「Mask Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The multiple patterning circuit board 100 is provided with a plurality of through-holes 105 for vacuum-sucking the mask for solder ball alignment in the state of being dispersed to be a uniform density.例文帳に追加

多数個取り配線基板１００には、はんだボール整列用マスクを真空吸着するための複数の貫通孔１０５が均等な密度となるように分散させた状態で設けられている。 - 特許庁

To provide an exposure method capable of exposing a complementary split pattern on a mask with high precision and high efficiency, an alignment method therefor, and a semiconductor device manufacturing method capable of enhancing the yield thereof.例文帳に追加

マスク上の相補分割パターンを高精度かつ高効率で露光できる露光方法と、そのためのアライメント方法と、半導体装置の歩留りを高くできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor device of SOI structure which reduces contact resistance and contact parasitic capacitance and its layout, which dose not require high accuracy of a mask alignment.例文帳に追加

ＳＯＩ構造ＭＯＳ型半導体装置に関して、コンタクト抵抗およびコンタクトの寄生容量を低減し、厳しいマスク合わせの精度を必要としないレイアウトを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SiC semiconductor device for achieving highly accurate alignment between the SiC semiconductor substrate and a mask without increase and complication of manufacturing steps.例文帳に追加

製造工程が増加したり複雑化したりすることなく、ＳｉＣ半導体基板とマスクとの位置合わせを高精度に行うことができるＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a dual gate electrode, wherein stable silicide film formation can always be made, even if the alignment accuracy of ion implantation mask is finite and increase in wiring resistance can prevented.例文帳に追加

イオン注入マスクの位置合わせ精度が有限であっても常に安定したシリサイド化膜形成ができ、配線抵抗の上昇を防止できるデュアルゲート電極の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aligner, together with a manufacturing method of a semiconductor element using it, which manufactures a highly integrated semiconductor element where relative alignment between a mask and a wafer is performed precisely.例文帳に追加

マスクとウエハとの相対的位置決めを高精度に行うことのできる高集積の半導体素子を製造することができる露光装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

When a resist pattern that covers areas c and d is formed, a resist pattern 22 is formed by displacing a mask pattern such that the groove of the area c is completely covered even in the case that a alignment error occurs (step 3).例文帳に追加

領域ｃ，ｄを覆うレジストパターンを形成する場合、位置合わせ誤差が生じても領域ｃの溝が完全に覆われるように、マスクパターンの位置をずらしてレジストパターン２２を形成する（工程３）。 - 特許庁

Upon forming a plurality of elements on a semiconductor substrate 1 with a circular substrate surface by implementing a plurality of steps including at least an epitaxial growth step and a device step thereafter, a laser mark 2 is formed at a reference position of mask alignment in the device step before the epitaxial growth step, and the mask alignment is performed taking the laser mark 2 as a reference in the device step after the epitaxial growth step.例文帳に追加

基板面が円形の半導体基板１に、少なくともエピタキシャル成長工程とその後のデバイス工程を含む複数の工程を行って複数の素子を形成する際に、エピタキシャル成長工程以前に、デバイス工程でのマスク位置合わせの基準位置にレーザマーク２を施しておき、該エピタキシャル成長工程後のデバイス工程でそのレーザマーク２を基準としてマスク位置合わせをする。 - 特許庁

An latent image detection means generates an optical measuring signal where the amplitude of an optical detection signal is a function of the contrast of an alignment mark latent image by making the spatial frequency of the mask mark substantially equivalent to the effective resolving power of a projection lens system and significantly larger than the resolving power of an alignment means.例文帳に追加

マスクマークの空間周波数を投影レンズ系の有効解像力と略同等の大きさとするとともにアライメント手段の解像力よりもかなり大きくすることにより、光検出信号の振幅がアライメントマーク潜像のコントラストの関数とされる光測定信号を生成する潜像検出手段を設ける。 - 特許庁

Moreover, a reaction product formed in a pattern sidewall part in self-alignment in dry etching of a metal film or a sidewall insulation film formed in self-alignment in an isotropic etching of a thick insulation film is used as a doping mask in the formation of an offset region or an LDD region.例文帳に追加

また、オフセット領域或いはＬＤＤ領域を形成する際のドーピングマスクとして、金属膜のドライエッチング時にパターン側壁部に自己整合的に形成される反応生成物、或いは厚い絶縁膜の異方性エッチングを行った時に自己整合的に形成される側壁絶縁膜を用いる。 - 特許庁

