「高障壁」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６はｎ型クラッド層２よりも多くの構成元素を含み、障壁高さ規定用ｐ型クラッド層６と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差は、ｎ型クラッド層２と活性層４との伝導帯端のポテンシャル差よりも大きい。例文帳に追加

The clad layer 6 contains more constituent elements than an n-type clad layer 2 does, and the potential difference of the conduction band end between the clad layer 6 and active layer 4 is larger than that at the conduction band end between the clad layer 2 and active layer 4. - 特許庁

ＧａＰのシリコン内を移動する電子に対する障壁高さは、酸化シリコンの障壁高さ（３．１ｅＶ）よりも小さいので、ピーク電流が大きいままで熱励起電流の低減を実現することができ、負性抵抗領域におけるＰＶ比が向上する。例文帳に追加

The height of the barrier to the electrons shifting within the silicon of GaP is smaller than the height (3.1 eV) of the barrier of silicon oxides, so the reduction of thermally excited currents can be materialized, with the peak current kept large, and the PV ratio in the negative resistance region rises. - 特許庁

食品及び飲料産業や繊維産業では、もともと非関税障壁が高く、このため一方向貿易の割合が高かったが、市場統合で非関税障壁の多くが撤廃されたことで、財の多様化選好の影響により垂直的産業内貿易が拡大した。例文帳に追加

In the food and drinks industry and fiber industry non-tariff barriers were initially high resulting in a large percentage of one-way trade, but in the process of market integration many non-tariff barriers were abolished, leading to an expansion of vertical intra-industry trade due to the effect of the preference for the diversification of goods. - 経済産業省

また、父・元信とともに石山本願寺障壁画制作に参加しており、大徳寺聚光院（じゅこういん）障壁画制作には息子の永徳とともに参加しているが、父・元信と息子・永徳がそれぞれに高名であるために、やや地味な存在となっている。例文帳に追加

Although he participated in the creation of the screen paintings for the Ishiyama Hongan-ji Temple with his father Motonobu as well as in the creation of the screen paintings for the Jukoin, Daitoku-ji Temple with his son Eitoku, he was a less famous artist because his father Motonobu and his son Eitoku were more prominent.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ＰＡＤＯＸのような工程を用いず、トンネル障壁の高さ及び幅を人為的に調節することができる上、電流駆動能力をさらに向上させることができるショットキー障壁貫通単電子トランジスタ及びその製造方法の提供。例文帳に追加

To provide a Schottky barrier penetration single electronic transistor capable of artificially adjusting a height and a width of a tunnel barrier without using any process like PADOX, and capable of further raising a current driving ability; and to provide a method of manufacturing the transistor. - 特許庁

光照射に適合した、少なくとも１つの電位障壁、又は表面障壁を持つ半導体デバイスの製造または処理に関し、高い絶縁破壊電圧と、大電流で低いキヤリア密度を有するデバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To manufacture and process semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier adapted to light emission, and provide a method of manufacturing devices having a high breakdown voltage and a high current but low carrier density. - 特許庁

又、開栓具１０の裏面には差込穴６の周壁を成す中空状の突起１１と、この突起を囲む障壁１２を形成し、突起１１にはノズル４から噴射された高圧ガスを障壁１２に向けて流出させる流出口１３を形成する。例文帳に追加

A hollow protrusion 11 forming a peripheral wall of the inserting hole 6 and a barrier wall 12 encircling the protrusion are formed on the back of the cap opening tool 10, and an outflow opening 13 for flowing the high pressure gas jetted out of a nozzle 4 toward the barrier wall 12 is formed on the protrusion 11. - 特許庁

最小長さを小さく抑えて伸縮障壁の大きな可動ストロークを確保しつつ、簡易な構成によってコスト増加を招くことなく高速動作における十分な耐久性を確保することができる工作機械用伸縮障壁のパンタグラフ機構を提供する。例文帳に追加

To provide a pantograph mechanism of a telescopic bulkhead for a machine tool securing a sufficient durability in high-speed operation without bringing about an increase in the cost by embodying it in a simple constitution while the minimum length is suppressed small and a large motion stroke is secured to the bulkhead. - 特許庁

ＣＣＤチャネル領域は、一つの第２層転送電極１１下にのみ形成された障壁領域９と、他の第２層転送電極１１と第１層転送電極５の下に形成され、有効な不純物濃度が障壁領域より高い蓄積領域１０とから構成されている。例文帳に追加

