「高障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第１及び第２金属層34、36は、その障壁の高さが異なるものである。例文帳に追加

The metal layers 34 and 36 are different from each other in barrier height. - 特許庁

局所ポテンシャル障壁高さのパラメータ依存性測定方法例文帳に追加

PARAMETR DEPENDENCE MEASUREMENT METHOD OF LOCAL POTENTIAL BARRIER HEIGHT - 特許庁

拡散障壁（３４８）は、ＧＭＲが高い非晶質材料である。例文帳に追加

The diffusion barrier layer 348 consists of an amorphous material having high GMR. - 特許庁

信頼性の高い銅拡散障壁を生成する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a copper diffusion barrier having high reliability. - 特許庁

このため、拡散障壁層の中央部分に比べて拡散障壁層の下面および上面付近での窒素の濃度がより高い。例文帳に追加

Thus, concentration of nitrogen near the lower and upper faces of the diffused barrier layer is higher than at the center part of the diffused barrier layer. - 特許庁

そして、エミッタバリア層６とエミッタ層７との間のエネルギー障壁は実質的に存在しないとともに、コレクタバリア層４のエネルギー障壁の高さはエミッタバリア層６のエネルギー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

An energy barrier does not exist substantially between the emitter barrier layer 6 and the emitter layer 7, and further the height of the energy barrier of the collector barrier layer 4 is lower than the height of the energy barrier of the emitter barrier layer 6. - 特許庁

前記Ｐｔ層１０を前記固定磁性層４と前記絶縁障壁層５との間に介在させると、前記絶縁障壁層５の障壁高さ（ポテンシャル高さ）や障壁幅（ポテンシャル幅）に変化が生じると考えられ、これにより、ＶＣＲの絶対値を小さくできる。例文帳に追加

It is supposed that interposing of the Pt layer 10 between the fixed magnetic layer 4 and the insulating barrier layer 5 will cause the barrier height (potential height) and the barrier width (potential width) of the insulating barrier layer 5 to change, and the absolute value of the VCR can be reduced by this. - 特許庁

ケイ素を含む基体と、保護環境／熱障壁被覆として機能する上部障壁層、より詳細には、物品が高温の水性（水蒸気）環境に曝されるときのＳｉの気体状化学種の形成を抑制する上部障壁層とからなる。例文帳に追加

The article comprises a substrate containing silicon and a top barrier layer which functions as a protective environment/thermal barrier coating. - 特許庁

オーバーフローバリア領域１６は、第１電荷障壁部４０と、第１電荷障壁部４０より信号電荷に対するポテンシャルが高い第２電荷障壁部４１とからなる。例文帳に追加

An overflow barrier region 16 consists of a first charge barrier part 40 and a second charge barrier part 41 of which the potential with respect to signal charges is higher than that of the first charge barrier part 40. - 特許庁

そうすることによって、障壁層１２は、高い耐燃料透過性と高い可撓性とを有する。例文帳に追加

Thus, the barrier layer 12 has the high fuel permeability and the high flexibility. - 特許庁

障壁層(33)(34)は量子井戸層(32)よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。例文帳に追加

The barrier layers (33) and (34) have a band gap energy higher than that of the quantum well layer (32). - 特許庁

ショットキー障壁電極４の外周縁部領域においては、ドリフト層２とショットキー障壁電極４との間に、ガードリングとして高抵抗ガードリング１８が介在し、ショットキー障壁電極４はガードリングによって持ち上げられた形状となっている。例文帳に追加

At the outer circumferential section of the Schottky barrier electrode 4, a high-resistance guard ring 18 is interposed between the drift layer 2 and Schottky barrier electrode 4 as a guard ring, and the Schottky barrier electrode 4 is formed into a shape of being lifted by the guard ring. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加した電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さを調節することにより、規定した一定量の不要電荷を電荷分離部で分離し、ポテンシャル障壁を越えて電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷を受光出力として取り出す。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges by the electric-charge-separating section, and effective electric charges flowing in the electric-charge-storing section over the potential barrier are taken out as a light receiving output. - 特許庁

半導体基板１０１上に活性層１０６を含む積層構造が形成された半導体レーザ装置において、活性層１０６に電流を注入する経路中に、キャリア密度によって障壁高さまたは障壁幅が周期的に変化するキャリア障壁層１０２が設けられている。例文帳に追加

In the semiconductor laser device having a laminated structure containing an active layer 106 formed on a semiconductor substrate 101, a carrier barrier layer 102 the barrier height or width of which periodically changes depending on carrier density is provided in the route through which a current is injected into the active layer 106. - 特許庁

磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。例文帳に追加

The magnetic element further comprises a second tunnel barrier layer and a second hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a second high temperature threshold and can be freely aligned at the first low temperature threshold, and the soft ferromagnetic layer is provided between the first tunnel barrier layer and the second tunnel barrier layer. - 特許庁