When making alignment of the transparent substrate 11 and the shadow mask 14 in order to form a thin film layer on the transparent substrate 11 by a vapor deposition method, a white light source is used as an irradiation light source to irradiate light on the alignment mark 13 and a plurality of optical filters 17 having a different center wavelength of transmission wavelength are prepared.例文帳に追加

透明基板11上に薄膜層を蒸着法により形成するため、透明基板11とシャドーマスク14とをアライメントする際、アライメントマーク13に光を照射する照射光源16として白色光源を使用するとともに、透過波長の中心波長が異なる複数の光学フィルタ17を準備する。 - 特許庁

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process.例文帳に追加

予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of preventing an increase in etching targets due to a high aspect ratio in forming a contact by means of an auto-alignment contact, overcoming a step by a hard mask used in auto-alignment contact etching, facilitating subsequent patterning, and simplifying processes.例文帳に追加

オートアライメントコンタクトを利用したコンタクト形成の際、高い縦横比によるエッチングターゲットの増加を防止でき、オートアライメントコンタクトエッチングに用いるハードマスクによる段差を克服し、後続のパターニングを容易に行い、かつ、処理を単純化させることができる半導体素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 is provided as well, and a reticle stage 13 which holds a reticle 12 that is a photo mask for alignment, a projection optical system 14, an alignment system 15 and a shutter 16 that is interlocked with it, a wafer stage 17 for holding a semiconductor substrate Waf, and a stage position measuring system 18 are provided.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、フォトマスクであるレチクル１２を保持して位置決めするレチクルステージ１３、投影光学系１４、アライメント系１５及びこれに連動するシャッター１６、半導体基板Ｗａｆを保持するウェハステージ１７、ステージ位置計測系１８が配備されている。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device using SiC for the substrate comprises: a process for forming an alignment mark 2 on a {0001} plane in the SiC substrate 1; and a process for forming a prescribed pattern on the SiC substrate 1 by aligning a transfer mask and the SiC substrate 1, based on the alignment mark 2.例文帳に追加

本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、ＳｉＣ基板１の｛０００１｝面に、アライメントマーク２を形成する工程と、アライメントマーク２に基づき、転写マスクとＳｉＣ基板１との位置合わせを行いＳｉＣ基板１上に所定のパターンを形成する工程とを備える。 - 特許庁

While keeping the peak position of alignment sensitivity as an entire second lens array 21e, a light-shielding pattern having, such alignment sensitivity such that a light reduction rate to the peak position becomes large is specified by simulation, and a predetermined cell lens which is shielded from light by a mask 15 is selected, in accordance with the specified light shielding pattern.例文帳に追加

第２レンズアレイ２１ｅ全体としてのアライメント敏感度のピーク位置を保ったまま、そのピーク位置に対する減光率が大きくなるようなアライメント敏感度を持つ遮光パターンをシミュレーションにより特定し、特定した遮光パターンに従ってマスク１５により遮光する所定のセルレンズを選択する。 - 特許庁

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are arranged so that the detection of the alignment information on the other substrate W2 (W1) can be performed in parallel when exposing a mask pattern on one substrate W1 (W2) out of substrates retained side by side on a substrate stage ST.例文帳に追加

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。 - 特許庁

The exposure apparatus includes a pressing plate 42 for pressing the body to be exposed, an image recognition part 54 for observing a first alignment mark formed on the body to be exposed and a second alignment mark formed on the circuit pattern mask, and a first moving part 43 for simultaneously moving the pressing plate and the image recognition part in the prescribed width direction of the body to be exposed.例文帳に追加

被露光体を押さえる押さえ板４２と、被露光体に形成された第１アライメントマークと回路パターンマスクに形成された第２アライメントマークとを観察するための画像認識部５４と、押さえ板と画像認識部とを被露光体の所定幅方向に同時に移動させる第１移動部４３とを備える。 - 特許庁

The substrate 5 is carried in an exposure apparatus, the position of the alignment mark 6 is detected by an alignment scope 24 to position the substrate 5 at a position where a pattern 8 with a second inspection mark 9 on a mask 1 aligns with the first inspection mark 7 on the substrate 5, and the pattern 8 with the second inspection mark 9 is exposed and transferred onto the substrate 5.例文帳に追加

続いて、露光装置に基板５を搬入して、アライメントスコープ２４でアライメントマーク６の位置を検出して、マスク１上の第２の検査マーク９のパターン８が基板５上の第１の検査マーク７と一致する位置に基板５を位置決めした後、第２の検査マーク９のパターン８を基板５上に露光転写する。 - 特許庁

