「Mask Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A selective growth mask 115 is allowed to remain on the alignment stripe 116 at re-growth of a buried layer 109 so that no buried layer 109 is grown on the alignment stripe 116.例文帳に追加

埋込層１０９再成長時にアライメントストライプ１１６上に選択成長マスク１１５を残してアライメントストライプ１１６上に埋込層１０９が成長しないようにする。 - 特許庁

A pattern of an alignment mark 16 at a substrate side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned off, and a pattern of an alignment mark 17 at a mask side is photographed at timing wherein the slant lighting is turned on.例文帳に追加

斜照明が消灯するタイミングで、基板側アライメントマーク１６のパターンを撮像し、斜照明が点灯するタイミングで、マスク側アライメントマーク１７のパターンを撮像する。 - 特許庁

To provide an alignment marker and a method of alignment that enable inexpensive alignment of a reflective mask with respect to a supporting structure in order to cope with the difficulty in aligning the reflective mask and supporting structure thereof based on the reflectivity difference between an absorbing layer and reflective substrate through the use of long wavelength light in a lithography projection apparatus in which short wavelength radiation is to be used.例文帳に追加

短波長の放射線を使うリソグラフィ投影装置では反射性マスクとその支持構造体の整列を長波長の光では吸収層と反射性基板の間の反射率の差に基づいて行うことが困難であるので、それが安価にできる整列マーカおよび整列方法を提供すること。 - 特許庁

When the alignment layer 52 on a substrate 51 is irradiated with UV through an optical mask 53 to perform alignment division of the alignment layer 52, the optical mask 53 formed by providing a metal-dielectric multi- layered film 55 which is so optimized that UV 56 having a specified incident angle is transmitted on a light shielding patterned surface thereof is used.例文帳に追加

基板５１上の配向膜５２に光学マスク５３を通し紫外線を照射して配向膜５２の配向分割を行うに際し、特定の入射角の紫外線５６を透過するように最適化した金属−誘電体多層膜５５を遮光パターン面に設けた光学マスク５３を使用するようにする。 - 特許庁

By using the mask M in a proximity scan exposure device 1, deviation amounts between the mask side alignment mark 41 and a work-piece side alignment mark Wa, which is detected by imaging means, are corrected by at least one among a work carrying mechanism 10, a mask drive part 12, and an irradiation part 14, while carrying the work-piece W.例文帳に追加

また、このマスクＭを使用して、近接スキャン露光装置１では、撮像手段によって検出されたマスク側アライメントマーク４１とワーク側アライメントマークＷａとのズレ量が、ワークＷの搬送中、ワーク搬送機構１０、マスク駆動部１２、照射部１４の少なくとも一つによって補正される。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for exposure wherein a space on a mask is effectively utilized and the constitution of a mechanism for carrying out the distinction of the mask and alignment is simplified and miniaturized.例文帳に追加

マスク上のスペースを有効活用することができ、また、マスクの識別やアライメントを行う機構の構成が簡略化、小型化された露光方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁

The mask M is provided with mask side alignment marks MMU and MML and marks (a first mark IM) 40a-40f, 41a and 41b by which the image-formation characteristic of the projection optical system is detected.例文帳に追加

マスクＭには、マスク側位置合わせマークＭＭＵ，ＭＭＬ、投影光学系の結像特性を検出するマーク（第１マークＩＭ）４０ａ〜４０ｆ，４１ａ，４１ｂが設けられている。 - 特許庁

Magnification correction amount in the x-axis direction of the mask is acquired, based on an alignment error Δx2 in the x-axis direction between other x-axis marks and the marks of the mask corresponding to it.例文帳に追加

他のｘ軸用マークとそれに対応するマスクのマークとのｘ軸方向の位置合わせ誤差Δｘ_2に基づいて、マスクのｘ軸方向の倍率補正量を求める。 - 特許庁

Moreover, a relative position to the transfer pattern to be imprinted is pinpointed, and formed in one surface of the mask membrane, so that an alignment mark composed of a recess shallower than the thickness of a mask membrane may be formed.例文帳に追加

さらに、被転写パターンとの相対位置が特定され、前記マスクメンブレンの一方の面に形成され、マスクメンブレンの厚さよりも浅い凹部で構成されたアライメントマークが形成されている。 - 特許庁

To improve adhesiveness of a vapor deposition mask and a plate board by securing a certain alignment precision and by suppressing effect of distortion and bending of the vapor deposition mask.例文帳に追加

有機ＥＬディスプレイのパターニング工程において、一定のアライメント精度を確保しつつ、蒸着マスクの歪みや撓みの影響を抑えて、蒸着マスクと基板との密着性を向上させる。 - 特許庁

