「Mask Alignment」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.例文帳に追加

デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a phase shifting mask in which dislocation of a resist pattern due to the waveguide effect of a Levenson phase shifting mask is suppressed and high alignment accuracy can be attained and to provide a method therefor and a pattern forming method.例文帳に追加

レベンソン位相シフトマスクの導波路効果に起因するレジストパターンの位置ずれの発生を抑制し、高度の位置合わせ精度を達成することが可能な位相シフトマスクの作製装置及び作製方法並びにパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The masking device 10 comprises a base sheet 11, a mask member 12 consisting of a magnetic material, a spacer 14, a magnet 13 and an alignment member 15, and performs the vapor deposition while the mask member 12 is magnetically attracted by the magnet 13 and fixed.例文帳に追加

マスキング装置１０は、基材シート１１と、磁性材料からなるマスク部材１２と、スペーサ１４と、マグネット１３と、アライメント部材１５とを備え、マグネット１３によりマスク部材１２を磁気吸引して固定した状態で、蒸着を行う。 - 特許庁

Before the trench for SJ is formed in an active region of an epitaxial substrate, a second mask oxide film thinner than a first mask oxide film for formation of the trench for SJ in the active region is formed in a scribe region to form an alignment marker.例文帳に追加

エピ基板の活性領域にＳＪ用トレンチを形成する前に、スクライブ領域に、活性領域へのＳＪ用トレンチ形成のための第一マスク酸化膜の厚さよりも厚い第二マスク酸化膜を形成してアライメントマーカーを形成する。 - 特許庁

A reflection-type pattern transfer apparatus, having a beam source for radiating charged particle beams, a first stage for mounting a mask 103 and a second stage for mounting a wafer provides a accurate alignment method for reflecting to the control of a wafer stage 105 and a mask stage 104.例文帳に追加

荷電粒子ビームを照射する線源と、マスクを載置する第１のステージと、ウェハを載置する第２のステージをもつ反射型のパターン転写装置で、ウェハステージ、マスクステージの制御に反映するための高精度なアライメント方法を提供する。 - 特許庁

A mask side alignment mark 41 formed in a mask M includes: two oblique line parts 42a and 42b respectively inclined at mutually different angles α° and -α° in an X direction; and straight line parts 43a and 43b extending in the X direction.例文帳に追加

マスクＭに形成されたマスク側アライメントマーク４１は、Ｘ方向に対して互いに異なる角度α°、−α°でそれぞれ傾斜した２本の斜線部４２ａ，４２ｂと、Ｘ方向に沿って延びる直線部４３ａ、４３ｂとを有する。 - 特許庁

To provide a recording medium and a method for manufacturing a recording medium which eliminate the need for duplication of a fine mask, precise alignment between a mask and a recording medium, and further a lens with high NA and a large diameter.例文帳に追加

精細なマスクの複製が不要で、かつ、マスクと記録媒体との間での精密な位置合わせも不要で、しかも高ＮＡで大口径のレンズなども不要とすることができる記録媒体及び記録媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In such a case, the mask films for the front surface and the rear surface respectively move a mask MS for the front surface and a mark MB for the rear surface having the shapes, which exist in the inner diameter of the reference hole and will not overlap each other, when alignment is completed.例文帳に追加

この場合、表面用および裏面用のマスクフィルムは、位置合わせが完了したとき、基準穴の内径の中に存在し、かつ、互いに重なることのない形状をもつ表面用マークＭＳおよび裏面用マークＭＢをそれぞれ有している。 - 特許庁

In the step of forming a non-circuitry phase shift alignment region is formed in the manufacture of a phase shift mask, alignment accuracy is measured at least partially by using an aerial image measurement equipment so as to determine the alignment of patterns to be formed in a photoresist applied a substrate before the material is etched to form the non-circuitry phase shift alignment region and while the photoresist is present on the substrate.例文帳に追加

位相シフトマスクの製造において、非回路位相シフトアライメント領域を形成するとき、前記非回路位相シフトアライメント領域を形成するために材料をエッチングする前で、基板上にフォトレジストがあるときに、前記基板上に受け入れられる前記フォトレジストに形成されるパターンのアライメントを決定するために、少なくとも一部空間イメージ測定装置を用いて、アライメント精度を測定する。 - 特許庁

