「Extended Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

If an input/output adaptor connected to one of a plurality of extended slots requires allocation of a larger quantity of memory than memory allocated previously, the memorys are allocated again.例文帳に追加

複数の拡張スロットのうちの１つに接続された入出力アダプタが以前に割り振られたよりも多くのメモリ割り振りを要求する場合、メモリを再割り振りする。 - 特許庁

A bit line 25 is connected to the diffusion layer of the cell transistor 22 and extended up to the surface of the ferroelectric memory device.例文帳に追加

ビット線２５はセルトランジスタ２２の拡散層に接続され、強誘電体記憶素子の表面まで通っている。 - 特許庁

The memory cell array is divided into a plurality of segments SG, and four main data lines MDL are extended from respective segments SG.例文帳に追加

メモリセルアレイは複数のセグメントＳＧに分割され、各セグメントＳＧからは４本のメインデータ線ＭＤＬが延びている。 - 特許庁

Since it is stored in a memory, the lens is extended to the same position when the main switch and the diaphragm dial 7 are turned off and turned on again.例文帳に追加

メモリに記憶されているので、メインスイッチ／絞りダイヤル７をオフし、再度オンすると、レンズが同じ位置に繰り出される。 - 特許庁

N memory cells 130 of each column being extended in the column direction of a storage region 126-1 compose one storage section.例文帳に追加

記憶領域１２６_-1のカラム方向に延びる各行のｎ個のメモリセル１３０は、夫々１つの記憶部を構成する。 - 特許庁

The root section of the lower side of an extended part 2 is arranged more closely to a card part 1 side than the root section of the upper side of the extended part 2 so that a stress to be applied on a memory card can be distributed.例文帳に追加

拡張部２の下側の付根部分を、拡張部２の上側の付根部分に比べてカード部１側に寄せることにより、メモリカードにかかる応力を分散させる。 - 特許庁

To provide a hybrid drive device having an optical disk device combined with a high-speed accessible memory such as flash memory; to which an extended memory allowing a high-speed access and having a larger capacity can be added.例文帳に追加

光ディスク装置とフラッシュメモリ等の高速アクセス可能なメモリを組み合わせたハイブリッドドライブ装置において、より大容量の高速アクセス可能なメモリを追加出来る拡張メモリ付きハイブリッドドライブ装置を提供すること。 - 特許庁

Therefore, in an extended direction of bit line BL, arranging interval of memory cells MC in the memory cell array 110 to 116 can be narrowed, thereby providing a ferroelectric memory device with high density integration.例文帳に追加

従って、ビット線ＢＬの延在方向において、メモリセルアレイ１１０〜１１６におけるメモリセルＭＣの配置間隔を狭くすることができるので、集積度が高い強誘電体メモリ装置を提供することができる。 - 特許庁

This PC card 1 constituted by arranging an extended part 6 being a function extended part at the rear side of the longitudinal direction of the PC card main body is provided with a storage part 5 for mounting a compact memory card under the extended part 6.例文帳に追加

ＰＣカード本体においてその長手方向の後方側に機能拡張部であるエクステンデッド部６を設けて成るＰＣカードに、エクステンデッド部６の下に小型メモリーカードを装備する収納部５が設けられているＰＣカード１とする。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory, its data input/output control method, and a memory application system in which page size of a non-volatile semiconductor memory can be extended independently of the memory application system and high speed read and write operation can be attained.例文帳に追加

不揮発性半導体メモリ装置のページサイズはメモリ応用システムに関係なく拡張でき、高速読み出し／書き込み動作を達成できる不揮発性半導体メモリ装置、それのデータ入／出力制御方法およびメモリ応用システムを提供すること。 - 特許庁

Wire-like shape memory members 33, 34 are alternatively extended to points near to and far from the rotating center of the rotating member.例文帳に追加

ワイヤー状の形状記憶部材３３，３４が、回動部材の回動中心より遠い点と近い点で交互に張り渡される。 - 特許庁

A bit line BL and a bit line BL/ disposed in the cell unit SU1 are not extended to the ferroelectric memory fuse part 40.例文帳に追加

強誘電体メモリヒューズ部４０には、セルユニットＳＵ１に設けられるビット線ＢＬとビット線ＢＬ／が延在されない。 - 特許庁

The extended chromaticity point for a known light source is stored in a memory 22, distances between the calculated extended chromaticity points and the extended chromaticity point of the known light source are compared in a comparison means 23 and the known light source for which the extended chromaticity point in the shortest distance is calculated is discriminated as the photographing light source.例文帳に追加

