「高温熱処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明のガラス発泡体は、高温高圧の水蒸気又は高温高圧水を接触させて水熱処理されたガラス粉体が焼結及び発泡して形成された平均気泡径が１０〜１０００μｍ好ましくは１５〜７００μｍの発泡セルを備える。例文帳に追加

The foamed body of glass has foamed cells formed by bringing the glass powder into contact with high temperature and high pressure steam or high temperature and high pressure water, thereby subjecting the glass powder to hydrothermal treatment and then sintering and foaming the resultant glass powder, and having an average cell diameter of 10-1,000 μm, preferably 15-700 μm. - 特許庁

Ｃｒを８重量％以上含有し、焼戻しマルテンサイト組織を有するフェライト鋼であって、５００℃を超える高温域において使用可能である高温ボルト材を、１０００℃以上での焼入れ、または焼ならし、そして７３０℃以上での焼戻しの熱処理により製造する。例文帳に追加

The high-temperature bolt material which is formed of ferritic steel containing ≥ 8 wt.% Cr and having annealed martensitic structure, and can be used in a high-temperature zone exceeding 500°C is manufactured through the heat treatment of hardening or normalizing at the temperature of ≥ 1,000°C, and then, annealing at ≥ 730°C. - 特許庁

粉体や粒体等を加熱処理する場合に、高温加熱混合装置の蓋体に具備したシール部材等が熱による悪影響を受けて早期に劣化・損傷するのを防ぐこと、並びに、蓋体が必要以上の高温に加熱されるのを防ぐための冷却装置を提供する。例文帳に追加

To provide a cooling device capable of preventing a seal member or the like of a cover body of a high temperature heating mixing device from being thermally deteriorated and damaged in a case of performing the heat treatment on powder, particles or the like, and preventing the cover body from being heated at excessively high temperature. - 特許庁

過度に高温の加熱処理を施すことなくビア穴の十分でばらつきのない底上げが確実に行なえるようにして、電気的絶縁層の高温加熱の損傷等なく良好な電気的導通性を確保し、ビア穴の導通信頼性が向上した新規な構成の多層基板を提供する。例文帳に追加

To provide a multilayer substrate with a novel structure, wherein appropriate electric conductivity can be ensured without damages to electrical insulating layer due to high-temperature heating, by surely raising the bottom of a via, without having to conduct excessively high-temperature heat treatment and without dispersions, and wherein the conducting reliability of the via is improved. - 特許庁

このとき熱処理の最高温度を熱硬化性樹脂の炭化開始する温度の近傍に設け、熱硬化性樹脂のガラス転移温度から最高温度において酸素濃度を１０^-4ｐｐｍ以上から２．５×１０^2ｐｐｍ以下とするセラミック電子部品の製造方法。例文帳に追加

In the method of manufacturing the ceramic component, a maximum temperature for heat-treatment is set in the vicinity of the carbonization initiation temperature of the thermo-setting resin, the oxygen concentration is set to ≥10^-4 ppm and ≥2.5×10^2 ppm from the glass-transition temperature to the maximum temperature. - 特許庁

高温超伝導体電極の接合界面の結晶構造を変化させて障壁層５とした表面改質型接合および超伝導回路の完成後に、加熱手段６を用いて接合作製中における最高温度あるいはそれ以上の温度で決められた時間熱処理を行う。例文帳に追加

After a surface-reformed junction in which a barrier layer 5 is formed by changing the crystal structure of the junction interface of a high-temperature superconducting element and a superconducting circuit are completed, heat treatment is performed for a fixed period of time at the highest or higher temperature when manufacturing the junction by using a heating means 6. - 特許庁

化学的気相成長法により合成した窒化ホウ素ナノチューブを２枚の金属板間に保持し、不活性気流中において、高温で加熱処理することにより水素吸蔵用窒化ホウ素ナノチューブを生成する。例文帳に追加

Boron nitride nanotubes for hydrogen storage are produced by holding boron nitride nanotubes synthesized by a chemical vapor phase growing method between two metal plates and heat treating at high temperature in an inert gas flow. - 特許庁

続いてニッケル電析膜３まで設けた平角銅導体１を、高温窒素ガス雰囲気中で熱処理し、電着応力を緩和して平角強磁性銅導体１０を製造する。例文帳に追加

Then, the flat angular copper conductor 1 provided with the nickel electrodeposited film 3 is heat-treated in high temperature nitrogen gas atmosphere for releasing electrodeposition stress to manufacture the flat angular ferromagnetism copper conductor 10. - 特許庁