By combining CMP of high flatness in which patterning for making the area of an SiO_2 film uniform is unnecessary, and regulating the trench width and film thickness of an alignment pattern part for alignment of a semiconductor mask, the number of times of exposure processing is reduced to one.例文帳に追加

ＳｉＯ_2膜の面積を揃えることを目的としたパターニングが不要な高平坦性のＣＭＰと組み合わせることと、半導体マスクの位置合わせ用アライメントパターン部の溝幅と絶縁膜の膜厚を規定することで、露光工程の回数を１回に低減する。 - 特許庁

The method includes a step of forming the alignment film on a substrate having an electrode pad at a position corresponding to a transfer electrode for applying a voltage to a common electrode, and a step of locally etching the alignment film to expose the electrode pad without using a mask pattern.例文帳に追加

共通電極に電圧を印加するトランスファ電極に対応する電極パッドを備える基板上に配向膜を形成する段階と、前記電極パッドを露出させるようにマスクパターンを用いずに前記配向膜をエッチングする段階とを有する。 - 特許庁

The alignment mask 30 is used to perform batch exposure on semiconductor chip areas of a second semiconductor wafer to be stacked with the first semiconductor wafer 1, and a second alignment mark is formed in each of the plurality of semiconductor chip areas of the second semiconductor wafer.例文帳に追加

アライメントマスク３０を用いて、第１半導体ウェハ１と積み重ねるべき第２半導体ウェハの半導体チップ領域に対して一括露光を行って、第２半導体ウェハの複数の半導体チップ領域のそれぞれに第２アライメントマークを形成する。 - 特許庁

A portion corresponding to the substrate side alignment mark 6 of the black layer 8a is then irradiated with a laser beam to form a thin part 9 and positioning of the mask 21 for black is performed by using the substrate side alignment mark 6 appearing in an external side via the thin part 9.例文帳に追加

次に、ブラック層８ａのうち、基板側アライメントマーク６に対応する部分にレーザ光が照射されて薄肉部９が形成され、この薄肉部９を介して外方へ現れる基板側アライメントマーク６を用いて、ブラック用マスク２１の位置決めが行なわれる。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device in which a first alignment layer is formed without using a mask for layer formation causing the adhesion of foreign substances and the adhesion of the first alignment layer to the surfaces of bonding pad parts causing defective wiring can be consequently prevented as much as possible.例文帳に追加

異物付着の原因となる成膜時のマスクを用いることなく第１配向膜を形成し、配線不良の原因となるボンディングパッド部上への第１配向膜の付着を極力防止することが可能な液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, a dummy gate is used a mask for forming the source/drain region in a self- alignment manner, and at the same time the gate electrode is formed in self- alignment manner, thus forming the fine element without generating matching deviation between the source/drain region and gate electrode.例文帳に追加

この半導体装置は、ダミーゲートをマスクにして自己整合的にソース／ドレイン領域を形成すると共に自己整合的にゲート電極を形成している為、ソース／ドレイン領域とゲート電極に合わせずれが生じず微細化された素子を形成することができる。 - 特許庁

A mask 5 for etching having openings for forming alignment marks is formed on a support silicon substrate 1, and the substrate 1 and a silicon oxide layer 2 are etched in accordance with opening patterns 4 for forming patterns provided in the mask 5 to form a silicon membrane 3a.例文帳に追加

支持シリコン基板１上に、アライメントマーク形成用の開口を有するエッチング用マスク５を形成し、エッチング用マスクに設けられたパターン形成用開口パターン４に合わせて、支持シリコン基板、酸化シリコン層２をエッチングしてシリコンメンブレン３ａを形成する。 - 特許庁

The relative position error between the alignment mark on the mask and the device region is measured by off-line measurement and the result of measurement is set in an exposure device as a correction value when exposed, and thus a picturing error on the mask is corrected and an overlapping error in the device region is reduced.例文帳に追加

マスク上のアライメントマークとデバイス領域の相対的な位置誤差をオフラインで測定し，露光時には前記測定結果を補正値として露光装置に設定することにより、マスクの描画誤差を補正して、デバイス領域での重ねあわせの誤差を低減する。 - 特許庁

