「電子回折」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

ＳＴＥＭ装置の収差補正に際して、Ｓｉからなる単結晶基板１０１上にＡｕパーティクル１０２が堆積されてなる標準基板を用い、電子線回折像及び菊池パターンに基づいて、標準基板の傾斜を調節する。例文帳に追加

In carrying out aberration correction of a STEM device, a standard substrate with Au particles 102 deposited on a single-crystal substrate 101 made of Si is used, and based on electron diffraction images and a Kikuchi pattern, inclination of the standard substrate is adjusted. - 特許庁

また無機顔料および結着樹脂を特定の重量比で含有し、感光層に図１のＸ線回折スペクトルを示すオキソチタニウムフタロシアニンなどを含有する感光体を、反転現像プロセスを適用する電子写真装置に使用する。例文帳に追加

A photoreceptor containing the inorganic pigment and binder resin by a specified weight ratio and containing oxotitanium phthalocyanine showing the X-ray diffraction spectrum shown in Fig. 1 in the photosensitive layer is used for an electrophotographic apparatus which applies processes of reversal development. - 特許庁

電子線を照射した試料からの特性Ｘ線を回折させてスペクトルを採取するシステムにおいて、採取スペクトルの各ピークが、測定対象であるか、カソードルミネッセンスや高次線の複合ピークであるかの情報を提供する。例文帳に追加

To provide a system for collecting a spectrum by diffraction of characteristic X rays from a sample that has been irradiated with an electron beam, which provides information on whether each peak of collected spectra is a measurement object or a composite peak of cathode luminescence and a higher order beam. - 特許庁

収束電子線回折（ＣＢＥＤ）像に現れる高次ラウエゾーン（ＨＯＬＺ）線に基づいて結晶の格子定数又は格子歪み量の測定・解析を行う場合において、処理時間を短縮することができる技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique capable of shortening a processing time when the lattice constant or lattice strain quantity of a crystal is measured and analyzed on the basis of a high-order Laue zone (HOLZ) line appearing in a converged electron beam diffraction (CBED) image. - 特許庁

また、光の干渉、回折を利用した光学観察装置を用いることにより、従来において電子顕微鏡を用いてレジストパターンの認識を行った場合のようにレジストパターンの収縮を発生させることはなく、非破壊で精密に線幅を測定することができる。例文帳に追加

Besides, by using an optical observation apparatus utilizing the interference and refraction of light, without shrinking the resist pattern like the conventional case of recognizing the resist pattern by using an electron microscope, the line width can be precisely measured in a nondestructive manner. - 特許庁

珪素を主成分とし結晶構造を有する半導体膜であって、反射電子回折パターン法で検出される格子面の内、｛１０１｝面が占める割合が１０％以上であり、｛１１１｝面が占める割合が１０％未満である半導体膜を用いる。例文帳に追加

The semiconductor film uses a semiconductor film, having a crystal structure containing silicon as a main component where among lattice planes detected by the reflected electron diffraction pattern method, the plane {101} occupying proportion is 10% or more, and the plane {111} occupying proportion is less than 10%. - 特許庁

本発明によれば、ＳＴＥＭの光軸に対して試料の結晶方位を合わせる際、試料を傾斜させるべき方向を電子線回折像の形状から直接判断することができるため、正確かつ迅速な結晶方位合せが可能となる。例文帳に追加

When aligning the crystal direction of the sample to an optical axis of a scanning transmission electron microscope, accurate and quick crystal direction alignment can be performed since a direction for inclining the sample can be directly determined from the shape of the electron beam diffraction image. - 特許庁

その反射制御用電極(６)とクラッド層(５)との間に絶縁層(１２)を形成し、その反射制御用電極(６)に印加した電圧によって、回折格子領域の電子濃度またはホール濃度を静電的に制御して発振波長を変える。例文帳に追加

