「After process」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a substrate processing method capable of reducing defects due to an adhesive layer that occur after carrying out steps such as a high-temperature process and a high-vacuum process.例文帳に追加

高温プロセスおよび高真空プロセスなどの工程を経た後に生じる接着剤層に起因する不具合を低減させた、基板の加工方法を提供する。 - 特許庁

A dehumidification process is performed after an expected sleep onset time t1, and a humidification process is started at a predetermined time ΔT21 earlier than an expected arousal time t2.例文帳に追加

入眠予定時刻ｔ１以降において除湿処理を行い、覚醒予定時刻ｔ２よりも所定時間ΔＴ２１前の時刻から加湿処理を開始する。 - 特許庁

After that, a position in a horizontal direction of the lower wafer and the upper wafer is adjusted (process S8), and then the lower wafer and the upper wafer are disposed mutually against, at a prescribed interval (process S9).例文帳に追加

その後、下ウェハと上ウェハの水平方向の位置を調節した後（工程Ｓ８）、下ウェハと上ウェハとを所定の間隔で対向配置する（工程Ｓ９）。 - 特許庁

In a sintering process which is carried out after the laser beam machining process, the unsintered ceramic moldings 41-43 and the unsintered conductor 49 are heated/sintered simultaneously.例文帳に追加

レーザ加工工程の後に行われる焼成工程では、未焼結セラミック成形体４１〜４３及び未焼結導体４９を同時に加熱して焼結させる。 - 特許庁

In the rinsing course database, the rinsing course wherein the performance time of the rinsing process to be performed after a heat rinsing process is longer as the measured temperature of the washing water is higher is recorded.例文帳に追加

すすぎコースデータベースには、洗浄水の測定温度が高いほど加熱すすぎ工程後に実行するすすぎ工程の実行時間が長いすすぎコースが記録されている。 - 特許庁

In a sintering process after the laser processing process, the green ceramic shaped bodies 31, 32, 33 and the non-sintered conductor portion 37 are simultaneously heated and sintered.例文帳に追加

レーザ加工工程の後に行われる焼成工程では、未焼結セラミック成形体３１，３２，３３及び未焼結導体部３７を同時に加熱して焼結させる。 - 特許庁

As an insoluble film, the main component of which is copper oxide, is formed on the surface of the external layer pattern in this process, and soft etching is performed immediately after the process to remove the film (#6).例文帳に追加

このとき外層パターンの表面に酸化銅を主成分とする難溶性の皮膜が形成されるので，その直後にソフトエッチングを行い，その皮膜を除去する（＃６）。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition which is free from the occurrence of peeling or cracking after a reflow process in a packaging process and to provide an electronic component device provided with an elemental component sealed by the epoxy resin composition.例文帳に追加

パッケージでのリフロー工程後に剥離、及びクラックを発生させないエポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。 - 特許庁

When there is the unprocessed correction amount (S6; Yes) because a correction process is not performed after the lapse of the present correction amount calculation timing, the correction process is performed (S7).例文帳に追加

今回の補正量演算タイミング経過後に補正処理を実行していないため、未処理の補正量がある場合（Ｓ６；Ｙｅｓ）、補正処理を実行する（Ｓ７）。 - 特許庁

To provide a design and a manufacturing technology of a semiconductor device capable of optimizing the design and process of each product to materialize a flatness after a CMP process.例文帳に追加

製品毎に設計及びプロセスを最適化して、ＣＭＰ加工後の平坦化を実現することができる半導体デバイスの設計及び製造技術を提供する。 - 特許庁

To prevent defect occurrences in electrical connection at a connection process and after the connection process between a bump of a semiconductor chip and the conductive pattern of a substrate.例文帳に追加

半導体チップのバンプと基板の導電パターンとの接続過程および接続後における電気的接続の不良の発生を防止し、電気的接続の信頼性を高める。 - 特許庁

The surface of a silicon substrate 20 is oxidized after a nitrogen annealing process is carried out, and the surface region of the silicon substrate 20 trapping nitrogen 24 in an annealing process is taken in a pad oxide film 22'.例文帳に追加

