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A.G.を含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2184



例文

Each of the electrodes 12 comprises a nickel alloy, containing at least one kind of element selected from among a first group comprising Ca, Sc, Ga, Ge, Ag, Rh and Ta in total, with a content of 0.001 mass% and higher and 3.0 mass% and lower.例文帳に追加

電極12は、Ca,Sc,Ga,Ge,Ag,Rh,及びTaからなる第1のグループから選ばれた少なくとも1種の元素を合計で0.001質量%以上3.0質量%以下含有し、残部がNi及び不純物からNi合金で構成する。 - 特許庁

Pure Sn, Sn-Bi, Sn-Ag, Sn-Zn or Sn-Cu may be electroplated, or a three-element alloy composed of any two elements among Bi, Ag, Zn and Cu and one element Sn may be electroplated.例文帳に追加

純Sn、Sn‐Bi、Sn‐Ag、Sn‐Zn又はSn‐Cuの何れかを電気鍍金してもよく、Bi、Ag、Zn又はCuの何れか二元素とSnとの三元素合金を電気鍍金してもよい。 - 特許庁

Additionally as a strength improving element, either 4 or less percent by mass in the total of Ag and/or Sb, or 0.5 or less percent by mass in the total of one or more type selected from among groups comprising Ni, Co, Fe, Mn, Cr and Mo, may be added.例文帳に追加

さらに強度改善元素として、Agおよび/またはSbを合計で4質量%以下、またはNi、Co、Fe、Mn、CrおよびMoからなる群から選んだ1種以上を合計で0.5 質量%以下、添加してもよい。 - 特許庁

Further, it may contain 0.005 to 1.0 mass% of one or more additive elements selected from Mg, Si, Cu, Zn, Ni, Mn, Ag, Cr and Zr, in percent by mass in total.例文帳に追加

更に、質量%で、Mg、Si、Cu、Zn、Ni、Mn、Ag、Cr、及びZrから選択される1種以上の添加元素を合計で0.005質量%以上1.0質量%以下含有してもよい。 - 特許庁

例文

The lead-free alloy for soldering has a composition containing, by weight, 0.2 to 2.5% silver (Ag), 0.1to 2.0% copper (Cu), 0.001 to 0.5% phosphorous (P) and 0.001 to 0.5% gallium (Ga), and the balance tin (Sn).例文帳に追加

銀(Ag)0.2〜2.5重量%と銅(Cu)0.1〜2.0重量%と燐(P)0.001〜0.5重量%とガリウム(Ga)0.001〜0.5重量%及び残りは錫(Sn)から組成された半田付け用無鉛合金として構成した。 - 特許庁


例文

To suppress the evaporation of an inner conductor that is exposed onto an end face in burning in a chip type ceramic electronic component where the inner conductor comprises Ag or those using Ag as a main constituent.例文帳に追加

内部導体がAgまたはAgを主成分とするものからなるチップ状のセラミック電子部品において、焼成時、端面に露出する内部導体が蒸発するのを抑制する。 - 特許庁

The Cu-Ag alloy wire has excellent wire drawability and flexibility since foreign matters causing disconnection in the base material are suppressed to the minimum, and has excellent tensile strength since Ag is comprised as an additional element.例文帳に追加

母材中の断線の原因となる異物を最小限に抑えているので、伸線性および屈曲性に優れ、Agを添加元素としているので、引張強度に優れる。 - 特許庁

A method of forming a rough surface on an object to be worked includes a step of forming a mask forming coat 10 made of Ag on a principal plane 8 of a semiconductor wafer 1 for forming the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

半導体発光素子を形成するための半導体ウエーハ(1)の主面(8)上にAgから成るマスク形成用被膜(10)を形成する。 - 特許庁

The method for assembling and inspecting the electronic component comprises a soldering step of soldering an Sn-Ag-Cu alloy not containing Pb in an inert atmosphere having an oxygen concentration of 10,000 ppm or less, and an inspecting step of determining non-defective or defective soldering.例文帳に追加

Pbを含まないSn-Ag-Cu系の合金のはんだ付けを10000ppm以下の酸素濃度を有する不活性雰囲気中で行うはんだ付けステップと、はんだ付けの良否判定を行う検査ステップとを有する。 - 特許庁

