「D layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical disk 30 for adjusting the optical pickup has a protective substrate 31 and an intermediate depth information recording layer 32_mid for adjusting the optical pickup formed in an intermediate depth D_mid between a depth D_max of the maximum depth information recording layer and a depth D_min of the minimum depth information recording layer, which are stipulated by an optical disk specification.例文帳に追加

光ピックアップ調整用光ディスク３０は、保護基板３１と、光ディスク規格が規定する最大深さ情報記録層の深さＤ_ｍａｘと最小深さ情報記録層の深さＤ_ｍｉｎとの中間の深さＤ_ｍｉｄに形成された、光ピックアップ調整用の中間深さ情報記録層３２_ｍｉｄとを有する。 - 特許庁

The diameter D_G of an incident plane 28a of the optical waveguide 28 is larger than the diameter D_L of the microlens 32, and a light reflection layer 29 is formed on its side wall.例文帳に追加

光導波路２８は、光入射面２８ａの径Ｄ_Ｇが前記マイクロレンズ３２の径Ｄ_Ｌより大きく、その側壁には光反射層２９が形成されている。 - 特許庁

This golf ball includes a solid core having PGA compression of ≤55 and an outer cover layer having a Shore D hardness of at least 60 and has the PGA compression of ≤80.例文帳に追加

55以下のPGA圧縮をもつソリッドコア、および少なくとも60のショアーD硬度をもつ外側カバー層を含んでなり、80以下のPGA圧縮をもつゴルフボール。 - 特許庁

The near infrared ray absorption adhesive layer includes (d) a (meth)acrylic adhesive resin composition including a (meth)acrylic resin with an acid number of 20 mgKOH/g or less, and (e) a diimmonium based dye or a phthalocyanine based dye.例文帳に追加

近赤外線吸収粘着層は、酸価が２０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下の（メタ）アクリル系樹脂を含む（d）（メタ）アクリル系粘着樹脂組成物と、（e）ジイモニウム系色素又はフタロシアニン系色素とを含む。 - 特許庁

The data signal lines D+ and D- included in each of the USB connectors perform connection switching to a USB physical layer circuit comprising an analog transceiver/receiver via the analog switch.例文帳に追加

また、各ＵＳＢコネクタのデータ信号線Ｄ＋／Ｄ−は、アナログ・スイッチを介して、アナログ・トランシーバ／レシーバからなるＵＳＢ物理層回路との接続切り替えを行なう。 - 特許庁

When the thickness and the dielectric constant of the dielectric layer are called d and ε, the dielectric capacitance C=f (d, ε) is varied in the direction crossing discharge channels.例文帳に追加

本発明によれば、誘電体層の厚さをｄ、誘電率をεとした誘電体層のキャパシタンスＣ＝ｆ（ｄ，ε）を放電チャネルに対し交差する方向で変化させる。 - 特許庁

The photoabsorption layer is made of a single metal film or an alloy film and preferably an Ag single film or an Ag alloy film having its film thickness d lying within the range indicated by an inequality: 12 nm≤d≤24 nm.例文帳に追加

前記光吸収層は、金属単体膜又は合金膜からなり、好ましくは、Ａｇ単体膜又はＡｇ合金膜からなり、その光吸収層の膜厚ｄが、次の式 １２ｎｍ≦ｄ≦２４ｎｍ で示される範囲にある。 - 特許庁

A sufficient space can be secured between a first electrode and a second electrode, and the other substrate by setting the thickness (d) of an electrooptical material layer so that d>A×S (3<A<100).例文帳に追加

電気光学物質層の厚さｄをｄ＞Ａ×Ｓ（３＜Ａ＜１００）となるように設定することにより、第１電極及び第２電極と他方の基板との間隔を確実に確保することができる。 - 特許庁

The adhesive layer 2 is formed to be ultraviolet-curable, and has viscoelastic characteristics of (a), (b) in a condition before ultraviolet cure and of (c), (d) in a condition after ultraviolet cure.例文帳に追加

