「D layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

An n type ZnO layer (low resistance layer) 140- a ZnO layer (piezoelectric conductive film) 150- an n type ZnO layer (low resistance layer) 160 is formed as a piezoelectric element (c, d).例文帳に追加

ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１４０−ＺｎＯ層（圧電導膜）１５０−ｎ型ＺｎＯ層（低抵抗層）１６０を圧電素子として形成する（ｃ，ｄ）。 - 特許庁

An Ag paste is coated and calcined on the lower layer electrode film dA to form an upper layer electrode film dB, and the image signal wiring d is made a double layer structure of the lower layer electrode film dA and the upper layer electrode film dB.例文帳に追加

下層電極膜ｄＡの上にＡｇペーストを塗布し焼成して上層電極膜ｄＢとし、画像信号配線ｄを下層電極膜ｄＡと上層電極膜ｄＢの二層構造とした。 - 特許庁

While, Shore D hardness of the first layer 18a (a B layer) and the outer layer 20 is in a range of 20 to 50 and set lower than the inner layer 16 and the second layer 18b.例文帳に追加

その一方で、第１層１８ａ（Ｂ層）および外層２０のショアＤ硬度を２０〜５０の範囲内でかつ内層１６および第２層１８ｂに比して低く設定する。 - 特許庁

In this tag, a thermoplastic resin film layer A is provided through an adhesive layer D on at least one side of an IC circuit layer B or an IC circuit protective layer V including an IC circuit layer B, and they are laminated and stuck to each other.例文帳に追加

ＩＣ回路層（Ｂ）またはＩＣ回路層（Ｂ）を含むＩＣ回路保護層（Ｃ）の少なくとも片面に接着剤層（Ｄ）を介して熱可塑性樹脂フィルム層（Ａ）を設け、積層貼合されることを特徴とするタグ。 - 特許庁

Between a barrier layer and a well layer of the active layer of quantum well structure, an intermediate layer of AldGa1-dN (0.30≤d≤1), where a band gap energy is larger than the barrier layer is formed over the well layers.例文帳に追加

量子井戸構造の活性層の井戸層と障壁層の間に障壁層よりバンドギャップエネルギーの大きいＡｌ_dＧａ_1-dＮ（０．３０≦ｄ≦１）からなる中間層をすべての井戸層の上に形成する。 - 特許庁

As the base of the tinned layer in which tin-copper intermetallic compounds are dispersed, a nickel alloy plated layer (fig. 2 (b)), a tinned layer (fig. 2 (c)), a tinned layer and a nickel alloy plated layer (fig. 2 (d)) or the like can be formed.例文帳に追加

錫−銅金属間化合物が分散した錫めっき層の下地として、ニッケル合金めっき層（図２（ｂ））、錫めっき層（図２（ｃ））、錫めっき層及びニッケル合金めっき層（図２（ｄ））等を形成してもよい。 - 特許庁

The electrode for electrolysis comprises (a) a base substance consisting of titanium, (b) an alloy layer of titanium and tantalum provided on the base substance, (c) a porous tantalum layer formed on the alloy layer, and (d) platinum supported in the porous tantalum layer.例文帳に追加

(a)チタンよりなる電極基体、(b)該電極基体表面に設けたチタンとタンタルとの合金層、(C)該合金層上に形成させた多孔性タンタル層、及び(d)該多孔性タンタル層に担持させた白金を含んで成ることを特徴とする電解用電極。 - 特許庁

The circuit substrate 3 is equipped with: a first resin layer 10a; and a first inorganic insulating layer 11a including a groove portion D penetrating the layer 11a in a thickness direction thereof, wherein a part of the resin layer 10a is in the groove portion D.例文帳に追加

本発明の一形態にかかる配線基板３は、上記課題を解決するため、第１樹脂層１０ａと、厚み方向に貫通する溝部Ｄを有する第１無機絶縁層１１ａと、を備え、第１樹脂層１０ａは、溝部Ｄ内に配置される部分を有する。 - 特許庁

This laminate is structured of a core (A) and a fibrous layer (B) which is arranged on both sides of the core (A) and impregnated with a polyurethane resin (P), an outer layer (C) of a Class A surface quality, and a decorative layer (D) arranged on a second fibrous layer as desired.例文帳に追加