例文

This silver brazing filler metal has a composition essentially consisting of silver (Ag), copper (Cu), zinc (Zn), tin (Sn) and indium (In), comprising by weight, 52 to 54% Ag, 21 to 23% Cu, 10 to 13% Zn, 9 to 12% Sn and 1 to 5% In, and the balance inevitable impurities.例文帳に追加

この銀ろうは,銀(Ag),銅(Cu),亜鉛(Zn),錫(Sn),インジウム(In)を主成分とし,Ag:52〜54wt%,Cu:21〜23wt%,Zn:10〜13wt%,Sn:9〜12wt%,In:1〜5wt%を含み,さらに、残部の不可避不純物を含むことを特徴とする。 - 特許庁

例文

In the terminal, a surface layer composed of a quaternary alloy of Sn-Ag-Cu-In or Sn-Ag-Cu-Bi is formed on the whole face or a part of an electrically conductive substrate by electroplating.例文帳に追加

本発明の端子は、導電性基体上の全面または部分に、Sn−Ag−Cu−InまたはSn−Ag−Cu−Biからなる四元合金により構成される表面層を電気めっきにより形成したことを特徴としている。 - 特許庁

In the case the basic learning value AG [i] is changed (S101:YES), the multipoint learning value AGdp [n] is changed by the amount the same as the change amount ΔAG of the basic learning value AG [i] to the direction opposite thereto (S103).例文帳に追加

基本学習値AG[i]が変化したときに(S101:YES)、その変化方向と逆方向に基本学習値AG[i]の変化量ΔAGと等しい量だけ変化した値に多点学習値AGdp[n]を変更する(S103)。 - 特許庁

On the other hand, a conductor paste employed for the printing of the wiring pattern is an Ag base conductor paste, in which 0.005-0.050 wt.% of Rh is added to the 100 wt.% of Ag base conductor powder.例文帳に追加

また、配線パターンの印刷に用いる導体ペーストは、Ag系導体粉末:100重量%に対して、Rhを0.005〜0.050重量%添加したAg系導体ペーストを使用する。 - 特許庁

The support amts. of respective catalyst components are pref. set to 4.0 wt.%≤Ag≤10.0 wt.%, 0.5 wt.%≤P≤2.2 wt.% and 0.3 wt.%≤Fe≤3.0 wt.% when the sum total wt.% of zeolite and the catalyst components is set to 100 wt.%.例文帳に追加

各触媒成分の担持量は、ゼオライトと触媒成分の合計重量を100 重量%として4.0 重量%≦Ag≦10.0重量%、0.5 重量%≦P ≦2.2 重量%、及び0.3 重量%≦Fe≦3.0 重量%であるのが好ましい。 - 特許庁

The reflective film for an optical recording medium comprises an Ag alloy having a composition consisting of 10-1,000 ppm Ca and the balance Ag with inevitable impurities.例文帳に追加

Ca:10〜1000ppmを含有し、残部がAgおよび不可避不純物からなる組成のAg合金からなる光記録媒体用反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

The catalyst in which 0.1-10 g of Ag is supported on 120 g of a porous carrier, the catalyst in which a group 8 element of the periodic table is supported on an acidic carrier, or the catalyst comprising γ-Al2O3 rich in a solid acid is used.例文帳に追加

多孔質担体 120gあたりにAgを 0.1〜10g担持した触媒、酸性担体に周期表第8族元素を担持した触媒、あるいは固体酸を多く含むγ-Al_2O_3からなる触媒とした。 - 特許庁

The ordinary temperature NO_x adsorbent comprises a carrier comprising a specific oxide including an oxide of at least one element selected from Co, Fe, Cu, Ce and Mn; and at least one kind of carried metal selected from Cu, Co, Ag and Pd carried on the specific oxide.例文帳に追加

Co、Fe、Cu、Ce及びMnから選ばれる少なくとも一つの元素の酸化物を含む特定酸化物からなる担体と、特定酸化物に担持されたCu、Co、Ag及びPdから選ばれる少なくとも一種の担持金属と、からなる。 - 特許庁

