D layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1240件
The end portion YS of a band layer 9 is provided with an edge band ply 11A forming a different level D having the increased number of plies compared with the center portion YC.例文帳に追加
バンド層9は、中央部分YCに比してプライ枚数が増加する段差Dを形成するエッジバンドプライ11Aを端部分YSに設ける。 - 特許庁
This curable resin composition contains (A) carboxyl group containing resin, (B) phosphorus containing compound, and (C) layer double hydroxide and contains further (D) thermosetting component having two or more cyclic ether groups and/or cyclic thioether groups in a molecule in addition to them to prepare a heat-curing resin composition.例文帳に追加
硬化性樹脂組成物は、(A)カルボキシル基含有樹脂、(B)リン含有化合物及び(C)層状複水酸化物を含有する。 - 特許庁
In snow melting season, the whole snow layer on the slope will clump to affect on the protective cap of the ground anchor (width d) as snow load.例文帳に追加
斜面の積雪層は、融雪期には積雪層全体が塊となりグラウンドアンカーの保護キャップ(幅d)に対して雪塊が荷重として作用する。 - 特許庁
To attain a stable and highly reliable display capable of ensuring high-duty matrix driving by enlarging operational margin with respect to variation of liquid crystal layer thickness d.例文帳に追加
液晶層厚dの変動に対する動作マージンを大きくしてハイデューティのマトリクス駆動ができる安定かつ高い信頼性の表示を達成する。 - 特許庁
This method for polishing the diamond D comprises bringing the diamond D being a oxidation-reduction (redox) body into contact with a metal oxide being a body to be oxidized and reduced, reducing the contact portion of the metal oxide by the carbon of a diamond surface layer, and relatively polishing thee diamond D by the carbon wear-out of a diamond side.例文帳に追加
ダイヤモンドDの研磨方法は、被酸化還元体である酸化金属体と、酸化還元体であるダイヤモンドDとを接触させて、該接触部分の金属酸化物をダイヤモンド表層部の炭素によって還元し、ダイヤモンド側の炭素の損耗により、相対的にダイヤモンドDの研磨を行なう。 - 特許庁
A part of the colored dot layer 6 forms a reflection suppressing part 63 comprising a plurality of colored dots D adjacent with such a gap S that the metallic layer 5 is visible, and light reflection by the metallic layer 5 is suppressed by the reflection suppressing part 63.例文帳に追加
有色ドット層6の一部は、当該メタリック層5が視認可能な隙間Sを空けて隣接する複数の有色ドットDからなる反射抑制部63を形成しており、この反射抑制部63によってメタリック層5による光反射を抑制している。 - 特許庁
In the polishing pad 10 of a laminated layer type, the groove depth D of the groove 12 in a polishing layer 24 is stipulated to ≤30% of thickness of the polishing layer 24.例文帳に追加
単層型の研磨パッド10ではその溝12の溝深さ(D)を当該研磨パッド10の厚みに対して30%以下に規定し、積層型の研磨パッドでは、研磨層の溝の溝深さ(D)を当該研磨層24の厚みに対して30%以下に規定すること。 - 特許庁
After a first compound nano-crystalline layer in which numerous grains of polycrystalline silicon and numerous silicon microcrystals are intermingled is formed by a nano-crystallization process, the first compound nano-crystalline layer is oxidized electrochemically, and an intense-field drift layer 6 is formed (Figure (d)).例文帳に追加
ナノ結晶化プロセスにより多結晶シリコンの多数のグレインと多数のシリコン微結晶とが混在する第1の複合ナノ結晶層を形成してから、第1の複合ナノ結晶層を電気化学的に酸化するこで強電界ドリフト層6を形成する(図1(d))。 - 特許庁
This is the laminated body in which (A) on a supporting body film, (B) an embedded layer, (C) a mediating layer, and (D) a resin composition layer containing inorganic particles are laminated in this order, and the inorganic particles are those which do not have fluorescence.例文帳に追加
(A)支持体フィルム上に、(B)埋め込み層と(C)仲介層と(D)無機物粒子を含有する樹脂組成物層とがこの順に積層されてなる積層体であって、前記無機物粒子は、蛍光性を有しない無機物粒子であることを特徴とする積層体。 - 特許庁