An CCD channel region is formed into a barrier layer region 9, and it is composed of a barrier layer region 9, which is formed only underneath the second layer transfer electrode 11, and a storage region 10 formed underneath other second layer transfer electrode 11 and the first layer transfer electrode 5 having the effective impurity concentration which is higher than that of the barrier region. - 特許庁

熱電材料表面あるいは熱電材料に対向する表面を改質したり、表面に尖塔を施したりすると、尖塔先端から作業物質が空間に飛出る際の熱励起障壁高さの低減乃至トンネル障壁幅の低減が可能にする。例文帳に追加

If a thermoelectric material surface or a surface confronted to the thermoelectric material is modified or the surface is steepled, a thermal excitation barrier height or a tunnel barrier width can be reduced in emitting the working material from the distal end of steeples to the space. - 特許庁

電荷障壁層の厚さに敏感でなく、電荷障壁層の絶縁膜に欠陥を誘起することなく、低電圧で書き込み読み出しができ、高価な材料を用いる必要がなく、将来の大容量メモリの製造コストを格段に引き下げることができる記憶素子を実現する。例文帳に追加

To provide a memory device which is not sensitive to the thickness of a charge barrier layer and never induces defects in an insulation film of the charge barrier layer and can write/read at a low voltage and never requires an expensive material and can remarkably reduce the manufacturing cost of a future large-capacity memory. - 特許庁

基板11の動作層12上にノーマリオフモード化に最も寄与するゲート電極直下で薄い障壁層13を保ち、同時に、高いI_maxを実現するためにゲート−ソース間、ゲート−ドレイン間で半導体層17により障壁層13を厚くすることを可能とする構成とする。例文帳に追加

This semiconductor apparatus maintains a thin barrier layer 13 directly under a gate electrode that mostly contributes to making a normally-off mode possible on the operating layer 12 of a substrate 11, and simultaneously has a structure capable of thickening the barrier layer 13 by semiconductor layers 17 between gate sources and between gate and drain to achieve high I_max. - 特許庁

EPAは、関税、数量割当、投資規制等の水際措置の撤廃にとどまらず、経済諸制度間のハーモナイゼーション、透明性・安定性の高いルールの策定、インフラの整備等、間接的な障壁の削減を含んでおり、国・地域間の経済障壁の除去が実現可能となる。例文帳に追加

EPAs not only include the elimination of border measures such as tariffs, quotas and investment regulations, but also include the lowering of indirect barriers such as harmonization among various economic systems; establishment of highly transparent and stable rules; and infrastructure development, making it possible to remove economic barriers among countries and regions. - 経済産業省

地域貿易協定は、GATT 第24条により、域外に対して障壁を高めないことや、域内での障壁を実質上のすべての貿易で撤廃すること等の一定の要件を満たすことを条件に、最恵国待遇原則の例外として正当化されるものである。例文帳に追加

Article XXIV of the GATT exempts RTAs from the most-favoured-nation principle under certain conditions. Specifically, RTAs must not raise barriers to trade with countries outside of the region and must eliminate barriers to trade within the region with respect to substantially all the trade. - 経済産業省

EPAの柱となるFTAは、WTO協定上、域外に対して障壁を高めないこと、域内での障壁を実質的にすべての貿易で撤廃すること等の一定の条件の下、WTOの最恵国待遇原則の例外として認められる「地域貿易協定」に当たる（GATT第24条）。例文帳に追加

An FTA, a main component of the EPA, is admitted as a "Regional Trade Agreement" under the WTO agreements, which are excluded from the principle of most-favoured-nation treatment, if certain conditions are met such as: (1) not imposing higher trade barriers on nonmember countries; and (2) eliminating barriers between member countries for substantially all trade (Article 24 of the GATT). - 経済産業省

第一コンポーネントの材料に比べて、第二コンポーネントの材料は、より高い拡散障壁特性、炭化水素燃料に関する低下した膨張特性、より高い機械的強度及びより高い熱形状安定性を有する。例文帳に追加

A material of the second component has higher diffusion barrier capability, reduced swelling capability relative to the hydrocarbon fuel, higher mechanical strength and higher thermal shape stability compared to the material of the first component. - 特許庁

日本での発泡酒の誕生には、時代背景による一種の対処法、参入障壁の高いビール製造、高いビールの税率、1989年以来のビールの低価格競争が主な要因としてあげられる。例文帳に追加

