「D layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.例文帳に追加

第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁

The waterproof sheet material has a synthetic resin layer 11 (a) containing a water repellent and an acrylic resin, a base layer 12 (b) with an acrylic resin impregnated, a modified asphalt compound layer 13 (c) and a release layer 14 (d) laminated in the order of (a), (b), (c) and (d).例文帳に追加

撥水剤と、アクリル系樹脂とを含む合成樹脂層（ａ）１１と、アクリル系樹脂を含浸させた基材層（ｂ）１２と、改質アスファルトコンパウンド層（ｃ）１３と、剥離層（ｄ）１４とが、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順に積層されている防水シート材である。 - 特許庁

This laminate is structured of a core (A) and a fibrous layer (B) which is arranged on both sides of the core (A) and impregnated with a polyurethane resin (P), an outer layer (C) of a Class A surface quality, and a decorative layer (D) arranged on a second fibrous layer as desired.例文帳に追加

コアA）、このコアA）の両面に配置しかつポリウレタン樹脂（P）を含浸させた繊維層B）、これら繊維層B）の１つの層に配置した、クラスＡの表面品質の外層C）、および所望により第２の繊維層に配置した装飾層D）を含んでなる積層品。 - 特許庁

In particular, a small-diameter wire in which the circumscribed circular diameter (D) of the insulation layer is 1 mm or shorter is preferably adopted as the insulation wire.例文帳に追加

特に、絶縁層の外接円径（Ｄ）が１ｍｍ以下の細径電線にすると良い。 - 特許庁

The optical storage medium D has the substrate 1, having the hard coat layer 1H formed on the other surface thereof.例文帳に追加

光記録媒体Ｄは、一方の面にハードコート層１Ｈが形成された基板１を有する。 - 特許庁

The layer 30 made of the fiber preferably satisfies a general expression (I) of (t/d)×a≤0.95.例文帳に追加

上記繊維より構成される層３０は、下記一般式（Ｉ）の関係を満たすことが好ましい。 - 特許庁

A via hole 6v which reaches the etching stopper film 6es is formed at the insulating layer 6 ((D)step).例文帳に追加

絶縁層６に、エッチングストッパ膜６ｅｓに達するビアホール６ｖが形成される（（Ｄ）工程）。 - 特許庁

(d) Latent images of letters constituting the letter string B are formed in the photoresist layer using the second photomask.例文帳に追加

（ｄ）第２フォトマスクを用い、文字列Ｂを構成する文字の潜像をフォトレジスト層に形成する。 - 特許庁

An electrode D is fixed to the electrode C with an insulating layer 204 interposed with the electrode C.例文帳に追加

電極Ｄは、電極Ｃとの間に絶縁層２０４を挟んで電極Ｃに固定されている。 - 特許庁

An electrode A is opposed to the electrode D with an insulating layer 209 interposed with the electrode B.例文帳に追加

電極Ａは、電極Ｂとの間に絶縁層２０９を挟み、電極Ｄと対向している。 - 特許庁

A thin layer of the liquid developer D is formed on the surface of a coating roller 404 of the coating device.例文帳に追加

塗布装置４０の塗布ローラ４０４の表面に、液体現像剤Ｄの薄層を形成する。 - 特許庁

A first substrate layer A of a polypropylene resin, an adhesive layer (d), a second substrate layer B of a crystalline polyethylene terephthalate resin, an adhesive layer (e), and a gas-barrier sealant layer C having a single layer or multiple layers are laminated in turn.例文帳に追加

ポリプロピレン樹脂による第１基材層Ａと、接着層ｄと、非晶性ポリエチレンテレフタレート樹脂による第２基材層Ｂと、接着層ｅと、単層構成又は多層構成のガスバリア性のあるシーラント層Ｃとをこの順に積層した。 - 特許庁

In the lid material having a base material layer 11, an aluminum foil layer 12 and a sealant layer 14, a buffer layer 13 comprising an ethylene-methacrylic acid copolymer with Shore D hardness of 50 or more is disposed between the aluminum foil layer 12 and sealant layer 14.例文帳に追加

基材層１１とアルミ箔層１２とシーラント層１４とを有する蓋材において、アルミ箔層１２とシーラント層１４との間に、ショアＤ硬度が５０以上のエチレン−メタクリル酸共重合体からなる緩衝層１３を配置する。 - 特許庁

The solar cell is configured by a pin structure, includes a quantum dot D having a three-dimensional quantum closing action in the i layer 3 of the photodetecting layer so that the energy band structure of the quantum dot D and the barrier layer surrounding it form a type II.例文帳に追加