An insulating layer (12) is formed between the electrode (6) for controlling reflection and the clad layer (5) while an electronic density or a Hall density of the area of diffraction grid is controlled electrostatically by a voltage impressed on the electrode (6) for controlling reflection to change the wave length of oscillation. - 特許庁

光配線層にかかる応力を緩和し、光配線層のそりやまるまりを抑えることを第１の課題とし、ドライエッチングや、ダイシングソー、電子線露光などをなるべく用いずに導波路パターンや、ミラーや回折格子といった光学素子を形成することを第２の課題とする。例文帳に追加

To reduce warpages and curls of an optical wiring layer by relaxing stresses exerting on the optical wiring layer and to form optical elements such as a waveguide pattern, a mirror and a diffraction grating by using dry etching, a dicing saw and an electron beam exposure of the like to a minimum. - 特許庁

後方散乱電子線回折パターン法（ＥＢＳＰ法）を用いて、同じ試料座標上で外形形状と結晶方位の位置関係が明確な基準試料を用いて比較測定する事で、被検体の外形形状と結晶方位の位置関係を明確にする。例文帳に追加

A position relation between an external shape and the crystal orientation of a specimen is clarified by comparative measurement using a reference sample having a clear position relation between the external shape and the crystal orientation on the same sample coordinate, by using a back-scattered electron beam diffraction pattern method (EBSP method). - 特許庁

回折機能が低下する所定の径寸法以下にアイリス２ｋが絞られることの無いよう、高照度環境においてはＣＣＤ２ｉの電子シャッター速度をより高速化する制御手段（カメラマイコン）２ｎ、あるいはＮＤフィルターを挿入する手段を設ける。例文帳に追加

This image pickup device is provided with a control means (camera microcomputer) 2n for making the electronic shutter speed of the CCD 2i higher in high illuminance environment or a means for inserting an ND filter so that an iris 2k may not be stopped down to a diameter dimension equal to or under a specified one in which the diffracting function is deteriorated. - 特許庁

また、本発明に係る炭素触媒は、Ｘ線回折法により得られる結晶化度が４１．０％以下であり、Ｘ線光電子分光により得られる窒素原子／炭素原子比が０．７以上であり、酸素還元開始電位が０．７７４Ｖ（ｖｓ．ＮＨＥ）以上である。例文帳に追加

The carbon catalyst has a crystallinity degree of 41.0% or less as determined by an X-ray diffraction method, a (nitrogen atom)/(carbon atom) ratio of 0.7 or more as determined by an X-ray photoelectron spectroscopy, and oxygen reduction onset potential of 0.774 V (vs. NHE) or more. - 特許庁

前記磁性粒子は、六方晶フェライト磁性粒子の還元処理物であって、透過型電子顕微鏡により求められる（２２０）面に垂直な方向における粒子径Ｄｔｅｍと、（２２０）面の回折ピークから求められる結晶子サイズＤｃとの比Ｄｃ／Ｄｔｅｍが０．９０〜０．７５の範囲である。例文帳に追加

The magnetic particles are reduction treatment products of hexagonal ferrite magnetic particles, and a ratio Dc/Dtem between a particle diameter Dtem in a direction perpendicular to a face (220) obtained with a transmission electron microscope and a crystallite size Dc obtained from a diffraction peak of the face (220) is within the range of 0.90-0.75. - 特許庁

化学発光画像検出システム、電子顕微鏡による画像検出システムおよび放射線回折画像検出システムと、蛍光画像検出システムに共通して使用することのできる画像読取装置において読取感度の低下を防止する。例文帳に追加

To prevent degradation in read sensitivity of an image reader which can be used in common to a chemical luminous image detection system, a system of detecting an image by an electronic microscope, a radiation diffracted image detection system, and a fluorescent image detection system. - 特許庁

