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D layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1279



例文

This method is intended for manufacturing a wafer-level package for a semiconductor substrate having either or both of an electrode and a layer connected to the electrode, and repeats the following processes (a), (b), (c) and (d) in order as many times as predetermined.例文帳に追加

電極部又は電極部に接続した配線層の一方又は双方を有する半導体基板のウェハレベルパッケージの製造方法であって、下記(a)、(b)、(c)及び(d)の工程を順次所定回数繰り返す。 - 特許庁

Diffraction efficiency in accordance with groove depth (d) of a grating of the resin layer 108b is obtained using a scalar diffraction theory.例文帳に追加

樹脂層108bの格子溝深さdに応じた回折効率をスカラー回折理論を用いて求める。 - 特許庁

A diffusion layer S/D for use as a source or drain region is formed in the semiconductor substrate 11 corresponding to both sides of the floating gate FG.例文帳に追加

浮遊ゲートFGの両側に対応する半導体基板11内にソース又はドレイン領域としての拡散層S/Dが形成されている。 - 特許庁

The source electrode S and the drain electrode D are formed, separated by a predetermined distance above the active layer A.例文帳に追加

ソース電極S及びドレイン電極Dは、活性層Aの上部に所定距離だけ離隔して形成される。 - 特許庁

例文

Ions are injected into the polysilicon layer adjacent to the gate electrode to form a raised S/D area 30.例文帳に追加

ゲート電極に隣接するポリシリコン層にイオン注入し、隆起したS/D領域30を形成する。 - 特許庁


例文

The inner wall layer is composed of (A), (B), (C) and olefin-based or styrene-based thermoplastic elastomer (D).例文帳に追加

(2)(A)、(B)、(C)およびオレフィン系もしくはスチレン系熱可塑性エラストマー(D)の組成物を内壁層とする血液成分保存容器。 - 特許庁

Pixel electrodes 142 are formed to overlap with the active element layer P and supplied with electric potential corresponding to the gradation data D.例文帳に追加

画素電極142は、能動素子層Pに重なるように形成されて階調データDに応じた電位が供給される。 - 特許庁

Birefringence Δn and total thickness d of the optical retardation compensation film is adjusted corresponding to retardation of a liquid crystal layer of the liquid crystal element.例文帳に追加

液晶素子の液晶層がもつレターデーションに合わせ、位相差補償膜の複屈折Δnと、その全体厚みdとを調節する。 - 特許庁

Subsequently, a lower electrode 56, a piezoelectric film 58 and an upper electrode 60 are formed on the oxide silicon layer 54 (Fig. 3(d)).例文帳に追加

次に、酸化シリコン層54上に下部電極56、圧電膜58及び上部電極60が形成される(図3(d))。 - 特許庁

例文

(d) A thermal oxide film 33 is formed in only a region facing the opening 31 for the shallow trench in a monocrystalline silicon layer 21C.例文帳に追加

(d)単結晶シリコン層21Cにおける浅部トレンチ用開口部31に臨んだ領域のみに熱酸化膜33を形成する。 - 特許庁

例文

The diffraction lattice 13 made of a tetragonal lattice having lattice constant "d" is arranged on an interface between a first electrode and a light emission layer 14 made of organic material.例文帳に追加

第1の電極12と有機物からなる発光層14との界面に、格子定数dの正方格子からなる回折格子13を設ける。 - 特許庁

Next, the silicon monocrystal substrate 1 is removed by dry etching using fluorine- based active seeds from the back side to produce SiN as a support layer (d).例文帳に追加

続いて、裏面からフッ素系活性種を用いたドライエッチングによりシリコン単結晶基板1を除去して、支持層となるSiNを製作する(d)。 - 特許庁

Subsequently, the substrate for semiconductor element is obtained by removing the different kind of substrate 11 from the wafer having the formed semiconductor layer 14 (d).例文帳に追加

次に、半導体層14を形成したウェハーから異種基板11を除去して半導体素子用基板とする(d)。 - 特許庁

Thereafter, the clay 5 is baked while burning the surface layer 6 to remove the same to obtain the ceramic sheet 2a shown by Fig. (D).例文帳に追加

その後、この粘土5を焼成すると共に表面層6を燃焼により消滅させて、(D)に示す様な陶板2aを得る。 - 特許庁

A dislocation density D of the second Al_Y1In_Y2Ga_1-Y1-Y2N layer 15 is 1×10^8 cm^-2.例文帳に追加

第2のAl_Y1In_Y2Ga_1−Y1−Y2N層15の転位密度Dが1×10^8cm^−2である。 - 特許庁

An active element layer P is formed with the pixel circuit 12 including the storage circuit 53 storing gradation data D.例文帳に追加

能動素子層Pには、階調データDを記憶する記憶回路53を含む画素回路12が形成される。 - 特許庁

After that, the transparent electrode 4 (ITO) is formed on the p-type a-Si layer 3, without conducting breaking to the atmosphere (d).例文帳に追加