ｐｉｎ構造で構成され、光検知層であるｉ層３に３次元量子閉じ込め作用をもつ量子ドットＤを含み、量子ドットＤ及びそれを囲むバリア層のエネルギ・バンド構造がｔｙｐｅ II を成している。 - 特許庁

Subsequently, the sacrifice layer 2 which is a silicon oxide layer, a silicon layer 3, an insulating layer 4 which is a silicon oxide layer and a silicon layer 5 are sequentially formed, a high carrier region is formed in the silicon layer 5, and a high carrier region 5a of a region to form a diaphragm D is insulated and separated from the other regions (a).例文帳に追加

次に酸化シリコン層である犠牲層２、シリコン層３、酸化シリコン層である絶縁層４、シリコン層５を順次形成し、シリコン層５には高キャリア領域を形成し、ダイヤフラムＤを形成すべき領域の高キャリア領域５ａは他の領域と絶縁分離する（ａ）。 - 特許庁

Especially, the buried layer 2 is grown also inside a concave portion D of the growth barrier layer 1, and hence crystal dislocation inside the buried layer 2 is reduced by the lateral growth inside the concave portion.例文帳に追加

特に、埋め込み層２は、成長障壁層１の凹部Ｄ内にも成長するため、凹部内横方向成長によって、埋め込み層２内の結晶転位が低減する。 - 特許庁

Meanwhile, most of the thickness d in the liquid crystal layer 19 in a display area S is equal to the thickness between a first electrode layer 14 and a second electrode layer 16.例文帳に追加

一方、表示領域Ｓにおいては、液晶層１９の厚みｄの大部分は第１電極層１４と第２電極層１６との間の厚みとなる。 - 特許庁

The fifth layer 5 is a high refractive index layer having a refractive index higher than that of the middle refractive index layer in the range of 1.70 to 2.50 at the d line for example.例文帳に追加

第５の層５は、例えばｄ線に対して１．７０以上２．５０以下の範囲において中間屈折率層よりも高い屈折率を示す高屈折率層である。 - 特許庁

The distance D between the surface of the protective cover on the side of the scintillator panel and the surface of a substrate in which a fluorescent layer is formed is 0.2 mm≤D≤2.0 mm.例文帳に追加

保護カバーのシンチレータパネル側の面から基板の蛍光体層が形成された面までの距離Ｄが、０．２ｍｍ≦Ｄ≦２．０ｍｍである。 - 特許庁

Also, the minimum thickness d of its current blocking layer is determined based on the relation between the minimum thickness d and the IL characteristic of its laser beam.例文帳に追加

また電流阻止層の最小電流阻止層厚は、最小電流阻止層厚ｄとレーザ光のＩＬ特性の関係に基づいて決定する。 - 特許庁

This golf ball includes a solid core having PGA compression of ≤55 and an outer cover layer having a Shore D hardness of at least 60 and has the PGA compression of ≤80.例文帳に追加

55以下のPGA圧縮をもつソリッドコア、および少なくとも60のショアーD硬度をもつ外側カバー層を含んでなり、80以下のPGA圧縮をもつゴルフボール。 - 特許庁

The conductor width D of a wiring 111 in the pattern 11 has a relationship of 1≤D/T1≤1.5 with respect to the thickness T2 of the layer 21.例文帳に追加

外部導体パターン１１における線状部１１１の線幅Ｄは，最上絶縁層の厚みＴ_１との間に，１≦Ｄ／Ｔ_１≦１．５の関係をもつ。 - 特許庁

(E) After the process (D), the first layer 20D is joined to the second layer 20U by melting joint or positive-electrode joint by heating.例文帳に追加

（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 - 特許庁

The first mixture layer and the second mixture layer are then compressively molded in their thickness direction by a press machine 14 as shown in (d).例文帳に追加

次いで、（ｄ）に示すように、プレス機１４で第一混合体層及び前記第二混合体層の厚さ方向を圧縮成形する。 - 特許庁

(D) A metal layer is formed on the semiconductor film and/or the support to join the semiconductor film with the support via the metal layer.例文帳に追加

（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。 - 特許庁

The order of the poor adhesion ink layer D and the pressure sensitive layer C can be reversed so that the extension part can have a function of the covering sheet.例文帳に追加

難接着性インキ層と粘着剤層の層順を逆にして、拡張部位に隠蔽シール機能を持たせることもできる。 - 特許庁

The impervious sheet I is laid so that the slide prevention layer D is on the levee soil 60 side and a rigid block body 18 is laid on the slide prevention layer.例文帳に追加

