「Mask Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A square surface exposing pattern 9 is formed on a dielectric separation wafer 100 and a cross-shaped mask-side alignment mark 14 is formed at a position corresponding to the pattern 9.例文帳に追加

誘電体分離ウェハ１００上に四角形状の表面露出パターン９を形成すると共に、この表面露出パターン９の位置に対応するマスク２００上の位置に十字形状のマスク側位置合わせマーク１４を形成する。 - 特許庁

First and second low concentration diffusion layers 104-2 and 104-3 which are worked as the field alleviating layer and the gate electrode 111 are formed so that a first insulating pattern 102 is used in a self-alignment process manner as a common mask.例文帳に追加

電界緩和層として働く第１及び第２の低濃度拡散層１０４−２、１０４−３と、ゲート電極１１１とは、共に、第１の絶縁膜パターン１０２を共通のマスクとして自己整合的に形成される。 - 特許庁

The rod-like part 15a of the alignment member 15 is arranged at the position corresponding to a space (on each side) of the rod-like part 12a of the mask member 12 to suppress the passage of the magnetism from the magnet 13 to the side of the rod-like part 12a.例文帳に追加

アライメント部材１５の棹状部１５ａは、マスク部材１２の棹状部１２ａの間隙（両側方）に相当する位置に配置され、マグネット１３からの磁気が棹状部１２ａの側方まで通過するのを抑制している。 - 特許庁

In order to accurately match positions of a black matrix 15 and a photo-mask 4a for color filter layers, alignment is performed to match the center of a window 55-1 and the center of a mark 53-1 which is formed when forming the black matrix 15.例文帳に追加

ブラックマトリクス１５とカラーフィルタ層用のフォトマスク４ａの位置を正確にあわせるために、窓５５−１の中心とブラックマトリクス１５を形成する時に形成されたマーク５３−１の中心が一致するように位置合わせを行う。 - 特許庁

To provide a technology which improves the method of manufacturing a multilayer printed wiring board by the conformal mask method using copper foils with resin and enables alignment of inner layer patterns with a film for laser masks at a high accuracy and simplification of the manufacturing process.例文帳に追加

樹脂付き銅箔を用いたコンフォーマルマスク法による多層プリント配線板の製造方法を改善し、内層パターンとレーザマスク用フィルムとの位置合わせが高精度で行え、製造工程も簡略化できる技術を提供する。 - 特許庁

The apparatus 10 for forming an alignment layer has an ion source 12 generating an ion beam 28 and one or more masks 20 disposed between a substrate 24 and the ion source 12, wherein the mask 20 has a reflective surface 34 in the substrate side.例文帳に追加

配向層形成装置１０は、イオンビーム２８を生成するイオンソース１２と、基板２４とイオンソース１２との間に設けられる１つまたは複数のマスク２０と、を含み、マスク２０は基板側に反射面３４を有する。 - 特許庁

In the course of exposing a plating resist film to light to form post electrodes, a step exposure is first performed on semiconductor-device forming regions 21 and alignment-mark forming regions 22, using a first exposure mask for forming the post electrodes.例文帳に追加

ポスト電極を形成するためのメッキレジスト膜の露光を行なうとき、まず、ポスト電極形成用の第１の露光マスクを用いて、半導体素子形成領域２１およびアライメントマーク形成領域２２に対してステップ露光を行なう。 - 特許庁

To provide a vertical hall element for carrying out magnetic detection with much higher precision by suppressing the generation of any offset voltage due to position deviation(alignment deviation) due to a mask matching error at the time of manufacturing elements, and to provide a method for manufacturing it.例文帳に追加

素子作製時のマスク合わせ誤差による位置ずれ（アライメントずれ）に起因するオフセット電圧の発生を抑制して、より高い精度での磁気検出を可能とする縦型ホール素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment device has the exposure means for exposing a wafer to a mask pattern, and also has a thermoelectric conversion means for converting heat generated from the exposure means or the device body into electricity.例文帳に追加

本発明では、マスクのパターンをウエハに露光する露光手段を備えた構成のアライメント装置において、露光手段または装置本体で発生した熱を電気に変換する熱電変換手段を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a polarized light separating element capable of relatively easily forming a large-area diffraction grating with a simple step without requiring a high-level technology such as high-precision mask alignment, and to provide a manufacturing method of the polarized light separating element.例文帳に追加