イオン注入、高温アニールおよびデバイス形成の各熱処理時に、金属不純物を十分にゲッタリングするＳＩＭＯＸ基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of an SIMOX substrate for sufficiently performing gettering in each heat treatment of ion implantation, high- temperature annealing, and device formation. - 特許庁

炭化水素と空気とを高温で反応させて得られた雰囲気ガス中において、片状黒鉛鋳鉄材を熱処理する事により、ろう付け可能な片状黒鉛鋳鉄材を得る。例文帳に追加

The flake graphite cast iron material is heat treated in the atmosphere gas obtained by reacting hydrocarbon and air at a high temperature, by which the brazable flake graphite cast iron material is obtained. - 特許庁

不純物として少なくとも硫酸イオンを含む精製すべき金属水酸化物に、硫酸塩の水に対する溶解度が小さい金属からなり、高温での溶解度が高い金属塩を加え、水熱処理する。例文帳に追加

A metal salt comprising a metal, the sulfate of which has low solubility in water and having a high solubility at high temperatures is added to a metal hydroxide to be refined which contains at least sulfate ions as impurities to perform hydrothermal treatment. - 特許庁

尚、堆積絶縁膜１２の積層後に、本炭化珪素電界効果型トランジスタを製膜温度よりも高温で不活性ガス中若しくは一酸化窒素ガス中で熱処理することとしても良い。例文帳に追加

Also, after laminating the deposition insulating film 12, the silicon carbide field effect transistor may be thermally treated in an inert gas or a nitrogen monoxide gas at a temperature higher than a film forming temperature. - 特許庁

Ｘ線管の陰極アセンブリ中における高温動作のために適した熱処理済みの再結晶カリウム添加タングステン−レニウムフィラメントを提供する。例文帳に追加

To produce a heat-treated recrystallized potassium-added tungsten- rhenium filament suitable for the high temperature operation in a cathode asembly of an X-ray tube. - 特許庁

良好な特性の単結晶半導体層を有する半導体基板をＣＭＰ処理や高温の熱処理を必須とせずに作製することを目的の一とする。例文帳に追加

To manufacture a semiconductor substrate having a single crystal semiconductor layer with favorable characteristics, without requiring CMP treatment and/or heat treatment at high temperature and to improve productivity of semiconductor substrates. - 特許庁

このような高温熱処理を行うことにより、オートドープの影響を極めて小さくすることができるので、エピタキシャル層の抵抗率分布を小さくすることができる。例文帳に追加

By the high-temperature heat treatment, auto doping can be minimized, whereby the resistivity distribution of the epitaxial layer can be reduced. - 特許庁

高温の加熱処理を施しても、タングステン膜４３はタングステン窒化膜６０の上のシリコンガラス膜７１中の酸素との反応が防止される。例文帳に追加

The tungsten film 43 is prevented from reacting with oxygen in the silicon glass film 71 on the tungsten nitride film 60 even if it is subjected to high temperature heating treatment. - 特許庁

本発明は、微粒子を焼結するような高温での加熱処理を行うことなく、微粒子同士が接触し多孔質で欠陥の少ない微粒子配列体を基体に備える電極を形成することができる。例文帳に追加

Thus, an electrode can be formed in a manner to have a substrate including the porous and less defective particulate arranged body wherein the particulates are in contact with one another. - 特許庁

本発明の課題は、２００℃以上の高温で熱処理してもポリエステルイミド樹脂塗膜層の部分的膨れ不良が発生しない平角ポリエステルイミドエナメル線を提供することにある。例文帳に追加

To provide a flat polyester imide enameled wire free of generation of partial swell of a polyester imide resin coating film layer even if a heat treatment is conducted at a temp. as high as over 200°C. - 特許庁

望ましくない二量体形態のヘモグロビン、非架橋四量体ヘモグロビン、および血漿タンパク質不純物を効果的に除去するために、高温短時間（ＨＴＳＴ）熱処理工程が行われる。例文帳に追加

A high temperature and short time (HTST) heat processing step is performed to remove undesired dimeric form of hemoglobin, uncross-linked tetrameric hemoglobin, and plasma protein impurities effectively. - 特許庁

露光・現像後高温の熱処理を必要とせず、高価なモノマーを用いずに感光性樹脂とすることのできるポリイミド組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a polyimide composition convertible to a photosensitive resin without requiring a heat treatment at high temperature after exposure and development or using an expensive monomer. - 特許庁