The main factors in the development of low-malt beer were consumption trends, the high entry barrier for beer production, the high tax rate of beer, and the cost competition in beer production since 1989.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

ゲートコンタクト層は、特定の半導体系（例えば、ＩＩＩ属窒化物）と共に使用される場合に、高ショットキー障壁を有し、かつ高温で動作しているときに、低減された劣化を呈する材料で製作される。例文帳に追加

The gate contact layer is made of a material that has a high Schottky barrier when used in conjunction with a particular semiconductor system (such as a group III nitride) and exhibits decreased degradation when operating at high temperatures. - 特許庁

これにより、ヘテロ半導体領域３とドリフト領域２のヘテロ接合部の障壁高さよりも高い接合となるために、漏れ電流が生じず、本来のヘテロ接合が示すＩＶ波形を得ることができる。例文帳に追加

Consequently, since the junction is higher than the barrier of the hetero-junction part between the hetero semiconductor region 3 and the drift region 2, no leakage current arises and a IV waveform shown by the original hetero junction can be obtained. - 特許庁

これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０、ｐＭＯＳＦＥＴ２０それぞれに適したショットキー障壁高さを実現することが可能になり、高速のＣＭＯＳＦＥＴ１が得られる。例文帳に追加

Thus, the height of Schottky barrier appropriate for the nMOSFET10 and pMOSFET20 is realized for a high speed CMOSFET1. - 特許庁

強磁性トンネル接合を有する磁気センサ及びその製造方法に関し、絶縁障壁高さが酸化アルミニウムより低く、且つ、高いＭＲ比が得られる絶縁膜を形成する。例文帳に追加

To form an insulation film whose insulation barrier level is lower than that of an aluminum oxide and which obtains a high MR (magnetoresistive) ratio, in a magnetic sensor having a ferromagnetic tunnel junction and its manufacture. - 特許庁

高性能なダウンロード端末では、高速で快適なダウンロードサービスを提供すると共に、性能の低いダウンロード端末でもダウンロードサービスを享受可能とすることにより、ダウンロード端末発売の障壁を低くする。例文帳に追加

To lower the barrier of selling download terminals by providing a comfortable downloading service at high speed in a high performance download terminal and allowing a low performance download terminal to also use the download service. - 特許庁

あるいは、電子の供給源である可動体の第１の不純物添加部１ｂと可動体の半導体基板部１ａとのｐｎ接合界面を高濃度のｐｎ接合とし電位障壁を高くする。例文帳に追加

Alternatively, a pn junction interface of the first impurity adding part 1a of the movable element of the electron supply source and the semiconductor substrate part 1a of the movable element is formed as a high concentration pn junction, and a potential barrier is enhanced. - 特許庁

無線ＬＡＮの負荷分散制御において、ＡＰの接続端末数を制限する従来の手法では端末側に制御のための機構を導入する必要があるため、コスト高で導入障壁が高い。例文帳に追加

To provide a method for managing a radio communication system which can reduce an introducing barrier and which can substantially eliminate a high load state at low cost under the control of the load state of an AP. - 特許庁

積層構造（３２）の中に非常に薄い層があるにもかかわらず、外部電流を用いて銅を電解析出するために必要な導電率の高さに起因した銅の拡散に対する、高い障壁作用が得られる。例文帳に追加

Although an extremely thin layer is included in the laminated structure (32), a high barrier action is obtained by a diffusion of copper due to high electric conductivity necessary for electroless-depositing the copper by using an external current. - 特許庁

電極の仕事関数が高いため、誘電体のポテンシャル障壁が高くなり、誘電体が１０ｎｍ以下と薄くても十分な絶縁性を保てる。例文帳に追加

Since the work function of the electrode is high, a potential barrier of the dielectric becomes high and even if the dielectric is thin such as 10 nm or less, a sufficient insulation property can be maintained. - 特許庁

さらに、活性領域１５内の障壁層に−１.２％の引張歪を導入して井戸層の圧縮歪による応力を補償することによって、高出力時の信頼性をさらに高くする。例文帳に追加

Furthermore, a tensile strain of -1.2% is introduced into a barrier layer inside the active region 15 so as to make up for stress caused by the compressive strain of the well layer, by which the semiconductor laser can be improved in reliability when it outputs a high power. - 特許庁

量子井戸構造を単一の半導体構造として結晶構造の作製を簡便にし、かつ、高ＪＰ、低ＶＰ、高ＶＲ−ＶＰを同時に実現可能にする共鳴トンネル障壁構造を提供する。例文帳に追加