メモリ２２には既知光源についての拡張色度点が記憶されており、比較手段２３において算出された拡張色度点と既知光源の拡張色度点との距離を比較し、最も距離が小さい拡張色度点を算出した既知光源を撮影光源と判別する。 - 特許庁

A plurality of first parallel trenches extended in a first direction are formed in the laminated first wiring material, memory cell, and memory cell material, and first wiring 27 extended in the first direction and the memory cell material that is self-aligned to the first wiring 27 and is isolated by the first trench are formed.例文帳に追加

積層された第１の配線材料及びメモリセル及びメモリセル材料に第１方向に延びる複数の平行な第１の溝を形成して第１方向に延びる第１の配線２７及びこの第１の配線２７に自己整合された第１の溝で分離されたメモリセル材料を形成する。 - 特許庁

To provide a memory cell structure in which the tolerance of a magnetization inversion current can be extended in order to more improve mass production yield, storage capacity, an access time, or the like of a magnetic memory device than heretofore.例文帳に追加

磁気メモリ装置の量産歩留まり、記憶容量、アクセス時間等を従来よりも改善すべく、許容される磁化反転電流の範囲を拡大可能なメモリセル構造を提供する。 - 特許庁

To solve a problem wherein, when a memory controller of a nonvolatile storage device does not support refreshing, a data holding period of the nonvolatile storage device cannot be extended as compared to a data holding period of a flash memory single body.例文帳に追加

不揮発性記憶装置が有するメモリコントローラがリフレッシュに対応していないと不揮発性記憶装置のデータ保持期間をフラッシュメモリ単体のデータ保持期間より延長できない。 - 特許庁

A ferroelectric memory device is provided with a substrate, plural ferroelectric memory cells arranged like an array including plural columns on the substrate, and a bit line extended to the column direction to which the ferroelectric memory cells in the same column are connected.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、基板と、基板上で複数カラムを含むアレイ状に配置される複数の強誘電体メモリセルと、カラム方向に延び、同一カラム内にある強誘電体メモリセルが接続されるビット線とを備える。 - 特許庁

Data from a host apparatus 50 is thus transmittable to a nonvolatile memory 42 via the expansion bus I/F 30, thus providing the hybrid drive with the extended memory that is less susceptible to data transmission requirements of a buffer memory 14 side and has high convenience.例文帳に追加

ホスト機器５０側からのデータを拡張バスＩ／Ｆ３０経由で不揮発性メモリ４２に転送可能として、バッファメモリ１４側のデータ転送要件に左右されない利便性の高い拡張メモリ付きハイブリッドドライブを提供する。 - 特許庁

A semiconductor memory device is equipped with first wirings 13 extended into a first direction, memory elements 18 arranged above the first wirings 13, second wirings 20 extended on the memory elements 18 into a second direction different from the first direction, and magnetic shield layers 21 formed on the side surface of the second wirings 20 and the side surface of the memory elements 18.例文帳に追加

半導体記憶装置は、第１の方向に延在する第１の配線１３と、この第１の配線１３の上方に配置された記憶素子１８と、この記憶素子１８上に、第１の方向と異なる第２の方向に延在する第２の配線２０と、この第２の配線２０の側面及び記憶素子１８の側面に形成された磁気シールド層２１とを具備する。 - 特許庁

When data are delivered between the CPU 11 and the local memory 13, a command in which the command set of the CPU 11 is extended is used.例文帳に追加

ＣＰＵ１１とローカルメモリ１３との間でデータが授受される際、ＣＰＵ１１の命令セットを拡張した命令が用いられる。 - 特許庁

First well regions W1, W2 and second well regions V1, V2, which are extended in the column direction of a memory cell array, are formed alternately.例文帳に追加

メモリセルアレイの列方向に延びる第１のウエル領域Ｗ_1 、Ｗ__2 及び第２のウエル領域Ｖ_1 、Ｖ_2 が交互に設けられている。 - 特許庁

Someday when lack of room in the bootblocks is fixed, we will use the extended BIOS functions to get the full memory information.. . 例文帳に追加

