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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Mask Alignmentの意味・解説 > Mask Alignmentに関連した英語例文

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Mask Alignmentの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 589



例文

In this process, the region 31 is formed by self alignment wherein one end of the gate electrode 35 on the LOCOS oxide film 28 is used as a mask.例文帳に追加

そして、この工程では、LOCOS酸化膜28上のゲート電極35の一端をマスクとしてセルファラインにより形成する。 - 特許庁

The substrate 1 of the mask is formed of materials, through which the alignment lights are transmitted, and the exposed parts of the surface are formed as the transmitting parts 1a.例文帳に追加

マスクの基板1はアライメント光が透過する部材で形成され、その表面の露出した部分が透過部1aとなっている。 - 特許庁

Partial luminous flux condensed on the predetermined cell lens constituting the second lens array 21e is intercepted by the mask 15 in alignment.例文帳に追加

そして、アライメント時には、マスク15により、第2レンズアレイ21eを構成する所定のセルレンズに集光される部分光束を遮光する。 - 特許庁

A trench 104a for element isolation A and a trench 104b for alignment mask B are formed on the surface side of a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板101の表面側に素子分離A用のトレンチ104aとアライメントマークB用のトレンチ104bとを形成する。 - 特許庁

例文

The pad nitride film pattern is used as a mask for etching the semiconductor substrate to a specified depth, thereby forming a trench for an alignment mark.例文帳に追加

このパッド窒化膜パターンをマスクとして半導体基板を所定の深さでエッチングすることにより整列マーク用トレンチが形成される。 - 特許庁


例文

Exposure light irradiating a position of the alignment mark 2a on the mask 2 is intercepted by rear surfaces of mirrors 51c of respective image acquisition units 51.例文帳に追加

マスク2のアライメントマーク2aの位置へ照射される露光光を、各画像取得ユニット51のミラー51cの裏面で遮断する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a marker for an alignment does not become unclear even if it performs a flattening step by the above buff polishing before a mask alignment process on the way of a wafer process and an exact alignment accuracy is acquired, and which can be created as design.例文帳に追加

ウエハプロセスの途中のマスクアライメント工程の前に、前記バフ研磨による平坦化工程を行ってもアライメント用マーカーが不明瞭にならず、正確なアライメント精度の得られ、設計どおりに作成できる半導体装置の製造方法の提供。 - 特許庁

The manufacturing method of a reflective mask blank comprises a process of forming visible marks composed of alignment marks and name marks at plane asymmetric positions on a substrate principal plane of a reflective mask blank before forming a reflective layer.例文帳に追加

反射層形成前の反射型マスクブランクス用基板主面に、アライメントマークやネームマーク等からなる視認可能なマークを平面非対称な位置に形成することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

Under a state that a mask 15 is positioned on the formed alignment mark 7, an exposure process is applied to a back surface of the main substrate 1 through the mask 15 to form a pattern on the back surface of the main substrate 1.例文帳に追加

そして、形成されたアライメントマーク7とマスク15とが位置決めされた状態で、マスク15を介して本体基板1の裏面側に露光させ、本体基板1の裏面側にパターンを形成する。 - 特許庁

例文

To arrange a shutter restricting an exposure region adjacently to a mask, and to secure a space for arranging a gap sensor, a sensor for alignment and the like in the vicinity of the mask, in exposure of a substrate using a proximity method.例文帳に追加

プロキシミティ方式を用いた基板の露光において、露光領域を制限するシャッターをマスクに近接して設け、かつマスクの近傍にギャップセンサーやアライメント用センサー等を配置するスペースを確保する。 - 特許庁

例文

In the exposure device 1 exposing a mask pattern on a substrate 100 by aligning the substrate 100 and a mask 4, an alignment mark 51 arranged on a stage 2, a laser-length measurement system 6, and cameras 7 are mounted.例文帳に追加

基板100とフォトマスク4とを位置合わせして基板100にマスクパターンを露光する露光装置1において、ステージ2に配置されたアライメントマーク51と、レーザー測長系6と、カメラ7とを備える。 - 特許庁

To provide a silicon processing method forming a structure small in a processing dimensional error even when there is an alignment error between a crystal axis orientation and an etching mask, a silicon substrate with an etching mask, and the like.例文帳に追加

結晶軸方位とエッチングマスクとの間にアライメント誤差があっても、加工寸法誤差の少ない構造体を形成可能なシリコンの加工方法、エッチングマスク付きシリコン基板等を提供する。 - 特許庁

To provide an alignment device for an exposure apparatus that can align a substrate with a mask with a high degree of accuracy even when an interval between the substrate or the mask and a sensor varies or an optical axis of a light path is misaligned.例文帳に追加