簡単な工程で大面積にわたる回折格子の形成をマスク合わせ精度などの高度な技術を要することなく比較的容易に行うことが可能な偏光分離変換素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment method for a mask and a substrate includes a first focusing step of focusing to an alignment mark 31 disposed on a photomask 30, a recording step of recording image data, a second focusing step of focusing to a substrate 11, and a superposing step of superposing the image data recorded in the recording step while keeping the substrate 11 as focused.例文帳に追加

マスクと基板の位置合わせ方法において、フォトマスク３０に設けられたアライメントマーク３１に焦点を合わせる第１焦点工程と、画像データを記録する記録工程と、基板１１に焦点を合わせる第２焦点工程と、基板１１に焦点を合わせた状態で、記録工程において記録した画像データを重ねる重合工程とを設ける。 - 特許庁

By acquiring images of the position information marks 2b and 2c by a plurality of image acquiring devices and moving each image acquiring device based on the information of the positions of the alignment marks 2aR, 2aG and 2aB included in the acquired position information marks 2b and 2c, the alignment mark of the mask can be easily put in the field of view of the image acquiring device in a short period of time.例文帳に追加

位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像を複数の画像取得装置により取得し、取得した位置情報マーク２ｂ，２ｃの画像に含まれるアライメントマーク２ａＲ，２ａＧ，２ａＢの位置の情報に基づいて、各画像取得装置を移動することにより、画像取得装置の視野内に、マスクのアライメントマークを短時間で容易に入れることができる。 - 特許庁

To provide a reflective mask, capable of obtaining a reflection signal having sufficient contrast even for a reflective mask for EUV exposure, when detecting an alignment mark using a laser drawing device, thus forming a resist pattern for forming a light-shielding region with good position accuracy, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a method for mask alignment and an exposure system using it, which enables the improvement in the manufacturing efficiency and the reduction of time for measuring a quantity of the discrepancy in position of reticles, when a plurality of reticles are subjected to the successive exposures.例文帳に追加

複数のレチクルを順次露光するに際して、レチクルの位置ズレ量の計測時間を短縮し、生産効率を向上させることのできるマスクの位置合わせ方法およびそれを用いた露光装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provides an inhibition to a short circuit between a bit line and a capacitance contact without employing an SAC (self alignment contact) process of forming a hard mask film on an upper surface of the bit line and providing a side surface of the bit line with a sidewall formed by etching back a nitride film.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

In the mask 10 having the supporting substrate 30 holding a plurality of chips 20, alignment marks 33 and 34 are formed by irradiating a position on the way in the thickness direction of the supporting substrate 30 consisting of a sheet glass to modify the glass.例文帳に追加

複数のチップ２０を保持する支持基板３０を有するマスク１０において、アライメントマーク３３、３４は、板状ガラスからなる支持基板３０の厚さ方向の途中位置にレーザ光を照射してガラスを改質させることにより形成されている。 - 特許庁

Since the semiconductor wafer 18 and the mask 40 can be irradiated with light of different waveform, and the quantity of irradiating light can be regulated; variation in precision of alignment can be reduced regardless of the kind of the semiconductor wafer 18.例文帳に追加

半導体ウェハ１８とマスク４０に対して波長の異なる光を照射できるとともに、照射光の光量を調整することができるので、半導体ウェハ１８の種類によらずアライメント精度のばらつきを低減することができる。 - 特許庁

Diffused layer 202a and 202b becoming a source electrode or a drain electrode are formed in terms of self-alignment with a component by a film and the like, which is formed so as to make contact with the gate electrode or the gate electrode and the gate electrode as a mask.例文帳に追加

ソース電極あるいはドレイン電極となる拡散層２０２ａ，２０２ｂはゲート電極あるいはゲート電極とゲート電極に接するように形成された膜等による構成物をマスクとして自己整合的に形成されている。 - 特許庁

In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 and a reticle stage 13 that holds a reticle 12 as a photo mask are deployed, and further, a projection optical system 14, an alignment optical system 15, a wafer stage mechanism 16, and a stage position measuring system 17 are deployed.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１、フォトマスクとしてのレチクル１２を保持するレチクルステージ１３が配備され、さらに、投影光学系１４、アライメント光学系１５、ウェハステージ機構１６、ステージ位置計測系１７が配備されている。 - 特許庁

