「Mask Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The alignment method is carried out in process of projecting a pattern (34) drawn on a mask (30) onto a first face (10A) and a second face (10B) of a quartz wafer (10) by exposure.例文帳に追加

本アライメント方法は、マスク（３０）に描かれたパターン（３４）を水晶ウエハ（１０）の第一面（１０Ａ）と第二面（１０Ｂ）とに露光する際のアライメントである。 - 特許庁

The photo-mask is conveyed to an alignment stage unit by a conveyance means and placed on a temporary supporting member having a plurality of cushion functions provided on an exposure chuck.例文帳に追加

搬送手段が、フォトマスクをアライメントステージユニットに搬送して、露光チャックに設けられた複数の緩衝機能を有する一時支持部材上に載置する。 - 特許庁

A method for forming a multilayer semiconductor structure has the alignment feature to match a lithography mask and capable of using together with the SCALPEL tool.例文帳に追加

リソグラフィーマスクを整合するための、また、ＳＣＡＬＰＥＬツールと共に使用できるアラインメントフィーチャーを備えた多層半導体構造を形成する方法である。 - 特許庁

The photomask comprises: a frame body which is made of quartz glass and has an opening part; and a mask pattern formation part which is disposed on the opening part and is made of quartz glass formed of a mask pattern, wherein the frame body and the mask pattern formation part respectively have alignment marks for alignment, and the frame body is joined to the mask pattern formation part with a joint member.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、石英ガラスからなり、開口部を有する枠体と、上記開口部に配置され、マスクパターンが形成された石英ガラスからなるマスクパターン形成部とを有し、上記枠体および上記マスクパターン形成部はそれぞれ位置合わせ用のアライメントマークを有し、上記枠体および上記マスクパターン形成部が接合部材によって接合されていることを特徴とするフォトマスクを提供する。 - 特許庁

The alignment system is equipped with a substrate tray 100 to which the substrate 10 is perpendicularly fixed, a mask tray 300 to which the mask 30 is perpendicularly fixed so as to be aligned with the substrate tray 100, and a tray holder to which the substrate tray 100 and the mask tray 300 are fastened by a fastening section.例文帳に追加

鉛直に基板１０が固着された基板トレイ１００と、前記基板トレイ１００と整列されるように鉛直にマスク３０が固着されたマスクトレイ３００と、前記基板トレイ１００とマスクトレイ３００が締結部によって締結されるトレイホルダーと、を備える。 - 特許庁

In this case, a scanning direction of the mask and the photosensitive substrate is aligned with the projection optical system, and the mask and the photosensitive substrate are moved along the scanning direction in a condition where alignment have been performed, and the pattern image of the mask is scanned and exposed on each exposure area of the photosensitive substrate.例文帳に追加

この場合、本発明では、マスクおよび感光性基板の走査方向を投影光学系に対して位置合わせし、位置合わせした状態においてマスクと感光性基板とを走査方向に沿って移動させて、感光性基板の各露光領域にマスクのパターン像を走査露光する。 - 特許庁

This invention in related to the formation of a semiconductor device laminated on a substrate 1 including a step forming laminated bodies 2, 3, 4, 5 as well as a forming step of a circuit element by photolithography including the formation of an alignment mask, the reference pattern by the aperture of the alignment mask as well as another mask specifying the circuit element aligned with the reference pattern.例文帳に追加

本発明は、基板（１）上に積層体（２，３，４，５）を形成する工程と、位置合わせマスクの形成、このマスクの開口部による基準パターンの形成、及びこの基準パターンに位置合わされた回路素子を規定するマスクの形成を含むフォトリソグラフィにより回路素子を形成する工程を具える基板上に集積化された半導体装置を形成する方法に関するものである。 - 特許庁

When a resist film 55, for forming a post electrode 10 on a silicon substrate 2 is exposed under wafer state, an exposure mask for forming the post electrode is employed for a semiconductor element forming region 1A, and an exposure mask for forming an alignment post electrode is employed for an alignment mark forming region 21A.例文帳に追加