基板又はマスクとセンサとの間隔の変動が生じたり、光路の光軸ずれが生じても、基板とマスクとのアライメントを高精度でとることができる露光装置のアライメント装置を提供する。 - 特許庁

The XY coordinates of alignment marks 1a-1c of an exposure mask 1A for the surface are read out by CCD cameras 4a-4c and the center coordinates and inclination of the exposure mask 1A are found out from the read XY coordinates.例文帳に追加

表面用露光マスク1Aの位置合わせマーク1a〜1cのX、Y座標をCCDカメラ4a〜4cで読み取り,それらのX、Y座標から露光マスク1Aの中心座標と傾きを求める。 - 特許庁

Even if the mask is exchanged, the pattern shape having the alignment mark may be extracted from the photographed image only when there is no pattern which coincides with the candidate pattern group, thereby reducing the working hours required for mask exchange.例文帳に追加

マスクを交換しても、候補パターン群に一致するパターンが無かった場合だけ、撮影画像からアラインメントマークのパターン形状を抽出すればよいから、マスク交換のための作業時間が短縮する。 - 特許庁

This alignment mark is formed in a manner whereby a a first film (insulating film) 2 transparent to light for mask alignment is formed on the prescribed region of a semiconductor substrate, and a second film (conductive film) 4 which is formed like a diffraction grating pattern composed of islands and provided on the first film 2 to reflect the mask aligning light.例文帳に追加

半導体基板1上の所定の領域に、マスク合わせ用の光に対して透明性の第1の膜(絶縁膜2)を形成し、その第1の膜上に、複数の島状体からなる回折格子パターンで、マスク合わせ用の光を反射する第2の膜(導電膜4)を形成する。 - 特許庁

The method of manufacturing the flat panel display includes a process to form a photosensitive film bx on a substrate 21, a process to form an alignment mark 51 by exposing the photosensitive film bx using an exposure mask 41, and a process to make positioning of the exposure mask by recognizing the alignment mark 51 before development of the photosensitive film.例文帳に追加

基板21上に感光性膜bxを形成する工程と、露光マスク41を用いて感光性膜bxを露光してアライメントマーク51を形成する工程と、感光性膜を現像する前の状態でアライメントマーク51を認識して、位置合わせを行う工程とを有する。 - 特許庁

Based on the expansion/contraction rate measured at the time of alignment, incident angle of an electron beam to the mask pattern is controlled thus correcting the transfer magnification.例文帳に追加

そして、転写時に前記測定した伸縮率に基づいて電子ビームのマスクパターンへの入射角度を制御し、転写倍率を補正する。 - 特許庁

While using the film left in the recessed part as an etching mask, the exposed surface of the semiconductor substrate is etched to form a step to be used as an alignment mark.例文帳に追加

凹部内に残る膜をエッチングマスクとして使用し、露出する半導体基板表面をエッチングし、アライメントマークとなる段差を形成する。 - 特許庁

To obtain a method of axial alignment for an optical system in an electron beam exposure system which uses a large dimension beam and a scattering type mask.例文帳に追加

大寸法ビーム及び散乱タイプのマスクを使用する電子ビーム露光装置において、光学系の軸合わせを行う方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask having both improved position accuracy of a pattern and easiness of alignment, an exposure method and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

パターンの位置精度の向上と、アライメントの容易性を兼ね備えたマスク、露光方法、半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

Than, an alignment pattern growth stopping mask and one pair of growth stopping masks extending in the same direction are selectively formed on the substrate 9.例文帳に追加

次に、半導体基板9上に目合わせパターン成長阻止マスク及び1対の同方向に延びる成長阻止マスクを選択的に形成する。 - 特許庁

The positioning of the mask 21 for black is performed by using the substrate side alignment mark 6 appearing on an outer side via the water repellent material layer 9.例文帳に追加

この撥水材料層9を介して外方へ現れる基板側アライメントマーク6を用いて、ブラック用マスク21の位置決めが行なわれる。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which can expand the tolerances regarding mask alignment and dimensional accuracy and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

マスク合わせ精度や寸法精度に関する許容度を拡大できる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since an alignment detection device 200 is mounted on a substrate stage 114, the movement of the mask M and the substrate W is suppressed from being disturbed.例文帳に追加

アライメント検出装置200が、基板ステージ114に搭載されているので、マスクMや基板Wの移動を妨げることが抑制される。 - 特許庁

METHOD OF CORRECTING DOT POSITION OF DROPLET DISCHARGE DEVICE, ALIGNMENT MASK, DROPLET DISCHARGE METHOD, ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ITS PRODUCTION METHOD, AND AN ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加

