「高温熱処理」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

プロセス上好ましくない高温長時間の熱処理をすることなく、ゲート絶縁膜のＥＯＴを薄くすることができる半導体装置の製造方法を得る。例文帳に追加

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of thinning the EOT of a gate insulating film without effecting heat treatment at high temperatures for a long period of time, which is not preferable for a process. - 特許庁

高温での熱処理に耐えられないガラス基板上に回路パターンを形成するのに好適な回路形成用荷電性粒子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide charged particles for forming circuits and a manufacturing method thereof which are suitable for forming circuit patterns on a glass substrate having no resistance for a high-temperature heat treatment, and also to provide a method for manufacturing the glass substrate having the circuit patterns by using a xerography method. - 特許庁

ポリシリコン膜を成膜した後に高温熱処理を行うことなく、シリコンウェーハ内部の金属不純物を捕獲し、高清浄低抵抗のシリコンウェーハが得られるシリコンウェーハの加工方法を提供する。例文帳に追加

To provide a processing method for wafers wherein such a highly clean silicon wafer can be obtained having a low resistance that a metal impurity contained inside a silicon wafer is captured by the processing method, without performing any high-temperature heat treatment of the silicon wafer after forming a polysilicon film on the silicon wafer. - 特許庁

高温熱処理を行うことなく、円筒型の容量蓄積電極２５表面をじゃばら形状とすることができ表面積を拡大して、キャパシタ容量を増大することができる。例文帳に追加

Consequently, the surface of the cylindrical capacitor storage electrode 25 is bellow-shaped without high-temperature heat treatment so that the surface area is enlarged to increase capacitance. - 特許庁

この粉末は、Ｓｉ粉末と平均粒径が１０μｍを越えるＣ粉末とを、後者の平均粒径ｘと前者の配合量ｙとの間で、式２４４．７９ｘ^-0.78＜ｙの関係を満たすように混合し、これを高温で熱処理することによって得ることができる。例文帳に追加

(x is the average diameter of C particle and y is the Si powder volume) and giving heat treatment at a high temperature. - 特許庁

下部電極及びバリアメタル加工以降では酸素雰囲気の高温熱処理は困難になり、その結果強誘電体キャパシタの特性回復が著しく難しくなる。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device, in which oxidization of a barrier metal can be prevented, even when a dielectric film, especially of a ferroelectric substance film is thermally processed for recovery in an oxygen atmosphere, and the film property of a dielectric film, especially of a ferroelectric substance film is appropriate. - 特許庁

有機系廃棄物１を、水熱反応装置６にて水１１の存在下で水の亜臨界条件となる高温高圧にし、有機系廃棄物１を水熱処理により可溶化して可溶化処理液１２とする。例文帳に追加

The organic waste 1 is subjected to a high-temperature and high-pressure which reach the subcritical conditions of water in the presence of water 11 in a hydrothermal treatment equipment 6, and the organic waste 1 is solubilized with hydrothermal treatment to be made a solubilizael treated solution 12. - 特許庁

スタック型の容量素子構造を有する半導体装置において、酸素雰囲気における高温熱処理の際にプラグの酸化を防止し、信頼性に優れた半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加

To realize a semiconductor device superior in reliability which has a stacked capacitor element structure, and prevents plugs from being oxidated at a high temperature heat treatment in an oxygen atmosphere. - 特許庁

耐候性と冷間加工性に優れ、かつ使用中温度が上昇する部品への適用を考慮し、低温および高温焼戻しの広範囲の熱処理により５８〜６３ＨＲＣの高硬度が得られる鋼を提供する。例文帳に追加

To provide steel excellent in weatherability and cold workability and capable of obtaining high hardness of 58 to 63HRC by heat treatment in a wide range of low temperature-high temperature tempering in consideration of its application to a component whose temperature increases under the use. - 特許庁

不飽和カルボン酸化合物を１８０〜２００℃の高温での熱処理による架橋を行わずに、透明性に優れ、且つ高湿度下でのガスバリア性に優れたガスバリア性膜を安定して得る方法を開発することを目的とする。例文帳に追加

To provide a method for stably producing a gas barrier film having excellent transparency and showing the excellent gas barrier property under a high-humidity condition in no need of the heat treatment of unsaturated carboxylic acid at 180 to 200°C. - 特許庁

このように形成された光波長変換素子を低温アニールすることで高温熱処理時に生じた屈折率上昇を低下させた安定プロトン交換層８ａを形成し、安定な光波長変換素子となる。例文帳に追加