粘着剤層２は紫外線硬化可能に構成され、紫外線硬化前の状態では(a),(b)の、紫外線硬化後の状態では(c),(d)の粘弾性特性を有する。 - 特許庁

In this removing process, a pure water liquid film D is formed on the wafer W in the static state, and the upper layer portion of the resist pattern size shrinking agent B is dissolved by the pure water liquid film D.例文帳に追加

この除去工程では、先ずウェハＷを静止した状態でウェハＷ上に純水の液膜Ｄを形成して、純水の液膜Ｄによりレジストパターン寸法縮小剤Ｂの上層部分を溶解する。 - 特許庁

In the configuration, a quantum well caused by a band gap difference between the nanocrystal grain (d) and the amorphous layer of the semiconductor composing the nanocrystal grain (d) is formed, so that the photoelectric conversion device having a high photoelectric conversion rate can be obtained.例文帳に追加

かかる構成によれば、ナノ結晶粒と当該ナノ結晶粒を構成する前記半導体のアモルファス層とのバンドギャップ差に起因する量子井戸が形成され、光電変換効率の高い光電変換装置となる。 - 特許庁

The distance D between the surface of the protective cover on the side of the scintillator panel and the surface of a substrate in which a fluorescent layer is formed is 0.2 mm≤D≤2.0 mm.例文帳に追加

保護カバーのシンチレータパネル側の面から基板の蛍光体層が形成された面までの距離Ｄが、０．２ｍｍ≦Ｄ≦２．０ｍｍである。 - 特許庁

In this case, d=n.λ/4 (n: integer) is satisfied, where (d) is the arrangement interval of the holes 20 and λ is the wavelength of guided light in the core layer 16.例文帳に追加

この場合、穴２０の配置間隔をｄ、コア層１６における導波光の波長をλとしたとき、ｄ＝ｎ・λ／４（ｎは整数）を満足することが好ましい。 - 特許庁

By setting the insulation supporting film 17 composed of single insulation layer in the diaphragm part D, the heat capacity of the diaphragm part D is reduced so that the infrared detection sensitivity is improved.例文帳に追加

ダイヤフラム部Ｄに、単一の絶縁層からなる絶縁支持膜１７を設けることで、ダイヤフラム部Ｄの熱容量が低減し、赤外線検知感度が向上する。 - 特許庁

To stabilize a twisted state while the value d/p of the thickness (d) of a liquid crystal layer to the pitch (p) of liquid crystal molecules is lowered so that the luminance of a display is not remarkably reduced when no electric field is applied.例文帳に追加

印加電界がゼロにおいて、ディスプレイの輝度が著しくは減少しないように、液晶層の厚さ（ｄ）の液晶分子のピッチ（ｐ）に対するｄ／ｐ値をより低くしながら、ツイスト状態を安定化すること。 - 特許庁

More particularly, when the thickness of the sapphire substrate is d, the diameter of the sapphire substrate is r (numerical value when expressing with inches), and the thickness of the crystal layer is t, the thickness of the sapphire substrate is set so that d≥50×r×t is satisfied.例文帳に追加

具体的には、サファイア基板の厚さをｄ、サファイア基板の直径をｒ（インチで表した時の数値）、結晶層の厚さをｔとしたときに、ｄ≧５０×ｒ×ｔとなるようにサファイア基板の厚さを選定する。 - 特許庁

In order not to produce a lateral electric field in the region (D) 71, a portion of a pixel electrode, being the lower electrode layer, corresponding to the region (D) 71 is removed while the shape of the slit 61 is left as it is.例文帳に追加

この領域（Ｄ）７１において、横方向電界を生じさせないためには、スリット６１の形状はそのままにして、下部電極層である画素電極において、領域（Ｄ）７１に対応する部分を除去する。 - 特許庁

The adhesive layer 2 is composed so as to be cured by ultraviolet rays, and has viscoelastic properties of (a) and (b) in a state before ultraviolet curing, and viscoelastic properties of (c) and (d) in a state after ultraviolet curing.例文帳に追加

粘着剤層２は紫外線硬化可能に構成され、紫外線硬化前の状態では(a),(b)の、紫外線硬化後の状態では(c),(d)の粘弾性特性を有する。 - 特許庁

1st-3rd optical pickups 340a-340c for reading out a reproduction signal from an optical disk D are installed on a characteristic inspection device for inspecting the variations in the deposition, etc., of a dystuff recording layer 204 of the optical disk D.例文帳に追加