ショットキー電極５とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さはショットキー電極３とｎ^-半導体層２との間のショットキー障壁の高さよりも低い。例文帳に追加

The height of the Schottky barrier between the Schottky electrode 5 and the n^- semiconductor layer 2 is higher than the height of a Schottky barrier between the Schottky electrode 3 and the n^- semiconductor layer 2. - 特許庁

このバリア領域６の形成するポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さは、転送ゲート領域７によって形成されるポテンシャル障壁の最終転送段４に対する高さよりも低い。例文帳に追加

A height of the potential barrier formed in the barrier region 6 relative to the final transfer stage 4 is lower than a height of a potential barrier formed in the transfer gate region 7 relative to the final transfer stage 4. - 特許庁

逆方向バイアスにおけるショットキー障壁が高く、順方向バイアスにおけるショットキー障壁が低くできるショットキーダイオードを提供する。例文帳に追加

To provide a Schottky diode in which a Schottky barrier in a reverse directional bias is high and the Schottky barrier in a forward directional bias is low. - 特許庁

上記半導体層１１と酸化物障壁層１２との間に電圧を印加することによって、酸化物障壁層１２に接する半導体層１１の界面に高移動度のキャリアガスを生ぜしめる。例文帳に追加

By applying a voltage between the semiconductor layer 11 and the oxide barrier layer 12, a carrier gas of a high mobility is generated on the interface of the semiconductor layer 11, which is in contact with the oxide barrier layer 12. - 特許庁

ゲート電極に対しては高い障壁機能を有しつつも、ソース及びドレイン電極に対しては直列抵抗の低い障壁層を有するヘテロ接合ＦＥＴを提供する。例文帳に追加

To provide a hetero-junction FET which is equipped with a barrier layer that is low in series resistance to a source and a drain electrode while possessing a high barrier function to a gate electrode. - 特許庁

その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。例文帳に追加

Then a height of a potential barrier formed according to the voltage applied to the barrier control electrode 14c is adjusted to separate a predetermined constant quantity of unnecessary electric charges in a charge separation section. - 特許庁

電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。例文帳に追加

A potential barrier layer (PBL 11) is configured as a p type semiconductor region with much higher concentration formed between the first photo-diode PD1 and the body region 10 to form a potential barrier against the body region 10. - 特許庁

第１障壁２０は、基板１０上の領域への蒸着により形成されて陰極となる陰極層１５が第１障壁２０を乗り越えて延在することを妨げる形状または高さを有する。例文帳に追加

The first barrier ribs 20 have a shape or a height which prevents that a negative electrode layer 15 formed by vapor deposition on a region of the substrate 10 to become the negative electrode climbs over the first barrier rib 20 and extends. - 特許庁

これにより、逆方向バイアスにおいてはｎ^- 型エピ層２にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはｎ^- 型層３にて電位障壁を低くすることができる。例文帳に追加

Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3. - 特許庁

井戸層１４ｗのバンドギャップを狭くして、井戸層１４ｗの電子の量子準位と障壁層１４ｂの伝導帯の下端との実効的障壁高さΔＥｃを十分に確保する。例文帳に追加

The band gap of the well layer 14w is narrowed to secure a sufficient effective barrier height ΔEc between the quantum level of an electron in the well layer 14w and the conduction band of the barrier layer 14b. - 特許庁

磁気障壁通路又は反磁気障壁流路に沿って流す流体の流体制御を簡単な構成で高精度に行うことができる。例文帳に追加

To provide a fluid control method of a micro-device which is capable of conducting the fluid control of a fluid flowing along a magnetic barrier passageway or anti-magnetic barrier passage with high precision and to provide a micro-device of a simple structure. - 特許庁

この防護障壁が箱状の形状をなしているものとすると、押し込まれた中継ハーネスはこの箱状防護障壁とスキャナ外装カバーとで形成される小空間に収まり、より安全性が高まる。例文帳に追加

When this protecting wall is in a box-like shape, the pushed in relay harness is contained in the small space formed by this box-like protecting wall and the scanner exterior cover and the safety is increased. - 特許庁

さらにゲート電極16と障壁層13との間に、障壁層よりも高い誘電率を持つ絶縁膜18を挿入してg_mの向上とゲートリーク電流の低減が実現される。例文帳に追加

Furthermore, the improvement of g_m and the reduction of the gate leakage current can be achieved by inserting an insulating film 18, with a dielectric constant higher than the barrier layer, between the gate electrode 16 and the barrier layer 13. - 特許庁

電子障壁層１６はＭｇＢｅＺｎＳｅＴｅ単層、またはＭｇＳｅ／ＢｅＺｎＴｅ超格子からなり、電子障壁層１６の伝導体下端が活性層１５の伝導帯下端よりも高い準位となるような組成比となっている。例文帳に追加