The optical wavelength converter thus formed is subjected to low-temperature annealing, thereby, the rising of refractive index caused by high-temperature heat treatment is lowered, as a result, the stable proton exchanged layer 8a is formed and the stable optical wavelength converter can be obtained. - 特許庁

寸法精度が高く、熱処理工程における耐熱性や、高温、高湿条件下における耐久性、信頼性に優れ、使用に際して基板材からのフォトプロセス層の剥離を防止できる配線基板材を提供する。例文帳に追加

To provide a wiring substrate which has high dimensional precision, excellent heat-resistant properties in a thermal treatment process and excellent durability and reliability under high temperature and high humidity conditions and can prevent the delamination of a photoprocess layer from the substrate. - 特許庁

高温における加熱処理を必要としないで、高輝度及び高発光効率の酸化亜鉛薄膜が形成された、かつ軽量化、色純度が向上した発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a light emitting element in which a zinc oxide thin film with high brightness and high light emitting efficiency is formed and in which weight reduction and color purity are improved, without necessity of heating treatment at high temperatures. - 特許庁

高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。例文帳に追加

To realize a further lower temperature process (600°C or lower) by reducing the number of times of heat treating at a high temperature and to realize a simplification of steps and an improvement in a throughput. - 特許庁

高温での加熱処理を施すことなくＩＴＯからなる画素電極の抵抗値等を改質した液晶表示装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display with an improved resistance value or the like of a pixel electrode composed of ITO (indium tin oxide) without subjecting it to heat treatment at high temperature. - 特許庁

米由来組成物は、米、米粉、及び米デンプンからなる群から選ばれる少なくとも一つと、水との混合物を高温瞬間加熱処理して製される。例文帳に追加

The rice-derived composition is produced by instantly heat-treating a mixture at least one of rice, rice flour and rice starch and water at a high temperature. - 特許庁

このように形成された光波長変換素子を低温アニールすることで高温熱処理時に生じた屈折率上昇を低下させた安定プロトン交換層８ａを形成する。例文帳に追加

The obtained optical wavelength converting element of the laser projection apparatus is annealed at a low temperature laser to form a stable proton exchange layer 8a in which the increase in the refractive index due to high temperature heat treatment is decreased. - 特許庁

このように、フレーム１０を塑性変形させておくことにより、高温熱処理工程におけるフレーム強度の低下を抑えることができ、色選別電極の引張力低下も抑えることができる。例文帳に追加

Consequently, reduction of frame strength due to a high temperature heat treatment process is controlled by plastically deforming the frame 10 beforehand, and tension reduction of the color selection electrode can be controlled. - 特許庁

この不織繊維集合体は、湿熱接着性繊維を含む繊維をウェブ化する工程と、生成した繊維ウェブを高温水蒸気で加熱処理して捲縮する工程とを含む製造方法によって得ることができる。例文帳に追加

The nonwoven fiber assembly can be produced by a method of production including a step of forming a web of fibers containing the wet-heat adhesive fiber and a step of crimping the produced fiber web by heating with hot steam. - 特許庁

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ、Ｑｎ、Ｑｐ）のゲート電極９上に形成する平坦化絶縁膜として、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜を約８００℃の高温で熱処理したＳＯＧ膜１６を使用する。例文帳に追加

An SOG film 16 formed by carrying out heat treatment to an HSQ-SOG film at a temperature of about 800°C is used as a flattened insulating film formed on the gate electrode 9 of an MISFET(Qs, Qn, Qp). - 特許庁

画像部の耐薬品性、耐傷性に優れ、また、現像性も良好であり、さらには、現像後に高温で加熱処理した場合、著しく耐刷性が向上する赤外線レーザ用感光性平版印刷版原版を提供する。例文帳に追加

To provide a photosensitive lithographic printing plate precursor for infrared laser which exhibits excellent chemical and scratch resistances of an image area, has good developability, and improves printing durability when heat-treated at a high temperature after development. - 特許庁

海藻類を、ｐＨ１〜１３の水性媒体中で温度１０５〜２００℃において加熱処理する工程を含むことを特徴とする海藻高温抽出組成物の製造方法。例文帳に追加

The operation of the high-temperature extraction is easily controlled and the yield of a marine alga constituent component is excellent. - 特許庁

常圧型窒化硼素を出発物質として、超高圧高温下でcBNに直接変換させると同時に焼結させて作製したcBN焼結体を、真空中もしくは不活性ガス中にて800℃以上1400℃未満の温度で熱処理する。例文帳に追加