その後、大気ブレイクすることなく、p型a−Si層3上に透明電極4(ITO)を形成する(d)。 - 特許庁

Furthermore, the phosphorous-containing layer contains, for instance, an aminophenol polymer (A), an acrylic polymer (B), a phosphorus compound (C), and a metal compound (D).例文帳に追加

リン含有層は、例えば、アミノ化フェノール重合体(A)、アクリル系重合体(B)、リン化合物(C)及び金属化合物(D)を含有する。 - 特許庁

The ridge part 12a (optical waveguide) is formed in a region, biased from the central section of the semiconductor layer 12 toward one side (direction side of arrow D).例文帳に追加

また、リッジ部12a(光導波路)は、半導体層12の中央部から一方側(矢印D方向側)に寄った領域に形成されている。 - 特許庁

The electrode 19 of the MIM capacitor is connected to an upper electrode 21 via a via 22 in a fourth wiring layer D.例文帳に追加

そして、MIMキャパシタの電極19は、第4配線層Dにおいてビア22を介して上部電極21と接続している。 - 特許庁

A process for forming an outermost surface resist 12e having a through pattern 12e1 on the outermost surfaces of the laminated layer units a to d is executed.例文帳に追加

積層単位a〜dの最表面に貫通パターン12e1を有する最表面レジスト12eを形成する工程を実施する。 - 特許庁

A coating layer C having a photocatalyst is provided on a surface of a part immersed in water of the outboard motor body O in the tilt-down position D.例文帳に追加

チルトダウン位置Dに在る船外機本体Oの水に浸る部分の表面に,光触媒を有する被覆層Cが設けられている。 - 特許庁

The concentration of the electric field between the gate electrode G and the drain electrode D is regulated by a drift layer 12, and the breakdown voltage is improved.例文帳に追加

ドリフト層12によりゲート電極Gとドレイン電極D間の電界集中が緩和され、耐圧が向上する。 - 特許庁

Such impurities are diffused, and the n-type semiconductor region 12 is formed with depth to the insulating layer 2 (Figure 1 (d)).例文帳に追加

この不純物を拡散させて絶縁層2に達する深さのn形半導体領域12を形成する(図1(d))。 - 特許庁

In a shelf/dry step 130, the material deposition layer is dried at a temperature lower than the melting temperature of fluororesin and is stabilized (condition D).例文帳に追加

放置・乾燥工程130において、材料堆積層を、フッ素樹脂の溶融温度より低い温度で乾燥し、安定化する(状態D)。 - 特許庁

The radial tire T has a heat insulating layer I on a bottom of a groove D formed in a tread part 1.例文帳に追加

本発明のラジアルタイヤTは、トレッド部1に形成された溝Dの底部に断熱層Iを設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Then, an upper wiring, having a contact metal layer 7 comprising a Ti/Pt/Au sputtered film and an Au-plated film 8 (d) is formed.例文帳に追加

その後、Ti/Pt/Auスパッタ膜からなるコンタクトメタル層7とAuメッキ層8を有する上層配線を形成する(d)。 - 特許庁

To individually and arbitrarily set the depth (d) of etching for a semiconductor layer and the length (s) of the eaves of a mask.例文帳に追加

半導体層に対するエッチングの深さdとマスクの庇の長さsとを個別に任意に設定可能とする。 - 特許庁

(3) The photosensitive resin laminate contains a hydrophilic polymer (D) further added to the photosensitive resin layer.例文帳に追加

(3)さらに前記感光性樹脂層中に、(D)親水性重合体を含有した前記(1)記載の表装材用感光性樹脂積層体。 - 特許庁

The layer 3 message is transmitted to the specified other private branch exchanges out of the plural private branch exchanges using the D channel.例文帳に追加

そのレイヤ3メッセージを、複数の構内交換機の当該他の構内交換機に対し、Dチャネルを介して送信する。 - 特許庁

In this way, the printing layer 4 (two-dimensional code 5) can be transferred from the transfer sheet to the adherend 30, as shown in Fig. (d).例文帳に追加

このようにして、図2(d)に示すように、転写シートから被着体30へ印刷層4(二次元コード5)を転写することができる。 - 特許庁

Then, the steel pipe is inserted from the ground to excavate a part of soil cement under the steel pipe, and a permeable hole 5 connected with the permeable layer D is bored.例文帳に追加

その後は、地上より鋼管4を通してその下のソイルセメント3部分を掘削し、透水層Dと連通する透水孔5を開設する。 - 特許庁

The conductor 2 is formed at a conductor twisting pitch P having a magnification of 7 or more and 36 or less times to a layer core diameter D.例文帳に追加

導体2は、層心径Dに対し7倍以上36倍以下の倍率となる導体撚りピッチPにて形成されている。 - 特許庁

On one surface of the detection section D, a protection layer 24 is provided so that an electrode 25 for composing the gas detection surface is covered.例文帳に追加

