「D layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A multiplication value Δnd of a thickness d of the liquid crystal layer 3 and refractive index anisotropy Δn of a liquid crystal material of the liquid crystal layer is 240 nm or less to light having 550 nm wavelength.例文帳に追加

液晶層３の厚みｄと、液晶層の液晶材料の屈折率異方性Δｎと、を乗じた値Δｎｄは、波長５５０ｎｍの光に対して２４０ｎｍ以下である。 - 特許庁

A multiplication value Δnd of a thickness d of the liquid crystal layer 3 and refractive index anisotropy Δn of a liquid crystal material of the liquid crystal layer is 460 nm or more to light having 550 nm wavelength.例文帳に追加

液晶層３の厚みｄと、液晶層の液晶材料の屈折率異方性Δｎと、を乗じた値Δｎｄは、波長５５０ｎｍの光に対して４６０ｎｍ以上である。 - 特許庁

For example, an optically isotropic transparent layer 39 is disposed between the joined polarizing plate 31 and the light diffusing layer 35 to keep the distance (d).例文帳に追加

例えば、継ぎ目偏光板３１と光拡散層３５の間に、光学的に等方性の透明層３９を配置することで、距離ｄを確保することができる。 - 特許庁

In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed.例文帳に追加

このとき、第２のキャップ層６の表面に存在する変質物Ｄがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第２のキャップ層６のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。 - 特許庁

In the present invention, a neutral dyestuff molecule (D) is converted to an ionic salt (DA+X-DA-X+), and then used as a luminous layer or charge transfer layer in OLED.例文帳に追加

本発明では、中性の色素分子（Ｄ）を変更してイオン性の塩（ＤＡ^+Ｘ^-またはＤＡ^-Ｘ^+）に変換し、それをＯＬＥＤ中で発光層または電荷輸送層として使用する。 - 特許庁

The photodiffusion sheet 1 having a transparent base material layer 3 and a photodiffusion layer 5 dispersed with beads 9 in a binder 7 is greater in the grain size D of the beads 9 than the thickness T of the binder 7.例文帳に追加

透明な基材層３と、バインダー７中にビーズ９が分散した光拡散層５とを備える光拡散シート１であって、上記バインダー７の厚さＴよりもビーズ９の粒径Ｄが大きいことを特徴とするものである。 - 特許庁

A backing layer 30 is formed on an upper surface of the elastic layer D so as to become the thickness of 30 mm, and afterwards, tiles 10 are laid by mortar 20.例文帳に追加

そして、弾性層Ｄの上面に下地層３０を３０ｍｍ厚となるように形成し、その後、タイル１０を張付けモルタル２０によって張付ける。 - 特許庁

The conductive laminate sheet comprises: layers (I layers) each including a thermoplastic resin (A) and an electric conduction agent (B); and a layer (II layer) including a polystyrene resin (C), a polylactic acid-based resin (D) and an elastomer (E).例文帳に追加

本発明の導電性積層シートは、熱可塑性樹脂（Ａ）及び導電剤（Ｂ）を含む層（Ｉ層）と、ポリスチレン系樹脂（Ｃ）、ポリ乳酸系樹脂（Ｄ）、及びエラストマー（Ｅ）を含む層（ＩＩ層）とを有することを特徴とする。 - 特許庁

In the solar battery 1, the transfer of electrons from the positive hole conveying layer 5 to the dye layer D is effectively performed, so that extremely superior photoelectric conversion efficiency can be obtained.例文帳に追加

このような太陽電池１では、正孔輸送層５から色素層Ｄへの電子の伝達を効率よく行うことができ、極めて優れた光電変換効率が得られる。 - 特許庁

The antireflection film C1 comprises first layer 1 to fifth layer 5 successively laminated on the surface 100S of an optical substrate 100 having a refractive index of 1.75 to 2.10 to d-line.例文帳に追加

この反射防止膜Ｃ１は、ｄ線に対して１．７５以上２．１０以下の屈折率を示す光学基板１００の表面１００Ｓ上に、第１層１から第５層５までの各層を順に積層したものである。 - 特許庁

In the electronic circuit module 1 of this invention, a chip component 2 having a bump 3 with height d is subjected to flip chip bonding onto a multi-layer wiring board 4 having a surface electrode 7 and an inner layer electrode 8.例文帳に追加

本発明の電子回路モジュール１においては、表面電極７、内層電極８を有する多層配線板４に高さｄのバンプ３を有するチップ部品２をフリップチップ実装している。 - 特許庁

At least a surface layer part of the insulation coating layer 12 is formed of a polyvinyl chloride resin composition having a Shore D hardness measured in accordance with JIS K 7215 of D55/10-D70/10.例文帳に追加