コアA）、このコアA）の両面に配置しかつポリウレタン樹脂（P）を含浸させた繊維層B）、これら繊維層B）の１つの層に配置した、クラスＡの表面品質の外層C）、および所望により第２の繊維層に配置した装飾層D）を含んでなる積層品。 - 特許庁

Since the second growth layer 22 is grown laterally so as to fill up the dimples of the first grown layer 21, dislocation D transferred from the first growing layer 21 bends laterally at the surface projections, thereby remarkably reducing the density of dislocations D propagated to the surface of the second growth layer 22.例文帳に追加

第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが表面の突部において横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝播される転位Ｄの密度が大きく低減される。 - 特許庁

The waterproof sheet material has a synthetic resin layer 11 (a) containing a water repellent and an acrylic resin, a base layer 12 (b) with an acrylic resin impregnated, a modified asphalt compound layer 13 (c) and a release layer 14 (d) laminated in the order of (a), (b), (c) and (d).例文帳に追加

撥水剤と、アクリル系樹脂とを含む合成樹脂層（ａ）１１と、アクリル系樹脂を含浸させた基材層（ｂ）１２と、改質アスファルトコンパウンド層（ｃ）１３と、剥離層（ｄ）１４とが、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順に積層されている防水シート材である。 - 特許庁

Based on the viewpoint of the restriction on the hardness and the form of the rubber plates in the aforementioned spring structure, since the physical characteristics of the spring structure can be determined by way of specific factors including hardness, elastic modulus, the thickness of each rubber plate layer “t,” the ratio “D/t” (primary form ratio) between the thickness “t” and the diameter “D” of each rubber plate, and the ratio “D/h” (secondary form ratio) between the total thickness “h” and the diameter “D” of the rubber plates, after having conducted various experiments on trial samples, the inventors eventually discovered the practical extent of the factors above to which the aforementioned object could be achieved. 例文帳に追加

上記構成におけるゴム硬度並びに形状規制は、バネ構体の性質が、ゴムの硬度、弾性率、ゴム板一層の暑さt、ゴム板の厚さtと直径Dとの比D/t（一次形状率）、ゴム板の総厚hと直径Dとの比D/h（二次形状率）等によって決定されることに着目し、各種試作例に対する実験によって、上記目的が達成される範囲を調べた結果見出したものである。 - 特許庁

The DLC layer D is constituted of a carbon layer C comprising carbon, a composite carbon layer FC comprising tungsten and carbon, the first metal layer M1 comprising tungsten, a composite metal layer FM comprising tungsten and chromium, and the second metal layer M2 comprising chromium, and the five layers are sequentially arranged in this order from a surface side of the DLC layer D.例文帳に追加

ＤＬＣ層Ｄは、炭素からなるカーボン層Ｃと、タングステン及び炭素からなる複合カーボン層ＦＣと、タングステンからなる第一金属層Ｍ１と、タングステン及びクロムからなる複合金属層ＦＭと、クロムからなる第二金属層Ｍ２と、で構成され、これら５層はＤＬＣ層Ｄの表面側から上記の順に配されている。 - 特許庁

A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.例文帳に追加

第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁

Subsequently, the sacrifice layer 2 which is a silicon oxide layer, a silicon layer 3, an insulating layer 4 which is a silicon oxide layer and a silicon layer 5 are sequentially formed, a high carrier region is formed in the silicon layer 5, and a high carrier region 5a of a region to form a diaphragm D is insulated and separated from the other regions (a).例文帳に追加

次に酸化シリコン層である犠牲層２、シリコン層３、酸化シリコン層である絶縁層４、シリコン層５を順次形成し、シリコン層５には高キャリア領域を形成し、ダイヤフラムＤを形成すべき領域の高キャリア領域５ａは他の領域と絶縁分離する（ａ）。 - 特許庁

The chiral smectic liquid crystal composition comprises a chiral smectic liquid crystal of Iso-Ch-SmC* or Iso-SmC* and has ≥0.980 d_-min/d(Tc) ratio, wherein d(Tc) is a layer spacing at Tc and d_-min is the minimum layer spacing in a smectic liquid phase, and the liquid crystal element is provided by using the composition.例文帳に追加