起動ブロックの問題が解決されれば、いつか拡張 BIOS 機能を使用して完全なメモリ情報を取得できるようになるでしょう。 - FreeBSD

To provide an information processing device which can perform a high-speed return from a power-saving mode to a normal mode by switching a start program according to start conditions of the device and presence of attachment of an extended memory to the device, and also can be started even when information stored in the extended memory is damaged.例文帳に追加

装置の起動条件と拡張メモリの装着の有無とに応じて起動プログラムを切り替えることにより、省電力モードから通常モードへの高速復帰を可能としながら、拡張メモリに記憶された情報の破損時でも装置の起動を可能とする。 - 特許庁

Also, when there are a plurality of extended BIOS whose program sizes at execution time are the same, the extended BIOS are executed in the order of the larger program size resident in the main memory 203 (the resident program size of the extended BIOS) posterior to execution.例文帳に追加

また、実行時のプログラムサイズが同じ拡張ＢＩＯＳが複数存在する場合には、実行後にメインメモリ２０３に常駐するプログラムサイズ（拡張ＢＩＯＳの常駐時のプログラムサイズ）に着目し、この常駐時のサイズが大きい順に拡張ＢＩＯＳを実行するよう決定している。 - 特許庁

To provide a data management device, an equipment management system and a data management method for realizing the extended life of a memory in the updating of data stored over a plurality of memory areas.例文帳に追加

複数のメモリ領域にわたって記憶されるデータの更新に際してメモリの長寿命化を実現するデータ管理装置、設備機器管理システムおよびデータ管理方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

When the power of the system is supplied, a system BIOS(basic I/O system) first detects whether or not a memory module is mounted about each of extended memory slots 13 and 15 by turning on analog switches 17 and 18 in turn.例文帳に追加

システムの電源投入時に、システムＢＩＯＳは、まず、アナログスイッチ１７，１８を順番にオンすることにより、拡張メモリスロット１３，１４それぞれについてメモリモジュールの装着の有無を検出する。 - 特許庁

A chip holding strut 40 is extended toward the memory chip 50, and the chip 50 is positioned in a side direction by the side stop, and the strut holds the memory chip 50 in a proper position on the rear part positioning member 31.例文帳に追加

チップ保持支柱４０は、メモリチップ５０に向けて延在し、チップ５０は側部ストップによって側方向に位置決めされ、支柱は、メモリチップ５０を後部位置決め部材３１上の適所に維持する。 - 特許庁

Meanwhile, the extended S unit 10S includes an image memory for storing special color data to be used in the S unit 10S, and an image is formed based on the special color data read from the image memory.例文帳に追加

一方、増設されるＳユニット１０Ｓは、Ｓユニット１０Ｓで使用する特色データを格納する画像メモリを備えており、画像メモリから読み出した特色データに基づいて画像形成を行う。 - 特許庁

The bus of a computer device can be connected through an SIMM socket into which the extended memory module of a CPU is inserted with a general interface such as a PCI bus or an ISA bus, and an extended substrate 200 is inserted into this socket.例文帳に追加

ＣＰＵの拡張メモリモジュールを挿入するＳＩＭＭソケット１３５を介して、ＰＣＩバスやＩＳＡバス等の汎用インタフェースバスに接続し、このソケット１３５に拡張基板２００を挿入するように構成する。 - 特許庁

The memory cell is formed on a groove which is formed in stripe geometry in multiple steps in a silicon substrate, and has the third gate and the local bit line which are extended in the direction of the stripe and has a second gate extended in a direction perpendicular to the direction of the third gate and the local bit line.例文帳に追加

メモリセルはシリコン基板上に形成されたストライプ状の多段の溝上に形成され、ストライプの方向に第３ゲート、ローカルビット線が延在し、それと垂直な方向に第２ゲートが延在する。 - 特許庁

The memory units each include first to fourth diffusion layers juxtaposed along the row direction and extended in the column direction, thereby forming a pair of storage nodes.例文帳に追加

メモリユニットは、行方向に沿って並置され列方向に伸長される第１〜第４拡散層を備え一対の記憶ノードが構成される。 - 特許庁

This extended substrate 200 is constituted as an I/O device on which four flash memories 201-204 and one memory controller chip 205 are mounted.例文帳に追加

拡張基板２００は、例えば、４つのフラッシュメモリ２０１〜２０４と、１つのメモリコントローラチップ２０５とを搭載したＩ／Ｏデバイスとして構成される。 - 特許庁

The word line 3 is connected to the first gate electrode of the memory cell transistor and extended to the semiconductor substrate 14 of a word line drawing region.例文帳に追加

