「GA to」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

UPS state information is received and collected by servers A-C via a network 23, to which UPS groups GA-GC including UPS agents that collect and manage the state information of UPSs corresponding one-to-one are connected, and the state of each UPS is monitored by a monitor 20 that communicates the information with the servers A-C.例文帳に追加

一対一でＵＰＳの状態情報を取得して管理するＵＰＳエージェントを含むＵＰＳグループＧＡ〜ＧＣが接続されたネットワーク２３を介してサーバＡ〜ＣでＵＰＳ状態情報を受信収集し、サーバＡ〜Ｃとの間で情報の通信を行うモニタ２０にて各ＵＰＳの状態を監視する。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

When the anode lead bar 112 derived from the condenser element 110 is welded to the anode lead frame 130 via the conductive spacer 161 by the resistance welding method accompanying pressurization, a crushed groove Ga crushed from a pressurization direction upon welding is formed at least at one position from a welding position of the anode lead bar 112 to the root of the same.例文帳に追加

コンデンサ素子１１０から引き出されている陽極リード棒１１２を導電性スペーサ１６１を介して陽極リードフレーム１３０に加圧を伴う抵抗溶接法によって溶接するにあたって、陽極リード棒１１２の溶接箇所から根元に至る間の少なくとも１箇所に溶接時の加圧方向から押し潰された潰し溝Ｇａを形成する。 - 特許庁

A friction coefficient μd of a document contact face of the press member 40 is set larger than a friction coefficient μb between the documents Ga, Gb and less than a friction coefficient μa of the paper feeding roller 57 to allow only the document Gb contacting with the paper feeding roller 57 to enter a pressure contact part N between the paper feeding roller 57 and a separating roller 58.例文帳に追加

さらに、この押し付け部材４０の原稿接触面の摩擦係数μｄを、原稿束間の摩擦係数μｂよりも大きく、かつ給紙ローラ５７の摩擦係数μａよりも小さくすることにより、給紙ローラ５７及び分離ローラ５８の圧接部Ｎに、給紙ローラ５７に接している原稿Ｇｂのみを進入させるようにする。 - 特許庁

If we let you go with nothing, a curse will be placed on our family and our clan. The one who has come as a killer does not consider it as a sanmon gate (temple gate), but handles it as ana-mon (hole gate) which is a nohozu mon (sloppy gate). If midomo (I) become the Nio-mon (Nio Gate, a gate to prevent devils), it is all right. Once I refuse it, my life will be a Torano-mon gate (Tiger Gate). Mon ga mogaite-mo mon kanawanu (No matter how hard I may struggle, I cannot attain my desire). Shall I give my head or take me up? Give an answer. Come on, come on....Nan-mon (South Gate), Nan-mon.' 例文帳に追加

「うぬその儘に帰りなば、一家一門たたりが行く、討手に参った某を、山門とも思わずに、穴門すったるのほうず門、身共が仁王門になればよし、いやじゃなんぞともんすが最後、おのが命を寅の門、もんもがいても、もん叶わぬ、首を渡すか腕廻すか、返答はサア、サア、・・・・南門、南門。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An In-Ga-Zn-O-based film is so formed as to have an incubation state exhibiting an electron beam diffraction pattern different from a conventionally known amorphous state that a halo shape pattern appears, and from a conventionally known crystal state that a spot appears clearly, and the film is used as a channel formation region of a channel etched thin film transistor.例文帳に追加

ハロー状のパターンが現れる従来公知のアモルファス状態とも異なり、スポットが明確に現れる従来公知の結晶状態とも異なる電子線回折パターンを示すインキュベーション状態を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜を形成し、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based compound oxide sintered body contains a first phase formed of ZnGa_2O_4 crystal, and a second phase formed of an In_2O_3 crystal, and the total phase area ratio of the first and second phases to the entire phase in an optional section of the sintered body is ≥70% and ≤100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ_2Ｏ_4結晶で形成される第１相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142.例文帳に追加

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

Even if the output of an inverter circuit 1 varies and voltage fluctuation value occurs, variation in voltages generated at a secondary side coil connected in parallel is suppressed for improved uniformity in parallel outputs on the secondary side, since primary side coils 42 and 43 (242 and 243) of two transformers GA and GB are connected in series, thanks to the DC/DC converter.例文帳に追加

