「D layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

and an expression (2):1.20≤N≤1.60, with N representing the refractive index of the antireflection layer and d representing the thickness (nm) of the antireflection layer.例文帳に追加

９２．５／Ｎ ≦ ｄ ≦ ２５０／Ｎ （１） １．２０ ≦ Ｎ ≦ １．６０ （２）（式中、Ｎは反射防止層の屈折率、ｄは反射防止層の厚み（ｎｍ）である。） - 特許庁

Next, the sapphire substrate 11, the InN layer 13, and the GaN layer 14 are separated in the process shown in Fig. 1 (d).例文帳に追加

次に、図１（ｄ）に示す工程で、サファイア基板１１と、ＩｎＮ層１３およびＧａＮ層１４とを分離する。 - 特許庁

The impervious sheet I is laid so that the slide prevention layer D is on the levee soil 60 side and a rigid block body 18 is laid on the slide prevention layer.例文帳に追加

遮水シートＩを、滑動防止層Ｄが堤土６０側となるように敷設し、その上に硬性ブロック体１８を敷設する。 - 特許庁

Within the display area A1 of a display D, a light-reflecting layer 11 that reflects light emitted from light emission layer 15 to the observation side is formed.例文帳に追加

表示体Ｄの表示領域Ａ1内には、発光層１５からの出射光を観察側に反射する光反射層１１が形成される。 - 特許庁

The standard layer thickness information 212b indicates the standard layer thickness d (X or Y) at the standard position X or Y.例文帳に追加

標準層厚情報２１２ｂは、標準位置（Ｘ、Ｙ）における標準層厚ｄ（Ｘ、Ｙ）を表す。 - 特許庁

(n.d)>(1/2.λ)...(1), wherein (n) is refractive index of a corresponding material layer and (d) is the mechanical thickness of the corresponding material layer.例文帳に追加

（ｎ・ｄ）＞（１／２・λ） ・・・（１） 但し、ｎ： 対応する物質層の屈折率 ｄ： 対応する物質層の機械的厚さ - 特許庁

The first mixture layer and the second mixture layer are then compressively molded in their thickness direction by a press machine 14 as shown in (d).例文帳に追加

次いで、（ｄ）に示すように、プレス機１４で第一混合体層及び前記第二混合体層の厚さ方向を圧縮成形する。 - 特許庁

The display device forms an optical reflection layer 11 reflecting emission light from a light emitting layer 15 in an observation side in a display region A1 of each display body D.例文帳に追加

各表示体Ｄの表示領域Ａ1内には、発光層１５からの出射光を観察側に反射する光反射層１１が形成される。 - 特許庁

The first layer 1 and the third layer 3 are low refractive index layers having a refractive index of 1.35 to 1.50 at d line for example.例文帳に追加

第１の層１および第３の層３は、例えばｄ線に対して１．３５以上１．５０以下の屈折率を示す低屈折率層である。 - 特許庁

Subsequently, the surface side of the N-type substrate 10 is planarized (FIG.2(d)) to make the P type epitaxial layer 12 be a P type layer 3.例文帳に追加

この後、Ｎ型基板１０の表面側を平坦化し（図２（ｄ））、Ｐ型エピタキシャル層１２をＰ型層３とする。 - 特許庁

(D) A metal layer is formed on the semiconductor film and/or the support to join the semiconductor film with the support via the metal layer.例文帳に追加

（ｄ）半導体膜上及び／または支持体上に金属層を形成し、金属層を介して半導体膜と支持体とを接合する。 - 特許庁

On an layer E lower than the layer D, a ground electrode 12 connected to the other end of the matching element 102 is formed.例文帳に追加

さらにＤ層よりも下層のＥ層には、整合素子１０２の他方端に接続するグランド電極１２を形成している。 - 特許庁

A dense layer D to be a silica coating layer is imparted to an outer surface of a pipe joint 20 to be the resin component.例文帳に追加

樹脂部品であるパイプ継ぎ手２０の外表面にシリカコーティング層である緻密層Ｄを施した。 - 特許庁

(E) After the process (D), the first layer 20D is joined to the second layer 20U by melting joint or positive-electrode joint by heating.例文帳に追加

