「高障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

ナイトライド系半導体では、ＧａＡｓ及びＳｉとは異なり、金属の仕事関数Φ_Mに対してショットキー障壁高さΦ_Bが顕著に変化する。例文帳に追加

In a nitride-based semiconductor, the height of a Schottky barrier Φ_B markedly changes with respect to the work function of a metal Φ_M, unlike GaAs and Si. - 特許庁

シリコン基板に高純度イオンを注入した後、熱処理工程で形成された金属−シリサイドを含むショットキー障壁トンネルトランジスタ及びその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a schottky barrier tunnel transistor comprising a metal-silicide formed in an annealing process after implanting high-purity ions into a silicon substrate, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁

ｎＭＯＳＦＥＴ１０のソース・ドレイン接合が形成するショットキー障壁は、Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ等の原子をＮｉＧｅ層１５の形成時に偏析させた高濃度で極薄の偏析層１６によって変調する。例文帳に追加

A Schottky barrier formed by the source-drain junction of the nMOSFET10 is modulated by an ultrathin segregation layer 16 in which atoms such as As, Sb, and S are segregated when forming the NiGe layer 15. - 特許庁

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。例文帳に追加

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode. - 特許庁

このケイ素含有基体のための上部障壁層は、高温の水性環境に曝されるときのケイ素の気体状化学種の形成を抑制し、かつ、少なくとも６５モル％の酸化ハフニウムを含む。例文帳に追加

The top barrier layer inhibits the formation of gaseous species of silicon (Si) when the article is exposed to a high temperature aqueous (steam) environment and contains at least 65 mol% of hafnium oxide. - 特許庁

本構造は単一ダマシンまたはデュアル・ダマシン型であることができ、金属障壁層と超低Ｋ誘電体の間に高密度の薄膜誘電体層（ＴＤＬ）を備える。例文帳に追加

This structure can be of a single or dual damascene type provided with high-density TDL (thin dielectric layer) between a metal barrier layer and the ULK dielectric. - 特許庁

イオン化したＧａ空孔１４による高密度の固定負電荷層が存在するため、エネルギーバンドの曲率が大きくなり、ショットキー障壁が薄くなって、オーミック特性が実現する。例文帳に追加

Since a fixed negative charge layer in high density by the ionized Ga voids 14 exists, the curvature of energy band becomes large, the Schottky barrier becomes thin, and the ohmic property is materialized. - 特許庁

比較的低い弾性係数と、高い層間強度と、折り曲げるときに低騒音である無塩素熱融着多層臭気障壁構造の薄膜を提供すること。例文帳に追加

To provide a thin film of a chorine-free thermal fusion bond multilayer odor barrier structure which has relatively low elastic modulus, high interlaminar strength and makes low noise at folding. - 特許庁

これによれば、触媒に吸着した反応分子を光励起して反応性を高めると同時に触媒作用により反応の活性化障壁を下げることで、反応をスムーズに進行させることができる。例文帳に追加

In this method, the reacting molecules adsorbed on the catalyst are photoexcited to increase their reactivity, and at the same time the activation barrier for the reaction is lowered by a catalytic action, thereby the reaction proceeds smoothly. - 特許庁

活性層内に電子を閉じ込めるための電子障壁を越えてオーバーフローする電子を低減することで、しきい電流が小さく、微分効率の高い、良好な特性を備える半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element, having small threshold current, high differential efficiency and satisfactory characteristics, by reducing electrons that overflow an electronic barrier to confine electrons in an active layer. - 特許庁

注入層となる量子障壁層において高い電流密度で電子注入を行うことが可能な半導体積層体、及びそれを用いた量子カスケードレーザを提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor laminate in which electrons can be injected into quantum barrier layers which become injection layers at high current densities, and to provide a quantum cascade laser using the laminate. - 特許庁

この電荷混入防止領域は、正味の平均不純物濃度が半導体領域よりも高いので、信号電荷に対する障壁となり、隣接画素から流入してきた電荷が電荷蓄積領域に混入することを抑制する。例文帳に追加

Having a net average impurity concentration higher than that in the semiconductor region, the charge mixing prevention region serves as a barrier against signal charge, inhibiting charges that flows in from adjacent pixels from mixing into the charge storage region. - 特許庁