このＤＣ／ＤＣコンバータによれば、インバータ回路１の出力がばらつき、その電圧値に変動等があった場合においても、２つのトランスＧＡ、ＧＢが備える１次側のコイル４２，４３（２４２，２４３）が互いに直列に接続されているため、並列接続された２次側コイルで発生する電圧ばらつきを抑制することができ、２次側の並列出力の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

A plurality of electro-optic elements E are disposed on a display panel 10, according to intersections of a plurality of scanning lines 12 and a plurality of data lines 14; the electro-optic elements E including a plurality of first image display elements E1 displaying a first image GA and a plurality of second image display elements E2 displaying a second image GB.例文帳に追加

表示パネル１０には、複数の走査線１２と複数のデータ線１４との各交差に対応して配置される複数の電気光学素子Ｅが配置され、複数の電気光学素子Ｅは第１画像ＧＡを表示する複数の第１画像表示用素子Ｅ１と、第２画像ＧＢを表示する第２画像表示用素子Ｅ２とからなる。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

For example, the red phosphor of formula (1) is produced by mixing a sulfide of Ca and/or Sr, a fluoride of at least one kind of element selected from the group consisting of Al, Ga and In, sulfur and a europium fluoride and subjecting the mixture to classifying and then calcining in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｆ ……(１)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ｒｂ，Ｆ ……(２)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｒｂ，Ｆ ……(３)（ＡはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種で、０．０１〜５モル％、Ｒｂを０．０１〜２モル％含有する。）例えば、式(１)の赤色蛍光体は、Ｃａ及び／又はＳｒの硫化物、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種のフッ化物、イオウとフッ化ユーロピウムを混合、分級し不活性ガス雰囲気下で焼成することにより製造される。 - 特許庁

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

At least one or more among Fe oxide, Mo oxide, Mn oxide, Sn oxide, W oxide, Ga oxide, Ge oxide, Cu oxide, Cr oxide and Sb oxide are applied to a steel sheet into linear and/or dotted-line shape after primary recrystallization annealing and before secondary recrystallization annealing, or after secondary recrystallization annealing and before purification annealing.例文帳に追加

一次再結晶焼鈍後二次再結晶焼鈍前に、もしくは二次再結晶焼鈍後純化焼鈍前に、Ｆｅ酸化物、Ｍｏ酸化物、Ｍｎ酸化物、Ｓｎ酸化物、Ｗ酸化物、Ｇａ酸化物、Ｇｅ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｓｂ酸化物のうちの少なくとも１種以上を、鋼板に線状および／または点列状に塗布する。 - 特許庁

The garnet-type crystal for a scintillator contains Gd, Al and O as essential components, and Ce as an emission component, and further contains at least one selected from Ga, Sc, Y, Yb and Lu, and has absorptivity to light of 550 nm in wavelength of ≤0.03 mm^-1.例文帳に追加

ＧｄとＡｌとＯとを必須成分とし、Ｃｅを発光成分とするシンチレータ用ガーネット型結晶であって、Ｇａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ及びＬｕから選択される少なくとも１種をさらに含み、波長５５０ｎｍの光に対する吸光係数が０．０３ｍｍ^−１以下である、シンチレータ用ガーネット型結晶。 - 特許庁

This control device calculates the rotating speed of the turbo charger on the basis of the output signal Ga of an air flowmeter 53, the output signal Tt of an atmospheric temperature sensor 55, the inlet pressure of a compressor impeller 42, and the output pressure of the compressor impeller 42, and executes an engine control according to the rotating speed.例文帳に追加

この制御装置は、エアフローメータ５３の出力信号Ｇａ、大気温センサ５５の出力信号Ｔｔ、コンプレッサインペラ４２の入口圧力、及びコンプレッサインペラ４２の出口圧力に基づいてターボチャージャの回転速度を算出し、同回転速度に応じた機関制御を実行する。 - 特許庁

By adding Bi (bismuth), Ga (gallium) and In (indium) as low melting point metal elements to a Zn (zinc) alloy and Zn for die casting comprising Al (aluminum), Cu (copper), Mg (manganese) or the like, the hardness of the Zn alloy and Zn for die casting is increased, and the mechanical properties thereof are improved.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｍｇ（マグネシウム）等を含有するダイカスト用Ｚｎ（亜鉛）合金およびＺｎ（亜鉛）に、低融点金属元素であるＢｉ（ビスマス）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）を添加することにより、ダイカスト用Ｚｎ合金およびＺｎの硬度を上昇させ、機械的性質を向上させる。 - 特許庁