A cBN sintered compact produced by directly converting a normally sintered boron nitride as a starting material into cBN under high pressure-high temperature, and simultaneously sintering the cBN is subjected to heat treatment at 800 to <1,400°C in a vacuum or in an inert gas. - 特許庁

本発明は、大型，任意形状の材料を空間に非接触で保持し，高温加熱処理して、これまでにない大型高品質電子材料，光学材料，超伝導材料などの作製を可能にすることを目的としている。例文帳に追加

To produce a high quality electronic, optical or superconducting material of conventionally unattainable large size by holding a large material of arbitrary shape in a space in noncontact state and then heat treating it at a high temperature. - 特許庁

ポリエチレンナフタレンジカルボキシレートを主たる成分としてなる、フィルムの熱処理工程や高温下での使用における耐カール性に優れた二軸配向ポリエステルフィルムおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a biaxially oriented polyester film which comprises polyethylene naphthalenedicarboxylate as a main component and has excellent curl resistance in a process for thermally treating the film and when used at high temperature, and to provide a method for producing the same. - 特許庁

高温の熱処理を必要とせずに、例えば固相成長したアモルファスシリコン若しくは多結晶シリコンと半導体層との界面に酸化膜が存在しないエミッタを有するバイポーラトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a bipolar transistor that requires no high-temperature heating treatment and is provided with an emitter wherein no oxide film exists on a boundary surface between a solid-phase grown amorphous silicon or a polycrystal silicon and a semiconductor layer for example. - 特許庁

高温熱処理工程を省いた場合に、プラズマダメージによって発生した界面準位が原因で基板リーク電流が増大し、それによってＣＭＯＳイメージセンサの画像鮮明度が落ちることが課題である。例文帳に追加

To solve the problem that a substrate leakage current increases due to an interface level formed by plasma damage and thereby the image clarity of a CMOS image sensor declines in the case of omitting a high temperature heat treatment process. - 特許庁

高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。例文帳に追加

To decrease the number of processing times at high temperature (600°C or higher) to realize further low-temperature processing (600°C or lower), realizing simplified process to improve throughput. - 特許庁

この結果、加熱器４の加熱量を充分に大きくしてやれば、加熱室２内部の空気温度が低くても加熱処理に必要な高温の熱風８を噴出することが可能である。例文帳に追加

As the result, the hot air 8 of high temperature necessary for heating processing can be jetted even when the temperature of air inside the heating chamber 2 is low, on condition that the amount of heating of the heaters 4 is made sufficiently large. - 特許庁

半導体基板に導入された不純物を、高温かつ長時間の熱処理で深く拡散する必要なく、基板と異なる導電型の深いウェルを形成し、高耐圧ＭＩＳＦＥＴを相補型で形成する技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technique for complementally forming a high breakdown voltage MISFET by forming a deep well having a different conductivity type from that of a substrate, without need to deeply diffuse a dopant introduced into the semiconductor substrate with a high-temperature and long-time treatment. - 特許庁

高温の熱処理に弱い配線層に悪影響が生じることを防止しながら、ゲート絶縁膜のプロセスダメージ等を良好に回復し得る半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, which is capable of satisfactory recover a gate insulated film from process damage protecting a wiring layer, which is liable to be adversely affected by a high- temperature thermal treatment. - 特許庁

超高温熱処理装置Ａを構成する電気炉Ｂにおいて、炉内断熱材２の内側壁面３に、密着することなく、且１本単位で交換可能とした加熱ヒーター１を装着せしめた。例文帳に追加

In an electric furnace B for composing an ultra high-temperature heat-treating device A, a heater 1 that can be replaced by a new one in single units is fitted to an inner wall surface 3 of a heat-insulating material 2 in the furnace without adhesion. - 特許庁

絶縁性のフレキシブル支持体をロール・ツー・ロール方式で効率良く生産することができ、高温熱処理時の平面性に優れる、表面に陽極酸化皮膜を持つ金属複合基板を提供する。例文帳に追加

To provide a metal composite substrate, having an anodized surface film on a surface, which can produce with high efficiency an insulating flexible support by a roll-to-roll method and has good flatness during a high-temperature heat treatment. - 特許庁

高温での熱処理を行なうことなくシリコン基板等の基材の表面に下地膜とその上を覆う表層膜とからなる複合膜を形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming a composite membrane consisting of a base film and a surface layer film which covers the base film, on the surface of a substrate such as a silicon substrate without conducting a heat treatment at a high temperature. - 特許庁