遮水シートＩを、滑動防止層Ｄが堤土６０側となるように敷設し、その上に硬性ブロック体１８を敷設する。 - 特許庁

If a refractive index of the hemispherical lens 5 is N1, a radius is r, the refractive index of the optical coupling layer 1 is N2, a thickness is d, a distance D from the apex of the hemisphere face of the hemispherical lens 5 to the flat surface is D=r-d×N1/N2.例文帳に追加

半球状レンズ５の屈折率をＮ１、半径をｒとし、光結合層１の屈折率をＮ２、厚さをｄとすると、半球状レンズ５の半球面の頂部から平坦面までの距離Ｄが、Ｄ＝ｒ−ｄ×Ｎ１／Ｎ２である。 - 特許庁

The photoelectric transfer element 1 comprises an electrode 3, an electron transport layer 4, a colorant layer D, an electrolyte layer 5, an electrode 6, and a jointing film 7, which joints the electrode 3 and the electron transporting layer 4.例文帳に追加

光電変換素子１は、電極３と、電子輸送層４と、色素層Ｄと、電解質層５と、電極６と、電極３と電子輸送層４とを接合する接合膜７とを有する。 - 特許庁

A first insulation layer 28 is formed, a resist layer 32 is formed, the insulation layer 28 is etched through an opening 36, the first thickness 42 of the insulation layer is removed, and an S/D opening 40 is formed.例文帳に追加

第一絶縁層２８を形成し、レジスト層３２を形成し、開口部３６を通じて絶縁層２８をエッチングし、絶縁層の第一厚さ４２を除去し、Ｓ／Ｄ開口部４０を形成する。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

The center part D of the layer 31 is non-antiferromagnetic and the magnetization of the center part D of the layer 28 is simply magnetized in a moderately weak level allowing magnetization to be inverted from an external magnetic field.例文帳に追加

前記第２反強磁性層３１の中央部Ｄは非反強磁性であり、前記フリー磁性層２８の中央部Ｄの磁化は外部磁界に対し磁化反転可能な程度に弱く単磁区化される。 - 特許庁

Thereafter, the liquid crystal is oriented by heating the cholesteric layer 13 ((d)) and subsequently the cholesteric layer 13 is three-dimensionally cross-linked and hardened by being irradiated with ultraviolet rays with wavelengths inactive to the optically active group ((e)).例文帳に追加

その後、コレステリック層１３を加熱して液晶を配向させた後（(d)）、光学活性基が活性を示さない波長の紫外線を照射し、コレステリック層１３を３次元架橋して硬化させる（(e)）。 - 特許庁

When the sum total of the thickness of the second substrate 6 and the light absorption layer 12 is defined as D μm, the square average root surface roughness of the light absorption layer 12 is set to be about ≤D/100 μm.例文帳に追加

第２の基板６と光吸収層１２との厚みの和をＤμｍとしたとき、光吸収層１２の自乗平均平方根表面粗さを約Ｄ／１００μｍ以下に設定する。 - 特許庁

The terminal of the USB connector 2 and the terminal of the DSB3 mounted on the surface layer are electrically connected to the signal lines D+ and D- formed in the intermediate layer by a through-hole.例文帳に追加

表面層に取り付けられているＵＳＢコネクタ２の端子、およびＤＳＢ３の端子は、スルーホールにより、中間層に形成されている信号線Ｄ＋、Ｄ−に電気的に接続されている。 - 特許庁

Thus, developer D condensed in a lower layer near the surface of the development roll 20 is loosened by brushing the developer D and a developer layer having uniform developability is formed on the development roll 20.例文帳に追加

これにより、現像ロール２０の表面近傍の下層で凝集した現像剤Ｄを穂立ちさせることでほぐし、均一な現像性を有する現像剤層を現像ロール２０上に形成できる。 - 特許庁

This bending tape consists of a first film layer (a) and a second film layer (c) with an adhesive layer (b) in between: the second film layer is surfaced with a metal layer (d), and the first film layer (a) and the adhesive layer (b) can easily be released integrally from the rear of the second film layer (c).例文帳に追加

第１のフィルム層（ａ）と、接着剤層（ｂ）を介して第２のフィルム層（ｃ）からなり、第２のフィルム層表面に金属層（ｄ）が形成され、第１のフィルム層（ａ）と接着剤層（ｂ）が一体化して第２のフィルム層（ｃ）の裏面から容易に剥離して分離できることを特徴とするフレキシブルテープである。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has: a first electrode; a second electrode arranged facing the first electrode; an electron transport layer (substrate) 40 positioned between the electrodes; a photoelectric conversion layer D contacting the electron transport layer 40; and a positive hole transport layer positioned between the electron transport layer 40 and the second electrode and contacting with the photoelectric conversion layer D.例文帳に追加