ウエハ上に設置された制御電極およびアース電極の形状を変えて、制御電極で形成される電位障壁の高さを１ｍｍ以下にする。例文帳に追加

The shapes of a control electrode and an earth electrode provided on a wafer are changed so that the height of a potential barrier formed by the control electrode is set to 1 mm or lower. - 特許庁

ｎ因子を増加させることなくショットキー障壁の高さを電力損失が小さくなる所望の値に制御可能なショットキー接合型半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a process for producing a Schottky junction semiconductor device, adapted to allow controlling the height of a Schottky barrier to a desired value to minimize electric power loss, without causing n factor to increase. - 特許庁

この発明は、ショットキー障壁高さや理想係数値といった特性を良好な値に保ちつつ、耐熱性に優れた電極を備えるトランジスタを提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a transistor having an electrode which has an excellent heat resistant property while keeping good characteristic values for the Schottky barrier height, the ideal coefficient, etc. - 特許庁

以上の構成によれば、従来の電界効果トランジスタでは不可能であった高いショットキー障壁を形成できるので、ノーマリーオフ型の電界効果トランジスタを実現することが可能となる。例文帳に追加

By this structure, a high Schottky barrier that cannot be formed in the conventional field effect transistor can be formed so that a normally-off type field effect transistor can be obtained. - 特許庁

赤外線検知器に関し、量子ドット埋め込み層の成長温度を量子ドットの成長温度に適した温度にしたままで、暗電流となる電子に対する障壁を高くして暗電流を低減する。例文帳に追加

To reduce a dark current of an infrared ray detector by making tall a barrier for electrons to become the dark current while keeping growth temperature of a quantum dot buried layer at growth temperature of quantum dots. - 特許庁

送受信点の中間に、屋根形電波障壁を置くことにより、反射面の遮蔽を完全にし、マルチ経路回折波の発生を阻止することによって、ＶＨＦ低域よりマイクロ波高域までの自由空間化を達成する。例文帳に追加

A free space from a low-frequency VHF band up to a high-frequency microwave band is attained by preventing the generation of multiple-path diffraction waves. - 特許庁

障壁４９の上縁部４９ａは、ポンプ４７の流入口６８よりも上部に位置し、かつ、予め定められた範囲の高さよりも下部に位置している。例文帳に追加

An upper edge 49a of the barrier 49 is positioned higher than an inflow port 68 of the pump 47 and lower than the height of the prescribed range. - 特許庁

多数のヘテロ障壁を有する半導体多層膜よりなるＤＢＲミラーを用いた垂直共振器型面発光素子の電気抵抗を下げ、低電圧動作と高温動作を可能とする。例文帳に追加

To enable low-voltage operation and high-temperature operation by decreasing the electric resistance of a vertical resonator surface light emitting element using a DBR mirror composed of a semiconductor multi-layered film having many hetero-barriers. - 特許庁

酸化物半導体超格子構造において障壁層からのアルカリ金属の拡散を抑制した急峻な界面を有するヘテロ超格子構造を提供し、これを用いた効率の高いサブバンド間遷移デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero super-lattice structure having a steep interface which suppresses the diffusion of alkaline metal from a barrier layer in an oxide semiconductor super-lattice structure, and a highly efficient inter-subband transition device employing the same. - 特許庁

ノーマリーオフ型を実現するために、高いショットキー障壁を有し、かつ寄生抵抗の増大を抑制する電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a field effect transistor which has a high Schottky barrier to achieve a normally-off type and suppresses an increase in parasitic resistance, and to provide its manufacturing method. - 特許庁

磁気障壁部の位置が電磁力の（２Ｎ＋１）次の高調波成分のピークの位相に対応するときのｄ軸電流位相が一つある回転子を提供する。例文帳に追加

To provide a rotor which has one of a d-axis current phase at which the position of a magnetic barrier part corresponds to the peak phase of a (2N+1)'th order harmonic component of electromagnetic force. - 特許庁