光ディスクＤにおける色素記録層２０４の成膜ばらつき等を検査する特性検査装置１０８に、光ディスクＤから再生信号を読み取るための第１〜第３の光学ピックアップ３４０ａ〜３４０ｃを設置する。 - 特許庁

The negatively charged atom extraction part has a hole or groove, establishing that a t/d value is 0.1 or more, preferably 1.0 or more, where d is the diameter of the inscribed circle of the hole or groove and t is the thickness of the insulating layer.例文帳に追加

そして、前記負荷原子引出部は、ホール又は溝を有し、当該ホール又は溝の内接円の径を「ｄ」、前記絶縁層の厚みを「ｔ」としたときに、ｔ／ｄの値を０．１以上、好ましくは、１．０以上とする。 - 特許庁

The self-adhesive layer 2 is formed so as to be able to be cured with ultraviolet light, and has viscoelasticities shown in (a), (b) in the condition before being cured with ultraviolet light and (c), (d) in the condition after being cured with ultraviolet light.例文帳に追加

粘着剤層２は紫外線硬化可能に構成され、紫外線硬化前の状態では(a),(b) の、紫外線硬化後の状態では(c),(d) の粘弾性特性を有する。 - 特許庁

When the diameter of an almost circular electrode pad 10 is (w) and the spacing between the electrode pad 10 and internal layer ground conductors 22, 23 in the direction parallel to the primary plane of a substrate 1 is (d), the relation 0<d≤w is established.例文帳に追加

略円形状の電極パッド１０の直径をｗ、基体１の主面に平行な方向における電極パッド１０と内層接地導体２２，２３との間隔をｄとした場合、０＜ｄ≦ｗとした。 - 特許庁

When the thickness of the liquid crystal layer 5 and the refractive index anisotropy of the liquid crystal are defined as d and Δn, respectively, d is 2.5 μm or less and Δn.d is 0.375 μm or more.例文帳に追加

液晶層５の厚みをｄ、液晶の屈折率異方性をΔｎとすると、ｄが２．５μｍ以下であり、かつ、Δｎ・ｄが０．３７５μｍ以上である。 - 特許庁

When the film thickness of the insulating layer 107 is defined as d and k is defined as an integer of 0 to 5, the film thickness is set so as to satisfy d=(100+170×k)±30 to suppress the changes of the color tones between the front visual field and the oblique visual field.例文帳に追加

絶縁層１０７の膜厚ｄが、ｋを０以上で５以下の整数として、 ｄ＝（１００＋１７０×ｋ）±３０を満たすように設定することで、正面視野と斜め視野との間での色味の変化を抑制する。 - 特許庁

Further, in the second auxiliary chamber 8b the ratio of the length L of the layer of the adsorption material 54 filled therewith to the diameter D of the circle area equivalent to the cross sectional area of the second auxiliary chamber 8b, i.e., L/D is 1 or more.例文帳に追加

また、第２副室８ｂは、充填した吸着材５４層の長さＬと第２副室８ｂの断面積に相当する円面積の直径Ｄとの比Ｌ／Ｄを１以上とした。 - 特許庁

In a fixing position, a fixing pressure is applied between a fixing roll 81 and an optical disk D, and an elastic layer 81b of the fixing roll 81 is elastically deformed to give a prescribed nip width N between the fixing roll 81 and the optical disk D.例文帳に追加

定着位置では、定着ローラ８１と光ディスクＤとの間に定着圧力が掛かり、定着ローラ８１の弾性層８１ｂが弾性変形して、光ディスクＤとの間に所定のニップ幅Ｎを持たせることができる。 - 特許庁

To easily change the value of a ratio L/D between the length L of an adsorbing material layer and an effective cross sectional diameter D in the whole of a device without changing the design of the whole of a casing.例文帳に追加