ウエハ状態のシリコン基板２上にポスト電極１０を形成するためのレジスト膜５５の露光を行なうとき、半導体素子形成領域１Ａに対しては、ポスト電極形成用露光マスクを用いて行ない、アライメントマーク形成領域２１Ａに対しては、アライメント用ポスト電極形成用露光マスクを用いて行なう。 - 特許庁

When a resist film 55, for forming a post electrode 10 on a silicon substrate 2 in a wafer state, is exposed, an exposure mask for forming the post electrode is employed for a semiconductor element forming region 1A, and an exposure mask for forming an alignment post electrode is employed for an alignment mark forming region 21A.例文帳に追加

ウエハ状態のシリコン基板２上にポスト電極１０を形成するためのレジスト膜５５の露光を行なうとき、半導体素子形成領域１Ａに対しては、ポスト電極形成用露光マスクを用いて行ない、アライメントマーク形成領域２１Ａに対しては、アライメント用ポスト電極形成用露光マスクを用いて行なう。 - 特許庁

In a metal layer having a wiring pattern and an alignment mark 120 formed by electrolytic plating as a lead for electrolytic plating, a protective mask 150 is formed over the alignment mark and the periphery thereof, the metal layer and the wiring pattern are roughened and then the protective mask is removed.例文帳に追加

金属層を電解めっき用リードとして、電解めっきにより形成された配線パターンおよびアライメントマーク１２０を有する金属層において、少なくとも、アライメントマークおよびその周辺部分に保護マスク１５０を形成し、金属層および配線パターンに粗化処理を施した後、保護マスクを除去する。 - 特許庁

To make it possible to improve the accuracy and reliability of the alignment of mask patterns and patterns already formed on an array substrate and to prevent the degradation in a production yield and product defect by the failure and error of the alignment of the mask patterns.例文帳に追加

液晶表示装置等のアレイ基板及びその製造方法において、マスクパターンと、アレイ基板上に既に形成されたパターンとの位置合わせの精度及び信頼性を向上させることができ、マスクパターンの位置合わせのミスやエラーによる製造歩留まりの低下や製品不良を防止することができるものを提供する。 - 特許庁

To provide a vertical Hall element which makes possible the detection of magnetism with higher accuracy by suppressing the occurrence of offset voltage caused by a positional deviation due to mask alignment errors (deviated alignment) at the time of manufacturing the element, and also to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子作製時のマスク合わせ誤差による位置ずれ（アライメントずれ）に起因するオフセット電圧の発生を抑制して、より高い精度での磁気検出を可能とする縦型ホール素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The alignment apparatus 5 comprises a static electricity attracting device 72, and a substrate 7 relatively moves to a mask 8 in a state of being electrostatically attracted on the static electricity attracting device 71, and alignment is performed.例文帳に追加

本発明のアライメント装置５は、静電吸着装置７２を有しており、基板７は静電吸着装置７１に静電吸着された状態で、マスク８に対して相対的に移動し、位置合わせが行われるようになっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, a photo mask, and an alignment inspection mark which matches an alignment inspection pattern with the design of a semiconductor integrated circuit to eliminate the pattern dependence of the superposition of aberration, the pattern size dependence, etc.例文帳に追加

合わせ検査のパターンを半導体集積回路の設計に合わせることで、収差の乗りのパターン依存性、パターン寸法依存性等を除去する半導体装置の製造方法、フォトマスク、合わせ検査マークを提供する。 - 特許庁

Then, the position of the mask is corrected in such a way that the second straight line 21 connecting two alignment marks B and C is in parallel with the first straight line 11 and coordinates of one alignment mark A coincides with coordinates of the standard position (a).例文帳に追加

そして、二つのアライメントマークＢ、Ｃを結ぶ第２の直線２１が第１の直線１１に平行で且つ一つのアライメントマークＡの座標とその基準位置ａの座標が一致するように、マスクの位置を修正する。 - 特許庁