This phosphor material having a garnet structure using Ce as a light-emitting element, and at least containing Gd, Al, Ga and O is characterized by containing Eu and Yb, and having 1×10^-5 to 2×10^-3 mol% sum of the contents of the Eu and Yb.例文帳に追加

本発明は、Ｃｅを発光元素とし、少なくともＧｄ、Ａｌ、ＧａおよびＯを含んだガーネット構造の蛍光材料であって、ユーロピウム（Ｅｕ）とイッテルビウム（Ｙｂ）を含み、ユーロピウムとイッテルビウムの含有率の和が１×１０^−５〜２×１０^−３ｍｏｌ％であることを特徴とする蛍光材料である。 - 特許庁

When automatic recovery conditions are satisfied in the middle of the engine stopping period (time t1-t3) and automatic recovery is determined (time t5), intake air quantity Ga of the engine 1 is maintained at reference air quantity Gab or less at an early stage of start until engine speed NE rises to reference engine speed NEb (time t5-t6).例文帳に追加

停止途中期間（時間ｔ１〜ｔ３）に自動復帰条件が成立することで自動復帰判定がなされた場合（時間ｔ５）、エンジン回転数ＮＥが基準回転数ＮＥｂに上昇するまでの始動初期（時間ｔ５〜ｔ６）においては、エンジン１の吸入空気量Ｇａが基準空気量Ｇａｂ以下に維持する。 - 特許庁

Even though the internal pressure of the vessel 4 causes deformation of the upper end plate 1, the metal piece 15 or 15a suppresses deformation of the power supply terminal 8 or discharge pipe 10, which enhances the pressure strength of the vessel 4, and removal of water drops is facilitated by the cutouts Ga and Gb to ensure that rust generation is prevented.例文帳に追加

そしてこのことにより、密閉容器４内圧力が上昇し上部鏡板１が変形しても、電源ターミナル８溶接部または吐出管１０の溶接部外周の円弧状金属体１５，１５ａが、電源ターミナル８または吐出管１０の変形を抑制し、密閉容器４の耐圧強度を向上し切り欠き部Ｇａ，Ｇｂにより水滴の除去が容易となり、錆の発生を防止する。 - 特許庁

During a variation of the opening, the opening of the EGR valve when a passage air intake amount GA detected by the air flow meter comes to a certain amount Bga is detected by the opening sensor respectively for cases of the opening of the EGR valve being larger than the fully closed opening (time t2, t4) and smaller than the fully closed opening (time t5, t7).例文帳に追加

その変更中においてエアフロメータにより検出される通路吸気量ＧＡが一定量ＢｇａになったときのＥＧＲバルブの開度であって、全閉開度より大きいとき（時刻ｔ２，ｔ４）の開度と同全閉開度より小さいとき（時刻ｔ５，ｔ７）の開度とがそれぞれ開度センサにより検出される。 - 特許庁

The light-emitting device 1 includes: a substrate 3; the light-emitting part 5, which is formed by laminating a plurality of semiconductor layers on the substrate 3, wherein a contact layer 15 comprising a Ga-containing phosphide semiconductor is provided on an uppermost layer of the light-emitting part; and the electrode 7, which is connected to the upper surface of the contact layer 15.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。 - 特許庁

The PUR glue G is loaded into a glue tank 2, sealed excluding the rotatable roll 1, and the loaded PUR glue GA, molten by the glue roll 1, is glued while heating the loaded PUR glue G by a heating means 3 to a predetermined temperature and supplying nitrogen gas by a gas supplying means 4 successively into the glue tank 2.例文帳に追加

ＰＵＲ糊Ｇを、回転する糊ロール１部分を除いて密閉された糊タンク２に装填し、この装填されたＰＵＲ糊Ｇを加熱手段３で所定温度に加熱しながら、かつ、この糊タンク２に逐次ガス供給手段４で窒素ガスを供給しながら、糊ロール１により溶融したＰＵＲ糊ＧＡを糊付けする。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

For reducing vibrations of the building 20 occurring by vibrations transferred through the ground G, the granular organic foam 1 is prepared, the granular organic foam 1 is paved on the excavated bottom G1 of an excavated groove GA excavated for constructing a continuous footing 21 to form an organic foam layer 10, and the continuous footing 21 can be constructed on the organic foam layer 10.例文帳に追加

