「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(199ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method, the processor tasks are copied into the local memory of the sub-processing units from the shared memory in order to execute the processor tasks, execution of the processor tasks from the shared memory is prohibited and at least one processor task is migrated from one of the sub-processing units to another of sub-processing units.例文帳に追加

本方法は、プロセッサタスクを実行するために、プロセッサタスクを共有メモリからサブ処理ユニットのローカルメモリにコピーし、共有メモリからのプロセッサタスクの実行を禁止し、少なくともひとつのプロセッサタスクを、サブ処理ユニットのひとつから別のサブ処理ユニットに移動する。 - 特許庁

The programmable logic controller and programmable logic controller memory management method secures an instance storage area D1 of a POU in each memory of a PLC (that is, programmable logic controller), arranges an instance area d1 of the POU in the instance storage area and manages a memory of the PLC.例文帳に追加

ＰＬＣ（即ち、プログラマブルロジックコントローラ）のメモリ内においてＰＯＵのインスタンス格納領域Ｄ１をタスク毎に確保し、該インスタンス格納領域内に該ＰＯＵのインスタンス領域ｄ１を置いて、該ＰＬＣのメモリを管理するプログラマブルロジックコントローラおよびプログラマブルロジックコントローラメモリ管理方法である。 - 特許庁

In this flash memory control method, the flash memory 20 incorporated in the digital camera 1 is separated into the ROM area 22 and the RAM area 24 and is controlled by a memory controller 40, and the application software with which the information device can process previously picked-up image data is stored in the ROM area 22.例文帳に追加

デジタルカメラ１に内蔵されたフラッシュメモリー２０を、メモリーコントローラー４０によってＲＯＭ領域２２とＲＡＭ領域２４に区画して制御するとともに、ＲＯＭ領域２２には予め撮像した画像データを情報機器側で扱うためのアプリケーションソフトを格納しておく。 - 特許庁

To provide a semiconductor element capable of improving the data holding characteristics of a memory cell and improving reliability in the memory cell entirely by improving the characteristics of a tunnel oxide film and minimizing variations in the threshold voltage of the memory cell by cycling, and to provide an element separation film formation method of the semiconductor element.例文帳に追加

トンネル酸化膜の特性を改善させてサイクリングによるメモリセルのしきい電圧の変動を最小化させることにより、メモリセルのデータ保持特性を向上させて全体的にメモリセルの信頼性を向上させることができる半導体素子およびその素子分離膜形成方法の提供。 - 特許庁

A 1st display area A, where a pair of substrates hold liquid crystal, having a memory characteristic and also gray shades display is performed by driving the liquid crystal by a method using time aperture ratio of <100%, and a 2nd display area B, where memory display is performed by the memory characteristic of the liquid crystal, are formed.例文帳に追加

一対の基板によりメモリ性を有する液晶を挟持すると共に、時間開口率が１００％未満である駆動法により液晶を駆動して階調表示を行う第１表示領域Ａと、液晶のメモリ性によりメモリ表示を行う第２表示領域Ｂを形成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory and its control method are characterized by that the readout frequencies of data stored in memory cells at respective addresses are limited to a preset specific readout frequency and data in a memory cell at an address where data are read out at the specific readout frequency are erased.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法は、各アドレスのメモリセルに記憶されたデータの読出回数を、予め設定される所定の読出回数に制限し、上記所定の読出回数のデータ読出が終了したアドレスのメモリセルのデータを消去するものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a memory card capable of easily reducing the thickness of a thin-walled part to less than 0.3 mm, largely assuring a volume occupied by electronic components and substrates in the memory card having standardized outside dimensions, and eliminating a conventional process for sticking a formed product for memory card.例文帳に追加

薄肉部の厚みを０．３ｍｍよりも薄くするのが容易であり、外形寸法が規格化されたメモリーカードの内部に電子部品や基板が占める容積を大きく確保し、従来のようなメモリーカード用成形品の貼着工程等を省略できるメモリーカードの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a control method for the same which are capable of holding memory of more than 2 bits per memory element even if it is scaled down, performing stable operation, and preventing malfunctions such as a rewrite fault caused by level drop of a power source voltage supplied from outside.例文帳に追加