ワード線３は、メモリセルトランジスタの第１ゲート電極に接続され、ワード線引き出し領域の半導体基板１４上に延伸している。 - 特許庁

A lower capacitor electrode 24 is formed on an interlayer insulating film 35, and its electrode wire is extended to the surface of a ferroelectric memory element.例文帳に追加

下部容量電極２４は、層間絶縁膜３５上に形成され、その電極線は強誘電体記憶素子の表面まで通っている。 - 特許庁

To provide a sequence controller which does not increase a time for transferring data to a debug device even when a memory is extended in accordance with increase of an amount of data.例文帳に追加

データ量の増加に伴いメモリを増設した場合でも、デバッグ装置への転送時間が増加しないシーケンス制御装置を提供する。 - 特許庁

In the flash memory data storage apparatus, a multistage flash input buffer unit is incorporated in which data bus width is gradually extended and the period of a control clock is gradually made longer.例文帳に追加

データバス幅が漸次増加し、制御する制御クロックの周期が漸次増加する多段階のフラッシュ入力バッファ部を内蔵する。 - 特許庁

In a memory cell area where multiple magnetoresistive elements TMR are arranged, a first high permeability film CLAD2 arranged above the magnetoresistive elements TMR is extended from the memory cell area up to a peripheral area that is an area other than the memory cell area.例文帳に追加

磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 - 特許庁

In each memory cell line, the source areas of the access transistors are electrically connected to each other by N^+ diffusion node NSL0<x>, NSL1<x> disposed being extended in a line direction.例文帳に追加

各メモリセル行において、アクセストランジスタのソース領域同士は、行方向に延在して設けられたＮ^+拡散ノードＮＳＬ０＜ｘ＞，ＮＳＬ１＜ｘ＞によって電気的に接続される。 - 特許庁

To utilize sub-contents of extended content data stored in an external memory, by acquiring the sub-contents to a device body side, whenever needed.例文帳に追加

外部記憶装置に記憶された拡張コンテンツデータのサブコンテンツについては、装置本体側への取り込みを必要な都度行って利用できるようにする。 - 特許庁

A bit line BL of the memory area 1 is connected with a first sense amplifier circuit SA1 extended in a Y direction and formed in a first sense amplifier region 2.例文帳に追加

メモリ領域１のビット線ＢＬは、Ｙ方向に延びて第１センスアンプ領域２に形成された第１センスアンプ回路ＳＡ１に接続される。 - 特許庁

Image data read out from an image (CG) memory 2 and α data are decoded (extended) by a decoder 15 and written in a sprite buffer 16.例文帳に追加

画像（ＣＧ）メモリ２から読み出された画像データおよびαデータがデコーダ１５によってデコード（伸張処理）され、スプライトバッファ１６に書き込まれる。 - 特許庁

When recording of scene is started, (compression encoding data of) a leading frame stored in a buffer memory (16) are read out to a decoder (22) by a CPU (40) and extended.例文帳に追加

ＣＰＵ（４０）は、シーンの記録が開始されると、バッファメモリ（１６）に格納される先頭フレーム（の圧縮符号化データ）をデコーダ（２２）に読み出し、伸長する。 - 特許庁

To provide an inexpensive instruction executing device in which an address map is extended without increasing bit width of a program memory and the number of terminals is not increased.例文帳に追加

プログラムメモリのビット幅を増加せずにアドレスマップを拡張することができ、端子数を増加することのない安価な命令実行装置を提供する。 - 特許庁

A CPU 9 of the electronic camera searches a red-eye region for objects of only data on the basis of extended area information stored in a memory 8 in principal image data.例文帳に追加

電子カメラのＣＰＵ９は、本画像データのうち、メモリ８に記憶されている拡大領域情報に基づくデータのみを対象に赤目領域を探す。 - 特許庁

To solve the problem that since the assignment of a memory available to a program is dynamically extended by an operating system according to the increase of the memory usage, the working size to be assigned to another, and the stability of a job is damaged.例文帳に追加

メモリ使用量が増加すると、オペレーティングシステムはプログラムが使用可能なメモリの割り当てを動的に拡張するため、他に対して割り当てられるワーキングサイズは減少し、ジョブの安定性が損なわれる。 - 特許庁