（Ｅ）工程（Ｄ）の後、加熱による溶融接合または陽極接合により、第一の層２０Ｄと第二の層２０Ｕとを接合する。 - 特許庁

The sacrifice layer 2 which is the silicon oxide layer is etched to form a void V, and the diaphragm D is formed (c).例文帳に追加

酸化シリコン層である犠牲層２をエッチングして空隙Ｖを形成し、ダイヤフラムＤを形成する（ｃ）。 - 特許庁

A display device forms an optical reflection layer 11 reflecting emission light from a light emitting layer 15 in an observation side in a display region (A) of a display body D.例文帳に追加

表示体Ｄの表示領域Ａ内には、発光層１５からの出射光を観察側に反射する光反射層１１が形成される。 - 特許庁

This light emitting device D is provided with a luminescent layer 352 interlaid between a translucent reflecting layer 12 having translucent reflectivity and a light-reflecting second electrode 22.例文帳に追加

発光装置Ｄは、半透過反射性の半透過反射層１２と光反射性の第２電極２２との間に介在する発光層３５２を具備する。 - 特許庁

This base isolation building A is a three-storied dwelling house having a base insolation device D between the first layer and the second layer.例文帳に追加

免震建物Ａは第１層と第２層との間に免震装置Ｄを備えた３層の住宅である。 - 特許庁

The order of the poor adhesion ink layer D and the pressure sensitive layer C can be reversed so that the extension part can have a function of the covering sheet.例文帳に追加

難接着性インキ層と粘着剤層の層順を逆にして、拡張部位に隠蔽シール機能を持たせることもできる。 - 特許庁

(D) After the process (C), the second layer 20U is arranged at a position above a sensor on the top surface of the first layer 20D.例文帳に追加

（Ｄ）工程（Ｃ）の後に、第一の層２０Ｄ上面におけるセンサ部の上方となる位置に、第二の層２０Ｕを配設する。 - 特許庁

It is preferable that an adhesive layer (d) is laminated to the substrate (a) opposite side of the thermally peelable adhesive layer (b).例文帳に追加

熱剥離性粘着層（ｂ）の基材（ａ）の反対側の面に粘着層（ｄ）が積層されていることが好適である。 - 特許庁

The conductive layer is flattened and an S/D block 62 protruding on the stepped insulation layer is formed.例文帳に追加

導電層を平面状化し、階段形状絶縁層上に隆起したＳ／Ｄブロック６２を形成する。 - 特許庁

The well feature is etched until a well 31 has a thickness Dw that leaves a thin protective layer 32 of the dielectric layer 23 covering the support surface 22.例文帳に追加

ウェル31が支持面22を覆う誘電体層23の薄い保護層32を残す厚さD_Wを有するまでウェル形状をエッチングする。 - 特許庁

Further, a layer (C) comprising a water permeable material or a layer (D) comprising a waterproof material may be laminated.例文帳に追加

さらには、通水性を有する材料からなる層（Ｃ）や防水性を有する材料からなる層（Ｄ）を積層させてもよい。 - 特許庁

An adhesive tape 25 of which the adhesive layer is eliminated at the portion where the luminescent pattern is opposed to is pasted on the nearly whole surface of the organic film layer 13 (D).例文帳に追加

有機膜層１３上のほぼ全面に、発光パターンに対向する部分の粘着剤層を除去した粘着テープ２５を貼り付ける（Ｄ）。 - 特許庁

The line FL1 and the drain D of the transfer gate T5; the drain D of a P channel transistor T3 of the inverter, the line FL2, and the drain D of a transfer gate T6, are individually connected via lines SL1, SL2 laid as a second layer of line layer.例文帳に追加

配線ＦＬ１とトランスファゲートＴ５のドレインＤとの間と、インバータのＰチャネルトランジスタＴ３のドレインＤと配線ＦＬ２とトランスファゲートＴ６のドレインＤとの間とは、２層目の配線層として敷設された配線ＳＬ１、ＳＬ２を介してそれぞれ接続されている。 - 特許庁

Facsimile equipment checks whether or not a D channel frame is received by a D-channel transmission control part 23 in a waiting state, and when the D-channel frame is not received within a normal time, the facsimile equipment determines which state of the activation/inactivation of a layer 1 is detected by a layer 1 signal control part 24.例文帳に追加