絶縁被覆層１２の少なくとも表層部分は、ＪＩＳ Ｋ７２１５に基づいて測定されるショアＤ硬度がＤ５５／１０〜Ｄ７０／１０であるポリ塩化ビニル系樹脂組成物で形成されている。 - 特許庁

The signal line 12 constitutes a line of a harmonic together with the earthing layer 14 opposite to itself with respect to the direction D, and with a base 13 between the earthing layer 14 and itself.例文帳に追加

信号線１２は、方向Ｄについて自身と対向する接地層１４と、自身と接地層１４との間の基材１３と共に高調波の線路を構成する。 - 特許庁

A garnish layer 26 constructed by a nonwoven fabric made of PET and the like is arranged on a decorative face D such as an outer surface of the decorative lip 18 through an adhesive resin layer.例文帳に追加

意匠リップ１８の外表面などの意匠面Ｄに、接着樹脂層を介在させてＰＥＴ製の不織布等で構成される加飾層２６を設ける。 - 特許庁

Next, the uncured first cholesteric liquid crystal layer 18 is irradiated with ultraviolet rays with a prescribed irradiation intensity in air atmosphere to form a first cholesteric liquid crystal layer 14 in a cured state (c), (d).例文帳に追加

次に、未硬化状態の第１コレステリック液晶層１８に対して、空気雰囲気中で所定の照射強度の紫外線を照射し、硬化状態の第１コレステリック液晶層１４を形成する（図１（ｃ）（ｄ））。 - 特許庁

Furthermore, the method has (d) a process of reacting the silicon of the second impurity diffused layer 8 with nickel, by annealing to form the silicide layer 11, after the process (c).例文帳に追加

そして、（ｄ）工程（ｃ）の後に、熱処理により第２の不純物拡散層８のシリコンと、ニッケルとを反応させてシリサイド層１１を形成する工程を備える。 - 特許庁

In this structure, the distance D from the interface of the n-type substrate 1 and the buffer layer 11 to the center 5a of the active layer 5 is set longer than the beam spot radius (a) of 1/e^2 of laser beam.例文帳に追加

この構造において、ｎ型基板１とバッファ層１１との界面から、活性層５の中心５ａまでの距離Ｄが、レーザ光の１／ｅ^２のビームスポット半径ａよりも長くなるようにする。 - 特許庁

The thin film type electron source ELS constitutes an MIM diode from a laminated structure of an image signal wiring (d) which is a lower electrode, a tunnel insulating layer TAO which is an electron acceleration layer and a connecting electrode ELC which is an upper electrode.例文帳に追加

薄膜型電子源ＥＬＳは下部電極である画像信号配線ｄと電子加速層であるトンネル絶縁層ＴＡＯと上部電極である接続電極ＥＬＣとの積層構造からなるＭＩＭダイオードを構成する。 - 特許庁

A third pattern ITO is aligned to a first pattern G formed in the mth layer (m: a positive integer), and second patterns S and D formed in the nth layer (n: a positive integer) on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐの第ｍ層（ｍは正の整数）に形成された第一パターンＧと、第ｎ層（ｎは正の整数）に形成された第二パターンＳ、Ｄとに対して第三パターンＩＴＯを位置合わせする。 - 特許庁

(e) A third group III nitride semiconductor layer 41 emitting light due to the conduction is formed on the second group III nitride semiconductor layer 34, by reducing the temperature of the substrate 31 to a second temperature less than the temperature in the step (d).例文帳に追加

（ｅ）基板３１を工程（ｄ）における温度以下の第２の温度にして、第２の３族窒化物半導体層３４上に、通電により発光が行われる第３の３族窒化物半導体層４１を形成する。 - 特許庁

The drain D of an N-channel transistor T4 of the inverter and the gate line GL1 of the inverter are connected via a gate line FL2 laid as a first layer of line layer.例文帳に追加

インバータのＮチャネルトランジスタＴ４のドレインＤとインバータのゲート配線ＧＬ１とは１層目の配線層として敷設された配線ＦＬ２を介して接続されている。 - 特許庁

Next, the polycarbonate resin plate 7 with the coating film layer 8 and the top coat layer 9 formed on the surface is mounted on a lower mold 10 (Fig. c) and heated/compressed by the lower mold 10 and an upper mold 11 (Fig. d).例文帳に追加

次に、前記表面に塗膜層８とトップコート層９が形成されたポリカーボネート樹脂板７を下型１０に乗せ（図３のｃ）、その下型１０と上型１１とで加熱圧縮する（図３のｄ）。 - 特許庁

The light emitting device in a structure shown by Fig. 1 (d) is obtained by performing a resin curing process for forming a color conversion layer 3 by curing the non-cured resin layer 2b containing phosphors after the blast process.例文帳に追加

ブラスト工程の後、蛍光体含有未硬化樹脂層２ｂを硬化させることで色変換層３を形成する樹脂硬化工程を行うことによって、図１（ｄ）に示す構造の発光装置を得る。 - 特許庁