The electron barrier layer 16 includes an MgBeZnSeTe single layer or the MgSe/BeZnTe superlattice, and has a composition ratio, where the lower end of the conductor of the electron barrier layer 16 becomes a level higher than that of the lower end of the conduction band of the active layer 15. - 特許庁

薄い障壁層を有し、高い電子濃度を高電子移動度を損ねることなく実現するヘテロ構造電界効果トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a heterostructure field-effect transistor which comprises a thin barrier wall and whose high electron concentration is realized without spoiling high electron mobility. - 特許庁

そうすることによって、障壁層の有する高い耐燃料透過性と高い可撓性とを損なうことなく、チューブ１１の形状を保持することができる。例文帳に追加

Thus, the shape of the tube 11 can be held without losing the high fuel permeability and the high flexibility of the barrier layer. - 特許庁

その障壁（１５）の高さは、半導体チップ（１１）とパッケージ基板（１４）との間隔より高く設定される。例文帳に追加

A height of the barrier (15) is set to be higher than an interval between the semiconductor chip (11) and the package substrate (14). - 特許庁

聚光院方丈障壁画のうち、室中（しっちゅう、方丈正面中央の部屋）を飾る『花鳥図』は特に評価が高い。例文帳に追加

"Flowers and Birds" in Shitchu (the center front room of Hojo) is very highly acclaimed among the screen paintings of Hojo of Jukoin.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

競争を促進し，主要セクターにおける生産性を高めるため，規制を簡素化し，規制障壁を削減するための製品市場改革例文帳に追加

Product market reforms to simplify regulation and reduce regulatory barriers in order to promote competition and enhance productivity in key sectors.  - 財務省

プラズマディスプレイパネルのガラス又はセラミック製の高品質の障壁を効率よく、かつ、安価に形成する。例文帳に追加

To efficiently, inexpensively form a high quality barrier rib made of glass or ceramic for a plasma display panel. - 特許庁

ＩｎＡｓＰ量子井戸層とＧａｘ（ＡｌＩｎ）ｌ−ｘＰ障壁層とを有するＩｎＰベースの高温レーザー例文帳に追加

InP-BASED HIGH-TEMPERATURE LASER HAVING InAsP QUANTUM WELL LAYER AND Gax(AlIn) l-xP BARRIER LAYER - 特許庁

ショットキー障壁の高さおよび幅を容易に制御でき、短チャネル効果を効果的に抑制できる半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for easily controlling a height and a width of a Schottky barrier and effectively suppressing a short-channel effect. - 特許庁

燃料電池の実用化の大きな障壁となっていた白金触媒の代替触媒として有用な、高活性な新規炭素触媒を提供する。例文帳に追加

To provide a new highly-active carbon catalyst useful as an alternative to a platinum catalyst which is a large obstacle to practical use of a fuel cell. - 特許庁

従来技術では得ることのできなかった充分な高さを有するショットキ障壁を実現し、リーク電流を効果的に抑制すること。例文帳に追加

To effectively suppress leakage current by realizing a Schottky barrier having sufficient height which cannot be obtained by conventional techniques. - 特許庁

障壁層と、それに接する井戸層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。例文帳に追加

The average In composition ratio of a barrier layer and a well layer in contact therewith is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side. - 特許庁

ゲートポテンシャルを変化させるべく、ゲートショットキー接合界面の障壁高さを照射光のエネルギーよりも小さくしている。例文帳に追加

In order to vary the gate potential, the barrier height of a gate Schottky junction interface surface is smaller than the energy of an emitted light. - 特許庁

ＴｉＯｘ膜で形成された絶縁障壁層からのリーク電流発生を防止し、素子出力を高められる薄膜磁気ヘッドを得る。例文帳に追加

To obtain a thin film magnetic head capable of raising element output by preventing generation of leak current from an insulated barrier layer formed by a TiOx film. - 特許庁

歪みの高いキャリア移動領域における寄生抵抗及びエネルギー障壁を小さくするための半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device for reducing a parasitic resistance and an energy barrier in a carrier moving region having a large distortion. - 特許庁

半導体基板を取り替えてなされる半導体装置の応用機器の不正使用に対する技術的障壁を高める。例文帳に追加

To provide a semiconductor device, a terminal device and a correspondence procedure capable of heighten technical barrier to abuse of application instruments by changing semiconductor board. - 特許庁

また、弁座２６の弁体当接面２６ｃを基準とした障壁４０の高さＨを、ダイアフラム弁体２７の移動量の略半分にする。例文帳に追加

Further a height H of the barrier 40 on the basis of a valve element contact face 26c of the valve seat 26 is approximately half of a travel distance of a diaphragm valve element 27. - 特許庁