窒素アニール後、シリコン基板２０の表面を酸化し、アニール時に窒素２４をトラップしたシリコン基板２０表面領域をパッド酸化膜２２’内に取り込む。 - 特許庁

After the electrode exposing process and the cleaning process are performed, the first and second substrates S1 and S2 are cut at prescribed positions to be divided into plural liquid crystal-display elements.例文帳に追加

これら電極露出工程及び洗浄工程を行った後、第１及び第２基板Ｓ１、Ｓ２を所定位置でカットして、複数の液晶表示素子に分割する。 - 特許庁

To efficiently design a dummy pattern to be formed on a wiring layer for eliminating the surface step of polished surfaces after a chemical mechanical polishing(CMP) process in a production process of semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造過程でＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）工程後の研磨面の表面段差を解消するために配線層に形成するダミーパターンを効率よく設計する。 - 特許庁

To provide a process paper for wet production of a synthetic leather, having excellent embossability, and maintaining the emboss shape even after being repeatedly used in the wet production process of the synthetic leather.例文帳に追加

エンボス適性に優れ、かつ湿式合成皮革製造工程で繰り返し使われてもエンボス形状を維持する、湿式合成皮革製造用工程紙を提供する。 - 特許庁

To easily measure process dispersion in a chip with a small area, and to monitor process dispersion in the chip after packaging.例文帳に追加

半導体集積回路の微細化が進むにつれて半導体チップのプロセスばらつきが大きくなり、その結果、プロセス管理幅をはずれ、歩留まりが低下する課題が発生している。 - 特許庁

The distortion rate, for example, is indicated as (1-H/H_0)×100%, where H_0 is the height of the flat pipe before the low strain process and H is the height of the flat pipe after the low strain process.例文帳に追加

歪み率は、例えば、低歪み加工前の扁平管の高さをＨ_０、低歪み加工後の扁平管の高さをＨとして、（１−Ｈ／Ｈ_０）＊１００％で示される。 - 特許庁

When the process cartridge 3 is further moved in the attached direction after the release from the prevented state, the process cartridge 3 comes into abutment on abutment portions 72 and 73 provided on a body frame 62.例文帳に追加

阻止状態の解除後、プロセスカートリッジ３が装着方向にさらに移動されると、プロセスカートリッジ３が本体フレーム６２に設けられた当接部７２，７３に当接する。 - 特許庁

When it is judged that the last process of updating the firmware has been interrupted in the middle of process, whole of the image data of the firmware after the last update is obtained via the network and it is used to update the firmware.例文帳に追加

ファームウェアを更新する処理が前回途中で中断したと判定した場合は、ファームウェアの更新後イメージデータを全てネットワーク経由で取得し更新する。 - 特許庁

To provide a tape manufacturing management method capable of accurately specifying a defective fault position measured during a process before a cutting process to the tape after cutting.例文帳に追加

裁断工程の前工程で測定された欠陥故障の位置を、裁断後のテープに対して正確に指定することのできるテープ製造管理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which a finish-process such as machining process after centrifugal casting is facilitated and consequently the manufacturing efficiency of an ring-shaped workpiece can be improved.例文帳に追加

遠心鋳造後に行なう切削加工等の仕上げ工程を容易化し、もってリング状ワークの製造効率を高めることが可能な製造方法を提供する。 - 特許庁

When mixed liquid having uniform concentration is obtained, the whole mixed liquid is not required to be used but part of the mixed liquid may be extracted and used in a post-process after the mixing process.例文帳に追加

均一な濃度を有する混合液が得られれば、混合工程後の後工程には、混合液全てを用いなくてもその一部を抽出して用いればよい。 - 特許庁

A method of treating water contaminated by a radioactive substance comprises an electrolysis process in which water contaminated by a radioactive substance is electrolyzed and converted and a separation process in which the converted radioactive substance after the electrolysis is removed.例文帳に追加

