止することが可能な電子部品の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for an electronic component which can prevent oxidization of an electrode layer formed on the outer surface of an elemental body and deterioration in the insulation resistance. - 特許庁

電力容量が大きく、高周波帯域（１ＧＨｚ以上）での減衰量が小さいと共に、絶縁体の劣化防止効果を有する比較的細径の発泡同軸ケーブルを安定して確実に提供すること。例文帳に追加

To stably and surely provide a foamed coaxial cable with relatively small diameter, large power capacity, small attenuation in a high frequency band (1 GHz or more) and deterioration prevention effect for an insulator. - 特許庁

上部電極を露出させることによる容量絶縁膜の特性の劣化を回避するための半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage device for avoiding the deterioration of the property of a capacitive insulating film by exposing an upper electrode, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

半導体装置の容量絶縁膜となる誘電体薄膜を結晶化させる高温酸素雰囲気中の熱処理を行った場合にも、酸素バリア膜の酸素バリア性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the oxygen barrier of an oxygen barrier film from deteriorating even if thermal treatment takes place in an environment of high temperature oxygen that crystallizes a dielectric film to be a capacitance insulating film in a semiconductor device. - 特許庁

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、ソルダーレジスト用及び層感絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a resin composition giving a cured product having excellent flexibility, soldering heat-resistance, thermal aging resistance and electroless gold plating resistance, developable with organic solvent or dilute alkali solution and suitable for solder resist and interlaminar insulation layer. - 特許庁

電気絶縁特性を有し、且つ高温における耐熱劣化特性及び耐熱衝撃性に優れた注型用エポキシ樹脂組成物を提供することを目的とする。例文帳に追加

To obtain an epoxy resin composition for a casting having electrical insulation properties and excellent in heat deterioration resistance and thermal- shock resistance at a high temperature. - 特許庁

上部電極や下部電極を構成する貴金属材料と容量絶縁膜との間の界面特性を改善し、電気特性の劣化を防止することができる容量素子を提供する。例文帳に追加

To provide a capacitive element which can be prevented from deterioration of electric characteristics by improving interfacial characteristics between a noble metal material which constitutes top and bottom electrodes and a capacitive insulation film. - 特許庁

占有面積を増加することなくトンネル絶縁膜の劣化を抑制して高い信頼性を持った電気的書 き換え可能な半導体不揮発性メモリ装置を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain an electrically rewritable semiconductor nonvolatile memory device having high reliability by minimizing deterioration in a tunnel insulating film without increasing an occupied area. - 特許庁

セパレータや固体酸化物形燃料電池セルの劣化を招くことなく、マニホールドを構成する各マニホールド部の間を、絶縁分離した状態で気密に接合できるようにする。例文帳に追加

To enable to airtightly joint each space between manifold parts constituting a manifold in an insulated separation state without giving rise to deterioration of a separator or a solid oxide fuel battery cell. - 特許庁

浮遊電極間での干渉効果を抑え、電極間絶縁膜に流れるリーク電流を低減し、さらに素子の劣化を防ぐことが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which suppresses an interference effect between floating electrodes, reduces a leakage current which flows to an inter-electrode insulating film, and further can prevent the deterioration of elements. - 特許庁

素子分離溝内が多層の絶縁膜で埋め込まれてなる素子分離を用いた場合における素子特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which can suppress the deterioration of element characteristics in the case of using such element isolation that an element isolation trench is filled up with a multilayer insulation film. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置及びその製造方法に関し、デバイス特性を劣化させることなく、且つ、既存の製造工程になじみやすい工程によりフェルミレベルピンニングを除去する。例文帳に追加

To eliminate Fermi level pinning by adopting a process familiar to existing manufacturing processes without deteriorating device characteristics in an insulated gate semiconductor device and a manufacturing method thereof. - 特許庁

上記ケーブル導体２に交流高電圧を印加し、直流電圧印加回路１０により、上記絶縁層３に直流電圧を印加したままの状態で、上記劣化信号を観察する。例文帳に追加

A high AC voltage is applied to the cable conductor 2, and the deterioration signal is observed with a DC-voltage application circuit 10, while the DC voltage is kept applied to the insulation layer 3. - 特許庁

絶縁膜の表面に対するダメージを防ぎ、配線膜厚を均一に制御することにより、配線間ショート及び信頼性劣化を防止できるようにする。例文帳に追加

To prevent short-circuit between wiring and deterioration of reliability by preventing the damage of the surface of an insulation film and uniformly controlling the thickness of wiring film. - 特許庁

本発明は、ゲート絶縁膜の誘電率を維持しつつ、界面特性の劣化を回避することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of avoiding deterioration in interface characteristics while sustaining the dielectric constant of a gate insulating film, and to provide its fabrication process. - 特許庁

ＭＯＳトランジスタあるいはＭＩＭキャパシタにおいて、導体膜からなる電極に、多量の重水素をドープすることにより、絶縁膜との界面の欠陥を終端し特性劣化を抑制する。例文帳に追加

To suppress the deterioration in characteristic of a MOS transistor or MIM capacitor by terminating a defect on an interface with an insulating film by doping an electrode formed of a conductor film with a large amount of heavy hydrogen. - 特許庁