Ｉｓｏ−Ｃｈ−ＳｍＣ＊もしくはＩｓｏ−ＳｍＣ＊のカイラルスメクティック液晶であって、Ｔｃにおける層間隔ｄ（Ｔｃ）とスメクティック相における層間隔の最小値ｄ＿ｍｉｎとの比ｄ＿ｍｉｎ／ｄ（Ｔｃ）が０．９８０以上であることを特徴とするカイラルスメクティック液晶組成物並びにそれを用いた液晶素子。 - 特許庁

The water stop material E includes a gas permeable waterproofing sheet C comprising a gas permeable waterproofing layer A and a protective layer B covering the waterproofing layer, and includes a slide prevention layer D on the levee soil side.例文帳に追加

止水材Ｅは、ガス透過性防水層Ａとこれを覆う保護層Ｂからなるガス透過性防水シートＣと、この堤土側に滑動防止層Ｄとを備えたものである。 - 特許庁

The photoelectric transfer element 1 comprises an electrode 3, an electron transport layer 4, a colorant layer D, an electrolyte layer 5, an electrode 6, and a jointing film 7, which joints the electrode 3 and the electron transporting layer 4.例文帳に追加

光電変換素子１は、電極３と、電子輸送層４と、色素層Ｄと、電解質層５と、電極６と、電極３と電子輸送層４とを接合する接合膜７とを有する。 - 特許庁

The multilayered film includes (a) an ethylene/vinyl alcohol polymer inside layer (i), (b) coupling agent layers (ii), (ii'), (c) at least one layer (iii), (d) at least one layer (iv), and (e) a heat sealable layer (v).例文帳に追加

ａ）エチレン／ビニルアルコールポリマーの内側層（ｉ）、ｂ）カップリング剤層（ｉｉ）、（ｉｉ'）、ｃ）少なくとも一つの更なる層（ｉｉｉ）、ｄ）少なくとも一つの層（ｉｖ）、ｅ）ヒートシール性層（ｖ）を含んでなる。 - 特許庁

An electrolytic layer 16 is held between a fuel pole layer 13 and an air pole layer 14 to form a cell 42, and the air pole layer is an oxide ion mixture conductor represented by a formula; Ln11-xLn2xA1-yCoyO3+d.例文帳に追加

燃料極層１３と空気極層１４にて電解質層１６を挟持することによりセル４２が構成され、空気極層１４が次の一般式(１)で表される酸化物イオン混合伝導体である。 - 特許庁

The C component D is disposed between a first layer including the underbalanced transmission line UL and a second layer which is disposed opposite to the first layer through a dielectric layer and which contains the balanced transmission line BL.例文帳に追加

Ｃ成分Ｄは、前記不平衡伝送線路ＵＬを含む第１層と、前記第１層に誘電体層を介して対向配置されており、前記平衡伝送線路ＢＬを含む第２層との間に設けられている。 - 特許庁

Furthermore, reduction in the capacity of the pin diode 1 is realized by decreasing the product of the width D of the p+ type diffusion layer 5 and the n+ type diffusion layer 6 and the thickness t of an epitaxial layer (i layer) 4.例文帳に追加

さらに、ｐ^+型拡散層５およびｎ^+型拡散層６の幅Ｄとエピタキシャル層（ｉ層）４の厚さｔとの積とを小さくすることによりｐｉｎダイオード１の低容量化を実現する。 - 特許庁

In the process (d), the second conductive layer 18 and the ferroelectric layer 14 are formed in regions where the first conductive layer 12 and the third conductive layer 16 cross each other.例文帳に追加

前記工程（ｄ）において、前記第２導電層１８および前記強誘電体層１４は、前記第１導電層１２と、前記第３導電層１６との交差領域に形成される。 - 特許庁

A connection layer for connecting the semiconductor element 1 and a base material 2c has a laminated structure of an air gap layer 13 and a bonding layer 7, and consequently, a gas can be dissipated efficiently d to the outside of the connection layer in a process of connection.例文帳に追加

半導体素子１を基材２に接続するための接続層が、空隙層１３と、接合層７との積層構造となっていることにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。 - 特許庁