The wear resistant trolley wire has a composition comprising, by mass, 0.2 to 0.5% Sn, and at least one kind selected from Ag, In, Sr, Ca and Mg by 0.0005 to 0.3% in total, and the balance Cu with inevitable impurities, and has a tensile strength of ≥430 N/mm^2.例文帳に追加

Snが0.2〜0.5質量%含有され、Ag、In、Sr、Ca、Mgから選択される少なくとも一種が総量で0.0005〜0.3質量%含有されて、残部がCuと不可避不純物で構成され、引張強さが430N/mm^2以上である。 - 特許庁

The material for the probe pin comprises Au, Ag, Pd and Cu, and has the concentration of Au of 40-55 wt.%, the concentration of Ag of 15-30 wt.%, and the total concentration of Pd and Cu of 15-40 wt.%.例文帳に追加

本発明は、Au、Ag、Pd、Cuからなり、Au濃度:40〜55重量%、Ag濃度:15〜30重量%、及び、PdとCuとの合計濃度:15〜40重量%であるプローブピン用の材料である。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.例文帳に追加

第1のハーフメタル強磁性体層13の下に、Cr/Ag層から成る下地層12を有し、第2のハーフメタル強磁性体層15の上に、Ag/Ru層から成る酸化防止層16を有している。 - 特許庁

When the Ag plating 1 and Cu plating 12 applied onto the seal ring body 10 are melted by heating the seal ring, an unmelted part is prevented from occurring in the Ag plating 14 and Cu plating 12.例文帳に追加

そして、シールリングを加熱して、シールリング本体10に施されたAgめっき14とCuめっき12とを溶融させた際に、そのAgめっき14とCuめっき12とに不溶融箇所が発生するのを防ぐ。 - 特許庁

Since this catalyst has the CO/HC-oxidative activity higher than that of the conventional catalyst obtained by depositing inexpensive Ag or a transition metal such as Fe, the emission control of exhaust gas is improved in a low temperature zone when an engine is started.例文帳に追加

安価なAg、あるいはFeなどの遷移金属を担持した従来の触媒に比べてCO及びHCの酸化活性が格段に高いので、始動時などの低温域におけるエミッションが向上する。 - 特許庁

To provide a cheaper solder alloy having a best soldering feature by improving the wettability of a Sn-Cu base lead-free solder alloy poorer than that of a Sn-Ag base lead-free solder alloy while better in cost effectiveness.例文帳に追加

Sn−Ag系鉛フリーはんだ合金に比べてコスト面で優位であるが、ぬれ性の悪いSn−Cu系鉛フリーはんだ合金のぬれ性を改善して、安価ではんだ付け性の良好なはんだ合金を提供する。 - 特許庁

In the reflection film laminated body, the surface of a substrate is provided with a pure Ag film or a Bi-containing Ag based alloy film as a first layer, and also, the surface of the first layer is provided with an Ag based alloy film comprising Bi and further comprising one or more kinds selected from Au, Pt, Pd and Rh as a second layer.例文帳に追加

本発明の反射膜積層体は、基体上に、第1層として、純Ag膜、またはBiを含むAg基合金膜を有し、かつ前記第1層上に、第2層として、BiとGeを含有し、さらにAu、Pt、Pd、Rhの1種以上を含有するAg基合金膜を有することを特徴とする。 - 特許庁

The reflector is formed on a base material, and has a metal oxide layer and a reflection layer consisting of Ag doped with an element having a smaller atomic radius than that of Ag from a side near the base material when seen from a base material side, wherein crystallite size calculated from diffraction peaks originating in Ag by X-ray diffraction measurement using Cu K-alpha beam of the reflector, is 2 to 23 nm.例文帳に追加

基材上に形成される反射体であり、該反射体は、基材側から見て基材に近い側から、金属酸化物層、Agに対して小さい原子半径を有する元素がドープされたAgからなる反射層、を有するものであり、該反射体のCuKα線を用いたX線回折測定により、Agに由来する回折ピークから算出される結晶子サイズが2〜23nmであることを特徴とする反謝体。 - 特許庁