On a region in which a lower layer wiring (short-circuit line) 16a is formed, a dummy wiring D for relatively thinning the thickness of a flattened film 37 formed on the lower layer wiring 16a to the thickness of the flattened film 37 in a part except the lower layer wiring 16a is formed.例文帳に追加
下層配線(短絡線)16aが形成される領域に、その上に形成される平坦化膜37の厚さを下層配線16a以外の部分の平坦化膜37の厚さに対して相対的に薄くするためのダミー配線Dを形成する。 - 特許庁
The golf ball includes a core, a middle layer to coat the core and a cover as the outermost layer to coat the middle layer, wherein the middle layer contains a three-dimensional shape metallic oxide having at least three needle-shaped sections and has a slab hardness of 55D or more in Shore D hardness.例文帳に追加
本発明のゴルフボールは、コアと、前記コアを被覆する中間層と、前記中間層を被覆するカバーを最外層として有するゴルフボールであって、前記中間層は、少なくとも3つの針状部を有する3次元形状の金属酸化物を含有し、そのスラブ硬度が、ショアD硬度で55D以上であることを特徴とする。 - 特許庁
The golf ball includes a core, an intermediate layer to coat the core and a cover as the outermost layer to coat the intermediate layer, wherein the intermediate layer contains a three-dimensional shape metallic oxide having at least three needle-shaped sections and has a slab hardness of less than 55D in Shore D hardness.例文帳に追加
本発明のゴルフボールは、コアと、前記コアを被覆する中間層と、前記中間層を被覆するカバーを最外層として有するゴルフボールであって、前記中間層は、少なくとも3つの針状部を有する3次元形状の金属酸化物を含有し、そのスラブ硬度が、ショアD硬度で55D未満であることを特徴とする。 - 特許庁
The decorative foamed laminated material is characterized by comprising a surface layer (A) comprising a transparent synthetic resin, the first intermediate layer (B) comprising a transparent or semi-transparent synthetic resin and having decorative properties, the second intermediate layer (C) comprising a synthetic resin and having decorative properties and a base material layer (D) comprising a foamed synthetic resin.例文帳に追加
透明合成樹脂からなる表面層(A)と、透明又は半透明合成樹脂からなり装飾性を有する第1中間層(B)、合成樹脂からなり装飾性を有する第2中間層(C)、及び発泡合成樹脂からなる基材層(D)からなることを特徴とする装飾性発泡積層材。 - 特許庁
The photosensitive film used for forming a permanent pattern comprises a support, a cushion layer, a barrier layer capable of suppressing transfer of substances, and a photosensitive layer, in this order, wherein the photosensitive layer is formed of a photosensitive composition which comprises (A) a binder, (B) a polymerizable compound, (C) a photopolymerization initiator and (D) a filler.例文帳に追加
支持体と、クッション層と、物質の移動を抑制可能なバリア層と、(A)バインダー、(B)重合性化合物、(C)光重合開始剤、及び(D)体質顔料を含有する感光性組成物からなる感光層とをこの順に備えてなり、永久パターンの形成に用いられる感光性フィルムである。 - 特許庁
In the board for the printed circuit constituted by successively laminating a heat-resistant resin layer (B) and a conductive metal layer (C) on at least one side of a heat-resistant insulating film (A), heat-resistant resin particles (D) different from a main resin component constituting the heat-resistant resin layer (B) are added to the heat-resistant resin layer (B).例文帳に追加
耐熱性絶縁フイルム(A)の少なくとも片面に耐熱性樹脂層(B)と導電性金属層(C)を順次積層したプリント回路用基板であって、耐熱性樹脂層(B)中に、耐熱性樹脂層(B)を構成する主たる樹脂成分とは異なる耐熱性樹脂粒子(D)を含むプリント回路用基板。 - 特許庁
Especially preferably, the filament nonwoven fabric layer 12 is integrated to the reinforcing layer 14 by needling, the reinforcing layer 14 is composed solely of longitudinally arranged filament group, the filament nonwoven fabric layer 12 is made of PET and the filament has a tensile strength of ≥9 g/d.例文帳に追加
そして特に、長繊維不織布層12と補強層14とがニードリングによって一体化されることであり、補強層14が縦に配列したフィラメント群だけからなることであり、PETの長繊維不織布層12とされることであり、引張強力が9g/d以上のフィラメントが用いられることである。 - 特許庁