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。例文帳に追加

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like. - 特許庁

結合コート接着のための高温熱処理を必要とせず、断熱特性を向上した熱バリヤコーティングシステムは、種々の形状、厚さ及び寸法のガスタービンエンジン部品に施される。例文帳に追加

The TBC system having improved thermal insulation characteristics without requiring a high-temperature heat treatment for adhesion of a bond coat is applied to gas turbine engine parts of various shapes, thicknesses and sizes. - 特許庁

活性フィラーとして８５０℃〜９５０℃で熱処理した焼成カオリンを配合したフィラーと、ジオポリマーと水とを混合し、成形し、高温で養生することにより、ジオポリマー高強度硬化体を得る。例文帳に追加

The high strength geopolymer hardened body is obtained by mixing filler prepared by blending fired kaolin fired at 850-950°C as activated filler, geopolymer and water, forming and aging at a high temperature. - 特許庁

金属ゲート電極への熱負荷を低減可能であるとともに、高誘電率ゲート絶縁膜に対する高温での熱処理が可能である半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that reduces heat load to a metal gate electrode as well as performing heat-processing onto a high-dielectric gate insulating film at high temperature. - 特許庁

高温の熱処理を用いることなく、所望の場所に、所望のサイズ、形状、および配向のカーボンナノチューブを製造することができるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a carbon nanotube having a specified size, shape and orientation at a specified place without using high-temperature heat treatment. - 特許庁

基板の反りや半導体の欠損部を発生させる原因となる高温長時間の熱処理を行うことなく、基板本体上に半導体薄膜を積層した電気光学基板を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an electrooptic substrate constituted by laminating a thin semiconductor film upon the substrate body without performing any high-temperature long-time heat treatment that causes the warping of the substrate or the defects of a semiconductor. - 特許庁

強誘電体層を形成する際の高温での酸化熱処理によっても信頼性が低下することのない構造を有する強誘電体型不揮発性半導体メモリの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectric nonvolatile semiconductor memory having a structure without lowering reliability even by oxidation heat treatment at a high temperature in the case of forming a ferroelectric layer. - 特許庁

ナットランナ装置１１に装着された嵌合部ソケット１５の、 材質をクロムモリブデン鋼とし、 熱処理の工程を、浸炭後、浸炭窒化焼入れ、窒化焼戻し（高温戻し）とする。例文帳に追加

A material of the fitting part socket 15 attached on the nut runner device 11 is chrome molybdenum steel, and a process for thermal processing is made by carbonitriding quenching and nitriding annealing (high temperature tempering) after carburizing. - 特許庁

加熱処理前に予め測定した反射率とフラッシュ加熱時に測定した放射強度から半導体ウェハーの瞬間最高温度を算定する。例文帳に追加

The instantaneous highest temperature of the semiconductor wafer is calculated from the reflectance measured before the heat treatment and the radiant intensity measured in the flash heating. - 特許庁

この状態で、その後に高温の熱処理を行っても、シリコン酸化膜１０７、１０８によって、ＬＤＤ領域を構成する各不純物拡散層の広がりを抑制することが可能となる。例文帳に追加

Even if heat high-temperature heat treatment is subsequently performed under this condition, spread of each impurity diffused layer constituting the LDD region is restrained by the silicon oxide films 107 and 108. - 特許庁

強度及び靱性に優れ、かつ、高温環境下で強度及び靱性が殆ど劣化しない鋳造用アルミニウム合金及びその熱処理方法を提供するものである。例文帳に追加

To provide an aluminum alloy for casting having excellent strength and toughness and hardly deteriorating strength and toughness in the high temperature environment and to provide a heat treating method therefor. - 特許庁

１０％以上のリグニンとセルロース以外の糖類を含有する植物体であれば、１２０℃以上の高温水蒸気で加熱処理することにより、抗菌性を付与することができるようになった。例文帳に追加

A plant body containing at least 10% lignin and a saccharide other than cellulose is given antibiotic properties by subjecting the plant body to a heat treatment with high-temperature steam of 120°C or higher. - 特許庁

そのため、クロム膜２１を形成する前に、下部クラッド層１２及びコア層１３などに高温の熱処理を施しても、クロム膜２１には何ら影響を与えない。例文帳に追加

Therefore, the chrome film 21 is not influenced even when the high temperature heat treatment is performed on the lower clad layer 12 and the core layer 13 or the like before forming the chrome film 21. - 特許庁