Ag is employed as the internal electrode of a ceramic laminate comprising ceramic and glass containing Si wherein the ratio (A)/(B) between the Si element concentration (A) within the range of 5 μm from the Ag electrode and the Si element concentration (B) in the range separated by 5 μm or more from the Ag electrode is set at 2 or less.例文帳に追加

上記目的を達成するために、少なくともセラミックとSiを含有するガラスとから成るセラミック積層体の内部電極としてAgを使用しており、Ag電極からの距離が5μm以下の範囲におけるSi元素濃度(A)とAg電極からの距離が5μmより離れた範囲におけるSi元素濃度(B)の比である(A)/(B)が2以下としたものである。 - 特許庁

The sputtering target material of the Ag alloy comprises 0.1 to 0.7 atom% Si and 0.1 to 1.0 atom% Cu and/or Ge in total, as additional elements, and the balance Ag with unavoidable impurities; has a recrystallized structure dispersing a second phase containing the additional elements in the matrix mainly made of Ag; and has the Vickers hardness of 60 HV or lower.例文帳に追加

添加元素として、Siを0.1〜0.7原子%、Cuおよび/またはGeを合計で0.1〜1.0原子%含有し、残部不可避的不純物およびAgからなるスパッタリングターゲット材であって、Agを主体とする基地中に、添加元素を含む第二相が分散した再結晶組織を有し、ビッカース硬さが60HV以下であるAg合金スパッタリングターゲット材である。 - 特許庁

In the InGaN series semiconductor light emitting device having an Ag electrode 12, as the low dislocation semiconductor layer below10^7 [1/cm^2] or less of the dislocation density of the semiconductor layer 3 by the side of contact of the Ag electrode 12 at least, a short circuit is avoided as caused by the migration of the Ag generated along this dislocation.例文帳に追加

Ag電極12を有するInGaN系半導体発光装置であって、少なくともそのAg電極12のコンタクト側の半導体層3の転位密度が、1×10^7[1/cm^2]以下の低転位半導体層として、この転位にそって発生するAgのマイグレーションによる短絡を回避する。 - 特許庁

The Ag wiring board includes, on a substrate 11, circuit elements 12 made of a thin film having Ag as a conductor and a resin layer 13 provided at least between two circuit elements 12 adjacent to each other among the elements 12 and with different potentials, in which metal particles 13a with larger ionization inclination than Ag are dispersed in a base resin 13b.例文帳に追加

基板11上に、Agを導電体とする薄膜からなる回路要素12と、該回路要素12のうち隣接し異なる電位となる2つの回路要素12の間に少なくとも設けられAgよりもイオン化傾向の大きな金属粒子13aがベース樹脂13b中に分散された樹脂層13とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for an electronic component which uses a dielectric porcelain, wherein with Ag or Ag alloy used as an internal conductor, the variation in dielectric characteristics due to diffusion of Ag is very slight, while no depletion between the internal conductor and a dielectrics takes place and no drawing of the internal conductor occurs at an external connection conductor part.例文帳に追加

AgまたはAg合金を内部導体として使用しながらも、Agの拡散による誘電特性のバラツキが極めて少なく、かつ、内部導体と誘電体間の空隙の発生や、内部導体の外部接続導体部における引き込み発生のない誘電体磁器を用いた電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A method for producing a catalyst material used for combusting carbon is disclosed, wherein a delafossite-type AgAlO_2 containing an Ag compound is obtained by subjecting NaAlO_2 and Ag_2O to a hydrothermal treatment at150°C, and then the delafossite-type AgAlO_2 containing an Ag compound is cleaned for removing an excess amount of the Ag compound.例文帳に追加

炭素を燃焼するために用いられる触媒材料の製造方法であって、NaAlO_2とAg_2Oとを150℃以上で水熱処理して、Ag化合物を含有するデラフォサイト型AgAlO_2を得て、このAg化合物を含有するデラフォサイト型AgAlO_2を洗浄して過剰なAg化合物を除去する。 - 特許庁