液滴吐出装置のドット位置補正方法、アライメントマスク、液滴吐出方法、電気光学装置およびその製造方法、並びに電子機器 - 特許庁

The SAP is included in a mask layout for efficient self-alignment of various sub-layouts of a target pattern in a multi-patterning lithography process.例文帳に追加

SAPは、マルチパターニングリソグラフィ工程中のターゲットパターンの様々なサブレイアウトの効率的なセルフアライメントのためにマスクレイアウト内に含まれる。 - 特許庁

Further, the SOI element and the bulk element are formed using the photolithography technique while aligning the exposure mask with reference to the same first alignment mark.例文帳に追加

更に、SOI素子及びバルク素子を、同じ第1アライメントマークを基準に露光用マスクの位置を合わせ、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

Succeedingly, using the alignment film 13 as a mask, the protective film 12 on terminal parts is wet-etched by using liquid chemicals such as hydrofluoric acid or the like.例文帳に追加

次に、配向膜13をマスクとして、端子部上の保護膜12のエッチングを、例えばフッ酸等の薬液を用いたウエットエッチングにより行う。 - 特許庁

After making alignment of the mask 20 and the substrate 10 in plane direction, both are brought in close proximity and the convex shape parts are adhered closely initially, and while the substrate pressing member 12 and the mask pressing member 22 are being retreated, whole faces of the mask 20 and the substrate 10 are adhered mutually.例文帳に追加

マスク20と基板10の面方向のアライメントを行った後、両者を接近させて凸形状部を初期密着させ、基板押圧部材12およびマスク押圧部材22を後退させながら、マスク20と基板10の全面を互いに密着させる。 - 特許庁

Another mask layer is formed on the alignment material layer which has been treated by the particle beam to expose the alignment material layer not treated by the particle beam.例文帳に追加

さらに、粒子ビーム配向処理によって処理されていない配向膜形成層の一部分を露出させるように、粒子ビーム配向処理によって処理された配向膜形成層の一部分に別のマスク層を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a step that is required for a mask alignment is secured in one pattern process, and the step serves as an alignment mark even after the step is substituted to a high temperature diffusion process.例文帳に追加

1回のパターン工程で、マスクアライメントに必要な段差を確保し、該段差が高温の熱拡散工程を経た後にもアライメントマークとして機能する半導体装置の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A sensor of a camera detects alignment marks 5a and 5b on a substrate 1 and alignment marks 6a and 6b on a mask 2 through a filter that has a long-wavelength light transmission region 31 and a short-wavelength light transmission region 32.例文帳に追加

基板1上のアライメントマーク5a、5bと、マスク2上のアライメントマーク6a、6bとを、長波長光の透過領域31と短波長光の透過領域32とを有するフィルタを通して、カメラのセンサにて検出する。 - 特許庁

An alignment mark 7 of printed board is photographed by a CCD camera 2 while irradiating with X-ray from an X-ray generator 1 in a state where a photo mask 4 is withdrawn and the position of the alignment mark 7 of printed substrate is stored.例文帳に追加

フォトマスク4を退避させた状態でX線発生器1からX線を照射してプリント基板アライメントマーク7をCCDカメラ2により撮像し、プリント基板アライメントマーク7の位置を記憶する。 - 特許庁

To obtain an alignment mark used for alignment of a mask pattern in a semiconductor device manufacturing process, in which high diffraction efficiency and alignment of high accuracy can be obtained, even if a conductive film is as thick as a gate electrode film whose thickness is determined by the process conditions of a MOS semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程におけるマスクパターンの位置合わせに使用するアライメントマークにおいて、MOS半導体装置のプロセス条件より決定されるゲート電極膜と同一の導電膜の膜厚でも、高い回折効率を得、高精度のアライメントを可能にする。 - 特許庁

The above-mentioned problem is solved by configuring an alignment mark formed on a reflective mask with slit structures having a fine line width and a space less than the resolution limit for a wavelength of alignment light of a laser drawing device and reducing intensity of a reflection signal in alignment light irradiation.例文帳に追加

反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a non-contact type alignment processing device capable of forming a multi-domain alignment at low cost even with a large substrate and enlarging the angle of visibility of a liquid crystal display device without using a metal mask or a photo lithography process and without a troublesome surface treatment of an alignment film.例文帳に追加

メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、基板が大型化しても低コストでマルチドメイン配向を形成して、液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a crystallization apparatus and a crystallizing method using it, in which alignment keys are formed on a substrate with one mask having a plurality of different patterns, and a crystallization process progresses according to information about distances from the alignment keys and in parallel with imaginary lines connecting adjacent alignment keys.例文帳に追加

異形のパターンが複数具備された一つのマスクを準備した後、マスクを用いて基板上にアラインキーを形成し、アラインキーからの離隔情報及び隣接したアラインキーの仮想の連結線と平行に結晶化を進める結晶化装置及びこれを利用した結晶化方法を提供する。 - 特許庁