本発明の光電変換素子は、第１の電極と、第１の電極と対向して設置された第２の電極と、これらの間に位置する電子輸送層（基体）４０と、電子輸送層４０と接触する光電変換層Ｄと、電子輸送層４０と第２の電極との間に位置し、光電変換層Ｄに接触する正孔輸送層とを有している。 - 特許庁

In this tag, a thermoplastic resin film layer A is provided through an adhesive layer D on at least one side of an IC circuit layer B or an IC circuit protective layer V including an IC circuit layer B, and they are laminated and stuck to each other.例文帳に追加

ＩＣ回路層（Ｂ）またはＩＣ回路層（Ｂ）を含むＩＣ回路保護層（Ｃ）の少なくとも片面に接着剤層（Ｄ）を介して熱可塑性樹脂フィルム層（Ａ）を設け、積層貼合されることを特徴とするタグ。 - 特許庁

This IC label comprises a thermoplastic resin film layer A laminated and stuck to at least one side of an IC circuit layer B or an IC circuit protective layer C containing the IC circuit layer B via an adhesive layer D.例文帳に追加

ＩＣ回路層（Ｂ）またはＩＣ回路層（Ｂ）を含むＩＣ回路保護層（Ｃ）の少なくとも片面に接着剤層（Ｄ）を介して熱可塑性樹脂フィルム層（Ａ）を設け、積層貼合されることを特徴とするＩＣラベル。 - 特許庁

The radiowave absorber is constituted by laminating at least one resistance film layer 2, a spacer layer 3, a layer 4 containing an electric loss material, and a reflecting layer 5, the thickness of the layer containing the electric loss material being equal to or larger than d/8 to the overall thickness (d) of the radiowave absorber.例文帳に追加

少なくとも１層の抵抗膜層２、スペーサー層３、電気的損失材料を含有する層４及び反射層５を積層してなる電波吸収体であって、該電気的損失材料を含有する層の厚さが、電波吸収体の全体の厚さｄに対し、ｄ／８以上の電波吸収体である。 - 特許庁

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。 - 特許庁

The circuit substrate 3 is equipped with: a first resin layer 10a; and a first inorganic insulating layer 11a including a groove portion D penetrating the layer 11a in a thickness direction thereof, wherein a part of the resin layer 10a is in the groove portion D.例文帳に追加

本発明の一形態にかかる配線基板３は、上記課題を解決するため、第１樹脂層１０ａと、厚み方向に貫通する溝部Ｄを有する第１無機絶縁層１１ａと、を備え、第１樹脂層１０ａは、溝部Ｄ内に配置される部分を有する。 - 特許庁

Based on the viewpoint of the restriction on the hardness and the form of the rubber plates in the aforementioned spring structure, since the physical characteristics of the spring structure can be determined by way of specific factors including hardness, elastic modulus, the thickness of each rubber plate layer “t,” the ratio “D/t” (primary form ratio) between the thickness “t” and the diameter “D” of each rubber plate, and the ratio “D/h” (secondary form ratio) between the total thickness “h” and the diameter “D” of the rubber plates, after having conducted various experiments on trial samples, the inventors eventually discovered the practical extent of the factors above to which the aforementioned object could be achieved. 例文帳に追加

上記構成におけるゴム硬度並びに形状規制は、バネ構体の性質が、ゴムの硬度、弾性率、ゴム板一層の暑さt、ゴム板の厚さtと直径Dとの比D/t（一次形状率）、ゴム板の総厚hと直径Dとの比D/h（二次形状率）等によって決定されることに着目し、各種試作例に対する実験によって、上記目的が達成される範囲を調べた結果見出したものである。 - 特許庁

When the radius of the strand 12 in the outermost layer is set as r, the radius of the inner layer is set as d, and a natural number obtained by dividing 360° by 2θ (θ is sin^-1(r/d+r))is set as n, the number of the strands 12 disposed in the outermost layer is n-1.例文帳に追加

最外層の素線１２の半径をｒとし、内層の半径をｄとし、３６０°を２θ（θは、ｓｉｎ^−１（ｒ／ｄ＋ｒ））で割った自然数をｎとした場合、最外層に配置される素線１２の数はｎー１である。 - 特許庁