微細化しても１メモリ素子あたり２ビット以上の記憶保持と安定した動作ができると共に、外部から供給される電源電圧のレベル低下に起因する書換え不良などの誤動作を防止できる半導体記憶装置およびその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory area using method in a mobile communication terminal for efficiently utilizing a limited memory by assigning a field memory area to a type of each piece of information and managing stored information of each individual in each field while bundling the stored information of each individual in the same index.例文帳に追加

各情報種類別にフィールドメモリ領域を割り当て、前記各フィールドには、各個人の格納情報を、同一のインデックスに束ねて管理することにより、限定されたメモリを効率良く利用するための移動通信端末機におけるメモリの使用方法を提供する。 - 特許庁

To provide a program downloading method capable of efficiently rewriting a program memory without increasing the storage capacity of a memory for work, an electronic device and a program regarding the program downloading method used in the electronic device performing control on the basis of the program stored on a rewritable program memory, the electronic device and the program.例文帳に追加

書換可能なプログラムメモリ上に記憶されたプログラムに基づいて制御を行う電子装置に用いられるプログラムダウンロード方法及び電子装置並びにプログラムに関し、作業用メモリの記憶容量を大きくすることなく、かつ、効率よくプログラムメモリの書き換えを行えるプログラムダウンロード方法及び電子装置並びにプログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a ferroelectric film exhibiting sufficient polarization characteristics even in the case of a microvolume indispensable to obtain a high integration semiconductor memory device, and to provide a method for manufacturing the semiconductor memory device employing the ferroelectric film as a capacitance insulating film.例文帳に追加

高集積半導体記憶装置の実現に不可欠な微小体積においても、十分な分極特性を有する強誘電体膜の形成方法及びその強誘電体膜を容量絶縁膜とする半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

SRAM ARRAY, SRAM CELL, MICROPROCESSOR, METHOD, AND SRAM MEMORY (SRAM MEMORY AND MICROPROCESSOR COMPRISING LOGIC PORTION REALIZED ON HIGH-PERFORMANCE SILICON SUBSTRATE AND SRAM ARRAY PORTION, INCLUDING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING LINKED BODY AND METHOD FOR MANUFACTURING THEM)例文帳に追加

ＳＲＡＭアレイ、ＳＲＡＭセル、マイクロプロセッサ、方法、ＳＲＡＭメモリ（高性能シリコン基板に実現された論理部分と、連結されたボディを有する電界効果トランジスタを含むＳＲＡＭアレイ部分とを備えるＳＲＡＭメモリおよびマイクロプロセッサ、およびそれらの製造方法） - 特許庁

In this method, resource cost calculation (501) is performed before executing a memory access inspection and a packaging method is judged (502) concerning whether a memory access monitor tag is to be inserted to each of instructions by using the resource calculated result or to be packaged by using an overload tag function.例文帳に追加

本発明は、メモリアクセス検査行う前にリソースコスト算出（５０１）を行い、リソース算出結果を用いてメモリアクセス監視タグを個々の命令に対してタグを挿入するのか、オーバーロードタグ関数を用いて実装するのか実装方法を判断（５０２）する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory device and a method for manufacturing the same, and a matrix type ferroelectric memory device and a method for manufacturing the same capable of preventing deterioration of a polarization characteristic and having a rectangular hysteresis shape with an inexpensive and simple manner.例文帳に追加

分極特性の劣化を防ぎ、角型のヒステリシス形状を持つことが、可能な強誘電体メモリ装置およびその製造方法、並びに、マトリクス型強誘電体メモリ装置およびその製造方法を、低コストで簡便な方法で、提供することである。 - 特許庁

The electronic imaging camera has a memory control part, including a first read method for reading image data stored into a memory unit in the order of photographing sequence or in a sequence reverse to this, and a second read method for sequentially reading pieces of image data respectively added with different dates.例文帳に追加