検知部Dの一方側の面は、ガス検出面を構成する電極25を覆う形で保護層24が設けられている。 - 特許庁

A wedge-shaped layer has an index of refraction n1; and top, bottom and side surfaces intersect to define an angle of inclination d.例文帳に追加

楔状層は屈折率n1を有し、頂面、底面及び側面は交差して傾斜角dを形成している。 - 特許庁

Next, as shown in Fig. (d), a bump 104b is formed by etching a bump forming metal layer 103b.例文帳に追加

次に、図1(d)に示すように、バンプ形成用金属層103bをエッチングすることによりバンプ104bを形成する。 - 特許庁

Successively in Fig (d), the remaining electrode material layer 35 is etched by using the inductive plasma source of the ICP device and a bias plasma source.例文帳に追加

続いて、ICP装置の誘導プラズマ源及びバイアスプラズマ源を用いて残りの電極材料層35をエッチングする(図1(d))。 - 特許庁

In Fig. 2 (d), an insulating layer 8 is formed on the surface of the Si substrate 1, and metal wiring 9 is formed.例文帳に追加

次に、図2の(d)でSi基板1の表面に絶縁層8を形成し金属配線9を形成する。 - 特許庁

The outer diameter of the coating layer 16 is 5 mm or less while the groove bottom thickness d is within the range of 0.15-1.0 mm.例文帳に追加

被覆層16の外径は、5mm以下で、溝底部厚みdは、0.15〜1.0mmの範囲内になっている。 - 特許庁

As given in figure 6 (d) and compared with figure 6 (b), the number of air bubbles in the completed dielectric glass layer is considerably small.例文帳に追加

そして、出来上った誘電体ガラス層においては、図6(d)に示すように、図6(b)に示す場合と比べて、気泡AH数は減少している。 - 特許庁

The coating (C) for use in the formation of a gas barrier layer contains (A) sugars, (B) an olefin-maleic acid copolymer, and (D) a metal compound of two or more valency.例文帳に追加

糖類(A)、オレフィン—マレイン酸共重合体(B)及び2価以上の金属化合物(D)を含有するガスバリア層形成用塗料(C)。 - 特許庁

The reinforcing rubber layer comprises a rubber short fiber composite material in which short fibers with an aspect ratio (l/d) of more than 2 are oriented in a tire circumferential direction.例文帳に追加

前記補強ゴム層はアスペクト比(l/d)が2を超える短繊維をタイヤ周方向に配向させたゴム−短繊維複合体からなる。 - 特許庁

Next, the die (D) having the protrusion 51 is formed by dividing the base layer to a thickness direction around the protrusion.例文帳に追加

次に、基体層を凸状部の周囲において厚み方向に分断することにより、凸状部51を有するダイDを形成する。 - 特許庁

As shown in Fig.1(d), by etching the bump forming metal layer 104, bumps 107 are formed.例文帳に追加

図1(d)に示すように、バンプ形成用金属層104をエッチングすることによりバンプ107を形成する。 - 特許庁

Among them, the protection layer 140 is constituted of oxide particles 141 having an average particle diameter D of 500 nm or smaller.例文帳に追加

このうち保護層140は、平均粒子径Dが500nm以下の酸化物粒子141から構成されている。 - 特許庁

Thereafter, the electrode forming liquid is supplied and dried up on the wettability adjusting layer 5 corresponding to the disconnection point D.例文帳に追加

その後断線個所Dに対応する濡れ性調整層5部分上に電極形成液を供給して乾燥させる。 - 特許庁

A preferable form of the buffer layer (B) is an olefin polymer (d) having a stiffness modulus of100 MPa.例文帳に追加

また緩衝層(B)の好ましい態様は、曲げ剛性率が100MPa以下のオレフィン重合体(d)である。 - 特許庁

A plurality of grooves 50a to 50j, 51a to 51j are formed in the transparent conductive layer 31 located inside the intervals D, E.例文帳に追加

前記間隔D,E内に位置する透明導電層31には、複数本の溝50a〜50j,51a〜51jが形成されている。 - 特許庁

In the next second step, the light is radiated to the part corresponding to the disconnection point D in the wettability adjusting layer 5 or the other part.例文帳に追加

次の第2工程では、濡れ性調整層5における断線個所Dに対応する部分、またはそれ以外の部分に光を照射する。 - 特許庁

例文

The fuel cell diffusion layer is constituted to satisfy conditions expressed by (1): 22≥KΔP>14 [m^2 kPa], and (2): 0.28≤D/Dd<0.34 [-].例文帳に追加

燃料電池用拡散層を、22≧KΔP>14[m^2・kPa]…(1)、および、0.28≦D/Dd<0.34[−]…(2)で表される条件を満たすように構成する。 - 特許庁

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