An AG value set to an AG register 118 of an AGC circuit 114, which performs auto-gain (AG) control on analog image data photoelectric converted by a photoelectric converting section 44, and an AO value set to an AO register of an AOC circuit 116 for performing auto-offset (AO)control (AOC) are arithmetically operated during powering-off and stored in a nonvolatile memory 110.例文帳に追加

光電変換部44で光電変換されたアナログ画像データに対してオートゲインコントロールを行うAGC回路114のAGレジスタ118に設定されるAG値、及びオートオフセットコントロール行うAOC回路116のAOレジスタに設定されるAO値を、電源オフ時に演算して、不揮発性メモリ110に記憶する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory is provided with a plurality of memory cells respectively having three gates consisting of an assist gate AG formed on the main surface of a substrate 1, a floating gate FG formed on the assist gate AG through an insulation film 11, and a control gate CG formed through an insulation film 14 on one side wall of the floating gate FG and through the insulation film 11 on the assist gate AG.例文帳に追加

基板1の主面上に形成されたアシストゲートAGと、アシストゲートAG上に絶縁膜11を介して形成されたフローティングゲートFGと、フローティングゲートFGの一方の側壁側で絶縁膜14を介すると共に、アシストゲートAG上に絶縁膜11を介して形成されたコントロールゲートCGとの3つのゲートを有してなる複数のメモリセルを備える。 - 特許庁

To solve the problem of peel off between a crystal substrate and an Ni film, formed thereon and on an interface between the Ag film and Ni film, when a pad electrode formed by sequentially depositing the Ni film, Ag film, Ni film and Ag film on the surface of a crystal resonator and an outside connection electrode formed at the inner bottom face of the package of the oscillation element are jointed via an Au bump.例文帳に追加

水晶振動子表面にNi膜、Au膜、Ni膜、Ag膜の順に蒸着されて形成したパッド電極と、この振動子のパッケージ内底面に形成された外部接続電極とをAuバンプを介して接続すると、加熱、加圧、超音波印加によって、水晶基板とその上に蒸着されたNi膜、Ag膜とNi膜との界面において剥離が生じる。 - 特許庁

A dispersion liquid in which particles 2 comprising SnO_2 are dispersed is applied on a substrate 4 formed with a conductive layer 1 comprising Ag, and the particles 2 are adhered to a surface of the substrate 4 and heat-treated for depositing Ag constituting the conductive layer 1 from the particles 2 through the particles 2 to form a fiber 3 comprising Ag.例文帳に追加

Agからなる導電層1を形成した基体4上に、SnO_2からなる粒子2を分散させた分散液を塗布し、該粒子2を上記基体4表面に付着させ、加熱処理を施すことにより、導電層1を構成するAgを上記粒子2を介して該粒子2より析出させて、Agよりなるファイバー3を形成する。 - 特許庁

The desulfurization zeolite adsorbent containing Y-zeolite where Ag ion is exchanged of crystallinity of Y-zeolite where Ag ion is exchanged of 45 to 98%, if the crystallinity of Y-zeolite where Ag ion is not exchanged is assumed as 100 and the manufacturing method of the same, desulfurization method, desulfurization equipment, and fuel cell system are provided.例文帳に追加

本発明によれば,Agがイオン交換されているY−ゼオライトを含み,Agがイオン交換されているY−ゼオライトの結晶度が,イオン交換されていないY−ゼオライトの結晶度を100としたときの45〜98%である脱硫用ゼオライト吸着剤とその製造方法,脱硫方法,脱硫装置,および燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

To provide a light reflection film which has high reflectance almost equivalent to intrinsic high reflectance of Ag and which is used as a reflection electrode or a reflection plate of a liquid crystal display element by using an Ag base alloy preventing crystal grain growth and flocculation of Ag as far as possible.例文帳に追加

液晶表示素子の反射電極または反射板として用いられる光反射膜であって、Agの結晶粒の成長や凝集を可及的に防止できるAg基合金を見出すことにより、Ag本来の高い光反射率とほぼ同等の高い光反射率を備えた高性能の光反射膜を提供する。 - 特許庁

To solve problems wherein a current pass breaks off because continuity of oxide superconductive layer is damaged, and critical current density becomes smaller due to degradation of flatness by a concave by a crystal grain boundary on the surface of the Ag substrate, in an oxide superconductor tape filament in which the oxide superconductor is formed by means of CVD method on a crystal-oriented Ag or Ag alloy substrate.例文帳に追加