This second motherboard 20 is manufactured by forming transparent resistance films whose thickness is different in two stages on the whole motherboard 20 by using a hard mask 40, and patterning the second touch electrode 5 and the first and second alignment marks 21 and 22 in a batch.例文帳に追加

この第２のマザー基板２０は、ハードマスク４０を用いてマザー基板２０全体に２段階に厚さの異なる透明抵抗膜を形成した後、第２のタッチ電極５及び第１、第２の各アライメントマーク２１、２２を一括してパターニングする。 - 特許庁

In addition, an acceleration voltage for adding nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area is controlled to add nitrogen, oxygen or carbon to the high-resistance impurity area in self-alignment manner while using the gate electrode and the gate insulation film as a mask.例文帳に追加

また、高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する加速電圧を制御することで、ゲイト電極及びゲイト絶縁膜をマスクにして自己整合的に高抵抗不純物領域に窒素、酸素又は炭素を添加する。 - 特許庁

When exposing a plating resist film to form the post electrode, first, a semiconductor device forming region 21 and an alignment mark forming region 22 are step-exposed by using a first nega-type exposure mask for forming the post electrode.例文帳に追加

ポスト電極を形成するためのメッキレジスト膜の露光を行なうとき、まず、ポスト電極形成用のネガ型の第１の露光マスクを用いて、半導体素子形成領域２１およびアライメントマーク形成領域２２に対してステップ露光を行なう。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a compound semiconductor crystal (an epitaxial substrate) capable of improving the alignment precision for a mask pattern with reference to an orientation flat in a device manufacturing process without reducing the device forming region of a substrate.例文帳に追加

基板のデバイス形成領域を狭めることなく、デバイス製造プロセスにおいてオリエンテーションフラットを基準とするマスクパターンの位置合わせの精度を向上させることができる化合物半導体結晶（エピタキシャル基板）の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a component mounting board wherein alignment of a peripheral edge of an aperture part of a metal mask and a peripheral edge of a land is unnecessary and a solder metal film can be formed easily, a mounting method of a chip component, and a manufacturing method of the component mounting board.例文帳に追加

メタルマスクの開口部の周縁と、ランドの周縁とを位置合わせする必要がなく、はんだ金属膜を容易に形成することができる部品搭載基板、チップ部品の搭載方法および部品搭載基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment mask formed like that is provided with a plurality of third graphic elements having the same shape, one side of the third graphic element is formed with the first graphic element, and the other sides thereof are each formed with the second graphic element.例文帳に追加

このようにして形成されるアライメントマークは、複数で且つ同一形状の第３の図形要素を備え、第３の図形要素の一の辺は第１の図形要素により形成され、他の辺は第２の図形要素により形成されている。 - 特許庁

A control unit controls the mechanism 10 to make a mask film 20 to be vacuum-suckled to the fixing board 11 in a plane shape, and makes the film 20 face the printed board 40 in parallel to each other with an interval between the film 20 and the board 40 to perform an alignment of the film 20 with the board 40.例文帳に追加

制御部は、マスクフィルム保持機構１０を制御して、マスクフィルム２０をマスクフィルム固定板１１の上に平面状に真空吸着させ、マスクフィルムをプリント基板に間隔を保って平行に対面させ、位置合わせを行う。 - 特許庁

Then a second drain region 16 used also for a drift region is formed in a way of self-alignment to the gate electrode 19 along the side wall of the trench through ion implantation of n-type impurities while using the gate electrode 19 for part of a mask.例文帳に追加

そして、このトレンチの側壁に沿って、ドリフト領域を兼ねる第２のドレイン領域１６を、ゲート電極１９をマスクの一部に用いたｎ型不純物のイオン注入により、ゲート電極１９に対して自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a structure for positioning dielectric separation wafer and an inspection method using the same, with which mask alignment can be always performed at a high accuracy and a high working efficiency be kept, even if there is a variance in the production of dielectric separation wafers.例文帳に追加

誘電体分離ウェハの生産バラツキがあっても常に高精度のマスク合わせを容易に行うことができ、高い作業効率を維持することができる誘電体分離ウェハの位置合わせ構造およびそれを用いた検査方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor wafer has: a product area in which the same compartments are formed on a grid and a semiconductor device becoming a product is formed in each compartment; and a target area used for semiconductor wafer mask alignment to form the semiconductor device.例文帳に追加

