「GA to」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce a defect, such as a Ga hole, by doping Al at the time of GaN growing, to reduce the defect, such as a dislocation, caused by lattice mismatch, and to provide a high quality GaN semiconductor light emitting element and its manufacturing method capable of improving electrical characteristics and optical characteristics.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a Cu-Ga alloy sputtering target containing an alkali metal without using an elemental alkali metal which is difficult to handle, and a Cu-Ga alloy sputtering target obtained by the production method.例文帳に追加

取り扱いが困難なアルカリ金属単体を使用することなく、アルカリ金属を含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びこの製造方法により得られたＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the method for preparing the oxidation catalyst, the precursor of the Ce-Ga composite oxide containing a manganese nitrate or an iron nitrate, after being exposed to a solution in which alkaline metal ions are dissolved, is dried and baked to form the Ce-Ga composite oxide.例文帳に追加

酸化触媒の製造方法は、Ｍｎ硝酸塩又はＦｅ硝酸塩を含むＣｅ−Ｇａ複合酸化物の前駆体を、アルカリ金属イオンが溶解した溶液に曝し、次いで、乾燥及び焼成することにより、上記Ｃｅ−Ｇａ複合酸化物を形成する。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor containing Ga_xIn_yZn_z oxide and a new material, and to provide a thin film transistor whose property is improved by adding the Ga_xIn_yZn_z oxide and the new material as the channels of the thin film transistor, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ｇａ_ｘＩｎ_ｙＺｎ_ｚ酸化物及び新たな物質を含む酸化物半導体及び薄膜トランジスタのチャンネルとしてＧａ_ｘＩｎ_ｙＺｎ_ｚ酸化物及び新たな物質を付加して、その特性を向上させた酸化物半導体を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

A Ga solution is brought into contact with the 1st main surface side of a GaP epitaxial wafer and NH3 gas is supplied as a nitrogen source to the circumferential atmosphere coming into contact with the Ga solution to form the N-doped GaP layer through liquid-phase epitaxial growth.例文帳に追加

ＧａＰエピタキシャルウェーハの第一主表面側にＧａ溶液を接触させ、当該Ｇａ溶液と接する周囲雰囲気に窒素源としてＮＨ_３ガスを供給することによりＮドープＧａＰ層を液相エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

The thin film transistor uses an oxide thin film in which gallium is dissolved in indium oxide as a solid solution; the atomic ratio Ga/(Ga+In) is 0.001 to 0.12; the content of indium and gallium to the whole metal atom is ≥80 atom%; and the oxide thin film has a bixbyite structure of In_2O_3.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．００１〜０．１２であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The ferromagnetic shape memory alloy has a composition containing, by atom, 35 to 65% Co and 20 to 35% Ga, and the balance Ni with inevitable impurities, and has a single phase structure consisting of a β phase with a B2 structure or a two phase structure consisting of a second phase with an fcc structure.例文帳に追加

Coを35〜65原子％，Gaを20〜35原子％含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなる組成と、Ｂ２構造のβ相からなる単相組織またはＢ２構造のβ相とｆｃｃ構造の第２相からなる２相組織とを有する強磁性形状記憶合金とする。 - 特許庁

The plate glass G has translucent faces Ga, Gb opposed each other along a thickness direction thereof, and is arranged between the light source 20 and the photoreception device 30 to incline the translucent faces Ga, Gb by a prescribed angle α with respect to an optical axis Lx of an optical system of the glass plate defect detector 10.例文帳に追加

板ガラスＧは、その厚み方向に対向する透光面Ｇａ、Ｇｂを有し、透光面Ｇａ、Ｇｂが、この板ガラス欠陥検出装置１０の光学系の光軸Ｌｘに対して所定角度αだけ傾斜するように、光源２０と受光装置３０との間に配置されている。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

To provide polishing slurry which can form a crystal surface of small surface roughness on a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal (0≤x≤1, 0≤y≤1) efficiently at a high polishing rate, and to provide a surface treatment method of a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal employing such polishing slurry.例文帳に追加

高い研磨速度で効率的にＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶の表面処理方法などを提供する。 - 特許庁