To provide a resonance tunnel barrier structure, in which the manufac turing of crystal structure is simplified by allowing a quantum well structure to be a single semiconductor structure, while high-GP, low-VP, and high VR-VP can be realized simultaneously. - 特許庁

しかる後に、コンタクトホール１１１ａ、１１１ｂからその底部に位置する障壁層２４０を介して高濃度の不純物を導入し、高濃度コンタクト領域１６２ａ、１６３ａを形成する。例文帳に追加

After that, heavily-doped impurity is introduced from the contact holes 111a and 111b via the barrier layer 240 positioned at their bottoms to form high concentration contact regions 162a and 163a. - 特許庁

同社の超精密加工を実現する技術力と品質管理・保証体制は、参入障壁が高い航空宇宙産業界においても高く評価されており、国内大手重工メーカーから受注を獲得している。例文帳に追加

Yamanouchi’s technological capabilities and quality management and assurance systems which realize ultra high precision processing are highly regarded in the aerospace industry, which has high barriers to entry. Yamanouchi is receiving orders from leading Japanese heavy industry manufacturers.  - 経済産業省

したがって，我々は，投資又は物品・サービスの貿易に対して障壁を高めることはせず，また，新たな障壁も設けず，新たな輸出規制を課さず，若しくは輸出を刺激するために世界貿易機関(WTO)非整合的な措置をとらないとのコミットメントを更に3年間，2013年末まで更新し，そのような措置がとられる場合には是正していくことにコミットする。例文帳に追加

As such, we renew for a further three years, until the end of 2013, our commitment to refrain from raising barriers or imposing new barriers to investment or trade in goods and services, imposing new export restrictions or implementing World Trade Organization (WTO)-inconsistent measures to stimulate exports, and commit to rectify such measures as they arise.  - 財務省

異方性エッチングを通じて生成されるシリコン１１１面（結晶構造を有する半導体においてその結晶方向を示すミラー指数）にショットキー接合を形成させることによって、安定的で、且つ電子に対して低いショットキー障壁を有する高性能のＮ−型ショットキー障壁貫通トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide an N-type Schottky barrier penetrating transistor of high performance which is stable and has low schottky barrier to electrons by forming a schottky junction on a silicon 111 plane generated through anisotropic etching (in a semiconductor having a crystal structure, a mirror index indicating its crystal orientation). - 特許庁

ＣＭＰプロセス中半導体ウェーハからの金属障壁バリヤ層及び導電層の除去を等化し、ウェーハの表面に亘っての金属及び絶縁体領域から成るフラットな表面を形成するか、又は、前述の２ステップＣＭＰプロセスにて金属障壁バリヤ層の除去レートを高める方法を創出すること。例文帳に追加

To provide a method for enhancing the removal rate of a metal barrier layer without affecting on the removal rate of a conductive layer from a semiconductor wafer during a CMP(chemical-mechanical polish) process. - 特許庁

受光電荷蓄積部２中央部での読み出しゲート１５及びチャネル分離領域１６の電位障壁を受光電荷蓄積部２周辺部での読み出しゲート１５及びチャネル分離領域１６の電位障壁より高くすることにより、感度や出力レベルが低下することなく、スミアを低減させることができる。例文帳に追加

The smear can be reduced by elevating a potential barrier of a read gate 15 and channel separating area 16 on a central portion of a light receiving charge accumulation portion 2 higher than a read gate 15 and channel separating area 16 on a surrounding portion of the light receiving charge accumulation portion 2 without reducing its sensibility and output level. - 特許庁

バンド間トンネル素子は、シリコン基板１０１と、シリコン基板１０１内に高濃度のｐ型不純物を導入して形成されたｐ^+ 領域１０２と、シリコン基板１０１のｐ^+ 領域１０２の上に形成されたトンネル障壁層１０３と、トンネル障壁層１０３の上に設けられたｎ^+ 領域１０４とを備えている。例文帳に追加

A tunnel element between bands is equipped with a silicon substrate 101, a p+ region 102 being made by introducing p-type impurities in high concentration into the silicon substrate 101, a tunnel barrier layer 103 being made on the p+ region 102 of the silicon substrate 101, and an n+ region 104 being provided on the tunnel barrier layer 103. - 特許庁