本発明の課題は、熱可塑性樹脂、導電剤、層状粘土鉱物を含有し、且つＸ線回折により求めた層状粘土鉱物の層間距離が１．５ｎｍ以上であることを特徴とする電子写真用シームレスベルト及び電子写真用シームレスベルトを用いた画像形成装置により解決される。例文帳に追加

The present invention relates to the seamless belt for electrophotography which contains thermoplastic resin, a conducting agent, and laminar clay mineral and is characterized in that the inter-layer distance of the lamellar clay mineral found by X-ray diffraction is ≥1.5 nm, and the image forming apparatus using the seamless belt for electrophotography. - 特許庁

携帯電話機等の小型の電子機器に使用する小型の導光板での光散乱回折領域の可視化による輝度のばらつき、不均一化を防止して、輝度の良好な均一化を図ることができると共に、製造効率の良い導光板、またそのような導光板を備えたプリント配線板、該プリント配線板を備えたキーモジュール及び該キーモジュールを備えた電子機器の提供を課題とする。例文帳に追加

To provide a light guide panel of excellent manufacturing efficiency capable of preventing variations in luminance and unevenness from occurring by visualization of a light scattering diffraction area in the light guide panel used in compact electronic equipment such as a cellular phone, to provide a printed wiring board provided with the light guide panel, a key module provided with the printed wiring board, and to provide the electronic equipment provided with the key module. - 特許庁

封止ハウジング（１）で封入され光ベースの信号を発信及び／又は受信する電子構成部品と、光学素子とを実装した電子パッケージにおいて、信号を送受信するための光学素子（２）が封止手段の部品を構成する回折／屈折光学素子（Ｄ／ＲＯＥ）又はＤ／ＲＯＥのアレイであることを特徴とする。例文帳に追加

In the electronic package for mounting the optical element and the electronic component which is sealed in a sealing housing (1) and sends and/or receives the signal of the optical base, an optical element (2) for sending/receiving a signal is a diffractive/refractive optical element (D/ROE) or an array of D/ROE which constitutes a component of sealing means. - 特許庁

導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体であって、該感光層が、Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１Å）を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角２θが２７．２±０．２°に、最大ピークを有するフタロシアニン顔料およびポリグルタミン酸を含有することを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer on a conductive support, and the photosensitive layer contains a phthalocyanine pigment having a maximum peak at 27.2±0.2° of Bragg angle 2θ based on X-ray diffraction spectra using a Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541 Å), and polyglutamic acid. - 特許庁

電子ビームＢ２によって測定面Ｓ１を走査し、測定面Ｓ１内の各ピクセルに関して、検出部６による電子線後方散乱回折パターンの検出、及び、データ処理部９によるデータＤ１の解析を行うことにより、測定面Ｓ１に関する結晶方位の二次元分布データＫ１が得られる。例文帳に追加

A measuring surface S1 is scanned by an electron beam B2 and the detection of an electron beam back scattering diffraction pattern by a detection part 6 and the analysis of data D1 by a data processing part 9 are performed in relation to the respective pixels in the measuring surface S1 to obtain the two-dimensional distribution data K1 of a crystal orientation related to the measuring surface S1. - 特許庁

導電性支持体上に中間層、電荷発生層を有する電子写真感光体において、該電荷発生層がＣｕ−Ｋα特性Ｘ線（波長１．５４１Ａ）を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角２θが２７．２±０．２°に、最大ピークを有するチタニルフタロシアニン顔料と保湿剤を含有し、且つ中間層が酸化チタン粒子を含有することを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

In the electrophotographic photoreceptor having an intermediate layer and a charge generation layer on a conductive support, the charge generation layer contains a moisture agent and the titanylphthalocyanine pigment having the maximum peak when the Bragg angle 2θ of X-ray diffraction spectrum using Cu-Kα characteristic X-ray (wavelength 1.541A) is 27.2±0.2°, and also the intermediate layer contains titanium oxide particles. - 特許庁