ケーシング全体の設計を変更することなく、装置全体における吸着材層の長さＬと有効断面直径Ｄの比Ｌ／Ｄの値を容易に変更できるようにする。 - 特許庁

The position of the first layer room part is set not to exceed an area surrounded by the post 2 even when the maximum displacement regulated by the base isolation device D is given and not to come into contact with the post 2.例文帳に追加

第1層の室部の位置は、免震装置Dによって規定される最大変位を与えた際にでも円柱２で囲まれた領域を越えず、かつ円柱２に接触しないように設定されている。 - 特許庁

After the adhesive layer 8 is hardened, it is cut with a dicing blade along lines A-A, B-B, C-C, and D-D shown in Figure 4 (b), and runner 11 is removed, thus forming the optical element shown in Figure 4 (c).例文帳に追加

接着層８が硬化した後、図４（ｂ）に示す、Ａ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線、Ｃ−Ｃ線、Ｄ−Ｄ線に沿ってダイシングブレードで切断し、ランナー１１を取り除くことによって、図４（ｃ）に示す光学素子を形成する。 - 特許庁

A 100% modulus Mt of an edge rubber material 24 is 0.9 Mc>Mt>0.6 Mc and the thickness T of a edge rubber material 24 in the belt edge part 31A in the first layer 31 is 2.5 D>T>D.例文帳に追加

端ゴム材２４の１００％モジュラスＭｔは０．９Ｍｃ＞Ｍｔ＞０．６Ｍｃとされ、第１層３１のベルト端部３１Ａでの端ゴム材２４の厚さＴは２．５Ｄ＞Ｔ＞Ｄとされる。 - 特許庁

Specifically, the length of the carbon nano-tube is so controlled as to be set shorter than d-Vg/ Eb, where Eb is the withstand voltage of the insulation layer 4, (d) is the film thickness thereof, and Vg is an application voltage.例文帳に追加

具体的には、絶縁層４が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、印加電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短く制御する。 - 特許庁

In the short pulse electrolysis, the lowering of the short pulse is completed (time t_E) after the startup of the short pulse P 1 (time t_S) and before the generation of a diffusion layer at a cathode boundary (t≤t_D).例文帳に追加

短パルス電解では、短パルスＰ１の立ち上げ後（時間ｔ_S）、陰極界面に拡散層が発生する前（ｔ≦ｔ_D）に、短パルスの立ち下げが完了する（時間ｔ_E）。 - 特許庁

The dopant concentration of the active layer is set to N_d(cm^-3), and the amount of voltage shift in the gate voltage-drain current characteristics is set to approximately 1.37×10^-17×N_d(V) for designing the thin-film transistor.例文帳に追加

活性層のドーパント濃度をＮ_ｄ（ｃｍ^−３）と設定して、ゲート電圧−ドレイン電流特性の電圧シフト量を略１．３７×１０^−１７・Ｎ_ｄ（Ｖ）として薄膜トランジスタの設計を行う。 - 特許庁

The adhesive layer 2 is composed so as to be cured by ultraviolet rays and has viscoelastic properties of (a) and (b) in a state before ultraviolet curing, and viscoelastic properties of (c) and (d) in a state after ultraviolet curing.例文帳に追加

粘着剤層２は紫外線硬化可能に構成され、紫外線硬化前の状態では(a),(b)の、紫外線硬化後の状態では(c),(d)の粘弾性特性を有する。 - 特許庁

Preferably, the thickness d [μm] of the decorative sheet bodies and the thickness t [μm] of the film layer 8 satisfy the following expressions: 50≤d≤250 and 0.5d≤t≤2d.例文帳に追加

更に望ましくは、化粧シート本体の厚さｄ［μｍ］及び前記エチレン−酢酸ビニル共重合樹脂系フィルム層の厚さｔ［μｍ］が、５０≦ｄ≦２５０、０．５ｄ≦ｔ≦２ｄの２つの関係式を満たすようにする。 - 特許庁

The refraction index n of the first translucent substrate 11 and the second translucent substrate 12 is made 1.73<n<2.0 (at d line), the incident angle α is made 61°≤α≤82°, and the film thickness t of the bonding layer 14 is made 15nm≤t<60nm.例文帳に追加