ショットキー障壁型MOS FET の製造において、ソース／ドレイン構造を形成した後にゲート電極およびゲート絶縁膜を作成するダマシンゲートプロセスをショットキー障壁型MOS FET に適用することにより、ゲート電極やゲート絶縁膜が高温の熱処理を受けないようにして、ゲート電極やゲート絶縁膜を構成する金属および金属酸化物が劣化するのを防止する。例文帳に追加

In manufacturing the Schottky barrier MOSFET, a damascene gate process for forming a gate electrode and a gate insulating film after a source/drain structure is formed is applied to the Schottky barrier MOSFET, so that the gate electrode and the gate insulating film may not be received with a high temperature heat treatment to thereby prevent the deterioration of the metal and the metal oxide for constituting the gate electrode and the gate insulating film. - 特許庁

第１及び第２の強磁性障壁層２、６の磁化方向が互いに反平行な場合、ベース２２にはダウンスピンを有するスピン偏極ホットエレクトロン２７が注入されるが、第２の強磁性障壁層６のダウンスピンバンド端１０はスピン偏極ホットエレクトロン２７のエネルギーよりも高い。例文帳に追加

Although spin-polarized hot electrons 27 having down-spin are injected into the base 22 when the senses of the magnetizations of the first and the second ferromagnetic barrier layers 2, 6 are antiparallel with each other, a down-spin-band end 10 of the second ferromagnetic barrier layer 6 is made higher than the energy of the spin-polarized hot electrons 27. - 特許庁

１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。例文帳に追加

In a form of embodiment, the dual-gate semiconductor device contains a low-voltage region where a first gate dielectric are formed thereon and a diffusion barrier layer containing nitrogen and oxygen is formed on the first gate dielectric, and a high-voltage region where a second gate dielectric having a thickness thicker than that of the first gate dielectric is formed thereon and the diffusion barrier layer does not exist. - 特許庁

窒化物半導体に生じる自発分極やピエゾ分極による大きな内部電界とＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層による共鳴トンネル効果を利用し、高密度電子を効率的に放出させる電子放出素子に関するもので、ｎ型ＧａＮ上へＡｌＮ／ＧａＮ多重障壁層と数十ナノメートルのＧａＮ表面層を作製し、電子取出用の表面電極を取り付けたものである。例文帳に追加

This is the electron emitting element which efficiently emits high density electrons by utilizing a large internal electric field by a spontaneous polarization and a piezo polarization generated in the nitride semiconductor and a resonance tunnel effect by an AIN/GaN multiplex barrier layer, and the AIN/GaN multiplex barrier layer and a GaN surface layer of dozens of nanometers are formed on the n-type GaN, and a surface electrode for electron extraction is fitted. - 特許庁

これらの作品群は、当時の日記や記録類にその斬新さを高く評価されており、現存していれば永徳の代表作となったであろうが、建物とともに障壁画も消滅してしまった。例文帳に追加

These works were highly acclaimed for their originality in the journals and records of the time, so they would be Eitoku's best works if they existed; however, these paintings were lost with the buildings.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

参拝の折など高貴の婦人の身を衆目から隠す障壁、荷物などを見苦しくないよう隠しておく目隠しなどとしてわりに広い用途に用いられた。例文帳に追加

The screens were also used in a wide range of applications such as to block public view on noble women when visiting shrines and to obscure unsightly baggage/stored items from view.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

我々は、世界需要の秩序あるリバランス、国内障壁の除去及び世界的な市場の効率的な機能発揮の促進を必要とする、安定した、持続可能な高成長を達成することに取り組む。例文帳に追加

We will work to achieve high, stable and sustainable growth, which will require orderly rebalancing in global demand, removal of domestic barriers and promotion of the efficient functioning of global markets.  - 財務省

送金については、我々は、送金コストを高めている障壁の低減及び送金サービスの公式の金融セクターへの統合に向けたイニシアティブに引き続き取り組む。例文帳に追加

We call on MDBs to accelerate the development of joint action plans with governments to improve investment climate and to scale up their support for small businesses with specific measurable results.  - 財務省

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。例文帳に追加

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer. - 特許庁

炭化珪素１３と電極１４との間に形成されるショットキー障壁の高さが低くなり、合金化熱処理を用いることなく、電極１４と炭化珪素１３との間にオーミックコンタクトが実現される。例文帳に追加

A Schottky barrier formed between the silicon carbide 13 and electrode 14 decreases in height and an ohmic contact is formed between the electrode 14 and silicon carbide 13 without using an alloying heat treatment. - 特許庁