本容器は高酸素及び水分障壁特性を有する熱可塑性材料から構成されており、内容を劣化させることなく容器を長期間保存することができる。例文帳に追加

The container is constructed of thermoplastic materials having high oxygen and moisture barrier properties which allows the container to be stored for extended periods of time without degrading the contents. - 特許庁

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。例文帳に追加

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride. - 特許庁

ｎ型第２クラッド層１２Ｂにおいて、伝導帯サブレベル下端を活性層１４よりも高くすることにより、キャリア閉じ込めに十分な電子障壁を確保し、さらにタイプＩＩ発光を抑制する。例文帳に追加

The n-type second clad layer 12B has a higher conduction band sub-level lower end than an active layer 14 to thereby secure a sufficient electron barrier for carrier confinement and also suppress type II light emission. - 特許庁

高温軟化点ガラスは、低温軟化点ガラスがパネル内側に吸い込まれるのを阻止する障壁として働くので、封着材のパネル内側への吸い込まれを防止することができる。例文帳に追加

Since the glass material having the higher softening point works as a barrier preventing the glass material having the lower softening point from being sucked in the panel, the sealing material is prevented from being sucked in the panel. - 特許庁

これにより、不正なコンテンツ流通に対する障壁が高く、なお且つ正当なホーム・ユースを著しく制限しないというシステムを実現することができる。例文帳に追加

In this way, a system with a high barrier against circulation of unjust contents and no remarkable limitation to legitimate home use can be realized. - 特許庁

よって、電子輸送層とカソードとのエネルギー障壁差を縮めて電子注入効率を高めることにより、発光効率、色座標及び輝度特性に優れ、かつ、駆動電圧が下がる。例文帳に追加

Therefore, the organic electroluminescent element has a good luminous efficiency, color coordinate and brightness property, and lowers a driving voltage by reducing an energy barrier difference with an electron transmission layer and improving the electron injection efficiency. - 特許庁

色素増感太陽電池の光電変換素子等の機能素子を構成する微粒子集合体の粒界でのエネルギー障壁を低減し、機能素子の性能を高める。例文帳に追加

To enhance performance of a function element, by reducing the energy barrier in the grain boundary of particulate groupings which constitute the function element of a photoelectric transfer element, or the like, of a dye-sensitized solar cell. - 特許庁

これにより、熱電変換素子１の性能を、半導体超格子からなる熱電変換素子であって、エネルギー障壁の大きさが０〜０．４ｅＶである熱電変換素子よりも高くすることができる。例文帳に追加

Thus, the performance of the thermoelectric transducer 1 can be made higher than a thermoelectric transducer which is composed of a semiconductor superlattice and has a size of the Schottky barrier of 0 to 0.4 eV. - 特許庁

また、前記絶縁障壁層５の下界面（形成面）の平坦化性を適切に向上でき、これにより、低ＲＡを維持しつつ従来に比べて高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を得ることが可能になる。例文帳に追加

Moreover, planarization properties of the lower interface (forming surface) of the insulating barrier layer 5 can be improved appropriately, so that the rate of resistance change (ΔR/R) that is higher than that in the conventional elements becomes possible, while low RA is maintained. - 特許庁

ＡｌＧａＮ電子供給層１４と接する第１金属層金属は仕事関数が大きいためショットキー障壁が高く良好なショットキー接触が得られる。例文帳に追加

In addition, since the first metallic layer 171 in contact with the electron supplying layer 14 has a large work function, a high Schottky barrier is formed and an excellent Shottky contact is obtained. - 特許庁

電極３のうち少なくとも１つは、半導体層２との間に光６のフォトンエネルギー以下の障壁高さを持つショットキー接合を形成する。例文帳に追加

At least one of the electrodes 3 forms a Schottky junction having a barrier height not more than that of the photon energy of the light 6 between the electrode and the semiconductor layer 2. - 特許庁

本容器は高酸素及び水分障壁特性を有する熱可塑性材料から構成されており、内容を劣化させることなく容器を長期間保存することができる。例文帳に追加

The container is constructed of thermoplastic materials having high oxygen and moisture barrier properties which allows the container to be stored for extended periods of time without degrading the contents. - 特許庁