地盤Ｇを介して伝播する振動によって生じる建造物２０の振動を低減させるため、粒子状の有機系発泡体１を用意し、布基礎２１を構築するために掘削した掘削溝ＧＡの掘削底Ｇ１に粒子状の有機系発泡体１を敷き詰めて有機系発泡体層１０を形成し、有機系発泡体層１０上に布基礎２１を構築するようにした。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁

On the layer 11, an undoped lower GaAs spacer layer 4, a multi-quantum well active layer composed of three active layers (quantum well active layer) 12 as Ga_xIn_1-xAs quantum well layers and GaAs barrier layers (20 nm) 13, and an undoped upper GaAs spacer layer 4 are laminated to form a resonator which has a thickness λ of one oscillation wavelength λin a medium.例文帳に追加

そしてその上にアンドープ下部ＧａＡｓスペーサ層４と、３層のＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＡｓ量子井戸層である活性層（量子井戸活性層）１２とＧａＡｓバリア層（２０ｎｍ）１３からなる多重量子井戸活性層と、アンドープ上部ＧａＡｓスペーサ層４とが積層されて、媒質内における発振波長λの１波長分の厚さ（λの厚さ）の共振器を形成している。 - 特許庁

The dimensions are X-ray source to X-ray detector distance (SDD), Source-ISO center distance (SOD), Source-Collimator distance (SCD), Gantry Aperture (GA), Focal spot length (FSL) of the slice direction of X-ray source, unit slice thickness (SPC) at the center of the gantry, and unit slice thickness (SPD) in the X-ray detector.例文帳に追加

ここで、装置のディメンジョンとしては、Ｘ線源とＸ線検出器との距離（ＳＤＤ）、Ｘ線源とガントリ中心との距離（ＳＯＤ）、Ｘ線源とコリメータとの距離（ＳＣＤ）、ガントリの開口部の径（ＧＡ）、Ｘ線源のスライス方向の焦点の長さ（ＦＳＬ）、ガントリ中心における単位スライス厚（ＳＰＣ）、及びＸ線検出器における単位スライス厚（ＳＰＤ）が挙げられる。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided with one TFT 11 in each dot and is provided with a selection circuit 13 for two inputs and one input between one set of scanning line groups Ga, Gb and Gc consisting of two scanning lines and the TFT 11 and the inputs of the selection circuit 13 are connected respectively to the different scanning lines of the two scanning lines constituting one set of the scanning line groups.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、各ドット内に１個のＴＦＴ１１が設けられ、２本の走査線からなる一組の走査線群Ｇａ，Ｇｂ，ＧｃとＴＦＴ１１との間に２入力１出力の選択回路１３が設けられ、選択回路１３の入力が一組の走査線群をなす２本の走査線の異なる走査線にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4).例文帳に追加

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a garnet single crystal which substantially comprises high quality Ca, Nb, Ga, and O, and can be suitably used as a single crystal substrate for forming a bismuth-substituted rare earth/iron garnet single crystal without crystal defects by liquid phase epitaxial growth, and a single crystal.例文帳に追加

結晶欠陥のないビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって形成するための単結晶基板として好適に用いることができる、高品質なＣａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成されるガーネット単結晶を製造する方法、及び単結晶を提供する。 - 特許庁

The memory element includes a first and second impurity areas in which one substance among Sb, Ga, or Bi is contained as a dopant and are formed on a semiconductor substrate, respectively, a dielectric film which is formed adjacent to each of the first and second regions on the semiconductor substrate and contains an charge storage layer and a high dielectric layer, and a gate electrode layer formed on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板にＳｂ、ＧａまたはＢｉのうち何れか一つの物質をドーパントとして含んでそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び前記第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、電荷保存層及び高誘電体層を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁

The oxynitride includes Zn and at least one element selected from In, Ga, Sn, Mg, Si, Ge, Y, Ti, Mo, W and Al, wherein an atomic composition ratio of N in the oxynitride, which is expressed by N/(N+O), is 7 atom% to 80 atom%.例文帳に追加

金属酸窒化物から構成され、前記酸窒化物がＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌから選択される少なくとも１つの元素と、Ｚｎと、を含み、且つ、前記酸窒化物中のＮ／（Ｎ＋Ｏ）で表されるＮの原子組成比率が、７原子％以上８０原子％以下であることを特徴とする酸窒化物半導体。 - 特許庁

A finder adapter Ga is to be mounted at the back of an eyepiece optical system Gf in a finder optical system and comprises a first lens group G1 having negative refractive power and a second lens group G2 having positive refractive power in the successive order from an object side.例文帳に追加