Each DLC layer D is composed of a metal layer M consisting of two or more elements selected among Cr, W, Ti, Si, Ni, and Fe, a composite layer F consisting of the named metals and carbon, and a carbon layer C consisting of carbon, in such an arrangement as C, F, and M from the obverse surface.例文帳に追加
DLC層Dは、Cr,W,Ti,Si,Ni,及びFeのうちの2種以上の金属からなる金属層Mと、前記金属及び炭素からなる複合層Fと、炭素からなるカーボン層Cと、の3層で構成されていて、該3層は表面側からカーボン層C,複合層F,金属層Mの順に配されている。 - 特許庁
The insulating gate type semiconductor device comprises an N- base layer 1, a P-type base layer 2, a trench 3 so formed as to penetrate the P-type base layer 2 before reaching a depth D from the interface against the N- base layer 1, and a gate electrode 4 embedded in the trench 3 via a gate insulating film.例文帳に追加
本発明の絶縁ゲート型半導体装置は、N^-ベース層1と、P型ベース層2と、このP型ベース層2を貫通した後さらにN^-ベース層1との界面から深さDに達するように形成されたトレンチ3と、このトレンチ3の内部に、ゲート絶縁膜を介して埋め込まれたゲート電極4を具備する。 - 特許庁
Since the substrate layer 101 and the substrate layer 102 are stuck together by an adhesive surface and the protective layer 105 and the protective layer 106 are stuck together by an adhesive surface, a user can separate the disk D to three layers by releasing sticking state against adhesive force of these adhesive surfaces.例文帳に追加
ここで、基板層101と基板層102とは粘着面によって貼り付けられており、また保護層105と保護層106とが粘着面によって貼り付けられているので、ユーザはこれらの粘着面の粘着力に抗して貼り付け状態を解除して、当該ディスクDを3つの層に分離することができる。 - 特許庁
In a step (d), a porous polysilicon layer 5 is formed by performing positive electrode oxidation processing with a constant current while performing light irradiation on the exposed polysilicon layer 3 by using the silicon oxide layer 4 as a mask material layer, and by using an electrolytic solution that is prepared by mixing 55 wt.% of hydrogen fluoride aqueous solution and ethanol with a ratio of 1:1, and cooled at 0°C.例文帳に追加
酸化シリコン層4をマスク材料層として55wt%のフッ化水素水溶液とエタノールとを1:1で混合し0℃に冷却した電解溶液を用い、露出したポリシリコン層3に光照射を行いながら定電流で陽極酸化処理を行い多孔質ポリシリコン層5を形成する(図1(d))。 - 特許庁
In this photo-sensitive film for a color filter, formed by laminating (a) a transparent supporter film, (b) a cushion layer, (c) a colored photo-sensitive resin layer and (d) a protective film, in this order, a layer composed by including an ethylene-propylene copolymer having a copolymerizing ratio of ethylene of 60-90 wt.% is used as (b) the cushion layer.例文帳に追加
(a)透明支持体フィルム、(b)クッション層、(c)着色された感光性樹脂層及び(d)保護フィルムの順に積層されたカラーフィルター用感光性フィルムにおいて、(b)クッション層としてエチレンの共重合比が60〜90重量%であるエチレン−プロピレン共重合体を含有してなる層を用いる。 - 特許庁
There are provided the multilayer elastic belt for electrophotographic apparatus which is composed of at least three layers of a surface layer, elastic layer, and base layer, wherein the elastic layer contains a heat curable polyurethane resin that is obtained from a urethane prepolymer (D) in which an isocyanate group is blocked, and an aliphatic compound (E) containing two or more amino groups; and a manufacturing method of the same.例文帳に追加
表面層、弾性層、及び基材層の少なくとも三層からなり、該弾性層が、イソシアネート基がブロックされたウレタンプレポリマー(D)と、アミノ基を2個以上有する脂肪族化合物(E)とから得られる熱硬化性ポリウレタン樹脂を含む電子写真装置用多層弾性ベルト、並びにその製造方法。 - 特許庁
The design sheet includes a transfer film (A) comprising a laminate film 3 covering an ink accepting layer 2 formed by printing a pattern d having a transparent part or a translucent part on a printing film 1, and a release film 5 provided across an adhesive layer 6 on the opposite side face of the printing film to the pattern d.例文帳に追加