The liquid crystal layer 3 aligns nearly vertical to principal surfaces of the pair of substrates in the state of no voltage application, and further has domains D1-D4 in which liquid crystal molecules 3a are inclined along alignment control directions defined with the mask rubbing treatment imparted to the alignment layers 6, 7 in the state of application of voltage higher than a prescribed threshold value.例文帳に追加

液晶層３は、電圧が印加されていない状態で一対の基板の主面にほぼ垂直に配向し、かつ、所定の閾値以上の電圧印加時には、配向膜６、７に施されたマスクラビング処理によって規定される配向制御方向に沿って液晶分子３が傾斜するドメインＤ１〜Ｄ４を有している。 - 特許庁

An optical system PL and first and second alignment optical systems AA1a, AA1b, AA2a, and AA2b are so provided that detection of alignment information for one wafer W2 (W1) is performed in parallel, when the other wafer W1 (W2) which is held side by side on a wafer stage ST is exposed with a mask pattern.例文帳に追加

基板ステージＳＴに並べて保持された一方の基板Ｗ１（Ｗ２）にマスクパターンを露光するときに、他方の基板Ｗ２（Ｗ１）のアライメント情報の検出を並行して行なうように、光学系ＰＬと第１および第２のアライメント光学系ＡＡ１ａ，ＡＡ１ｂ、ＡＡ２ａ，ＡＡ２ｂを配置する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a color filter substrate by which patterning processes such as pattern exposure and development are performed to form alignment controlling protrusions by using an exposure mask having a pattern exposure region where transmittance is changed stepwise in an alignment controlling protrusion forming step for forming the alignment controlling protrusions by performing the patterning processes such as pattern exposure and development to a transparent photosensitive resin layer.例文帳に追加

透明感光性樹脂層をパターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成する配向制御突起形成工程において、段階的に透過率が変化するパターン露光領域を有する露光マスクを用いて、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って配向制御突起を形成するカラーフィルタ基板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Axial alignment is performed by using a mask for adjustment, which has a bored region (white subfield) having practically the same dimensions as those of a pattern region transferred and exposed at a time, and a film region (black subfield) in which holes are not made.例文帳に追加

一度に転写露光するパターン領域と実質的に同じ寸法の孔明き領域（白サブフィールド）、及び、孔の開いていない膜領域（黒サブフィールド）を有する調整用マスクを用いて軸合わせを行う。 - 特許庁

The optical module comprises the optical element having a metal mark formed for the alignment, and an Si substrate 5 having an etching mark 7 formed of the same process as that for the same mask as that of a V-groove 6 for mounting an optical fiber.例文帳に追加

光モジュールにおいて、アライメント用のメタルマークが形成された光素子と、光ファイバ搭載用Ｖ溝６と同じマスクを用いた同一プロセスで形成されるエッチングマーク７が設けられたＳｉ基板５とを備える。 - 特許庁

Then, it is sucked and fixed on the upper face 102 of the lower fame 100 of the substrate W by evacuating by the vacuum sucking device 120, and the alignment with the mask film M is confirmed, so that exposure is performed by irradiating with ultraviolet rays from an exposure light source.例文帳に追加

その後、真空吸着装置120で真空引きして基板Ｗ下枠100の上面102に吸着固定し、マスクフィルムＭとのアライメントを確認し、露光光源から紫外線を照射して露光する。 - 特許庁

First and second spacer layers 31 and 32 are used as a part of a mask at forming within a p-type base layer 24 by ion implantation, so that the p-type base layer 24 can be formed with higher precision through self- alignment.例文帳に追加

ｐ型ベース層２４をイオン注入により形成する際のマスクの一部として第１および第２スペーサ層３１，３２を用いることによって、ｐ型ベース層２４をセルフアラインにより高い精度もって形成する。 - 特許庁

Next, the beltlike work Wb is clamped tight by another work locking mechanism 22, and simultaneously the work Wb is locked by suction to a work stage, and then a mask is shifted and its alignment takes place, and thus the beltlike work Wb is exposed.例文帳に追加

次に、ワーク固定機構２２により帯状ワークＷｂ固定し、帯状ワークＷｂをワークステージに吸着固定して、マスクＭを移動させてアライメントを行い、帯状ワークＷｂに露光処理を行う。 - 特許庁

To provide an aligning method of an exposure mask and a substrate by which the positions of circuit patterns formed on the surface and rear face of an inner layer substrate are accurately aligned by the small number of alignment marks and the circuit patterns are proportionally distributed about the center lines of vertical and horizontal sides of the inner layer substrate.例文帳に追加