第一透光性基材１１及び第二透光性基材１２の屈折率ｎを、１．７３＜ｎ＜２．０（d線における）とし、入射角αを、６１°≦α≦８２°に設定し、接合層１４の膜厚ｔを、１５ｎｍ≦ｔ＜６０ｎｍとした。 - 特許庁

On a second inter-layer film 20 on a SOI substrate 2 with which a pair of X-detection elements D_X are provided on a surface 21, inter-element wiring 43 is laid which connects these X-detection elements D_X.例文帳に追加

表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。 - 特許庁

The width of the current aperture of the current narrowing layer 14 is not larger than the diameter (D) of a circle drawn by connecting the center of the holes that are nearest the point defect, wherein the diameter D of the circle is 10.6λ or smaller.例文帳に追加

電流狭窄層１４の電流開口の幅が、点欠陥に最も近接する円孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）以下であり、円の直径Ｄが１０．６λ以下である。 - 特許庁

A window body is formed from a pair of first and second elements A, A' consisting of flat plate parts a, a', rising parts b, b', attaching parts c, c' and bonding parts d, d' so as to have an air layer K therein.例文帳に追加

平板部（ａ、ａ’）と、立上部（ｂ、ｂ’）と、取付部分（ｃ、ｃ’）と、接合部（ｄ、ｄ’）とからなる一対の第１、２の要素（Ａ、Ａ’）からその内側に空気層（Ｋ）を有するように形成する。 - 特許庁

When n_D is a refractive index of the dielectric material and λ_M is the center of a range of wavelengths of emitted light, a thickness of the light-extraction enhancement layer (5) is approximately 5λ_M/8n_D.例文帳に追加

本発明によると、ｎ_Dが誘電材料の屈折率であり、λ_Mが放出された光の波長の範囲の中心である場合、光抽出強化層（５）の厚さは、約５λ_M／８ｎ_Dである。 - 特許庁

The floor, wall or ceiling, surface member V is a cover plate with a thickness of 40 mm or less, particularly 20 mm or less, and further particularly 10 mm or less, in which case at least one vibration isolating layer D is disposed between two portions of the cover plate V.例文帳に追加

床、壁又は天井の表面材(V)は、40 mm以下、特に20 mm以下、なお、特に10mm以下の厚さの一つの被覆板であり、その際被覆板(V)の二つの部分の間に少なくとも一つの制振層(D)が配設されている。 - 特許庁

Water (c) is sprayed in a cold reactor 1 to form fine ice particles (d) and the ice (d) is reacted with natural gas (b) introduced into the reactor 1 to form a primary formed layer (e) of the gas-hydrate.例文帳に追加

生成水ｃを低温の反応槽１内に噴霧して微細な氷ｄを生成し、この微細氷ｄを反応槽１内に導入した天然ガスｂと反応させて、その表面にガスハイドレートの一次生成層ｅを形成する。 - 特許庁

Then the distance measurement window is open, a PLOAM (Physical Layer Operation Administration and Maintenance) grant is sent, a PLOAM cell sent from the ONU is received and when the delay is obtained, the delay measurement result is set to (d).例文帳に追加

次に、距離測定ウィンドウを開くと共に、PLAOM grantを送信し、ONUから送られてくるPLOAMセルを受信して、遅延値を得ることが出来れば遅延測定結果をdとする。 - 特許庁

The relation d<L is satisfied when the depth from the peak of the mountain part 30a to the bottom of the valley part 30b is represented by d and the distance from the peak of the mountain part 30a to the barrier layer 20c is represented by L.例文帳に追加

山部３０ａの頂点から谷部３０ｂの底までの深さをｄとし、山部３０ａの頂点からバリア層２０ｃまでの距離をＬとすると、ｄ＜Ｌとなるように構成している。 - 特許庁

Winding of a flat wire L in a first row of a first layer of a coil trunk d is started from a lower end part of a first outer peripheral surface d1 of the coil trunk d as a winding start position.例文帳に追加

巻胴部ｄの第一外周面ｄ１の下端部を巻き始め位置として、平角線Ｌの巻胴部ｄへの第１層第１列の巻き付けが開始される。 - 特許庁