The screen printing mask with an opening characteristically has a bumpy resin part formed around the opening on the print surface thereof, the bumpy resin part being formed characteristically by self-alignment in the method for manufacturing the screen printing mask.例文帳に追加

開口部を有するスクリーン印刷用マスクにおいて、プリント面側の開口部の周囲に突設樹脂部が形成されていることを特徴とするスクリーン印刷用マスク及び突設樹脂部がセルフアライメントで形成されることを特徴とするスクリーン印刷用マスクの作製方法。 - 特許庁

The mask alignment device includes: a plurality of struts 103 which rotate around each rotary axis arranged in a strut axis direction; a means of rotating the plurality of the struts 103 in the same direction and at the same angle while synchronizing them; and a means of detecting the quantity of deviation between the mask 701 and the substrate W.例文帳に追加

支柱軸方向の各回転軸を中心に回転する複数の支柱１０３と、複数の支柱１０３を同一方向、同一角度、同期して回転させる手段と、マスク７０１と基板Ｗの位置ずれ量を検出する手段とを具備する。 - 特許庁

On the surface opposite to a surface opposing the substrate of the mask for printing the sealing agent, a recess part of an area larger than the area of the alignment layer formed on the substrate is formed.例文帳に追加

シール剤を印刷するためのマスクの基板と対向する面とは反対側の面に、基板に形成された配向膜の領域より大きな領域の凹部を形成した構成とした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a printed circuit board in high precision by suppressing deviation of alignment of the printed board with the exposure mask.例文帳に追加

プリント配線板の製造方法において、プリント基板と露光用マスクとの位置合わせのずれを抑制し、精度の高いプリント配線板を得る方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

To make it possible to obtain an overlapping precision in a device region even when a relative position error exists between an alignment mark on a mask and the device region.例文帳に追加

マスクの描画装置の誤差により，マスク上のアライメントマークとデバイス領域に相対的な位置誤差があり，露光時のアライメントに問題が無くとも，デバイス領域での重ねあわせ誤差が発生する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a multiple patterning circuit board which can uniformly vacuum-suck a mask for solder ball alignment and can improve the yield of ball loading.例文帳に追加

はんだボール整列用マスクを均一に真空吸着することができ、ボール搭載の歩留まりを向上することができる多数個取り配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor element which is suitable for minimizing the vanishing of a gate electrode and a hard mask by using a comparatively simple process when a self alignment contact is formed.例文帳に追加

自己整列コンタクト形成時に比較的簡単な工程によりゲート電極及びハードマスクの消失を最小化するのに好適な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This alignment table device 10 approaches toward the board material holding device 1, the exposure mask M is brought into contact with the printed board material W and, further, a supporting base 15 is moved to the direction of printed board material W.例文帳に追加

アライメントテーブル装置１０が基板材保持装置１に向けて接近し、露光マスクＭとプリント基板材Ｗが接し、更に支持ベース１５がプリント基板材Ｗ方向に移動される。 - 特許庁

The material and thickness of the membrane 6 are set so as to prevent the reflection of alignment light to be irradiated on the membrane 6 at positioning the X-ray mask body structure.例文帳に追加

薄膜６は、Ｘ線マスク構造体の位置決めを行う際に薄膜６に照射されるアライメント光に対しての反射を防止するように材料および膜厚が設定されている。 - 特許庁

To provide an alignment method capable of readily and accurately aligning the through-holes of a honeycomb structure and those of a sealing mask, and to provide a method for production of a honeycomb filter.例文帳に追加

ハニカム構造体の貫通孔と、封口用マスクの貫通孔との正確な位置合わせを容易に行なうことのできる位置合わせ方法、及び、ハニカムフィルタの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a pattern layout that can prevent changes in transistor characteristics caused by rounding which generates inside a corner of a diffusive region or a gate wiring and by an alignment error of a mask.例文帳に追加

拡散領域あるいはゲート配線の角部内側に発生する丸まりとマスクの位置合わせ誤差とに起因するトランジスタ特性の変動を防止し得るパターンレイアウトを提供する。 - 特許庁

As a result, the alignment of the mask M and the photosensitive substrate P is made possible even if the substrate stage 14 is not provided with the stage mechanism to execute the correction of the rotation around the Z-axis.例文帳に追加