放射性物質汚染水を電気分解して変成する電解工程と、電解後に変成した放射性物質を除去する分離工程とを有する。 - 特許庁

In a cleaning process, the inner surface of the high-purity gas-filled vessel is cleaned without performing the pressure test with respect to the high-purity gas-filled vessel after the grinding process.例文帳に追加

洗浄工程では、研削工程の後、高純度ガス充填容器に対する耐圧試験を行うことなく高純度ガス充填容器の内表面を洗浄する。 - 特許庁

In a process a2, after a transferring ACF is pressure-adhered to an adherend, in a process a3, the TCP connection terminals on which the ACF adheres the pressure-adhered to the adherend.例文帳に追加

工程ａ２で被着体とを転写用ＡＣＦを圧着した後、工程ａ３でＡＣＦが付着したＴＣＰの接続端子部を被着体に圧着する。 - 特許庁

The apparatus has a function (process variation correction) of correcting a shift of gradation characteristics caused by process variation, the shift occurring after the generation of the screen set.例文帳に追加

画像形成装置は、スクリーンセットを生成後に生じる、プロセス変動に起因する階調特性のずれを補正するための機能（プロセス変動補正）を有している。 - 特許庁

The device driver performs a process for hooking the OS end at the request and after the downloaded boot image file, etc., is loaded to a main memory, the process is interrupted (144 to 148).例文帳に追加

デバイスドライバは、要求に応じてＯＳ終了をフックする処理を行い、ダウンロードしたブートイメージファイル等をメインメモリにロードした後に処理を中断する(144〜148)。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shaft for a golf club that helps omit an abrasion process after hardening and a painting process, and can efficiently manufacture a golf club shaft having a good appearance.例文帳に追加

硬化成形後の研摩工程並びに、塗装工程を省略でき、しかも外観品質に優れたゴルフクラブ用シャフトを効率的に製造できる方法を提供する。 - 特許庁

This method is provided with a process of coating fluororesin 5 on an inner surface of a metal pipe 3, and a process of providing bellows work to the pipe after the inner surface is coated with fluororesin.例文帳に追加

金属製の管３の内面にフッ素樹脂５をコーティングする工程と、内面にフッ素樹脂がコーティングされた管に対してベローズ加工を施す工程とを備える。 - 特許庁

Chikuwabu is produced by a process of preparing a dough by adding water to the grain powder composition and then mixing, and a process of steam-treating after molding the prepared dough.例文帳に追加

該ちくわぶ用穀粉組成物に加水し、ミキシングして生地を得る工程、および、得られた生地を成型して蒸し処理する工程を経ることにより、ちくわぶを製造する。 - 特許庁

To eliminate a thermal deflection correcting process and a flushing process of a flange part after fitting a pipe by improving the structure for fitting a suction and exhaust pipe to a head side flange part.例文帳に追加

ヘッド側フランジ部に対する吸排気管の取り付け構造を改良して、パイプ取り付け後にフランジ部の熱歪み是正工程や洗浄工程を施すことを不要とする。 - 特許庁

In a drying process, the inner surface of the high-purity gas-filled vessel is dried without performing the pressure test with respect to the high-purity gas-filled vessel after the cleaning process.例文帳に追加

乾燥工程では、洗浄工程の後、高純度ガス充填容器に対する耐圧試験を行うことなく、高純度ガス充填容器の内表面を乾燥させる。 - 特許庁

After the cleaning process, the semiconductor wafer is subjected to a thermal process so that gate oxide films 10 and 12 which has been degraded by electrostatic discharge at pure water rinsing are restored.例文帳に追加

洗浄処理後、半導体ウェハに対して熱処理を施して、純水リンスの際の静電破壊によって劣化したゲート酸化膜１０,１２を回復させる。 - 特許庁

After the removing process of the heterogeneous substrate, a process which separates the nitride semiconductor layer so that an exposed surface of the nitride semiconductor layer is made in a chip-shape by etching is provided.例文帳に追加

前記異種基板の除去工程後、窒化物半導体層の露出表面をエッチングによりチップ状に窒化物半導体層を分離する工程を備える。 - 特許庁

A process to thin a film thickness of the field oxide film 2 is performed in an area including a position for the contact hole 8 formed after the process to form the field oxide film 2.例文帳に追加