結晶配向したAg或いはAg合金基材上にCVD法によって酸化物超電導体を成膜する酸化物超電導体テープ線材において、前記Ag基材表面の結晶粒界による凹みによる平坦性の低下によって、酸化物超電導層の連続性が損なわれるために電流パスが途切れて、臨界電流密度が小さくなる問題を解決することにある。 - 特許庁

In addition, Sumitomo Metal Industries, Ltd. withdrew its activities from the city in 2002, and Bayer AG and Canon followed suite in 2004. 例文帳に追加

さらに、2002年には住友金属工業が、2004年にはバイエル薬品とキヤノンが学研都市から撤退した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Japan External Trade Organization (JETRO) exhibited Japanese fruits and processed agricultural products at the China AG Trade Fair. 例文帳に追加

日本貿易振興機構(ジェトロ)は,日本の果物や農産加工品を中国国際農産品交易会に出品した。 - 浜島書店 Catch a Wave

The ternary catalyst 34 on the downstream side can be protected against ozone by consuming ozone by the Ag catalyst 32 on the upstream side.例文帳に追加

また、上流側のAg触媒32でオゾンを消費することにより、下流側の三元触媒34をオゾンから保護することができる。 - 特許庁

The metal is, e.g. Ca, Ag, Na, K, Ba, Al, Zr, Zn or Mg.例文帳に追加

金属は、例えばカルシウム、銀、ナトリウム、カリウム、バリウム、アルミニウム、ジルコニウム、亜鉛、マグネシウムなどである。 - 特許庁

Thus, the CO flowing out of the NOx catalyst is surely purified by the synergistic effect of the ozone and Ag in the oxidation catalyst.例文帳に追加

これにより、オゾンと酸化触媒中のAgとの相乗効果によって、NOx触媒から流出するCOを確実に浄化することができる。 - 特許庁

This noble metal includes Pd, Au, rigid Au (containing Ni or Co as a hardener), Pt, Rh, Ru and Ag and their alloys.例文帳に追加

この貴金属は、Pd、Au、硬質Au(硬化剤としてNiまたはCoを含む)、Pt、Rh、Ru、Agおよびそれらの合金を含む。 - 特許庁

Flux containing an amine halogen salt and dicarboxylic acid is kneaded into a Sn-Ag-Bi-In alloy powder.例文帳に追加

Sn−Ag−Bi−In系合金粉末に、アミンハロゲン塩とジカルボン酸を含有するフラックスを混錬した。 - 特許庁

To provide a HC adsorption and combustion catalyst preventing Ag from transpirating and excellent in HC hold performance and oxidation activity, and its production process.例文帳に追加

Agの蒸散を防止し、HC保持能力および酸化活性に優れたHC吸着燃焼触媒およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Either one or a plurality of germanium (Ge), titanium oxide (TiO_2) and silver (Ag) may be added, if necessary.例文帳に追加

必要に応じて、ゲルマニウム(Ge)や酸化チタン(TiO2),銀(Ag)のいずれか1つまたは複数を追加する。 - 特許庁

Ag ion or Tl ion, for example, is used as the first monovalent ion for increasing the refractive index of the substrate.例文帳に追加

ここで基板の屈折率を増加させ得る第1の1価イオンとしては、例えばAgイオン又はTlイオンを用いる。 - 特許庁

The AG electrodes 4f for carbon electrode extraction are formed by printing narrower than the high dielectric substance 4d so as to be superposed on the carbon electrodes 4e.例文帳に追加

カーボン電極引出用AG電極4fは、高誘電体4dよりも狭く、かつ、カーボン電極4eに重畳すべく印刷する。 - 特許庁

例文

An electrode 1 is formed of silver (Ag), and an electrode 2 is formed of an oxidation-reduction reaction active substance, e.g. nickel (Ni).例文帳に追加

電極1は銀(Ag)、電極2は酸化還元反応活性物質,例えばニッケル(Ni)により形成されている。 - 特許庁

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