これにより、基板ステージ１４にＺ軸まわりの回転補正を行うステージ機構を設けなくてもマスクＭと感光基板Ｐとの位置合わせを行えるようになる。 - 特許庁

To provide a device for conveying a honeycomb structural body which can easily perform accurate alignment between the through hole of the honeycomb structural body and the through hole of a sealing mask, and to provide a method for sealing the honeycomb structural body and a method for producing the honeycomb structural body.例文帳に追加

ハニカム構造体の貫通孔と、封口用マスクの貫通孔との正確な位置合わせを容易に行なうことのできるハニカム構造体の搬送装置等を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

Then, the oxide film 120 is selectively etched using a N well-ion-implantation mask, and a region key and a first alignment key are formed in the scribe lane region 111 simultaneously.例文帳に追加

次に、Ｎウェルイオン注入マスクを利用して前記酸化膜１２０を選択的にエッチングし、前記スクライブレーン領域１１１に領域キー及び第１整列キーを同時に形成する。 - 特許庁

Positional accuracy of the movable member 31 with respect to the liquid channel is enhanced because it depends only on the alignment accuracy of the mask in laser machining.例文帳に追加

液流路に対する可動部材３１の位置精度がレーザ加工におけるマスクの位置合わせの精度のみに依存し、液流路に対する可動部材３１の位置の精度が高くなる。 - 特許庁

This aligner is equipped with a substrate move control part 21 for performing the alignment of a substrate, a mask move control part 18 for alignment of a mask, an image processing part 16 processing an image picked up by a camera 10, and a controller 19 giving a position correcting command to the control parts 18 and 21 based on the image processed by the processing part 16.例文帳に追加

露光装置は、基板３０の位置合わせを行う基板移動制御部２１と、マスクの位置合わせを行うマスク移動制御部１８と、カメラ１０にて撮像された画像を処理する画像処理部１６と、該画像処理部１６で処理された画像に基づき、マスク移動制御部１８及び基板移動制御部２１に位置補正指令を与える制御装置１９とを備える。 - 特許庁

In the aligner which detects a mask alignment mark and a workpiece alignment mark through the through-hole formed in the workpiece stage, a translucent window member disposed in the through-hole of the workpiece stage is supported by an elastomer and the window member abuts against the workpiece elastically.例文帳に追加

ワークステージに形成した貫通孔を介してマスク・アライメントマークとワーク・アライメントマークを検出する露光装置において、ワークステージの貫通孔内に配置した光透過性窓部材を弾性体によって支持して、ワークに対して窓部材が弾性的に当接することを特徴とする。 - 特許庁

To prevent degradation of a yield due to a short circuit between wires by preventing degradation of a margin of the depth of focus due to a hard mask film and degradation of visibility of an alignment mark, and allowing a self-alignment via to be formed, and to improve an insulation property between wires to improve reliability thereof.例文帳に追加

ハードマスク膜による焦点深度のマージンの低下及びアライメントマークの視認性の低下を防ぎ、且つ、セルフアラインドビアの形成を可能とすることにより、配線同士のショートによる歩留まりの低下を防止すると共に、配線同士の絶縁性を高め、その信頼性を向上させるようにする。 - 特許庁

To provide a formation method of a vapor-deposited film and a deposition apparatus for preventing deflection when aligning a large, extremely thin deposition mask, and performing deposition while making the subpixel of a substrate and the opening of the deposition mask hold a precise aligned state in alignment.例文帳に追加

本発明は、大型で極薄の蒸着マスクのアラインメント時における撓みを防ぎ、基体のサブピクセルと蒸着マスクの開口が、アラインメント時における精密な位置合わせ状態を保持して蒸着を行なう蒸着膜の形成方法及び蒸着装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A position adjusting device 26 can adjust the position of the wafer stage 16 relative to the mask stage 14, and adjusts the position of the wafer stage 16 based upon image data obtained by imaging the mask stage reference mark 15 and alignment mark 44 by the on-axis camera 20.例文帳に追加

位置調整装置２６は、マスクステージ１４に対するウェハステージ１６の位置を調整可能であって、かつ、マスクステージ基準マーク１５とアラインメントマーク４４をオンアクシスカメラ２０によって撮像することにより得られる画像データに基づいて、ウェハステージ１６の位置を調整する。 - 特許庁