One embodiment can be applied to the measurement of the position of a feature in an alignment region on a mask using a sensor.例文帳に追加

本発明の一実施例は、センサを用いる、マスク上のアライメント領域内のフィーチャの位置測定に適用することができる。 - 特許庁

An insulation film 21 is formed on the surface, and a part of the insulation film 21 is removed and used as a mask to form a second alignment mark 3.例文帳に追加

表面に絶縁膜２１を形成し、絶縁膜２１の一部を除去してマスクとし、第２のアライメントマーク３を形成する。 - 特許庁

An on-axis camera 20 simultaneously images the mask stage reference mark 15 and alignment mark 44 through a projection optical system 12.例文帳に追加

オンアクシスカメラ２０は、マスクステージ基準マーク１５とアラインメントマーク４４とを投影光学系１２を介して同時に撮像する。 - 特許庁

After that, an SOI structure is formed using a photolithography technique while aligning the exposure mask with reference to the first alignment mark.例文帳に追加

そのあとＳＯＩ構造を、第１アライメントマークを基準に露光用マスクの位置を合わせ、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

To precisely measure the precision of alignment by reducing the difference in contrast of images of the aligning patterns of a board and a mask.例文帳に追加

マスク及び基板の位置合わせ用パターンの像のコントラストの違いを小さくし、位置合わせ精度の測定を高精度に行う。 - 特許庁

This enables the camera 20 to observe the patterns of the focused alignment marks of both the mask 2 and the substrate 1 simultaneously.例文帳に追加

これにより、カメラ２０はマスク２及び基板１の双方のフォーカスされたアライメントマークのパターンを同時に観察することができる。 - 特許庁

To provide a checking device for alignment of solder balls to surely check the solder balls despite the contaminated surface of a mask.例文帳に追加

マスクの表面が汚れても、はんだボールを確実に識別することができるはんだボールの整列検査装置を提供すること。 - 特許庁

The positional relation of respective mask side and base plate side alignment marks MMU, MML and GM is detected by a detector 7.例文帳に追加

検出装置７は、マスク側と基板側のそれぞれの位置合わせマークＭＭＵ，ＭＭＬとＧＭの位置関係を検出する。 - 特許庁

A part of a hard mask 414 located above a lower structure of an alignment mark 401 is selectively exposed with a predetermined exposure dose.例文帳に追加

アライメントマーク４０１下部構造上方に位置するハードマスク４１４の部位が選択的に所定照射線量で露光される。 - 特許庁

Alignment marks are formed at one part of region, except for the region where the absorber patterns are formed such as the peripheral part of a mask.例文帳に追加

マスクの周辺部等の吸収体パターンが形成される領域以外には、その一部にアライメントマークが形成されている。 - 特許庁

The elevated region 416 of the hard mask is formed in a corresponding location to the trench 406 of the lower layer alignment mark 401, and this elevated region 416 becomes a new alignment mark where the horizontal position of the lower layer alignment mark 401 is stored.例文帳に追加

ハードマスクの上昇領域４１６は下層のアライメントマーク４０１のトレンチ４０６に対応する位置に形成されており、この上昇領域４１６は下層のアライメントマーク４０１の水平位置が保存された新たなアライメントマークとなる。 - 特許庁

Here, the horizontal alignment layer 42 forms an alignment layer material layer (photoresist) 42a on the side of the pixel electrode 9 of a precursor 10B, rubbing treatment is applied to it, the shielding film 13 is used a mask to be exposed and developed, and the horizontal alignment layer 42 is formed by patterning.例文帳に追加

ここで水平配向膜４２は、前駆体１０Ｂの画素電極９側に配向膜材料層（フォトレジスト）４２ａを形成し、これにラビング処理し、遮光膜１３をマスクにして露光、現像し、水平配向膜４２をパターニングして形成する。 - 特許庁

To cover an exposed lead electrode, an alignment mark and a substrate ID mark with a protective mask of a photosensitive resist to prevent a possible damage from sandblasting thereof, and detect the alignment mark underneath the protective mask.例文帳に追加

露出した引き出し電極、アライメントマークや基板ＩＤマークなどに対して、サンドブラスト処理で損傷を与える虞を防ぐため、これらの部分を感光性レジストによる保護マスクで被覆し、かつ、この保護マスクの下層にあるアライメントマークを検出できるようにする。 - 特許庁

The film deposition apparatus is provided with an alignment mechanism (not shown) which is furnished inside a vacuum chamber 5 and performs alignment of the substrate 1 and the mask 2, and a pressing mechanism which presses the substrate 1 to the mask 2 by a low friction member 3b furnished at one end of each pressing element 3.例文帳に追加