A magnitude (Ga) of impact applied to a lens holder is monitored always on the basis of an output of an impact sensor, when it is judged that Ga exceeds Gth (YES at S1), a focus servo is released (S2), and such force as receding from a disk is applied to the lens holder (S3).例文帳に追加

常時、衝撃センサの出力に基づいて、レンズホルダに与えられた衝撃の大きさ（Ｇａ）がモニタされ、ＧａがＧｔｈを越えたと判断されると（Ｓ１でＹＥＳ）、フォーカスサーボが解除され（Ｓ２）、レンズホルダに対してディスクから遠ざかるような力が与えられる（Ｓ３）。 - 特許庁

To provide a solar cell whose structure layer is a (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer having low volume resistivity and thereby contributing to the improvement of photoelectric conversion efficiency, and a ZnO-Ga_2O_3-Al based sputtering target used for forming the (Zn, Ga, Al)O based transparent electrode layer.例文帳に追加

低い体積抵抗率を有し、もって光電変換効率の向上に寄与する（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層を構成層とする太陽電池および前記（Ｚｎ，Ｇａ，Ａｌ）Ｏ系透明電極層の形成に用いられるＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３−Ａｌ系スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The concentration of the Al in a Ga solution can be lowered by a simple method of adding GaAs to the used Ga solution having the residual Al, melting the same by temperature rising in an electric furnace and lowering the temperature to deposit the residual Al as AlGaAs, then removing the same.例文帳に追加

残留Ａｌを有する使用済みのＧａ溶液にＧａＡｓを添加して電気炉内で昇温させて溶解し、降温させて残留ＡｌをＡｌＧａＡｓとして析出させた後除去する簡単な方法によりＧａ溶液中のＡｌの濃度を低下させることができる。 - 特許庁

A mixed powder prepared by mixing a Cu-Ga alloy powder containing at least gallium and copper and an alkali metal-containing organic matter is sintered to produce a Cu-Ga alloy sputtering target containing 0.01-5 mass% of the alkali metal.例文帳に追加

少なくともガリウム及び銅を含有するＣｕ−Ｇａ合金粉末と、アルカリ金属含有有機物とを混合した混合粉末を焼結し、アルカリ金属を０．０１〜５質量％含有したＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁

The group III nitride semiconductor production apparatus comprises a feed pipe 15 for feeding nitrogen and silane, a Ga feed apparatus 16 for feeding a Ga melt to a crucible 11, and an Na feed apparatus 17 for feeding an Na melt into the crucible 11.例文帳に追加

III 族窒化物半導体製造装置は、窒素とシランを供給する供給管１５と、坩堝１１にＧａ融液を供給するＧａ供給装置１６と、坩堝１１にＮａ融液を供給するＮａ供給装置１７と、を有している。 - 特許庁

A GA generating circuit 46 uses a multiplication coefficient set by a coefficient control signal FN for a G signal, RBH and RBV signals being interpolation signals from an RBH/RBV generating circuit 44 to generate an aperture compensation signal GA through an arithmetic operation.例文帳に追加

ＧＡ生成回路４６Ｇは、Ｇ信号と、ＲＢＨ・ＲＢＶ生成回路４４からの補間信号であるＲＢＨ信号及びＲＢＶ信号に対し、係数制御信号ＦＮで設定される乗算係数を用いて演算して、アパーチャ補償信号ＧＡを生成する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.例文帳に追加

膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

A print information management system obtains a plurality of gamuts Ga-Gc, and makes common information (ID number) common to printing materials 34 forming at least two gamuts among a plurality of gamuts Ga-Gc associated with a color value within overlapping areas 166, 168, 170, and 174 of at least two gamuts.例文帳に追加

複数のガマットＧａ〜Ｇｃを取得し、複数のガマットＧａ〜Ｇｃのうち少なくとも２つのガマットを形成する各印刷物３４に共通する共通情報（ＩＤ番号）と、少なくとも２つのガマットの重複領域１６６、１６８、１７０、１７４内の色値とを対応付ける。 - 特許庁