電子撮像カメラにおいて、撮影した順番、または、その逆の順番でメモリ部に記憶された画像データを読み出す第１の読出方法と、異なる日付が付与された画像データを順番に読み出す第２の読出方法とを有するメモリ制御部を有する。 - 特許庁

When the CPU 1 selects a first recording method, the CPU 1 allows the memory to store the received video data sequentially, and when the CPU 1 selects a second recording method, the CPU 1 allows the memory to store the video data of the specified caption portion and the caption data by corresponding to each other.例文帳に追加

ＣＰＵ１は、第１の録画方式を選択した場合には受信した映像データを逐次前記メモリに記憶させ、第２の録画方式を選択した場合には特定した字幕部分の映像データと字幕データとを対応付けて前記メモリに記憶させる。 - 特許庁

To provide an image processing device requiring a small memory capacity, an image processing method capable of appropriately processing an image even if a memory whose capacity is small is used, and an image display device where the image processing device and the image processing method are applied.例文帳に追加

メモリ容量が小さくて済む画像処理装置、および、容量が小さなメモリを用いながらも、適正な画像処理を可能とする画像処理方法、並びに、これら画像処理装置および画像処理方法を適用した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a data compression device, a data decompression device, a data compression method, and a data decompression method which can compress/decompress data with simple structure and simple processing by using storage means such as a plurality of PEs, a memory controller unit and a line buffer memory.例文帳に追加

複数のＰＥとメモリコントローラ部とラインバッファメモリなどの記憶手段とを利用して簡単構成かつ単純な処理でデータを圧縮伸張することができるデータ圧縮装置、データ伸張装置およびデータ圧縮方法、データ伸張方法を提供する。 - 特許庁

To provide "a contents data reproducing device, a contents data list creation method and a contents data retrieval method", with which a contents list relating to the contents data within a memory medium can be created when the memory medium is connected and a contents data retrieval can be immediately executed.例文帳に追加

記憶媒体が接続されたとき記憶媒体内のコンテンツデータに関するコンテンツリストを作成し、コンテンツデータ検索を直ちに実行することができる「コンテンツデータ再生装置、コンテンツリスト作成方法及びコンテンツデータ検索方法」を提供することである。 - 特許庁

To provide a method for high-level synthesis that can select a memory of an optimum bit width depending upon an operation described in an operation level circuit and optimize the number of cycles of memory accesses, and to provide a device therefor.例文帳に追加

動作レベル回路に記述されている動作に依存した最適なビット幅のメモリを選択でき、且つ、メモリアクセスのサイクル数を最適なものとし得る高位合成方法及び高位合成装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a non-volatile ferroelectric memory, in which a defective cell can be easily detected and removed even if a process condition is changed without requiring another test mode, and a detecting method for a defective cell using the memory.例文帳に追加

別のテストモードが必要なく、工程条件が変わっても容易に不良セルを検知して除去することのできる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにそれを用いた不良セル検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for improving the characteristics of a ferrous shape memory alloy the which a cast material of a ferrous shape memory alloy combining excellent shape memorizing capacity with sufficient strength can easily be obtained.例文帳に追加

優れた形状記憶性能を有すると共に充分な強度を合せ持つ鉄系形状記憶合金の鋳造材を容易に得ることができる鉄系形状記憶合金の特性向上方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a storage device and a control method of the storage device such that even if writing of data to a nonvolatile memory is interrupted, the nonvolatile memory can be started up next time without causing format illegality.例文帳に追加

データの不揮発性メモリ書き込みが中断されてしまっても、次回立上げでは不揮発性メモリのフォーマット不正を発生させずに立ち上げることができる記憶装置及び記憶装置の制御方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a structure of a memory cell that allows reduction of aspect ratios of the capacitor contact and the bit-line contact and that is less subject to misalignment and less causative of an increase in the number of unrequired processes, and also to provide a method of manufacturing the memory cell.例文帳に追加

キャパシタコンタクト及びビット線コンタクトのアスペクト比を低減でき、かつ、合わせズレの影響を受けにくく、余分な工程数の増加を招かないメモリセルの構造及び製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process controller to perform self-diagnosis and self-repair of an error in control data, a self-repair method of a duplex system of the controller and a control data memory, and a self-repair program of the control data memory.例文帳に追加