印刷用フィルム1に対して透明部又は半透明部を有する図柄dを印刷したインク受容層2を覆うラミネートフィルム3と、前記印刷用フィルム1の図柄dの反対側面に接着剤層6を介して設けた剥離用フィルム5とからなる転写フィルムAとを備えていること。 - 特許庁
The communication apparatus is equipped with: an A/D conversion part 12 which is connected communicatively to a LAN and converts analog data into digital data; and a transmission control part 30 which transmits the digital data obtained by the A/D conversion part 12 to another communication apparatus connected to the LAN by using communication protocols corresponding to the physical layer and data link layer.例文帳に追加
LANに通信可能に接続されると共に、アナログデータをデジタルデータに変換するA/D変換部12と、A/D変換部12で変換されたデジタルデータを、物理層とデータリンク層とに対応する通信プロトコルのみを用いて、LANに接続される他の通信装置に送信する送信制御部30とを備える。 - 特許庁
On the base plate 2, the inner diameter D of the area near the opening of the through hole CH is made larger than the inner diameter d of the other area of the through hole CH, and a step 6 is formed around the through hole CH of the light incident surface, i.e., the surface the reflective layer 3 and the recording layer 4 are formed.例文帳に追加
この基板2は、貫通孔CHの開口部近傍領域の内径Dが貫通孔CHのその他の部分の内径dよりも大きくなっており、光入射側の面すなわち反射層3及び記録層4が形成されている面の貫通穴CHの周囲に段差部6が形成されている。 - 特許庁
By this constitution, the minimum distance (d) in the radial direction between the outer peripheral surface DS of the molding drum D and the outer peripheral surface 15S of the tread-reinforcing cord layer 15 in the end part region 40E of the recessed part 40 is made less than the thickness T of the tread-reinforcing cord layer 15 in the end part region 40E.例文帳に追加
これにより、成形ドラムDの外周面DSと、前記凹部40の端部領域40Eにおけるトレッド補強コード層15の外周面15Sとの間の半径方向の最少距離dを、前記端部領域40Eにおけるトレッド補強コード層15の厚さTよりも小とする。 - 特許庁
The chiral smectic liquid crystal composition comprises a chiral smectic liquid crystal of Iso-Ch-SmC* or Iso-SmC* and has ≥0.980 d_-min/d(Tc) ratio, wherein d(Tc) is a layer spacing at Tc and d_-min is the minimum layer spacing in a smectic liquid phase, and the liquid crystal element is provided by using the composition.例文帳に追加
Iso−Ch−SmC*もしくはIso−SmC*のカイラルスメクティック液晶であって、Tcにおける層間隔d(Tc)とスメクティック相における層間隔の最小値d_minとの比d_min/d(Tc)が0.980以上であることを特徴とするカイラルスメクティック液晶組成物並びにそれを用いた液晶素子。 - 特許庁
In the press trader II, after the synthetic resin substrate 1 is manufactured from the raw material with an optical disk manufacturing apparatus B, the optical disk d is manufactured by laminating the recording layer 2 and a reflecting layer 3 in turn, and further the prescribed information is recorded to the optical disk d by an information recording device C.例文帳に追加
プレス業者IIにおいて、光ディスク製造装置Bにより原料から合成樹脂製基板1を製造したあと、前記記録層2、反射層3を順次積層することにより光ディスクdを製造し、さらに情報記録装置Cにより前記光ディスクdに対して所定の情報を記録する。 - 特許庁
As shown in Figure 4, the photoelectric conversion layer D includes a second film 2 bound together with the electron transfer layer 40, a third film 3, and a first film 4 located between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁
An input electrode pattern 7 and an output electrode pattern 8 are formed on the upper face of the insulating layer 18 (Fig. 1 (d)), and in addition, the insulating layer 18 is arranged on the patterns 7 and 8 by covering them (Fig. 1 (e)).例文帳に追加
絶縁層18の上面に入力電極パターン7及び出力電極パターン8を形成し(図1(d))、さらにこれらパターン7,8の上方にこれらを覆って絶縁層18を設ける(図1(e))。 - 特許庁
In the lateral electric field type liquid crystal display device, a comb teeth end part (D part) of a pixel electrode 206 integrated with a source electrode is opened in the vicinity of a contact hole 212 between an upper layer common electrode 210 and a lower layer common signal wire 202.例文帳に追加