The single crystal substrate for growing a thin film of In_1-(x+y)Ga_xAl_yN being based on indium nitride (InN) consists of a single crystal represented by chemical formula of REBGeO_5 (where RE represents a rare earth element) that belongs to a trigonal system having a stillwellite structure, and has a substrate face in a crystallographic orientation {0001}.例文帳に追加

窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO_5（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

An oxide sintered body is characterized in that gallium is solid-solved in indium oxide, the atomic ratio of Ga/(Ga+In) is 0.05-0.08, the content ratio of indium and gallium to the total metal atoms is ≥80 atom%, and the oxide sintered body has an In_2O_3 bixbyite structure.例文帳に追加

ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．０５〜０．０８であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が８０原子％以上であり、Ｉｎ_２Ｏ_３のビックスバイト構造を有することを特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are sequentially laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

By adding, to Al, a part of or the whole of the maximum addition amount of Ga (by which Al is entirely replaced with Ga), the sintering temperature of the dielectric porcelain composition is lowered so that the reduction of product prices and mass productivity are realized through the reduction of prices of a heat generating heater, a heat-resistant furnace, and energy consumption.例文帳に追加

ＡｌにＧａを一部添加したり、Ｇａの全部添加（Ａｌと完全置換）することにより、誘電体磁器組成物の焼結温度を低下でき、発熱ヒーターや耐熱炉や消費エネルギーの価格低下を通して製品価格の低下と量産性を実現することが可能になる。 - 特許庁

Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of ≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of ≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁

Then, in accordance with the above (5) expression into which the latest model parameter all is substituted, the Ga(t), the Fi(t), and the Sa(t) are calculated (Step 104) and a throttle valve 22, fuel injection and ignition control are executed to develop the Ga(t), etc., (Step 106).例文帳に追加

次いで、最新のモデルパラメータａ１１等が代入された上記（５）式に従って、Ｇａ（ｔ）、Ｆｉ（ｔ）、およびＳａ（ｔ）を算出し（ステップ１０４）、これらのＧａ（ｔ）等となるように、スロットルバルブ２２、燃料噴射、および点火の制御を実行する（ステップ１０６）。 - 特許庁

This controller performs air-fuel ratio control (sub feedback control) aiming at a theoretical air-fuel ratio based on the output Voxs of the oxygen concentration sensor since the entry of air due to leakage in the oxygen concentration sensor on the downstream side of the catalyst cannot occur in a high load (Ga>A) (SUB=1).例文帳に追加

この装置は、高負荷時（Ga＞A）では、触媒下流の酸素濃度センサ内部での漏れによる空気進入が発生し得ないから同酸素濃度センサ出力Voxsに基づく理論空燃比を目標とする空燃比制御（サブフィードバック制御）を行う（SUB=1）。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are successively laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、ＩＩＩ族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むＩＩＩ族窒化物層３とを順次に積層し、ＩＩＩ族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むＩＩＩ族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The problem is solved by using, as a piezoelectric element, any of LGAS, LNGA and LTGA wherein Ga (gallium) is substituted with Al (aluminum) to reduce an amount of the Ga, and a change of a specific resistance value of the crystal is kept within 10^11Ω even at 500 °C or more.例文帳に追加

Ｇａ（ガリウム）をＡｌ（アルミナ）に置換してＧａ（ガリウム）の量を減らし、更に結晶の固有抵抗値の変化が５００℃を越えても１０^１１Ωに留まるＬＧＡＳ、ＬＮＧＡ、ＬＴＧＡのいずれかを圧電素子に使うことで課題を解決する。 - 特許庁

When shifted to an engine operating area (low GA area) with a reduced intake air amount GA during regeneration of a filter, an amount of fuel adhered to a cylinder inner wall is reduced by correcting a fuel amount to be reduced at the time of post injection, so as to restrain oil of an internal combustion engine 1 from being diluted with the fuel.例文帳に追加

フィルタ再生の実行中に吸入空気量ＧＡの少なくなる機関運転領域（低ＧＡ領域）に移行すると、ポスト噴射の際の燃料量の減量補正を通じてシリンダ内壁に付着する燃料の量が少なくされ、内燃機関１のオイルの上記燃料による希釈の抑制が図られる。 - 特許庁