半導体装置の容量絶縁膜となる誘電体薄膜を結晶化させる高温酸素雰囲気中の熱処理を行った場合にも、酸素バリア膜の酸素バリア性の劣化を防止する。例文帳に追加

To prevent the oxygen barrier of an oxygen barrier film from deteriorating even if thermal treatment takes place in an environment of high temperature oxygen that crystallizes a dielectric film to be a capacitance insulating film in a semiconductor device. - 特許庁

アルコキシシランをグラフト化した樹脂を含浸乃至付着させた後、硬化させ、更に、必要に応じて加熱処理を行うことによって、高温でも安定性が高く、耐酸化性に優れた安価な炭素材料を提供する。例文帳に追加

To provide an inexpensive carbon material having high stability even at high temperature and excellent oxidation resistance by subjecting a carbon material to impregnation or deposition with a resin grafted with an alkoxysilane and hardening the material, and if necessary, heating. - 特許庁

高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。例文帳に追加

To enhance the overflow drain function and the gettering capacity required for the substrate performance by suppressing impurity diffusion due to high-temperature heat treatment, without complicating the manufacturing process. - 特許庁

高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いる半導体装置において、高温熱処理を必要とする拡散層１２を先に形成し、その後ゲート絶縁膜１５を形成する。例文帳に追加

In a semiconductor device that uses a high dielectric constant insulating film for a gate insulating film, a diffusion layer 12 requiring high temperature treatment is first formed, and then, a gate insulating film 15 is formed. - 特許庁

高温での熱処理を必要とせず、揮発性有機ヨウ素化合物を含む気体中から低エネルギーでヨウ素を回収することができるヨウ素の回収方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for recovering iodine by which iodine can be recovered from a gas containing a volatile organic iodine compound with low energy and without the need for the thermal processing at a high temperature. - 特許庁

低いシート抵抗の単結晶膜形成を実現し、低抵抗素子形成に高温熱処理を必要としない半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device and its manufacturing method wherein high temperature heat treatment is unnecessary for forming a low resistance element by realizing single crystal film formation of low sheet resistance. - 特許庁

ポリビニルアルコールをヨウ素処理した後、不活性ガス雰囲気中で高温熱処理することにより炭素材料を得る炭素材料の製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the carbon material, wherein the carbon material is obtained by subjecting polyvinyl alcohol to a high heat treatment in an inert gas atmosphere after the polyvinyl alcohol is subjected to an iodine treatment. - 特許庁

高温で熱処理しても、高いＬｉイオン伝導率を維持できる固体電解質およびそれを用いたエネルギー密度の高い高容量の二次電池を提供する。例文帳に追加

To provide a solid electrolyte capable of maintaining high Li ion conductivity even if heat-treated at high temperatures, and a secondary battery comprising the same and achieving a high energy density and a high capacity. - 特許庁

そこで従来からアルカリ金属を除去するために結晶を熱処理する方法があるが、高温処理しなければならないため結晶が低抵抗率化する。例文帳に追加

Although a heat-treating method of the crystal exists formerly for removing the alkali metal, the resistivity of the crystal becomes low because of high temperature treatment. - 特許庁

アシル化された無機微粒子前駆体とカルボキシル基を有する有機修飾剤とが混合された混合液を反応液とし、前記反応液を高温高圧水熱処理する工程、を含む。例文帳に追加

The method includes a step of performing a high-temperature high-pressure hydrothermal treatment of a reaction liquid prepared as a mixture of an acylated inorganic fine particle precursor and an organic modifying agent that has a carboxy group. - 特許庁

基板の支持台より高温のガスの吹き付けを、一定の熱量で行った後に、その一定熱量以上の吹き付けを行う焼成熱処理を行う。例文帳に追加

Burning heat treatment for spraying gas of the high temperature with a fixed heat amount from the support stand of the substrate and for spraying gas with not less than the fixed heat amount is performed. - 特許庁

高温においてもウエハを均一に加熱処理することができ、電極部分の断線を招くことがないウエハ保持体、及びそのウエハ保持体を搭載した半導体製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer holder wherein the heat treatment of a wafer can be performed uniformly even at a high temperature and no disconnection of its electrode portions occurs, and to provide a semiconductor manufacturing apparatus having the mounted wafer holder. - 特許庁