上層の共通電極210と下層の共通信号配線202間のコンタクトホール212の周辺において、ソース電極と一体化した画素電極206の櫛歯終端部(D部)は開放している。 - 特許庁
In the plane view from the side of the object F, the light shielding layer BM overlaps with the separation region between the second and third electrodes 24, and the light receiving surface of the light receiving element D is positioned inside the opening of the light shielding layer BM.例文帳に追加
対象物F側から平面視した場合に、遮光層BMは第2,第3電極24間の離間領域と重なり、受光素子Dの受光面は遮光層BMの開口部内に位置する。 - 特許庁
By making fine adjustment of positions of rollers of the respective erecting devices with keeping the level of the casing and the devices, the surface layer casing is set to a position shown in Fig.(D) to let the respective rollers press the outer side of the surface layer casing.例文帳に追加
両水平性を維持した状態で、各建て込み器具のローラーの位置を微調整しながら、各ローラーが表層ケーシングの外側を押圧するように、表層ケーシングを(D)に示される位置までセットする。 - 特許庁
In the metal external facing material D in which a metal face material 1 is used as a surface layer and in which a foamed resin layer 2 is arranged its backside, a vibrating element 4 is operably arranged in the range of its plate thickness t.例文帳に追加
金属製の面材1を表層とし、その背面に発泡樹脂層2が配置されている金属製外装材Dにおいて、その板厚t内に振動素子4が作動可能に配設されているものとする。 - 特許庁
In an IGBT with a built-in freewheel diode, a wafer thickness D after polishing is made 200μm or less, and both the thickness T8 of a cathode N+layer 8 and the thickness T9 of a P+collector layer 9 are set at 2μm or less.例文帳に追加
フリーホイールダイオード内蔵型IGBTにおいて、研磨後のウエハ厚みDを200μm以下とし、カソードN+層8の厚みT8及びP+コレクタ層9の厚みT9を共に2μm以下に設定する。 - 特許庁
When providing a mask 16 on the semiconductor layer and etching the semiconductor layer except the mask, etching is performed in two steps, and the desired depth (d) of etching is a total value of the depth d_1 and d_2 in both steps of etching.例文帳に追加
半導体層にマスク16を設けて半導体層のマスク以外の部分をエッチングする際に、2回に分けてエッチングし、所望のエッチングの深さdは両方のエッチングの深さd_1、d_2さを合計した値とする。 - 特許庁
(e) A third group III nitride semiconductor layer 41 emitting light due to the conduction is formed on the second group III nitride semiconductor layer 34, by reducing the temperature of the substrate 31 to a second temperature less than the temperature in the step (d).例文帳に追加
(e)基板31を工程(d)における温度以下の第2の温度にして、第2の3族窒化物半導体層34上に、通電により発光が行われる第3の3族窒化物半導体層41を形成する。 - 特許庁
Next, the uncured first cholesteric liquid crystal layer 18 is irradiated with ultraviolet rays with a prescribed irradiation intensity in air atmosphere to form a first cholesteric liquid crystal layer 14 in a cured state (c), (d).例文帳に追加
次に、未硬化状態の第1コレステリック液晶層18に対して、空気雰囲気中で所定の照射強度の紫外線を照射し、硬化状態の第1コレステリック液晶層14を形成する(図1(c)(d))。 - 特許庁
In a process (d), after forming an oxide film 9 and an interlayer film 10 in this order over the whole surface including the WSi layer 7 and the oxide film 6, the contact hole 11 is opened in the films 9, 10 present on the foregoing pattern of the WSi layer 7.例文帳に追加
工程(d)で、WSi層7を含む表面全体に酸化膜9及び層間膜10をこの順序で形成した後、上記パターニングしたWSi層7の上部にコンタクトホール11を開口する。 - 特許庁
An adhesive layer for joining the lower substrate 22 and an upper substrate enters into a step extending from the surfaces of the lower electrode layers 32, 33 to the surface of the transparent conductive layer 31 located inside the intervals D, E.例文帳に追加
下部基板22と上部基板間を接合するための粘着層は、下部電極層32,33の表面から間隔D,E内に位置する透明導電層31の表面にかけての段差内に入り込んでいる。 - 特許庁