本発明は、描画することのできる描画パターンの制限がなく、最低ドーズ停滞時間にて描画を行なったとしてもドーズ量の増大を防止し、３次元構造の回折格子などに必要とされる低ドーズ領域を良好に形成することができる電子ビーム描画方法及びその方法にて描画された基材並びに電子ビーム描画装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method for electron-beam lithography by which the increase of a dose is prevented even if when plotting is carried out in the minimum dose stationary time and a low dose region required for a grating, etc., with a three-dimensional structure is satisfactorily formed without the restrictions of plotting patterns to be plotted, and to provide a base material plotted by the same and electron beam lithographic equipment. - 特許庁

導電性支持体上に、ピランスロン化合物を含有する感光層を有する電子写真感光体であって、前記ピランスロン化合物は、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折スペクトルにおいて少なくともブラッグ角（２θ±０．２°）１２．５°、及び、１７．０°にピークを示す結晶構造を有するものであることを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer containing a pyranthron on a conductive support, wherein the pyranthron has a crystalline structure exhibiting peaks at least at Bragg angles (2θ±0.2°) of 12.5° and 17.0° in X-ray diffraction spectrum that has CuKα as radiation source. - 特許庁

立方晶の金属組織に１５ｎｍ〜１００μｍ間隔で電子線を照射して、後方散乱電子回折像法より測定点毎に結晶方位を決定し、決定した結晶方位分布および隣接する前記測定点間の方位角度差より、格子歪を決定し、前記格子歪に基づいて金属組織上における残留応力分布を求める。例文帳に追加

A metal structure of a cubic crystal is irradiated with electron beams at an interval of 15 nm-100 μm to determine a crystal orientation at every measuring point by a back scattering electron diffraction image method, and lattice strain is determined from the determined crystal orientation distribution and the orientation angle difference between the adjacent measuring points to calculate the residual stress distribution on the metal structure on the basis of the lattice strain. - 特許庁

導電性支持体上にチタニルフタロシアニン顔料を含有する層を有する感光体において、前記チタニルフタロシアニン顔料が、Ｃｕ−Ｋα特性Ｘ線によるＸ線回折スペクトルにおいて、ブラッグ角（２θ±０．２°）２６．３°に最大回折ピークを有するチタニルフタロシアニン顔料であり、チタニルフタロシアニン顔料を含有する層に、炭素数２〜１２のアルキレンジオールを含有していることを特徴とする電子写真感光体。例文帳に追加

The electrophotographic photoreceptor having a layer containing a titanyl phthalocyanine pigment on an electrically conductive support, is characterized in that the titanyl phthalocyanine pigment has the maximum diffraction peak at 26.3° Bragg angle (2θ±0.2°) in its X-ray diffraction spectrum with Cu-Ka characteristic X-rays and a 2-12C alkylenediol is contained in the layer containing the titanyl phthalocyanine pigment. - 特許庁

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。例文帳に追加

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor. - 特許庁

分布帰還型半導体レーザ素子は、キャリア再結合を行う活性層２３と、活性層２３へホールを供給するｐ型半導体層であるクラッド層２４，２６層と、活性層２３へ電子を供給するｎ型半導体層であるバッファ層２２と、ｐ型半導体層の中に形成された回折格子層２５などで構成される。例文帳に追加

The distributed feedback semiconductor laser device is provided with an active layer 23 to join carriers again, clad layers 24 and 26 as a p-type semiconductor layer for supplying a hole to the active layer 23, a buffer layer 22 as an n-type semiconductor layer for supplying an electron to the active layer 23, a diffraction lattice layer 25 formed in the p-type semiconductor layer, and so on. - 特許庁

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、更にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、及びＰから選択される１種以上を総計で０．０１〜０．１５重量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金であって、圧延面におけるＸ線回折積分強度が、以下の（１）及び（２）の関係を満たす銅合金。例文帳に追加