ファインダー光学系における接眼光学系Ｇｆの後方に装着するファインダーアダプタＧａであって、物体側から順に、負の屈折力を有する第１レンズ群Ｇ１と正の屈折力を有する第２レンズ群Ｇ２とから構成され、上記第１レンズ群を光軸方向に移動させることでファインダー視度を連続的に補正し、かつ以下の条件式（１）、（２）及び（３）を満足することを特徴とするファインダーアダプタ。 - 特許庁

Each of first and second flow path plates Ga and Gb as arbitrary two sheets of flow path plates adjoining in a layering direction of a plate layered body S has an escape groove 18 capable of avoiding contact with protrusions 17, at regions opposed to the protrusions (burr and deformity) 17 protruded in the layering direction of the plate layered body S.例文帳に追加

プレート積層体Ｓの積層方向に隣接する任意の２枚の流路プレートである第１及び第２の流路プレートＧａ、Ｇｂのそれぞれが、プレート積層体Ｓの積層方向に突出した突状部（バリ、変形）１７に対向する領域に、突状部１７との当接を回避し得る逃げ溝１８を有するように構成する。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

At the time of acquiring pay data, a terminal a-1 displays a download list page at a display part, and when any pay data desired by a user are present in the page, the terminal a-1 communication-connects to a terminal a-2 in the same group Ga holding the pay data, and receives the desired pay data, and updates a download information file.例文帳に追加

端末ａ−１は、有料データを取得する際に、ダウンロード一覧ページを表示部に表示し、このページ内にユーザが希望する有料データが有れば、この有料データを保有する同じグループＧａ内の端末ａ−２と通信接続し、希望する有料データを受信して、ダウンロード情報ファイルを更新する。 - 特許庁

However, Ito was frustrated because he had not heard a word from the new government, and once he caught a news that the lord of the domains (Satsuma, Choshu, Tosa, Hizen) submitted the memorial to the emperor that they would return their lands and people to the emperor, Ito planned to submit the petition with his subordinates, Nakajima (Assistant Judicial Officer), Tanaka (Assistant Judicial Officer), Ga (Scholar of English, served for prefecture as an advisor), and also Mutsu who happened to get to know Ito joined them, and they all submitted in their five joint names "kokuzekomoku" which was composed of the six points. 例文帳に追加

だが、一向に新政府からの音沙汰がないのに不満を抱いた伊藤は、薩長土肥の藩主が版籍奉還の上表を行ったという報を聞きつけ、部下である県判事の中島、権判事の田中、同じく英学者で県出仕（顧問に相当する）の何と相談して建白書の提出を図り、これに偶々伊藤と面識を持った陸奥も加わって5人連名で提出したのが6ヶ条からなる『国是綱目』であった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The bottle holder 73 comprises a guide section having a bottle guide face 73Ba abutting against the ink bottle when it is loaded and guiding the ink bottle along a specified bottle guide axis GA, a section provided on the bottle guide face and touching the ink bottle to resist movement thereof when the ink bottle is removed along the guide axis, and a section for receiving ink dripping from the ink outlet.例文帳に追加

このボトルホルダ７３は、インクボトルの装着時に、インクボトルと当接し、所定のボトル案内軸心ＧＡに沿って案内するボトルガイド面７３Ｂａを備えているガイド部と、ボトルガイド面上に設けられており、案内軸心に沿ってインクボトルの取り外す際に、インクボトルと接触し、インクボトルの移動の抵抗となる抵抗部と、インク出口から滴下するインクを受け止めるためのインク受け部とを有している。 - 特許庁

Salts of one or more metals selected from Al, Ni, Ag, Zn, Mn, W, Ga, Mo, Cr, In and Sn arc impregnated and carried on H type mordenite and Pd is carried on the metallic salt-containing H type mordenite to obtain the objective catalyst for the purification of NOx-containing exhaust gas containing oxygen in the presence of a hydrocarbon reducer.例文帳に追加

炭化水素還元剤の存在下、酸素を含むＮＯｘ含有排ガス浄化用触媒であって、Ｈ型モルデナイトに対してＡｌ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｗ、Ｇａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｉｎ及びＳｎのうちの何れか１種又は２種以上の金属の塩を含浸担持させた後、Ｐｄを担持させてなることを特徴とする金属の塩を含有させたＨ型モルデナイトにＰｄを担持した触媒、この触媒によるＮＯｘ含有排ガス浄化方法及びこの触媒の製造方法。 - 特許庁