成膜装置は、真空チャンバー５内に配備された、基板１とマスク２との位置合わせを行う位置合わせ機構（不図示）と、押圧体３の一端に配備された低摩擦部材３ｂによって基板１をマスク２に押圧する押圧機構を備えている。 - 特許庁

By remarkably reducing the number of failures to chuck or excessive chucking of the solder balls by means of the alignment mask which are generated when the alignment mask chucks the solder balls to reduce the number of retried chucking, the productivity of the solder ball mounting apparatus can be increased.例文帳に追加

整列マスクによるはんだボール１の吸着時に発生する未吸着や余剰吸着の発生回数を大幅に減少させ、吸着作業のリトライ回数を減少させることで、はんだボール搭載装置における生産性を向上させることが出来る。 - 特許庁

To provide a method for determining process alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask to be used for the manufacture of a semiconductor device, and to provide a method for determining photoresist pattern alignment when a phase shift region is formed in the manufacture of a phase shift mask.例文帳に追加

半導体装置の製造で用いられる位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時の処理アライメントの決定方法、位相シフトマスクの製造における位相シフト領域の形成時のフォトレジストパターンアライメントの決定方法を提供する。 - 特許庁

The mask consists of plural masks for multiple exposure, into each of which at least one mark is formed, the mark pattern that consists of the marks of each mask is formed on a substrate plate, mask alignment in the succeeding processes using this mark pattern, and the pattern is formed by copying the mask pattern that is formed on the mask into the semiconductor substrate.例文帳に追加

また、前記マスクが多重露出のための複数のマスクからなり、前記複数のマスクの夫々に少なくとも１つのマークを形成し、夫々のマスクのマークからなるマークパターンを半導体基板に形成し、このマークパターンを用いて以降の工程のマスクの位置合わせを行ない、該マスクに形成されたマスクパターンを半導体基板に転写してパターンを形成する。 - 特許庁

An alignment layer 1 is provided on a transparent substrate 5 on which a transparent electrode 4 is formed, an optical mask 6 wherein a light transmission part and a light shielding part with respect to UV are disposed in a prescribed pattern is covered on the alignment layer and the alignment layer is irradiated with UV 7 to remove the alignment layer 1 positioned in a region corresponding to the UV light transmission part ((a) of Fig.).例文帳に追加

透明電極４が形成された透明基板５上に、配向膜１を設け、その上に、紫外線に対する透光部と遮光部が所定のパターンで配されてなる光学マスク６を被せ、紫外線７を照射し、紫外線透光部に対応する領域に位置する配向膜１を除去する（図１（ａ））。 - 特許庁

To provide an aligner which can convey a honeycomb structure and a mask while a position is matched after alignment and can efficiently carry out alignment and a method using the aligner.例文帳に追加

位置合わせ後に位置をあわせた状態でハニカム構造体及びマスクを搬送可能であり、かつ、位置合わせを効率よく行なえる位置合わせ装置及びこれを用いた方法を提供する。 - 特許庁

Alignment marks of partial transfer patterns on a transfer mask are measured (step 23), and then a function for determining the positions of the alignment marks and a scale magnification in the relative scanning direction are calculated based on the measurement result (step 25).例文帳に追加

転写マスク上の部分転写パターンのアライメントマークを計測し（ステップ２３）、これらを基にアライメントマークの位置を定める関数及び相対走査方向のスケール倍率を算出する（ステップ２５）。 - 特許庁

The resist 2 is then photo-sensed through the mask 5 with an alignment mark pattern 5a formed (g), and the resist 2 is developed, then, the resist 2 on a part 2a corresponding to the alignment mark is removed (h).例文帳に追加

そして、アライメントマークのパターン５ａが形成されたマスク５を通してレジスト２を感光させ（ｇ）、レジスト２を現像することにより、アライメントマークに対応する部分２ａのレジスト２を除去する（ｈ）。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ceramic wiring board, by which alignment between a ceramic green sheet and a screen mask can be precisely performed, screen printing can be properly performed, and a light source used for the alignment is hardly tainted.例文帳に追加

セラミックグリーンシートとスクリーンマスクとの位置合わせが正確に行え、スクリーン印刷が適正でき且つ該位置合わせに用いる光源が汚れないセラミック配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The ion beam 28 is reflected between a thin film 26 being an alignment layer on the substrate and the reflective surface 34 of the mask 20, and the alignment layer is formed by the ion beam with which the thin film 26 is finally irradiated.例文帳に追加

配向層となる基板上の薄膜２６とマスク２０の反射面３４との間でイオンビーム２８を反射させ、最終的に薄膜２６に照射されたイオンビームにより配向層を形成する。 - 特許庁