内層基板の表裏面に形成される回路パターンの位相を、少ない数の位置合わせマークで正確に一致させ、かつ、内層基板の縦横辺の中心線に対して按分配置する。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition system with masking, in which film deposition can be repeatedly performed by shifting the same mask with the same micropattern on by prealignment in air without an alignment operation in vacuum.例文帳に追加

本発明は、上記のような真空中でのアライメント作業をなくし、大気中でのプリアライメントのみで、同一マスクを用い、同一微細パターンをずらせながら、繰り返し成膜することができる真空マスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide an alignment mark, having a pattern of a box-in-box for clearly evaluating the overlap of masks at positioning the mask, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the mark.例文帳に追加

マスクの位置合わせを行う際に、マスクの重ね合わせを明確に評価できるボックスインボックスのパターンを有するアライメントマークを提供すると共に、そのマークを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the step of forming the element isolation layer 12, a first alignment mark used as an aligning reference of an exposure mask in a subsequent photolithography step is formed on a scribing line on the silicon substrate 11.例文帳に追加

なお、素子分離層１２を形成する工程において、引き続くフォトリソグラフィ工程における露光用マスクの位置合わせ基準となる第１アライメントマークを、シリコン基板１１上におけるスクライブラインに形成する。 - 特許庁

Also, the alignment mask of the substrate can be detected directly from the surface of the color filter material 49 which is approximate in distance from a substrate 41, when the pattern is transferred and exposed, and the deterioration of image quality can be reduced by lessening the errors in detection.例文帳に追加

また、上記パターン転写露光時に下地アライメントマークを基板４１からの距離が近いカラーフィルタ材料４９の面から直接検出でき、検出誤差を小さくして画質劣化を少なくする。 - 特許庁

To provide an alignment mask and a dot position recognition method used for a dot position correction method for a droplet discharge device capable of highly accurately discharging a functional droplet onto a workpiece regardless of the mechanical accuracy of an X/Y movement mechanism or the like.例文帳に追加

Ｘ・Ｙ移動機構の機械的精度等に関らず、ワークに対し、機能液滴を精度良く吐出することができる液滴吐出装置のドット位置補正方法に用いるアライメントマスクを提供する。 - 特許庁

In a process to make a patterning of a transparent electrode 12 on a transparent substrate 11, an alignment mark 13 used for positioning of a shadow mask 14 and the transparent substrate 11 on the transparent substrate 11 is formed of an identical material as the transparent electrode 12.例文帳に追加

透明基板11上に透明電極12をパターニングする工程において、透明基板11にシャドーマスク14と透明基板11との位置決めに使用するアライメントマーク13を透明電極12と同一の材料で形成する。 - 特許庁

To reduce the thickness of an interlayer film between transfer electrodes to improve transfer efficiency, and to reduce a transfer efficiency failure by eliminating mask alignment deviation between the transfer electrode and potential formed under the transfer electrode.例文帳に追加

転送電極間の層間膜を薄膜化して転送効率を向上させ、かつ転送電極と転送電極下に作り込むポテンシャルとのマスク合わせずれをなくして、転送効率不良を低減させる。 - 特許庁

To provide an exposure device capable of accurately adjusting the position of a mask with respect to an exposure object member by changing an alignment mark for mask position adjustment corresponding to the meandering of the exposure object member even when the exposure object member is continuously supplied, and capable of highly accurately and stably performing exposure.例文帳に追加

露光対象部材が連続的に供給される場合においても、マスク位置調整用のアライメントマークを露光対象部材の蛇行に応じて変化させ露光対象部材に対するマスクの位置を精度よく調整することができ、高精度で安定的な露光が可能な露光装置を提供する。 - 特許庁

The apparatus for facilitating the alignment of an optical fiber to an integrated waveguide component (1) comprising a substrate (2) having an integral waveguide (4) comprises mask means arranged to be disposed between the optical fiber and the integrated waveguide component (1), wherein the mask means includes an aperture (12) extending therethrough.例文帳に追加

集積導波路（4）を有する基板（2）を含んだ集積導波路部品（1）に対する光ファイバの整列を容易にするための装置は、前記光ファイバと前記集積導波路部品（1）との間に配置されるように構成されたマスク手段を備え、該マスク手段はその全体を貫通して延びるアパーチャ（12）を含んでいる。 - 特許庁

The process of acquiring an image of an alignment mark M1 on the process substrate and computing the reference position of the process substrate is repeated until the reference position of the mask coincides with the reference position of the process substrate or reaches within a predetermined tolerance, on the basis of the above computed reference position of the mask.例文帳に追加