Subsequently, the glass substrate 21 is turned over and the back surface 21b is exposed upward, and a second mask 32 is arranged while aligned with the glass substrate 21 so that alignment marks 43 and 44 match the cut 22, before carrying out lithographic patterning on the back surface 21b of the glass substrate 21 according to a second mask pattern 42.例文帳に追加

そして、ガラス基板２１を裏返し、ウラ面２１ｂを上方に露呈させ、アライメントマーク４３，４４が切り欠き２２に合致するように第２マスク３２をガラス基板２１に位置合わせして配置し、ガラス基板２１のウラ面２１ｂに第２マスクパターン４２に応じたリソグラフィパターンをパターニングする。 - 特許庁

To manufacture an alternate stripe electrode, where first stripe electrodes which allow a prescribed electromagnetic wave to pass through and second stripe electrodes which intercept the electromagnetic wave and consist of many linear electrodes are alternately arranged approximately in parallel, from one mask for stripe electrode by self-matching (without mask alignment).例文帳に追加

所定の電磁波を透過する第１ストライプ電極と、該電磁波を遮光する多数の線状電極からなる第２ストライプ電極とが交互に略平行に配列されてなる交互ストライプ電極を１枚のストライプ電極用マスクから自己整合的に（マスク合わせなしに）製造する。 - 特許庁

By a CAD system 18, comprising a CAD tool and an operation controlling portion utilizing a mask-pattern data base, liquid-crystal driving and controlling signals are obtained so as to control the alignment of liquid-crystal molecules in the respective segments of a panel displaying portion 171 and to form a mask pattern for passing/intercepting exposure lights.例文帳に追加

ＣＡＤツール及びマスクパターンデータベースを利用した演算制御部により構成されるＣＡＤシステム１８により液晶駆動制御信号が得られ、パネル表示部１７１における各セグメントで液晶分子の配向が制御され露光光が通過／遮断されるマスクパターンが形成される。 - 特許庁

Subsequently, the opening alignment marks 7 are formed in the membrane 3a, a mask 9 for dry-etching with opening patterns provided at the positions corresponding to support pillar formation positions on the substrate 1 is formed on the substrate 1 using the marks 7, and a support silicon layer is dry-etched in accordance with opening patterns 8 provided in the mask 9.例文帳に追加

続いてシリコンメンブレンに開口アライメントマーク７を形成し、それを用いて支持シリコン基板上に支柱形成位置に対応する位置に開口パターンが設けられたドライエッチング用マスク９を形成し、マスクに設けられた開口パターン８に合わせて支持シリコン層をドライエッチングする。 - 特許庁

In the alignment of the mask and the glass substrate, a target position forcibly offset with respect to a desired target position is set (S11) and first the mask and the glass substrate are aligned to the offset target position (S12, S13) and are then aligned to the desired target position (S14 to S18).例文帳に追加

マスクとガラス基板との位置合わせを行うアライメントにおいて、所期目標位置に対して強制的にオフセットさせた目標位置を設定し（Ｓ１１）、最初に前記オフセット目標位置に位置合わせさせ（Ｓ１２，Ｓ１３）、その後、所期目標位置に位置合わせさせる（Ｓ１４〜Ｓ１８）。 - 特許庁

The image of the substrate mark 7 on the fluorescent plane 39 of the fluorescent board 3 is picked up while overlapping a mask mark 5 on the photomask 4 by a CCD camera 2, and an exposure stage 8 is driven to bring the center of the substrate mark 7 and that of the mask mark 5 in accordance, thereby performing the alignment of the substrate 6 and the photomask 4.例文帳に追加

該蛍光板３の蛍光面３９上の基板マーク７の像をＣＣＤカメラ２によりホトマスク４上のマスクマーク５と重ね合わせて撮像し、基板マーク７とマスクマーク５の像の中心が一致するように露光ステージ８を駆動して基板６とホトマスク４の位置合わせを行う。 - 特許庁

Since accurate alignment can be executed by the reflection-type pattern transfer device, the transfer device of high throughput can be provided through the use of a mask for the charged particle beam exposure of the reflection type.例文帳に追加

本発明によれば、反射型のパターン転写装置で高精度なアライメントが行なえるようになるため、反射型の荷電粒子ビーム露光用のマスクを使って高スループットの転写装置を提供できる。 - 特許庁