A protection film 20 including a shape pattern 20a in response to the shape of the piezoelectric substrates 12 and an opening 20b in response to the shape of the alignment marker 18 relative to the alignment of a photo mask or the like is formed on the surface of the piezoelectric wafer 10.例文帳に追加

圧電ウエハ１０の表面には、圧電基板１２の形に応じた形状パターン２０ａと、フォトマスク等の位置合わせ基準となるアライメントマーカー１８の形に応じた開口部２０ｂとを有する保護膜２０が形成される。 - 特許庁

In the case of joining the split patterns to form the original pattern, alignment information obtained at aligning of any split pattern is used for alignment of a mask to form at least two split patterns of the layer including the split pattern.例文帳に追加

分割パターンをつなぎ合わせて形成する際、いずれか１つの分割パターンのアライメントで得られたアライメント情報をマスクの位置合わせに用いて、その分割パターンを含む層の少なくとも２つの分割パターンを形成する。 - 特許庁

This apparatus comprises a stage 13 for mounting a wafer 1 and an alignment part 16 for detecting the edge of the wafer 1, so as to determine an alignment position for the shade mask 15 according to the shape of the wafer 1.例文帳に追加

このウエハ周辺露光装置は、ウエハ１を載置するステージ１３と、ウエハ１のエッジを検出することにより、ウエハ１の形状から遮光マスク１５に対するアライメント位置を決定するアライメント部１６と、を具備するものである。 - 特許庁

A first mask 31 is then arranged while aligned with the glass substrate 21 so that alignment marks 33 and 34 match the cut 22, and lithographic patterning is carried out on the front surface 21a of the glass substrate 21 according to a first mask pattern 32.例文帳に追加

次に、アライメントマーク３３，３４が切り欠き２２に合致するように第１マスク３１をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のオモテ面２１ａに第１マスクパターン３２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 - 特許庁

A plasma CVD device 1 introduces reaction gas in a vacuum treatment chamber 2 and forms a film on the substrate 10 arranged on a susceptor 4 through the mask 7 by a CVD method, and includes a mask support mechanism 58, a drive part 53, a CCD camera 51, and an alignment control part 6.例文帳に追加

プラズマCVD装置1は、真空処理槽2内に反応ガスを導入し、サセプタ4上に配置された基板10上にマスク7を介してCVD法で成膜するもので、マスク支持機構58と、駆動部53と、CCDカメラ51と、アライメント制御部6とを備える。 - 特許庁

A reference position of the mask is computed by adjusting the focus of an imaging device 16 in such a manner that the number of pixels of an alignment mark M2 on the mask observed in the image is equal to a preset reference threshold or larger than the threshold.例文帳に追加

画像でのマスク側のアライメントマークＭ２の画素数が、予め設定した基準閾値と一致若しくは当該基準閾値以上となるように撮像装置１６の焦点を調整してマスク側の基準位置を演算する。 - 特許庁

The image of a mask pattern is formed accurately on a substrate by determining correspondence between a scanning direction regulated on a first coordinate system for controlling movement of first stages 10, 11 holding a mask 12 and a scanning direction regulated on a second coordinate system for controlling movement of a second stage 4 holding a substrate 5 thereby enhancing alignment accuracy of the mask and the substrate at the time of scanning alignment.例文帳に追加

マスク（１２）を保持する第１ステージ（１０，１１）の移動を制御するための第１座標系で規定される走査方向と、基板（５）を保持する第２ステージ（４）の移動を制御するための第２座標系で規定される走査方向との対応関係を求めることによって、走査露光時のマスクと基板とのアライメント精度を向上させて、マスクのパターンの像を正確に基板上に形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which achieves highly reliable trench contact structure of an electrode, which is formed by self-alignment using gate trenches as a mask, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

ゲートトレンチをマスクにしたセルフアラインによる電極のトレンチコンタクト構造を高い信頼性で実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technique for forming a contact hole of a proper cross section to self-alignment by raising the substrate temperature to a high temperature, without requiring a process of mask removal.例文帳に追加