The ratio of the thickness of the substrate layer to that of the layer C is 5:1 to 200:1, and the ratio of the thickness of the substrate layer to that of the layer D is 2:1 to 200:1.例文帳に追加

前記基材層の厚みと前記Ｃ層の厚みの比は５：１〜２００：１であり、前記基材層の厚みと前記Ｄ層の厚みの比は２：１〜２００：１である。 - 特許庁

Next, an adhesive layer 7 consisting of a zinc compound is formed on the surface of the dielectric layer 6 by non-electrolic plating (d) and a second conductor layer 8 is formed on the surface of the adhesive layer by the wet plating method (e).例文帳に追加

次に、無電解めっきにより誘電体層６の表面に亜鉛化合物からなる密着層７を形成し（ｄ）、湿式めっき法で密着層７の表面に第２の導体層８を形成する（ｅ）。 - 特許庁

A first insulation layer 28 is formed, a resist layer 32 is formed, the insulation layer 28 is etched through an opening 36, the first thickness 42 of the insulation layer is removed, and an S/D opening 40 is formed.例文帳に追加

第一絶縁層２８を形成し、レジスト層３２を形成し、開口部３６を通じて絶縁層２８をエッチングし、絶縁層の第一厚さ４２を除去し、Ｓ／Ｄ開口部４０を形成する。 - 特許庁

This phase-change substance layer is a compound layer of four components containing indium, and the content (a) of In is 15 at.%≤a≤20 at.%, and the phase-change substance layer can be an In_aGe_bSb_cTe_d layer.例文帳に追加

インジウムを含む４成分化合物層であって、インジウム含有量（ａ）が１５ａｔ．％≦ａ≦２０ａｔ．％であることを特徴とする相変化物質層であり、該相変化物質層は、Ｉｎ_ａＧｅ_ｂＳｂ_ｃＴｅ_ｄ層でありうる。 - 特許庁

The cover includes a thermoplastic inner cover layer having a hardness between 55 and 60 Shore D; an outer cover layer having a hardness between 55 and 60 Shore D; and a non-ionomeric thermoplastic polyurethane or polyurea intermediate cover layer disposed between the inner and outer cover layers.例文帳に追加

カバーは硬度が５５から６０ショアＤの熱可塑性内側カバー層、硬度が５５から６０ショアＤの外側カバー層、並びに、内側および外側カバー層の間に配された非アイオノマー製の熱可塑性ポリウレタンまたはポリ尿素の中間カバー層を含む。 - 特許庁

In addition, since growth occurs in the lateral direction so as to fill the recessed parts on the surface of the first layer 21, the dislocation D taken over from the layer 21 is bent in the horizontal direction, and the density of the dislocation D propagated to the surface of the second layer 22 is largely reduced.例文帳に追加

また、第１の成長層２１の表面の窪みを埋めるように横方向に成長が起こるため、第１の成長層２１から引き継がれた転位Ｄが横方向に屈曲し、第２の成長層２２の表面まで伝搬される転位Ｄの密度が大きく低減する。 - 特許庁

The liquid crystal display element is formed by layering a liquid crystal layer consisting of a cholesteric liquid crystal and a circularly polarizing plate for circularly polarizing light and the liquid crystal layer has a relation d/p>1.5, when the thickness of the liquid crystal layer and the a spiral pitch of the cholesteric liquid crystal are defined as d and p, respectively.例文帳に追加

コレステリック液晶からなる液晶層と、光を円偏光する円偏光板とを積層してなる液晶表示素子であって、液晶層は、液晶層の厚さをｄ、コレステリック液晶の螺旋ピッチをｐとしたときに、ｄ／ｐ＞１．５なる関係を有するものである。 - 特許庁

The apparatus for removing tar is provided with: a ceramic layer (C) consisting of an assembly of many porous ceramic thermal storage bodies (1) for capturing the tar in the gasified gas; a vessel body (D) in the predetermined sections of which the ceramic layer is packed; and a changeover unit for selectively circulating the gasified gas and a gasifying agent through the ceramic layer.例文帳に追加