ファクシミリ装置１は、待機中、Ｄチャネル伝送制御部２３がＤチャネルフレームを受信したかチェックし、Ｄチャネルフレームを規定時間内に受信しないと、レイヤ１信号制御部２４がレイヤ１の活性化／非活性化のいずれの状態を検出しているか判別する。 - 特許庁

The solid-state imaging apparatus 1A includes a diode (sensor) D made of an impurity diffusion layer formed on a surface layer of a semiconductor substrate 101 and an oxide insulating film 9A formed on the diode D and containing carbon.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面層に形成された不純物拡散層からなるダイオード（センサ）Ｄと、ダイオードＤ上に設けられた炭素を含有する酸化絶縁膜９Ａとを備えた固体撮像装置１Ａ。 - 特許庁

The thickness D_13 of the semiconductor region 13 is larger than a thickness D_InGaN of the InGaN layer 15, and the thickness D_InGaN of the InGaN layer 15 is 150 nm or more.例文帳に追加

半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_ＩｎＧａＮより大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_ＩｎＧａＮは１５０ｎｍ以上を有する。 - 特許庁

Thereafter, the liquid crystal is oriented by heating the cholesteric layer 13 ((d)) and subsequently the cholesteric layer 13 is three-dimensionally cross-linked and hardened by being irradiated with ultraviolet rays with wavelengths inactive to the optically active group ((e)).例文帳に追加

その後、コレステリック層１３を加熱して液晶を配向させた後（(d)）、光学活性基が活性を示さない波長の紫外線を照射し、コレステリック層１３を３次元架橋して硬化させる（(e)）。 - 特許庁

(5) An outer diameter d of the hollow fiber of a hollow fiber layer in contact with the separator 18 is smaller than that D of the hollow fiber of the hollow fiber layer not in contact with the separator.例文帳に追加

（５）セパレータ１８に接触する中空糸層の中空糸４０の外径ｄはセパレータに接触しない中空糸層の中空糸の外径Ｄより小である。 - 特許庁

The reversed diffusion preventing layer fulfills a relation; u>D/L, wherein, a flowing speed of the fuel is u, a diffusion coefficient is D, a thickness of the reversed diffusion preventing layer is L.例文帳に追加

前記逆拡散防止層は、前記燃料の流速ｕ、水の拡散係数Ｄ、前記逆拡散防止層の厚さＬが、ｕ＞Ｄ／Ｌの関係を満足するべく構成されている。 - 特許庁

The upper layer wiring and the lower layer wiring are designed so as to have identical resistance in the object shape between the terminals A-C, C-B, A-D and D-B.例文帳に追加

端子Ａ−Ｃ間、端子Ｃ−Ｂ間、端子Ａ−Ｄ間、端子Ｄ−Ｂ間で上層配線、下層配線の抵抗は同一となるように対象形状に設計する。 - 特許庁

The dense layer D therefore can be formed without deforming a resin molded body 21 or partially melting the resin molded body 21 in the dense layer D formation process.例文帳に追加

したがって、緻密層Ｄ形成工程において樹脂成型体２１を変形させる、あるいは部分溶融させること無く緻密層Ｄを形成することができる。 - 特許庁

A thickness T of the insulating film 104 on the wiring layer 103 is smaller than a distance d between the upper layer wiring 105 and 106, and a width W of the groove is smaller than the distance d.例文帳に追加

配線層１０３上の絶縁膜１０４の厚さＴは、上層配線１０５と１０６間の距離ｄよりも小さく、溝の幅Ｗは、距離ｄよりも小さい。 - 特許庁

The swirl-shaped coil conductor 51 is pattern-formed on an insulating layer 33, and connected with a D+ line 41 and a D+ terminal 41a of the insulating layer 32 in series.例文帳に追加

渦巻き状コイル導体５１は絶縁層３３にパターン形成され、絶縁層３２のＤ＋線路４１，Ｄ＋端子４１ａに直列接続される。 - 特許庁

The lower gap layer 1 is etched by using this as a resist, and the resist is removed, whereby rugged patterns 2 arranged regularly in the lower gap layer 1 are formed (FIGS. 2(c) and 2(d)).例文帳に追加