被熱処理基板とその上方に配置された温度調整部材との近接距離を高温環境下及び面内温度均一性に影響を及すことなく精度良く制御することのできる近接距離制御装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a near distance control device which can accurately control between a substrate to be heat-treated and a temperature adjusting member arranged thereabove in a high-temperature environment and without affecting the uniformity of the surface temperature. - 特許庁

従来技術よりも低い材料コストと熱処理コストでも従来と同等以上の高温強度および耐磨耗性が確保できる、ダイカスト鋳造ピストン用合金を提供すること。例文帳に追加

To provide an alloy for a die casting piston in which high temperature strength and wear resistance equal to or above those in the conventional technique can be secured even at a material cost and a heat treatment cost lower than those in the conventional one. - 特許庁

この基本組成物粉末を前記第１の有機金属化合物の分解温度より高温で、かつ、前記第２の有機金属化合物の分解温度より低温で熱処理する。例文帳に追加

This powdery basic composition is heat-treated at a temperature above the decomposition temperature of the first organometallic compound and below that of the second organometallic compound. - 特許庁

高温雰囲気下での風合い変化や熱収縮が小さく、その為染色加工時の熱や製品となってからのアイロン等の熱処理で風合いの変化もない良好な紡績糸織り編み物を提供する。例文帳に追加

To provide good spun yarn woven or knitted fabrics causing little feeling change and heat shrinkage in high temperature atmospheres, thereby causing no feeling change by heat in dyeing treatment or thermal treatment such as ironing after converted to products. - 特許庁

セラミックコンデンサなどの高温焼成を行う燒結炉などの加熱処理装置におけるヒーターの消耗防止、長寿命化及びコスト低減。例文帳に追加

To prevent the exhaustion of a heater and to attain its long service life and cost reduction in a heat treating device for a sintering furnace for high temperature baking of a ceramic capacitor or the like. - 特許庁

高温で熱処理した火山灰と、天然の塩とを混合してなる除草用散布物を、任意の散布場所（例えば庭、墓地等）に適量を均一に散布する。例文帳に追加

A proper amount of a scattering material 1 for weeding produced by mixing natural salt and volcanic ash heat-treated at a high temperature is uniformly scattered on an arbitrary place (e.g. garden or cemetery). - 特許庁

高温かつ酸化性の雰囲気での熱処理によりウェーハに内方拡散した酸素を低減でき、サーマルドナーの発生を抑制できる高抵抗ＳＩＭＯＸウェーハの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a high-resistance SIMOX (separation by implanted oxygen) wafer, for reducing oxygen dispersed inside a wafer by heat treatment in a high-temperature and oxidizing atmosphere and preventing the generation of thermal donor. - 特許庁

半導体製造工程でウエハを処理する高温域においてウエハ載置面の平面度を高め、加熱処理時におけるウエハ表面の均熱性を高めた半導体製造装置用セラミックスヒーターを提供する。例文帳に追加

To provide a ceramic heater for a semiconductor manufacturing apparatus in which flatness of a wafer placing surface is improved in a high temperature zone for processing a wafer in a semiconductor manufacturing step and the soaking performance on the surface of a wafer during thermal processing is improved. - 特許庁

１，０００℃以上の高温熱処理炉、特にシリコン単結晶引上げ装置の炉内において使用される黒鉛ルツボ等炭素部材のＳｉＣ化反応を抑制して長寿命を得る方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for obtaining a long life by suppressing SiC forming reaction of a carbon member such as a graphite crucible used in a high-temperature hear treatment furnace, especially a silicon single crystal pulling up apparatus heated at a temp. of ≥1,000°C. - 特許庁

高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を実現することを課題とする。例文帳に追加

To materialize a lower process (600°C or under) and also to materialize the simplification of the process and the rise of throughput, by reducing the number of times of heat treatment at high temperatures (600°C or over). - 特許庁

線引き直後の高温のガラスファイバを、真空容器内への入線温度が１５００℃以上の状態で、真空容器内に導き、真空容器内を通過中に、ガラスファイバを熱処理する。例文帳に追加

A glass fiber of a high temperature right after drawing is introduced into a vacuum vessel in the state of ≥1,500°C in inlet temperature into the vacuum vessel and while the glass fiber passes the inside of the vacuum vessel, the glass fiber is heat treated. - 特許庁