Furthermore, since the rectangular membrane 2 is formed whose X-axial direction or Y-axial direction side is a long side, the mask goes well together with alignment when alignment is carried out along the coordinate axis.例文帳に追加

また、Ｘ軸あるいはＹ軸の方向が長辺となる長方形状のメンブレン２が形成されることから、当該座標軸に沿ってアライメントを行う際に、アライメントとの相性がよいマスクとなる。 - 特許庁

To perform alignment of a shadow mask and a transparent substrate by irradiating light of an appropriate wavelength corresponding to the thickness of the transparent electrode without providing a dedicated process to form an alignment mark on the transparent substrate.例文帳に追加

透明基板にアライメントマークを形成する専用工程を設けず、透明電極の厚さに対応した適切な波長の光を照射してシャドーマスクと透明基板とのアライメントを行う。 - 特許庁

During layout of the mask for micromachining the cMUT layer, either the hexagonal pattern or the alignment key is rotated until an axis of symmetry of the hexagonal pattern is aligned with an axis of the alignment key.例文帳に追加

ｃＭＵＴ層を微細加工するためのマスクレイアウト中に、六角形パターンの対称の軸がアラインメントキーの軸と整列するまで六角形のパターン又はアラインメントキーのいずれかが回転される。 - 特許庁

Each mask M is aligned to the reference bar by displacing each mask holding part 11 to a predetermined position, based on relative position information read by the camera 59, between the reference marks 55 of the reference bar 51 and the alignment mark 45 of the mask M.例文帳に追加

カメラ５９が読み取った、基準バー５１の基準マーク５５と、マスクＭのアライメントマーク４５と、の相対的な位置情報に基づいて、各マスク保持部１１を所定の位置に変位させることによって各マスクＭを基準バーに対してアライメントする。 - 特許庁

To provide a stable self alignment type phase shift mask which can prevent deterioration in transfer accuracy caused by multiple reflection on a wafer surface and a light shielding pattern surface, which has excellent phase shift mask characteristics, and which requires a short manufacturing process, and to provide a method for manufacturing the mask.例文帳に追加

ウェハー面と遮光パターン表面で多重反射による転写精度の劣化を防止し、位相シフトマスク特性に優れ、製造工程が短く、安定した自己整合型位相シフトマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent destruction of wiring due to static electricity caused by rubbing and to prevent a C2 orientation by preventing local rough rubbing at a rubbing mask edge (1), to prolong the service life of a rubbing cloth (2), and to reduce the production cost of the rubbing mask (3) in the rubbing mask for alignment control of a liquid crystal panel.例文帳に追加

▲１▼ラビングすることで生じる静電気によって配線が破壊される事を防ぐ、▲２▼ラビングマスク際での極所的な強いラビングを防止してＣ２配向を防ぐ、▲３▼ラビング布の寿命を延ばす、▲４▼ラビングマスクの製作コストを下げる。 - 特許庁

To increase the productivity of a solder ball mounting apparatus by preventing the failure to chuck or excessive chucking of solder balls by an alignment mask.例文帳に追加

整列マスクにおけるはんだボールの未吸着や余剰吸着をなくし、はんだボール搭載装置の生産性を向上させる。 - 特許庁

Then, the relative positional relationship between the substrate and the alignment mask is detected from the respective pictures picked up by the imaging elemnet (fifth step S5).例文帳に追加

次いで、撮像素子に取り込まれた各画像から、基板と露光マスクとの相対的な位置関係を検出する（第５ステップＳ５）。 - 特許庁

Then with the alignment pattern (106, 107) used as an etching mask, a base material member is etched to form micro steps (H1, H2).例文帳に追加

次に、アライメントパターン（１０６，１０７）をエッチングマスクとして用いて、下地部材をエッチングして微小な段差（Ｈ１，Ｈ２）を形成する。 - 特許庁

SUPPORT DEVICE, ALIGNMENT METHOD OF MASK, SUBSTRATE TREATMENT DEVICE, PRODUCTION METHOD OF ELECTRON EMITTING ELEMENT DISPLAY, AND PRODUCTION METHOD OF ORGANIC EL DISPLAY例文帳に追加

保持装置、マスクのアライメント方法、基板処理装置、電子放出素子ディスプレイの生産方法及び有機ＥＬディスプレイの生産方法 - 特許庁

To provide a measurement method for leveling for improving the alignment (positioning) precision of a mask or a wafer in an aligner.例文帳に追加

露光装置におけるマスクやウエハのアライメント（位置決め）精度を向上させることのできるレベリング用計測システムを提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure apparatus and an exposure method which can perform very precise alignment of a first and a second mask and a work.例文帳に追加

第１、第２マスクとワークとの位置決めを高精度に実行することが可能な露光装置および露光方法を提供すること。 - 特許庁