フィールド酸化膜２を形成する工程の後に、コンタクトホール８が形成される位置を含む領域において、フィールド酸化膜２の膜厚を薄くする工程を行う。 - 特許庁

After a process of forming a first i-type semiconductor layer or a process of forming a second i-type semiconductor layer, hydrogen radical treatment without using ion is performed.例文帳に追加

第１のｉ型半導体層を形成する工程または第２のｉ型半導体層を形成する工程の後に、イオンを用いない水素ラジカル処理を施す。 - 特許庁

In a separation process, a gas-liquid mixture after the ammonia gasification process is separated into a gas component containing gasified ammonia and fuel gas, and a liquid component with ammonia removed therefrom.例文帳に追加

分離工程では、アンモニアガス化工程後の気液混合物を、ガス化したアンモニアと燃料ガスとを含有する気体成分と、アンモニアが除去された液体成分とに分離する。 - 特許庁

The plutonium fluoride volatilizing in fluorination process is recovered together with a stabilization agent, and after passing an oxidation conversion process 8, recovered as a mixed oxide of uranium and plutonium.例文帳に追加

フッ化において揮発するプルトニウムフッ化物を固定化剤と共に回収し、酸化転換工程８を経てウランおよびプルトニウムの混合酸化物９として回収する。 - 特許庁

After an annealing processing process, the vibrating plate 40, diffusion prevention layer 41, lower electrode 42, and piezoelectric layer 43 are naturally cooled down to a temperature before the annealing processing process.例文帳に追加

そして、アニール処理工程後に、振動板４０、拡散防止層４１、下部電極４２及び圧電層４３を自然冷却してアニール処理工程前の温度にする。 - 特許庁

In manufacturing the tableware A, the process of applying the coating agent to the tableware constituting the body part 5 and naturally drying the tableware is repeated a plurality of times, and after that, the baking process is performed.例文帳に追加

食器Ａの製造に当たっては、本体部５を構成する食器にコーティング剤を塗布して自然乾燥させる工程を複数回行い、その後、焼成を行う。 - 特許庁

Preferably, an atmosphere replacement process for filling the inside of the inspection container with inert gas after depressurizing once preliminarily the inside of the inspection container is performed before the depressurization process.例文帳に追加

減圧工程の前には、一旦予備的に上記検査容器内を減圧した後に不活性ガスを充満させる雰囲気置換工程を行うことが好ましい。 - 特許庁

In a drying process after the development and rinsing of the photoresist, initial overshooting (first drying process) for rotating the semiconductor substrate at a rotational frequency of 250-500rpm is performed.例文帳に追加

フォトレジスト現像、リンス後の乾燥工程において、２５０−５００ｒｐｍの回転数で半導体基板を回転させる初期振り切り（第１の乾燥工程）を実施する。 - 特許庁

Furthermore, it is preferable that the method includes a process for performing isotropic etching with respect to the inner wall of the trench when the metallic film is removed after the process for forming the trench.例文帳に追加

さらに、前記のトレンチを形成する工程の後に、前記金属膜を除去した後、前記トレンチの内壁を等方性エッチングする工程を有することが望ましい。 - 特許庁

To obtain excellently a carburized layer in the inner wall of a center hole by more simple process in manufacturing a gear having a center hole through a forging process after carburization treatment.例文帳に追加

浸炭処理後に鍛造工程を経てセンタ穴を有する歯車を製造する場合に、より簡単な工程でセンタ穴の内壁部における浸炭層を良好に得る。 - 特許庁

To provide a residue removing liquid capable of effectively removing residue after a dry process in a process for manufacturing a semiconductor device containing NiSi (nickel silicide).例文帳に追加

本発明は、NiSi(ニッケルシリサイド)を有する半導体デバイスの製造プロセスにおいて、ドライプロセス後の残渣を効果的に除去することが可能な残渣除去液を提供する。 - 特許庁