半導体ウェハは、同一区画が碁盤目状に形成され、上記各区画に製品となる半導体素子を形成する製品エリアと、上記半導体素子を形成するための半導体ウェハマスクの位置合わせに使用されるターゲットエリアとを有する。 - 特許庁

Then, impurity is introduced through self-alignment to a substrate, whose periphery is surrounded by the gate electrode material layer 54 by using the gate electrode material layer 54 as a mask, so that an impurity diffused layer 56 functioning as a resistance element can be formed.例文帳に追加

そして、上記ゲート電極材料層に周囲を囲まれた領域の基板中に、このゲート電極材料層をマスクにして不純物をセルフアラインで導入し、抵抗素子として働く不純物拡散層５６を形成することを特徴とする。 - 特許庁

A main controller 70 determines focus positions of respective image capturing devices when detecting the position of the alignment mark of the mask and the position of the alignment mark of the underlying pattern on the substrate based upon variation in the image recognition rate, the sharpness value and the contrast value preliminarily detected by the image processing device 50 while moving the focus positions of respective image capturing devices by a focus position moving mechanism.例文帳に追加

主制御装置７０は、予め、焦点位置移動機構により各画像取得装置の焦点位置を移動しながら、画像処理装置５０により検出された画像認識率、シャープネス値、及びコントラスト値の変化に基づいて、マスクのアライメントマークの位置又は基板の下地パターンのアライメントマークの位置を検出する際の各画像取得装置の焦点位置を決定する。 - 特許庁

The method for manufacturing the liquid crystal display device comprises: a process of forming an electrode layer 120a for pixel electrode on a first substrate 100; a process of forming a prescribed alignment layer pattern 500 on the electrode layer 120a for pixel electrode; and a process of patterning the electrode layer 120a for pixel electrode by using the alignment layer pattern 500 as a mask and forming a pixel electrode pattern 120.例文帳に追加

第１基板１００上に画素電極用電極層１２０ａを形成する工程と、画素電極用電極層１２０ａ上に所定の配向膜パターン５００を形成する工程と、配向膜パターン５００をマスクにして画素電極用電極層１２０ａをパターニングし、画素電極パターン１２０を形成する工程と、を含んで液晶表示素子の製造方法を構成する。 - 特許庁

A transparent layer 46 consists of the alignment controlling depressions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and the parts of a transparent conductive film 43 above the alignment controlling depressions are removed by photo etching of a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された配向制御凹みと平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって配向制御凹み上の部分は除去されている。 - 特許庁

The alignment assisting means is provided with the plurality of apertures corresponding to the plurality of apertures for vapor deposition formed on the mask and is provided with the one or more pins longer in length than the penetration length of the pinholes formed in the positions fitting to the one or more pinholes formed at the mask, wherein the one or more pins are movable so as to penetrate the one or more pinholes.例文帳に追加

前記整列補助手段は、前記マスクに形成された複数の蒸着用開口部に対応する複数の開口部を備え、前記マスクに形成された一つ以上のピンホールに相応する位置に形成された、前記ピンホールの貫通長さより長さの長い一つ以上のピンを備え、そして前記一つ以上のピンが前記一つ以上のピンホールを貫通するように移動可能である。 - 特許庁

The alignment method comprises a process of fixing the substrate 1 with the magnetic layer 2 formed thereon to the substrate holder 3 by the magnetic force generated from the electromagnet, and setting the position of the mask 4 to the flexible substrate 1 in the above state, a process of forming a pattern using the mask 4, and a process of separating the flexible substrate 1 from the substrate holder 3 by turning-off the electromagnet.例文帳に追加

そして、磁性膜２が形成されたフレキシブル基板１を電磁石から発生する磁力により基板ホルダ３に固定し、この状態でフレキシブル基板１とマスク４との位置合わせを行う工程と、上記マスク４を用いてパターン形成を行う工程と、上記電磁石をオフして上記フレキシブル基板１を基板ホルダ３から分離する工程とを有する。 - 特許庁

Accordingly, the photosensitive resin of the part corresponding to the slit part 18, applied on the black mask 11 is subjected to UV irradiation for resin curing and, therefore, a protrusion 14 of caldera cross-section shape exerting adverse effect on alignment control as in the conventional technique is not formed.例文帳に追加