The tillage controller controls the driving of a lift control hydraulic cylinder to change a control gain Ga in response to control information corresponding to the target tillage depth RD0, calculate the tillage depth RD of the rotary tiller from the control gain Ga and the detection value θof the rear cover sensor, and then match the tillage depth RD with the target tillage depth RD0.例文帳に追加

耕耘制御コントローラは、目標耕耘深さＲＤ０に対応する制御情報に応じて制御ゲインＧａを変更し、該制御ゲインＧａとリヤカバーセンサの検出値θとからロータリ耕耘機の耕耘深さＲＤを算出し、この耕耘深さＲＤが目標耕耘深さＲＤ０となるように昇降制御油圧シリンダの駆動を制御する。 - 特許庁

An intake air volume Ga providing an upper limit guard is determined by referring to a map using the engine rotation speed and engine outlet water temperature as parameters, and a cylinder internal pressure is controlled as shown with a fat continuous line by adjusting an opening of a throttle valve to limit the intake air volume to the determined intake air volume Ga.例文帳に追加

エンジン回転数およびエンジン出口水温をパラメータとしてマップを参照することによって上限ガードとなる吸入空気量Ｇａを決定し、吸入空気量が決定された吸入空気量Ｇａに制限されるようにスロットルバルブの開度を調整することによって気筒内圧を太い実線で示すように制御する。 - 特許庁

A three-dimensional picture processing part reads plural grouped objects Ga to Gc obtained by grouping objects for displaying a single pattern from a character storing part, and successively arranges the objects Ga to Gc outside of a displaying area set in a world coordinate system, that is a position which is not projected to a projecting plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

To provide a polishing method and apparatus particularly suitable for performing surface-finish having desired flatness to the substrate of the compound semiconductor containing Ga element or the like, with which the surface of a substrate of the compound semiconductor containing, for example, the Ga element can be flattened with high surface precision within a practical machining time.例文帳に追加

Ｇａ元素等を含有する化合物半導体の基板に対する所望の平坦度を有する表面仕上げを行うのに特に適した研磨方法及び研磨装置を提供し、これによって、例えばＧａ元素を含有する化合物半導体の基板表面を実用的な加工時間で表面精度高く平坦に加工できるようにする。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads out, from a character storing part, a plurality grouped objects Ga to Gc into which objects for displaying individual patterns are grouped, and arranges the grouped objects Ga to Gc in sequence outside a display area set in a world coordinate system or positions without projection on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

The method of preestimating the catalytic activity of the Ga-Al type denitration catalyst to be used in a reaction of converting a nitrogen oxide into nitrogen and water by way of causing a hydrocarbon as a reducing agent to react with the nitrogen oxide includes a process of measuring the amount of hydrogen consumed per mole of Ga upon reducing the denitration catalyst in a hydrogen-containing atmosphere.例文帳に追加

窒素酸化物に炭化水素を還元剤として作用させることによって、当該窒素酸化物を窒素及び水に変換する反応に用いるためのＧａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を予測する方法であって、前記脱硝触媒を水素含有雰囲気において還元した際のＧａ１ｍｏｌ当たりの水素消費量を測定する工程、を備えた、脱硝触媒の触媒活性の予測方法。 - 特許庁

When Ga is contained in the oxide, the number of Ga atoms is set to be smaller than the number of N atoms.例文帳に追加

電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタの活性層がＩｎと、Ｚｎと、Ｎと、Ｏと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Ｎの前記ＮとＯに対する原子組成比率が０．０１原子％以上３原子％以下であり、かつ、前記酸化物はＧａを含まないか、Ｇａを含む場合には、前記酸化物に含まれるＮの原子数よりも少なくする。 - 特許庁

The nitride crystal is produced by inserting an introducing pipe 6, to which gaseous nitrogen is fed, into Ga molten liquid 4, then cracking the gaseous nitrogen in the introducing pipe 6 by the cracking action caused by a high frequency oscillating solenoid coil 5 and sending the formed nitrogen radical into the Ga molten liquid 4.例文帳に追加

窒素ガスを送り込まれる導入管６をＧａ融液４の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル５からのクラッキング作用によって導入管６内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをＧａ融液４の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