Then, ink solution 21 containing solvent and a display composition for solving the insulating layer 11b is applied to a position opposite to the anode 11a on the insulating layer 11b (d).例文帳に追加

次いで絶縁層１１ｂ上の陽極１１ａと対向する位置に、絶縁層１１ｂを溶解する溶媒及び表示用組成物を含有するインク溶液２１を塗布する（ｄ）。 - 特許庁

When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.例文帳に追加

半導体層にマスク１６を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、２回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さｄは両方のエッチングの深さｄ_１、ｄ_２さを合計した値とする。 - 特許庁

In the touch panel 30, a transparent electrode layer 3 of an upper transparent electrode plate 10 and a transparent electrode layer 5 of a lower transparent electrode plate 20 are so arranged that they may face each other with a prescribed gap (d) between them.例文帳に追加

タッチパネル３０は、上部透明電極板１０の透明電極層３と下部透明電極板２０の透明電極層５とが、所定の間隔ｄで互いに対面するように配置される。 - 特許庁

The carbon fiber is characterized in that Ro/Ri is 0.5-2.0, wherein Ro and Ri are the G/D ratios of the outermost layer and innermost layer of the fiber, respectively, determined by Raman spectrum.例文帳に追加

繊維最外層と繊維最内層のラマンスペクトルで求められるＧ／Ｄ比をそれぞれＲｏ及びＲｉとしたときにＲｏ／Ｒｉが０．５〜２．０であることを特徴とする炭素繊維。 - 特許庁

A multilayer printed-circuit board to which the semiconductor component is mounted, and having a power pattern and a ground layer in its internal layer, is a multilayer printed-circuit board having a composition of at least following A to D.例文帳に追加

内層に電源パターン及びグラウンド層を有し、かつ、半導体部品が搭載される多層プリント基板において、少なくとも以下のＡからＤの構成を有する多層プリント基板である。 - 特許庁

The first laminated sheet 16a is equipped with: a copper foil 13x; and the first inorganic insulating layer 11a having the groove portion D penetrating the layer 11a in a thickness direction thereof.例文帳に追加

本発明の一形態にかかる第１積層シート１６ａは、銅箔１３ｘと、厚み方向に貫通する溝部Ｄを有する第１無機絶縁層１１ａとを備えている。 - 特許庁

The laminate film having a layer A containing poly-L-lactic acid as main ingredient and a layer B containing poly-D-lactic acid as main ingredient is obtained by a coextrusion method.例文帳に追加

ポリＬ−乳酸を主たる成分とする層Ａ、およびポリＤ−乳酸を主たる成分とする層Ｂを有する積層フィルムを、共押出法により得る。 - 特許庁

An adhesive layer for joining the lower substrate 22 and an upper substrate enters into a step extending from the surfaces of the lower electrode layers 32, 33 to the surface of the transparent conductive layer 31 located inside the intervals D, E.例文帳に追加

下部基板２２と上部基板間を接合するための粘着層は、下部電極層３２，３３の表面から間隔Ｄ，Ｅ内に位置する透明導電層３１の表面にかけての段差内に入り込んでいる。 - 特許庁

On a layer D where the layers B and C are interposed with respect to the layer A, a common-terminal-side wiring electrode 22 connected to the common terminal of the duplexer element 101 and one end of the matching element 102 is formed.例文帳に追加

Ａ層に対してＢ層、Ｃ層が介在されたＤ層には、デュプレクサ素子１０１の共通端子および整合素子１０２の一方端に接続する共通端子側配線電極２２を形成している。 - 特許庁

Then, an ink 21 containing a solvent dissolving the insulation layer 11B and a display composition is applied at a position opposing to the positive electrode 11A on the insulation layer 11B as shown in Fig.(D).例文帳に追加

次いで絶縁層１１Ｂ上の陽極１１Ａと対向する位置に、絶縁層１１Ｂを溶解する溶媒及び表示用組成物を含有するインク２１を塗布する（Ｄ）。 - 特許庁

While the chaff supplied to the lower part of the combustion chamber 2 is made to turn by the upward turning air current layer (a) and the downward turning air current layer b, the chaff is ignited by the combustion flame d of the flame radiation mechanism 5 and continuously burned.例文帳に追加

燃焼室２内の下部に供給される籾殻を上昇旋回気流層ａと下降旋回気流層ｂにより旋回させながら火炎放射機構５の燃焼火炎ｄをもって点火し燃焼を持続させる。 - 特許庁

In an IGBT with a built-in freewheel diode, a wafer thickness D after polishing is made 200μm or less, and both the thickness T8 of a cathode N+layer 8 and the thickness T9 of a P+collector layer 9 are set at 2μm or less.例文帳に追加