マスク除去のための工程を必要とせず、基板温度を高温に上昇させてセルフアラインに良好な断面形状のコンタクトホールを形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory having a structure in which etching of an insulating film in an element isolation trench and etching of an insulating film in an alignment trench can be simultaneously conducted by using one mask.例文帳に追加

素子分離トレンチ内の絶縁膜のエッチングとアライメントトレンチ内の絶縁膜のエッチングとを、１つのマスクを用いて同時に行える構造の半導体メモリを提供する。 - 特許庁

Split alignment marks 1a, 2a, 3a and 4a are formed in each complementary split region corresponding to each of complementary split masks 1, 2, 3 and 4 that a stencil mask is pluralized.例文帳に追加

ステンシルマスクを複数に分割した相補分割マスク１、２、３、４のそれぞれに対応する相補分割領域に分割アライメントマーク１ａ、２ａ、３ａ、４ａを形成する。 - 特許庁

A protection film 52a is formed on the alignment mark 50, and an etching mask 52b composed of the same material as the protection film 52a is formed on the laminate L.例文帳に追加

次に、アライメントマーク５０上に保護膜５２ａを形成すると共に、積層体Ｌ上に保護膜５２ａと同じ材料から構成されるエッチングマスク５２ｂを形成する。 - 特許庁

A controller 40 executes alignment based on the position information of the mask stage mark 20 and the position information of the wafer stage mark 42 imaged by the imaging apparatus 48.例文帳に追加

制御部４０は、撮像装置４８によって撮像されたマスクステージマーク２０の位置情報とウェハステージマーク４２の位置情報に基づいてアライメントを実行する。 - 特許庁

To improve a through-put by shortening a tact time when scanning a substrate by linear exposure light passing through a mask and forming an alignment region on an oriented film on the substrate.例文帳に追加

マスクを透過した線状の露光光により基板を走査して、基板上の配向膜に配向領域を形成する際、タクトタイムを短縮してスループットを向上させる。 - 特許庁

The relative position the in x-axis direction is adjusted based on an alignment error Δx1 in the x-axis direction between one x-axis mark and a mark of the mask corresponding to it.例文帳に追加

１つのｘ軸用マークとそれに対応するマスクのマークとのｘ軸方向の位置合わせ誤差Δｘ_1に基づいてｘ軸方向の相対位置を調節する。 - 特許庁

Polarized light emitted from a light irradiation section 10 is made incident on an alignment film of a substrate W obliquely at an angle θ of incidence through a mask M.例文帳に追加

光照射部１０から出射した偏光光は、マスクＭを介し、基板Ｗの配向膜に対して入射角度がθになるよう斜めに入射する。 - 特許庁

To provide a method for making an etching groove for optical fiber setting and an etching groove for an optical waveguide of an optical coupler with less error of mask alignment.例文帳に追加

光結合器の光ファイバ装着用エッチング溝と光導波路用のエッチング溝とをマスクアライメントによる誤差を少なく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a halftone phase shift mask having high phase angle controllability and dimensional controllability and high alignment accuracy even when there are microholes in a short time and at a low cost and in a high yield.例文帳に追加

位相角制御性および寸法制御性が高く、微細孔がある場合にも合わせ精度の高いハーフトーン位相シフトマスクを、短時間、低コスト、高歩留まりで製造する - 特許庁

To provide an electronic component wherein a conductor pattern having no displacement on both surfaces of a substrate is formed without alignment of mask on front and rear surfaces.例文帳に追加

表面と裏面のマスク位置合わせをすることなく、基材の両面にずれのない導体パターンが形成された電子部品及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a thin film etching step (j), the film 8 is etched back, and a self-alignment mask 9 disposed in a recess 7 of the film 6 is formed.例文帳に追加

薄膜エッチング工程（ｊ）では、選択性薄膜８のエッチバックを行い、多結晶シリコン堆積膜６の窪み７内に位置した自己整合マスク９を形成する。 - 特許庁

A thermal barrier member is arranged in order to prevent expansion of a substrate and a mask due to thermal expansion and deviation thereof from the alignment position by receiving heat from vapor deposition source.例文帳に追加