To prevent an alignment film from being damaged by ultraviolet light without using a light-shielding mask for the ultraviolet light in a step for hardening a resin for bonding a TFT substrate having the alignment film on which optical alignment treatment is performed to a counter substrate with the use of the ultraviolet light.例文帳に追加

光配向処理が行われた配向膜を有するTFT基板と対向基板を接着する樹脂を、紫外線を用いて硬化させる工程において、該紫外線に対する遮光マスクを用いることなく、該紫外線によって配向膜がダメージを受けることを防止する。 - 特許庁

To provide an objective lens fixing member for an exposure device which is light in weight and excellent in rigidity, and shows small thermal expansion to be used for alignment between a mask alignment mark and a substrate alignment mark in exposure of a proximity type exposure device.例文帳に追加

プロキシミティタイプの露光装置の露光時にマスクの位置合せ用マークと基板の位置合せ用マークとを位置合わせするために用いる顕微鏡の対物レンズ取り付け部材であって、軽量で剛性に優れ、なおかつ熱膨張が小さい露光装置用対物レンズ取り付け部材を提供する。 - 特許庁

To eliminate the need of retreat of an image acquisition device during exposure to shorten the tact time by acquiring an image of an alignment mark to align a mask and a substrate without covering a part of a pattern of the mask with the image acquisition device.例文帳に追加

マスクのパターンの一部を画像取得装置で覆うことなく、アライメントマークの画像を取得して、マスクと基板との位置合わせを行い、露光時の画像取得装置の退避を不要にして、タクトタイムを短縮する。 - 特許庁

Since the function layer 13 is formed without using a mask, it is not necessary to ensure an alignment tolerance between the mask and the substrate S as in the past, needing no broadening of the organic insulating layer 12.例文帳に追加

従って、マスクを使用せずに機能層13を形成したので、従来のように、マスクと基板Sとのアライメントの公差を確保する必要はないことから、有機絶縁層12の幅広くする必要はない。 - 特許庁

The method for relaxing the alignment accuracy conditions in the manufacturing of an integrated circuit includes steps of forming a mask layer 102 on a substrate and forming a plurality of first apertures 104 in the mask layer.例文帳に追加

本方法は、基板上にマスク層102を形成するステップを含み、前記マスク層に複数の第1開口104を形成する、集積回路の製造における位置合わせ精度条件を緩和する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of image sensors capable of reducing the number of processes by forming an insulation region between photodiodes by one mask and then forming an alignment key using the same mask.例文帳に追加

一つのマスクを使用してフォトダイオードの間の絶縁領域を形成した後、同じマスクを使用して整列キーを形成することで、工程数を減少させることができるイメージセンサー製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a drawing inspection apparatus which carries out ejection performance inspection of a functional liquid droplet ejection head using an alignment mask in a short period of time and with accuracy.例文帳に追加

アライメントマスクを用いて行う機能液滴吐出ヘッドの吐出性能検査を、短時間で且つ精度良く行う描画検査装置を提供する。 - 特許庁

The mask member 12 and the alignment member 15 have rod-like parts 12a, 15a, and a connection part 12b for connecting the rod-like parts 12a, 15a to each other, respectively.例文帳に追加

マスク部材12,アライメント部材15は、それぞれ、棹状部12a,15aと、各棹状部12a,15aを接続する接続部12bとを備えている。 - 特許庁

The image of the alignment mark included in the color aberration- corrected continuous spectrum lights is detected by a TV camera 20, and the positioning of the wafer 5 with the mask is aligned.例文帳に追加

この色収差補正された連続スペクトル光に含まれるアライメントマークの像をTVカメラ20で検出してウエハ5とマスクとの位置合わせを行う。 - 特許庁

To provide an alignment method for a maskless laminated exposure by overlaying each layer with a virtual mask in an exposure process.例文帳に追加

マスクレス露光工程で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案する。 - 特許庁

SUBSTRATE PROVIDED WITH ALIGNMENT MARK IN SUBSTANTIALLY TRANSMISSIVE PROCESS LAYER, MASK FOR EXPOSING THE MARK, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY例文帳に追加

実質的に透過性のプロセス層に整列マークを備える基板、上記マークを露出するためのマスク、デバイス製造方法、およびそれによって製造したデバイス - 特許庁

例文

By etching selectively the layers 2 to 5 and the layer 18, the shape of the alignment pattern growth stopping mask is made to reveal.例文帳に追加

そして、半導体層2乃至5及びクラッド層18を選択的にエッチングすることにより目合わせパターン成長阻止マスクの形状を発現させる。 - 特許庁




  
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