正電圧が制御ゲートへ印加された場合（ＦＩＧ．２ｃ．）は、障壁が、印加された電圧によって除去されることにより、負電荷の高速で、かつ、非破壊の除去（または、等価的には正電荷の蓄積）を可能にする。例文帳に追加

In the case of a positive voltage being applied to the control gate (FIG. 2c), the barrier is removed by the applied voltage, and thereby allowing fast and nondestructive removal of negative charges (or equivalently, deposition of positive charges). - 特許庁

可動子が振動中心付近に位置するときには、溝６０Ａの持つ高い磁気抵抗が障壁となってコイル２１の鎖交磁束量が抑制される。例文帳に追加

When the rotator is positioned in the vicinity of the vibration center, the amount of the flux linkage of the coil 21 is controlled by high magnetic resistance of the groove 60A serving as barrier. - 特許庁

回転摺動による摩擦で接合障壁となる金属表面の酸化皮膜を容易に排除でき、金属活性面同士を密着させる事が可能なため信頼性の高い接合を提供できる。例文帳に追加

The joining with high reliability can be provided because an oxidized film on the surface of a metal, which is the obstacle of the joining by friction caused by rotating and sliding, can be easily ejected and making the active surfaces of the metals adhere closely is possible. - 特許庁

したがって、発光層３とｐ型クラッド層５との界面のヘテロ障壁が高く、伝導帯側でキャリアオーバーフローが生じ難い構造になっている。例文帳に追加

Since a heterobarrier wall is high at the interface of the emission layer 3 and the p-type clad layer 5, such a structure as carrier overflow does not occur easily on the conduction band side is attained. - 特許庁

障壁膜１３１、１３３は金属膜１１１、１１３の上面と側面を覆うように配置され、絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含み、金属膜原子の拡散を防止する。例文帳に追加

The barrier layers 131, 133 are disposed to cover the upper surface and the lateral sides of the metal layers 111, 113, contain a material having a melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 and prevents diffusion of an atom in the layer of metal. - 特許庁

透明電極の形成、注入障壁の低減、成膜損傷の低減、さらにこれらに加えて膜密着性の課題を同時に解決して、信頼性に優れた高性能のディスプレイ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a display device having excellent reliability and high performance, by simultaneously solving problems such as formation of a transparent electrode, reduction of an injection barrier, reduction of damage in film formation, and film adhesion in addition. - 特許庁

ショットキ障壁とＰＮ接合の整流部分とを隣接して配置した半導体素子において、高い電流容量を確保しつつ、漏れ電流を低減可能な半導体素子を提供する。例文帳に追加

To reduce leak current while ensuring a high current capacity in a semiconductor element where Schottky barrier and the rectifying part of a PN junction are arranged contiguously to each other. - 特許庁

トンネル酸化膜と電荷蓄積膜との界面付近に電荷を蓄積することを可能にするとともに、トンネル酸化膜と電荷蓄積膜の電位障壁を高くすることにより、蓄積された電荷の基板側への流出を防ぐ。例文帳に追加

To prevent the flow-out of accumulated charges to the substrate side by enabling charges to be accumulated near the interface between a tunnel oxide film and a charge accumulation film and increasing a potential barrier between the tunnel oxide film and the charge accumulation film. - 特許庁

トンネル障壁層は、トンネルバリア高さをΦ［単位:eV]、トンネルバリア幅をＳ［単位：オングストローム］としたとき、Ｓ／（Φ）^1/2 の値が10≦Ｓ／（Φ）^1/2 を満足する。例文帳に追加

Provided that the barrier height and barrier width of the tunnel barrier layer are represented by Φ [unit: eV] and S [unit: angstrom] respectively, the tunnel barrier layer is formed so as to satisfy a formula, 10≤S/(Φ)1/2. - 特許庁

タービンエンジン部品などをコーティングによって熱および腐食から保護する際に、剥離強度を高めながら、曲げ適応性をもつ熱障壁を熱噴射により経済的に得る。例文帳に追加

To economically provide a thermal barrier with a thermal-spraying technique, which has bending flexibility together with enhanced peeling strength and is used for protecting a turbine engine component or the like from heat and corrosion by coating. - 特許庁