タール除去装置は、ガス化ガス中のタールを捕獲する多数の多孔質セラミック蓄熱体(1)の集合体からなるセラミック層(C)と、セラミック層を所定区画に充填してなる容器本体(D)と、セラミック層にガス化ガス及びガス化剤を選択的に流通せしめる切換装置とを有する。 - 特許庁

The electrifying member possesses at least a conductive supporting body, an elastic layer provided on the conductive supporting body, and an outermost layer formed on an outermost side, and the outermost layer consists of a porous body possessing hole parts whose length (L) and diameter (D) satisfies the relation of L/D ≥ 1.1.例文帳に追加

導電性支持体と、該導電性支持体上に設けられた弾性層と、最も外側に形成された最外層とを少なくとも有し、前記最外層は孔部を有し、該孔部の長さ（Ｌ）と径（Ｄ）がＬ／Ｄ≧１．１である多孔質体からなる帯電部材とする。 - 特許庁

Further, by depositing an SiO_2 film 74 of low-refractive material on seventh layer that is the outermost surface layer, having an optical film thickness n×d(n: refractive index, d: physical film thickness) of λ/4 (λ=500 to 600 nm) in order to enhance antireflection effect, the ND film 71 comprising inorganic hard film of seven-layer composition is formed.例文帳に追加

更に、反射防止効果を高めるために最表層の第７層に低屈折材料であるＳｉＯ_2膜７４を光学膜厚ｎ×ｄ（ｎ：屈折率、ｄ：物理膜厚）でλ／４（λ＝５００〜６００ｎｍ）蒸着し、７層構成の無機硬質膜から成るＮＤ膜７１を成膜する。 - 特許庁

The light-resistant heat-fading body is constituted by covering the whole surface including the periphery of a heat-fading layer with an oxygen gas barrier layer, wherein the oxygen permeability of the oxygen gas barrier layer is 1,200 ml/(m^2×d×MPa) or less, preferably, is 0 to 600 ml/(m^2×d×MPa).例文帳に追加

熱変色層の周辺を含めて全面が酸素ガスバリヤー層で覆われている耐光性熱変色体であり、前記酸素ガスバリヤー層の酸素透過度は、１２００ｍｌ／（ｍ^２・ｄ・ＭＰａ）以下、好ましくは０〜６００ｍｌ／（ｍ^２・ｄ・ＭＰａ）である。 - 特許庁

The intermediate layer of a circuit board 10 is a beta-ground layer almost on whose whole face a ground pattern is formed, and signal lines D+ and D- connecting a USB connector 2 and a DSP 3 mounted on the surface layer of the circuit board 10 are formed.例文帳に追加

回路基板１０の中間層は、グラウンドパターンを略一面に形成したベタグラウンド層であり、回路基板１０の表面層に取り付けたＵＳＢコネクタ２、およびＤＳＰ３とを接続する信号線Ｄ＋、Ｄ−を形成している。 - 特許庁

The photoelectric conversion device comprises a first electrode, second electrode located opposite to the first electrode, electron transfer layer (substrate) 40 located between the first and second electrodes, photoelectric conversion layer D in contact with the electron transfer layer 40, and hole transfer layer which is located between the electron transfer layer 40 and the second electrode and is in contact with the photoelectric conversion layer D.例文帳に追加

本発明の光電変換素子は、第１の電極と、第１の電極と対向して設置された第２の電極と、これらの間に位置する電子輸送層（基体）４０と、電子輸送層４０と接触する光電変換層Ｄと、電子輸送層４０と第２の電極との間に位置し、光電変換層Ｄに接触する正孔輸送層とを有している。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has: a first electrode; a second electrode arranged facing the first electrode; an electron transport layer (substrate) 40 positioned between the electrodes; a photoelectric conversion layer D contacting the electron transport layer 40; and a positive hole transport layer positioned between the electron transport layer 40 and the second electrode and contacting with the photoelectric conversion layer D.例文帳に追加

本発明の光電変換素子は、第１の電極と、第１の電極と対向して設置された第２の電極と、これらの間に位置する電子輸送層（基体）４０と、電子輸送層４０と接触する光電変換層Ｄと、電子輸送層４０と第２の電極との間に位置し、光電変換層Ｄに接触する正孔輸送層とを有している。 - 特許庁