この際、蒸着源からの輻射熱を受けて、基板およびマスクが熱膨張により伸びてアライメント位置からずれることを防ぐため、遮熱部材を配置する。 - 特許庁

Since a halftone mask is employed, alignment is not required at the joint of the P-MOS part 25 and the N-MOS part 26 and high integration can be realized by decreasing the number of photolithographic steps.例文帳に追加

ハーフトーンマスクを用いることにより、Ｐ−ＭＯＳ部２５とＮ−ＭＯＳ部２６の結合部分に位置合わせが不要となり、ホト工程数を少なく高集積化できる。 - 特許庁

A plated portion 53 corresponding to predetermined portions (die pads and leads) of the lead frame, and alignment marks 15, 16 are formed using a plating mask on one main surface of the conductive material 51.例文帳に追加

めっきマスクを用いて導電材料５１の１つの主面にリードフレームの所定部分（ダイパッド及びリード）に対応しためっき部５３とアライメントマーク１５，１６を形成する。 - 特許庁

By distributing alignment marks to each complementary split mask, positional deviation between masks is averaged, thereby manufacturing a semiconductor device having little positional deviation between patterns of adjacent layers.例文帳に追加

各相補分割マスクにアライメントマークを分配することにより各マスク間の位置ズレが平均化し、隣接するレイヤのパターン間に大きな位置ズレのない半導体デバイスが得られる。 - 特許庁

First, a pattern of circular optical multilayer film 10 and optical multilayer film marks for alignment AM is transferred on a base material for substrate BM using a first mask member M1.例文帳に追加

最初に、基板母材ＢＭに第１のマスク部材Ｍ１を用いて、円形光学多層膜１０およびアライメント用光学多層膜マークＡＭのパターンを転写する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a multilayer printed-wiring board wherein the accuracy of the alignment of a mask with a wiring board is increased in an exposure process, and the reliability of a via hole part is not lowered.例文帳に追加

露光工程でのマスクと配線板との位置あわせ精度を高め、バイアホールの信頼性が低下することがない多層プリント配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the occurrence of an error that displacement is not dissolved no matter how many times positioning is repeated and alignment is not converged in positioning of a mask and a work for contact exposure.例文帳に追加

コンタクト露光のマスクとワークの位置合せにおいて、位置合わせを何度繰り返しても位置ずれが解消せず、アライメントが収束しないというエラーの発生を防ぐこと。 - 特許庁

In order to accurately match positions of a black matrix 15 and a photo-mask 4a for color filter layers, alignment is performed to match the center of a window 55-1 and the center of an alignment mark 53-1 which is formed when forming the black matrix 15.例文帳に追加

ブラックマトリクス１５とカラーフィルタ層用のフォトマスク４ａの位置を正確にあわせるために、窓５５−１の中心とブラックマトリクス１５を形成する時に形成されたアライメントマーク５３−１の中心が一致するように位置合わせを行う。 - 特許庁

When the phase shifter pattern is formed by patterning a transparent film 4a, the formation and alignment of the phase shifter pattern with respect to a metallic layer 3 for forming the light shielding film of a mask substrate 2 are executed by using alignment mark patterns disposed at the metallic layer 3.例文帳に追加

透明膜４ａをパターニングして位相シフタパターンを形成する際に、マスク基板２の遮光膜形成用の金属層３に設けられた位置合わせマークパターンを用いて、金属層３に対する位相シフタパターンの形成位置合わせを行う。 - 特許庁

To provide a method for producing a color filter where, even if a substrate side alignment mark preformed on a substrate is covered with a black layer, a mask for black can be securely aligned with respect to the substrate at high precision using the substrate side alignment mark.例文帳に追加

基板上に予め形成された基板側アライメントマークがブラック層により覆われたとしても、基板側アライメントマークを用いて基板に対してブラック用マスクを精度良く確実に位置決めすることができるカラーフィルターの製造方法を提供する。 - 特許庁