The copper alloy for electronic components contains 2.0-4.0 mass% Ti, 0.01-0.15 wt.% in total of at least one chosen from Fe, Co, Ni, Cr, V, Nb, Mo, Mn, Zr, Si, Mg, B and P and the balance being copper and inevitable impurities. - 特許庁

（A）アニオン性多糖類と、（B）カチオン性及び／又は両性アクリルアミド系共重合体とからなる複合化アクリルアミド系共重合体を用いて填料を処理した、レーザー回折法による平均粒子径が１０〜８０μｍの予備凝集填料を添加し、紙中灰分として３〜４０固形分重量%の電子写真用転写紙を得る。例文帳に追加

A spare coagulation filler which is obtained by treating a filler by using a composite acrylamide group copolymer composed of anionic polysaccharide (A) and a cationic and/or amphoteric acrylamide group copolymer (B) and whose average particle size, measured by laser diffractometry is 10 to 80μm, is added and 3 to 40 solid content wt.% is included as ash in paper and the electrophotographic transfer paper is obtained. - 特許庁

後方散乱電子線回折（ＥＢＳＤ）法により得られた塑性変形を受けていない多結晶材料の結晶情報を用いて、多結晶材料が巨視的変形を受けた際の微視組織の不均一変形状態を、簡易な方法で迅速且つ確実に予測し、多結晶材料の塑性変形時の機械特性を正確に得る。例文帳に追加

To accurately obtain mechanical characteristics at the time of plastic deformation of a polycrystalline material by rapidly and certainly estimating the non-uniform deformation state of the microscopic texture of the polycrystalline material when the polycrystalline material receives macroscopic deformation by a simple method using the crystal data of the polycrystalline material receiving no plastic deformation obtained by a back scattering electron beam diffraction (EBSD) method. - 特許庁

少なくとも１つの芳香環を含む複数の環が直接又は連結基を介して連結した構造の末端基として、３つの電子吸引基を有する化合物を含む液晶及びカイラル剤を有し、反射スペクトルにおける最も長波長側の回折波長のピークが４５０ｎｍ以下、より好ましくは４２０ｎｍ以下である液晶組成物である。例文帳に追加

The liquid crystal composition includes liquid crystal and chiral agent including a compound with three electron withdrawing groups as a terminal group of a structure in which a plurality of rings including at least one aromatic ring are connected directly or through a connection group, wherein a peak of a diffraction wavelength on a longest wavelength side in a reflection spectrum is 450 nm or less, and is preferably 420 nm or less. - 特許庁

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。例文帳に追加

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process. - 特許庁

電子線の照射に応じて試料２上の微小領域３から放出された固有Ｘ線をＸ線レンズ４で効率良く収集して平行線束に変換し、平板結晶６により同一波長のＸ線が平行線束となるように回折してＸ線検出器８により検出する。例文帳に追加

A characteristic X-ray emitted from a micro area 3 on the sample 2 in response to irradiation of an electron beam is collected efficiently by the X-ray lens 4 to be converted into a parallel beam, and the X-rays of the same wavelength are diffracted by the plane crystal 6 to be brought into a parallel beam, and is analyzed by an X-ray detector 8. - 特許庁

粒径２００μm以上の粒子を含有するとともに、Ｘ線回折法により測定した（２００）面のＸ線強度及び（１１１）面のＸ線強度を、それぞれａカウント毎秒及びｂカウント毎秒としたとき、２０＜ａ／ｂ＜３００であることを特徴とする単結晶ＭｇＯ焼結体、及び、この単結晶ＭｇＯ焼結体をターゲット材として使用し、電子ビーム蒸着法、イオン照射蒸着法、又はスパッタリング法により製造したＰＤＰ用保護膜である。例文帳に追加

The protective film for PDP is formed by the electron beam vapor deposition method, the ion irradiation vapor deposition method or the sputtering method using the single crystal MgO sintered compact as the target material. - 特許庁