Since the relation 0.75×D≤C≤D holds, where C is the hole density of the p-type clad layer 7 and D is activation rate of the holes and further a relations 1.5×1017 cm-3≤C≤9.5×1017 cm-3 is valid, the semiconductor LD1 shows a high optical output.例文帳に追加

このｐ型クラッド層７の正孔濃度Ｃと正孔の活性化率Ｄとの間に０．７５×Ｄ≦Ｃ≦Ｄの関係があり、且つ、１．５×１０^17ｃｍ^-3≦Ｃ≦９．５×１０^17ｃｍ^-3の関係があるため、半導体ＬＤ１は高い光出力を示す。 - 特許庁

The composition for forming the ink receiving layer includes an inorganic particulate (A), poly(vinyl alcohol) (B), water (C) and 3-6C fatty alcohol (D) and a weight ratio (D/C) of the 3-6C fatty alcohol (D) to water (C) is 0.05 to 0.9.例文帳に追加

無機微粒子（Ａ）、ポリビニルアルコール（Ｂ）、水（Ｃ）及び炭素数３〜６の脂肪族アルコール（Ｄ）を含み、炭素数３〜６の脂肪族アルコール（Ｄ）と水（Ｃ）との重量比（Ｄ／Ｃ）が０．０５〜０．９であることを特徴とするインク受容層形成用組成物を用いる。 - 特許庁

The pulse laser beams are incident on the surface of the copper layer 4 under the condition that the irradiation spot houses an opening of the window aperture 4a, and the diameter of the irradiation spot is ≥ D and ≤ D+25 μm, where D is the diameter of the opening of the window aperture 4a.例文帳に追加

銅層４の表面に、パルスレーザ光を、その照射スポットが窓穴４ａの開口を内包し、かつ照射スポットの直径が、窓穴４ａの開口の直径をＤとしたときに、Ｄ以上、Ｄ＋２５μｍ以下となる条件で入射させる。 - 特許庁

In the surface layer part in the region from the surface to a depth of 20 μm of the molded article, the minor diameter (D) of a domain formed by the ethylenic copolymer is 0.01-1 μm, and the ratio (L/D) of the major diameter (L) to the minor diameter (D) is 10-2,000.例文帳に追加

該成形品の表面から深さ２０μｍの範囲の表層部における、エチレン系共重合体により形成されるドメインの短径（Ｄ）が０．０１〜１μｍで、長径（Ｌ）と短径（Ｄ）との比（Ｌ／Ｄ）が１０〜２０００であることを特徴とする。 - 特許庁

In this case, in the liquid crystal layer 5, the thickness d_B of an area in contact with a blue color filter 6B is smallest, and the thickness d_G of an area in contact with a green color filter 6G is smaller than the thickness d_R of an area coming in contact with a red color filter 6R.例文帳に追加

ここで、液晶層５の厚みは青色のカラーフィルタ６Ｂに接触する領域の厚みｄ_Ｂが最も小さく、緑色のカラーフィルタ６Ｇに接触する領域の厚みｄ_Ｇ、赤色のカラーフィルタ６Ｒに接触する領域の厚みｄ_Ｒの順に大きくなる。 - 特許庁

The variable-density of each dot D (fluorescence layer 540) is set corresponding to the lighting color of the display part 56, and then the display part 56 is toned by the composite color of the light toned by passing through each dot D and the light passed through between respective dots D without toning.例文帳に追加

各ドット（蛍光層５４０）Ｄの濃淡は、表示部５６の照明色に応じて設定され、各ドットＤを通過することにより調色された光と、各ドットＤの間をそのまま通過した光との合成色によって、表示部５６を調色する。 - 特許庁

In this case, in the liquid crystal layer 5, the thickness d_B of an area in contact with a blue color filter 6B is smallest, and the thickness d_G of an area in contact with a green color filter 6G is smaller than the thickness d_R of an area in contact with a red color filter 6R.例文帳に追加

ここで、液晶層５の厚みは青色のカラーフィルタ６Ｂに接触する領域の厚みｄ_Ｂが最も小さく、緑色のカラーフィルタ６Ｇに接触する領域の厚みｄ_Ｇ、赤色のカラーフィルタ６Ｒに接触する領域の厚みｄ_Ｒの順に大きくなる。 - 特許庁