これをレジストとして下部ギャップ層１をエッチングし、レジストを除去すれば、下部ギャップ層１に規則的に配列した凹凸パターン２を形成することが出来る(図２(c)、図２(d))。 - 特許庁

Then, it is converted into an oxide layer thickness T1, based on the distance (d) while making reference to a correlation between the previously found thickness T1 of an oxide layer WO and the distance (d).例文帳に追加

次に、予め求めてある酸化層Ｗ_O の厚さＴ_1と距離ｄの相関関係を参照し、距離ｄに基づいて酸化層厚さＴ_1 に変換する。 - 特許庁

The center part D of the layer 31 is non-antiferromagnetic and the magnetization of the center part D of the layer 28 is simply magnetized in a moderately weak level allowing magnetization to be inverted from an external magnetic field.例文帳に追加

前記第２反強磁性層３１の中央部Ｄは非反強磁性であり、前記フリー磁性層２８の中央部Ｄの磁化は外部磁界に対し磁化反転可能な程度に弱く単磁区化される。 - 特許庁

To be more precise, the light-taking-out part (L) and the luminous layer (D) are designed so as to make small a difference between the admittance of the light-taking-out part (L) and the refraction index of the luminous layer (D) in their real term as well as imaginary term.例文帳に追加

具体的には光取り出し部（Ｌ）のアドミッタンスと発光層（Ｄ）の屈折率との実数項同士の差、虚数項同士の差を小さくするように光取り出し部（Ｌ）と発光層を設計する。 - 特許庁

In a bobbin on which the welding wire is wound from an inner layer to an outer layer in order while giving a twist to the welding wire, the relationship between an outer diameter D (mm) of the barrel of the bobbin and a tensile breaking strength of the wire T (N) fulfills D≥0.19 T.例文帳に追加

溶接用ワイヤに捩じりを与えながら内層から外層へ順次巻かれたボビンを有し、ボビン胴部の外径Ｄ（ｍｍ）とワイヤ引張破断強度Ｔ（Ｎ）との関係が、Ｄ≧０．１９Ｔを満たす。 - 特許庁

According to the conventional method, such as an evaluation value based on a reproduction jitter, an SA compensation value with respect to the L0 layer is obtained and, on the basis of the obtained SA compensation value and the interlayer distance L_D, the SA compensation value of the L1 layer is obtained.例文帳に追加

そして、Ｌ０層について再生ジッタに基づく評価値といった従来の方法でＳＡ補正値を求め、得られたＳＡ補正値と層間距離Ｌ_Dとに基づきＬ１層のＳＡ補正値を求める。 - 特許庁

A force is applied (c) onto the surface of the light emitting layer 23 in parallel therewith using a member 29 having a sharp tip profile thus orienting molecules, microsrystal or fine particles in the light emitting layer 23 in a predetermined direction (d).例文帳に追加

この発光層２３の表面に、鋭利な先端形状を有する部材２９を用いて、表面に平行な方向の力を加える(c)ことにより、発光層２３中の分子又は微結晶又は微粒子を所定の方向に配向させる(d)。 - 特許庁

The foot sound shield layer S is formed as multiple air cushion sheets and the vibration isolating layer D has a density of >1600 kg/m3, particularly >2000 kg/m3 and/or an area weight of >5 kg/m2, particularly >10 kg/m2.例文帳に追加

足音遮蔽層 (S)は多重のエアクッションシートとして形成され、制振層(D)は、＞1600 kg/m^3、特に＞2000 kg/m^3の密度及び/又は＞5 kg/m^2、特に＞10 kg/m^2の面積重量を有する。 - 特許庁

The terminal of the USB connector 2 and the terminal of the DSB3 mounted on the surface layer are electrically connected to the signal lines D+ and D- formed in the intermediate layer by a through-hole.例文帳に追加

表面層に取り付けられているＵＳＢコネクタ２の端子、およびＤＳＢ３の端子は、スルーホールにより、中間層に形成されている信号線Ｄ＋、Ｄ−に電気的に接続されている。 - 特許庁