On a layer D where the layers B and C are interposed with respect to the layer A, a common-terminal-side wiring electrode 22 connected to the common terminal of the duplexer element 101 and one end of the matching element 102 is formed.例文帳に追加
A層に対してB層、C層が介在されたD層には、デュプレクサ素子101の共通端子および整合素子102の一方端に接続する共通端子側配線電極22を形成している。 - 特許庁
The antireflection film C1 comprises first layer 1 to fifth layer 5 successively laminated on the surface 100S of an optical substrate 100 having a refractive index of 1.75 to 2.10 to d-line.例文帳に追加
この反射防止膜C1は、d線に対して1.75以上2.10以下の屈折率を示す光学基板100の表面100S上に、第1層1から第5層5までの各層を順に積層したものである。 - 特許庁
The conductive laminate sheet comprises: layers (I layers) each including a thermoplastic resin (A) and an electric conduction agent (B); and a layer (II layer) including a polystyrene resin (C), a polylactic acid-based resin (D) and an elastomer (E).例文帳に追加
本発明の導電性積層シートは、熱可塑性樹脂(A)及び導電剤(B)を含む層(I層)と、ポリスチレン系樹脂(C)、ポリ乳酸系樹脂(D)、及びエラストマー(E)を含む層(II層)とを有することを特徴とする。 - 特許庁
The semiconductor laser diode is of a ridge waveguide wherein a predetermined thickness part of a clad layer is formed to have a mesa structure, and the remaining thickness D of the clad layers is laminated on the entire upper surface of an active layer.例文帳に追加
本半導体レーザダイオードは、クラッド層のうちの所定厚さ部分をメサ構造とし、残りの厚さDのクラッド層を活性層上全面に積層させてなるリッジ導波路型半導体レーザダイオードである。 - 特許庁
As shown in Fig.4, the photoelectric conversion layer D has a second film 2 bonded to the electron transport layer 40, a third film 3 and a first film 4 positioned between the second film 2 and the third film 3.例文帳に追加
この光電変換層Dは、図4に示すように、電子輸送層40に結合した第2の膜2と、第3の膜3と、第2の膜2と第3の膜3との間に位置した第1の膜4とを有している。 - 特許庁
A film is formed of the same material as the substrate 110 on the surface of the substrate 110 using the pattern 120a as the mask and a layer 150a and a layer 150b are formed (Fig.2(e)) after removing the pattern 130a (Fig.2(d)).例文帳に追加
パターン130aを剥離した後(図2(d))、パターン120aをマスクとして、基板110の材料と同じ物質を基板110の表面に成膜し、層150a、層150bを形成する(図2(e))。 - 特許庁
In Fig. 1 (d), dry etching is added by using first resist 1 and second resist 2 as masks, and an active layer region 12 and an N-type AlGaAs clad layer 11 are exposed only in a corner mirror part.例文帳に追加
図1(d)において、第一のレジスト1と第二のレジスト2とをマスクにしてドライエッチングを追加して、コーナーミラー部でのみ活性層領域12とn型AlGaAsクラッド層11が露出するようにする。 - 特許庁
In this process, an alteration product D that exists on the surface of the second cap layer 6 functions as a mask and can cause etching of the second cap layer 6 to stop when a crystal face having a low etching rate is exposed.例文帳に追加
このとき、第2のキャップ層6の表面に存在する変質物Dがマスクとして機能し、エッチングレートの低い結晶面が露出したところで第2のキャップ層6のエッチングが止まってしまうことが生じ得る。 - 特許庁
The size of the width 25 of an image of a side face of the most upper layer of a pattern which should appear on an SEM image (d) when a wafer 3 is tilted can be calculated from an actual thickness of the most upper layer of the pattern and a tilting angle of the wafer 3.例文帳に追加
ウェーハ3傾斜時のSEM像(d)に現れるべきパターン最上層側面の像の幅25の大きさは、パターン最上層の実際の厚さとウェーハ3の傾斜角度から算出可能である。 - 特許庁
Since a non-formation part 44 is provided in a phosphor layer 42 on an inner surface 30, light of a path D or a path E is emitted from the non-formation part 44, and thus, not attenuated by the phosphor layer 42.例文帳に追加
内面30上の蛍光体層42に非形成部分44が設けられていることから、経路Dや経路Eの光は非形成部分44から射出されるので蛍光体層42で減衰させられない。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|