これによって、該ブラックマスク１１上に塗布された該スリット部１８に対応する部分の感光性樹脂が樹脂硬化のためのＵＶ照射を受けるから、従来のような配向制御に悪影響を及ぼすカルデラ断面形状の突起１４が形成されない。 - 特許庁

To provide a substrate exposing method and an aligner by which the warpage and wrinkles or the like of a film-like substrate such as a multi- layer substrate placed on the upper face of a lower frame are eliminated and alignment work with a mask film stuck and fixed at an upper frame is easily and surely performed.例文帳に追加

下枠の上面に載置される多層基板基板等のフィルム状の基板の反りまたは皺等を除き、上枠に被着固定されたマスクアフィルムとのライメント作業を簡単確実にする基板露光方法および露光装置を提供すること。 - 特許庁

Thence a photosensitive film for the color filters including a pigment is applied on the upper part of the substrate and after a mask for the color filters is aligned on the basis of the alignment key for the color filters, the photosensitive film for the color filters is exposed and developed to successively form the color filters of red, green and blue.例文帳に追加

次に、基板の上部に顔料を含む色フィルター用感光膜を塗布し、色フィルター用整列キーを基準として色フィルター用マスクを整列した後、色フィルター用感光膜を露光及び現像して赤、緑、青の色フィルターを順に形成する。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask matching which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench at a first conductive semiconductor layer and epitaxially growing a second conductive semiconductor layer in it for forming a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

To form an alignment mark for mask registration which is utilized when forming a MOSFET etc. in forming a trench on a first conductivity type semiconductor layer and epitaxially growing a second conductivity type semiconductor layer in it to form a parallel pn junction structure.例文帳に追加

第１導電型半導体層にトレンチを形成し、その中に第２導電型半導体層をエピタキシャル成長させて並列ｐｎ接合構造を形成する際に、ＭＯＳＦＥＴ等の形成時に利用されるマスク合わせ用のアライメントマークを形成すること。 - 特許庁

To provide a photolithographic process allowing reduction of an alignment error of an exposure shot formed on a wafer using a method not increasing costs, improving the accuracy of superposition between upper and lower mask patterns even when exposure devices having different shot area sizes are used together.例文帳に追加

コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。 - 特許庁

By forming the layer 5 of impurity, having a larger diffusion constant than for the layer 3, the layer 5 can be formed on the layer 3 formed, in common with another element region without special mask alignment.例文帳に追加

埋め込みＮ＋層３よりも拡散定数の大きな不純物によってコレクタ層５を形成することにより、特別なマスク合わせを行うことなく、他の素子領域と共通に形成された埋め込みＮ＋層３上にコレクタ層５を形成することができる。 - 特許庁

In an exposure step 30, the surface of the glass substrate is exposed by a small mask continuous exposure system while adjusting positions of exposure heads 33, 34 by reading the alignment mark through the back face side of the glass substrate while carrying the glass substrate coated with the resist.例文帳に追加

露光工程３０はレジストを塗布されたガラス基板を搬送しつつガラス基板の裏面側からアライメントマークを読み取ることにより、露光ヘッド３３、３４の位置を調整しながらガラス基板の表面を小型マスク連続露光方式により露光する。 - 特許庁

After polishing the p-type semiconductor layer 14 with the insulation film 13 as a polishing stopper, a part of the insulation film 13 is removed to be the mask, a second alignment mark 3 is formed, and the p-type semiconductor layer 14 is etched back by the degree of the part of the thickness of the insulation film 13.例文帳に追加

絶縁膜１３を研磨ストッパとしてｐ型半導体層１４を研磨した後、絶縁膜１３の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成するとともに、絶縁膜１３の厚さ分程度、ｐ型半導体層１４をエッチバックする。 - 特許庁

Therefore, when any of the plurality of chips 20 is found to be defective and the chips 20 are removed to recover the supporting substrate 30, the mask 10 can be manufactured again by using the recovered supporting substrate 30, since the alignment marks 33 and 34 do not disappear.例文帳に追加

このため、複数のチップ２０のいずれかに不具合が発見されたときに、チップ２０を除去して支持基板３０を回収する際、アライメントマーク３３、３４が消失しないので、回収した支持基板３０を用いて再度、マスク１０を製造することができる。 - 特許庁