フリーホイールダイオード内蔵型ＩＧＢＴにおいて、研磨後のウエハ厚みＤを２００μｍ以下とし、カソードＮ＋層８の厚みＴ８及びＰ＋コレクタ層９の厚みＴ９を共に２μｍ以下に設定する。 - 特許庁

This image forming device, makes a photoreceptor drum being provided with the static charge injection layer (d) on the charge holding layer (c) uniformly charged by adopting a charge magnetic brush held in contact with a surface thereof.例文帳に追加

電荷保持層１ｃ上に電荷注入層１ｄを有する感光体ドラムを、その表面に接触する帯電磁気ブラシ２１を用いて電荷を注入し、該感光体ドラムを一様帯電する。 - 特許庁

In Fig. 1 (d), dry etching is added by using first resist 1 and second resist 2 as masks, and an active layer region 12 and an N-type AlGaAs clad layer 11 are exposed only in a corner mirror part.例文帳に追加

図１（ｄ）において、第一のレジスト１と第二のレジスト２とをマスクにしてドライエッチングを追加して、コーナーミラー部でのみ活性層領域１２とｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１が露出するようにする。 - 特許庁

An air layer D is formed between the tent 3 and a canopy sheet 5 by covering the upper section of the tent 3 with a heat-insulating layer forming material 6 composed of a spacer member 4 and the sheet 5 for improving the heat-insulating properties of the air tent 1.例文帳に追加

エアテント１の断熱性を向上させるため、天幕３上に、スペーサ部材４と天蓋シート５からなる断熱層形成材６を被せることにより、天幕３と天蓋シート５の間に空気層Ｄを形成する。 - 特許庁

The liquid crystal layer side surface of the CF substrate 51 has a projection 33 of height H and width W, while the liquid crystal layer side surface of the TFT substrate 52 in the region facing the projection 33 has a recess 34 of a depth D and a width W2.例文帳に追加

ＣＦ側基板５１の液晶層側表面には高さＨ、幅Ｗ１の凸部３３を有し、ＴＦＴ側基板５２の液晶層側表面であって凸部３３に対向する領域には深さＤ、幅Ｗ２の凹所３４を有する。 - 特許庁

By making fine adjustment of positions of rollers of the respective erecting devices with keeping the level of the casing and the devices, the surface layer casing is set to a position shown in Fig.(D) to let the respective rollers press the outer side of the surface layer casing.例文帳に追加

両水平性を維持した状態で、各建て込み器具のローラーの位置を微調整しながら、各ローラーが表層ケーシングの外側を押圧するように、表層ケーシングを（Ｄ）に示される位置までセットする。 - 特許庁

A plurality of segments A1, A2, B1,... and so on are formed with p1, n2, p2-GaAsP layer (31, 22, 32) formed by adding n-type and d-type dopants to the n1-GaAsP layer (21).例文帳に追加

ｎ１−ＧａＡｓＰ層(21)にｎ型，ｐ型ドーパントを添加することにより形成されたｐ１，ｎ２，ｐ２−ＧａＡｓＰ層(31,22,32)で複数のセグメントＡ１，Ａ２，Ｂ１，…が構成されている。 - 特許庁

In the metal external facing material D in which a metal face material 1 is used as a surface layer and in which a foamed resin layer 2 is arranged its backside, a vibrating element 4 is operably arranged in the range of its plate thickness t.例文帳に追加

金属製の面材１を表層とし、その背面に発泡樹脂層２が配置されている金属製外装材Ｄにおいて、その板厚ｔ内に振動素子４が作動可能に配設されているものとする。 - 特許庁

As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加

この光電変換層Ｄは、図４に示すように、電子輸送層４０に結合した第２の膜２と、第３の膜３と、第２の膜２と第３の膜３との間に位置した第１の膜４とを有している。 - 特許庁

When the second layer is used as an object layer, it is enough to select and use only of the good differential push pull signal E-F by the sub beam, and to generate a differential push pull signal DPP2=(C-D)-k2×(E-F).例文帳に追加

第２層を対象層とする場合には、サブビームによるプッシュプル信号Ｅ−Ｆのみを選択使用し差動プッシュプル信号ＤＰＰ２＝（Ｃ−Ｄ）−ｋ２・（Ｅ−Ｆ）を生成すればよい。 - 特許庁

A film is formed of the same material as the substrate 110 on the surface of the substrate 110 using the pattern 120a as the mask and a layer 150a and a layer 150b are formed (Fig.2(e)) after removing the pattern 130a (Fig.2(d)).例文帳に追加

パターン１３０ａを剥離した後（図２（ｄ））、パターン１２０ａをマスクとして、基板１１０の材料と同じ物質を基板１１０の表面に成膜し、層１５０ａ、層１５０ｂを形成する（図２（ｅ））。 - 特許庁