上記演算したマスク側の基準位置を基準として、マスク側の基準位置と処理基板側の基準位置とが一致若しくは予め設定した許容誤差内となるまで、上記処理基板側のアライメントマークＭ１の画像を取得して当該処理基板側の基準位置を演算する処理を繰り返す。 - 特許庁

The N well-ion-implantation is carried out in the region where the oxide film 120 is removed, and a second alignment key 220 is formed in the inside of the region key, which is provided by removing the oxide film 120, by etching using a P well mask, in a process where the N well is formed using a P well-ion-implantation mask.例文帳に追加

前記酸化膜１２０が除去された領域にＮウェルイオン注入を実行し、Ｐウェルイオン注入マスクを利用してＮウェル形成工程時、前記酸化膜１２０除去により既設定された領域キーの内部にＰウェルマスクを利用したシリコンエッチングで第２整列キー２２０を形成する。 - 特許庁

To enhance uniformity of film thickness distribution on a plurality of substrate faces in a vacuum vapor-deposition method in which an organic electroluminescent element is fabricated by using a mask for vapor-depositing the substrate and pixel pattern, and using a mask holder and a vapor deposition source provided with alignment mechanism in order to carry out positioning of the substrates and the masks.例文帳に追加

基板と画素パターンを蒸着するためのマスクと、基板とマスクの位置合わせをするためのアライメント機構を備えたマスクホルダと蒸着源とを用いて、有機エレクトロルミネッセンス素子を作製する真空蒸着方法において、複数個の基板面内上での膜厚分布均一性を高める。 - 特許庁

In a first implantation mask pattern 9a, a first impurity region 11a whose impurity concentration is higher than that of a second impurity region to be formed later is formed, by using a third implantation mask 101 having a recessed part region 106 whose quantity is equivalent to alignment precision, and the silicide film is formed on a gate electrode.例文帳に追加

第１の注入マスクパターン９ａにおいて、位置合わせ精度に相当する量分の凹部領域１０６を有する第３の注入マスク１０１を用いて、後に形成される第２の不純物領域の濃度よりも高い第１の不純物領域１１ａを形成し、ゲート電極上にシリサイド化膜を形成する。 - 特許庁

When forming these element separating part and oxidized part, a silicon-nitride film 22 that has been used as an oxidization blocking mask, is then used as an anti-etching mask in the mark forming area to perform etching upon the oxidized part 26b and a silicon-oxide film 14 to depth such that a first silicon layer 12 is exposed, thereby forming an alignment mark.例文帳に追加

その後、これら素子分離部及び酸化部の形成時に酸化阻止用マスクとして用いたシリコン窒化膜２２をマーク形成領域において耐エッチング用マスクとして用いて、第１のシリコン層１２が露出される深さまで酸化部２６ｂ及びシリコン酸化膜１４のエッチングを行って、位置合わせ用マークを形成する。 - 特許庁

In the alignment mark Sm composed of a mask mark Mm given to a mask M having a specified pattern and of a work mark Wm given to a substrate W so as to align the mask and the substrate, the work mark is composed of a first reference mark Km_1 formed as penetrating the substrate and of a second reference mark Km_2 formed near the first reference mark and not penetrating the substrate.例文帳に追加

所定のパターンを備えるマスクＭに設けたマスクマークＭｍと、基板Ｗに設けたワークマークＷｍとにより前記マスクおよび前記基板の整合作業を行う整合マークＳｍにおいて、前記ワークマークは、その基板に貫通して形成した第一基準マークＫｍ_1と、この第一基準マークの近傍で前記基板に非貫通に形成した第二基準マークＫｍ_2とから構成される整合マークとした。 - 特許庁

An N+type layer 7a having a smaller width than the variation width of a mask alignment accuracy in a photolithography process, is formed on the bottom surface of the first contact hole 9 and the first and second holes 9, 10 are filled with a tungsten layer 12 and so on.例文帳に追加

第１のコンタクトホール９の底面にフォトリソグラフィ工程のマスク合わせ精度のばらつき幅より小さい幅のＮ＋型層７ａを形成し、第１、第２のコンタクトホール９、１０内をタングステン層１２等で埋設する。 - 特許庁

A center positioning wafer with an alignment mark drawn thereon is prepared, the center positioning wafer is placed on a wafer mount base in an exposure optical system by using an aligner to align the center position between the center positioning wafer and a glass mask.例文帳に追加

アライメントマークを入れたセンター位置決定用ウエハを用意し、アライナーを用いて、露光用光学系におけるウエハ載置台にセンター位置決定用ウエハを載置するとともに、センター位置決定用ウエハとガラスマスクのセンター位置を合わせる。 - 特許庁