制御データのエラーを自己診断し、自己修復するプロセスコントローラ、同コントローラの２重化システム、及び制御データメモリの自己修復方法、制御データメモリの自己修復プログラムを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element which can keep electrostatic capacitance required of cell operation by increasing a breakdown voltage and improve a retention property of a flash memory cell in such a way that impurities doped in polysilicon film used as a floating gate is prevented from spreading to the outside.例文帳に追加

フローティングゲートとして用いられるポリシリコン膜にドーピングされた不純物の外部への拡散を防止して上述した問題点を解決できるフラッシュメモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a shared memory control method and a shared memory controller for reducing the system cost by eliminating restriction of a multi- screen function and a sense of incongruity of visual effects between display of video data and updated OSD drawn image.例文帳に追加

マルチ画面機能の制約及び映像データの表示とOSD描画更新の見た目の違和感を排除して、システムコストの低減を図ることが可能な共有メモリ制御方法及び共有メモリ制御装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and its manufacturing method, in which a gate insulating film of a peripheral circuit part can be formed thinner than the gate insulating film of a cell part, and a selective transistor in a memory cell column can be made fine.例文帳に追加

周辺回路部ゲート絶縁膜をセル部ゲート絶縁膜よりも薄膜化を可能にし、かつ、メモリセルカラム内の選択トランジスタの微細化を可能にした半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory and a memory card which can select an optimal data storage method according to use from among a plurality of data storage methods different in writing properties etc.例文帳に追加

書き込み特性などが異なる複数のデータ記憶方式の中から、用途に応じて最適なデータ記憶方式を選択することが可能な不揮発性半導体メモリ及びメモリカードを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide the method and device for run-length encoding which can reduce the memory capacity of a run-length conversion table and efficiently use the memory space and can perform the run-length converting processing fast.例文帳に追加

ランレングス変換テーブルのメモリ容量を削減し、かつメモリ空間を効率的に使用するとともに、ランレングス変換処理を高速に実行することができるランレングス符号化方法及びランレングス符号化装置を提供する。 - 特許庁

This control method of the assemblies includes an actuator 40 related to an assembly component 20, an additional control unit 42 having a first non-volatile memory section 44 and connected to the control unit 30, and a second non-volatile memory section 46.例文帳に追加

アセンブリコンポーネント２０に関連するアクチュエータ４０と、第１の不揮発性メモリセクション４４を有し、かつコントロールユニット３０に接続された追加的なコントロールユニット４２を含み、第２の不揮発性メモリセクション４６を含む。 - 特許庁

In one embodiment, the method also includes steps of: executing a power supply disconnection process on the memory system; and writing a second signature into the reserved memory area which indicates that the power supply disconnection process has been executed.例文帳に追加

ある実施形態において、この方法はまた、メモリシステムの電源切断プロセスを実行する工程と、電源切断プロセスが実行されたことを示す第２の署名を保留メモリ領域に書き込む工程とを含む。 - 特許庁

In the recording/reproducing method of the magnetic thin film memory, test writing of information in the memory cell is performed before the information is recorded and normal data is recorded after recording the test writing is confirmed.例文帳に追加

磁気薄膜メモリ装置の記録再生方法において情報の記録を行なう前に、メモリセルに情報の試し書きを行ない、試し書きの記録確認を行った後、正規のデータを記録することによって達成される。 - 特許庁

To provide a new nonvolatile semiconductor memory device and its manufacturing method with respect to the miniaturization, high-performance and improved yielding of a virtual grounding memory cell using a three-layer polysilicon gate.例文帳に追加

本発明の目的は、３層ポリシコンゲートを用いた仮想接地型メモリセルの微細化、高性能化および歩留まり向上に関する新たな不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device which can obtain a reading signal output having a high S/N and can reduce power consumption and circuit space, and to provide a sense amplifier circuit and a method of the magnetic memory device.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が高い読み出し信号出力を得ることができると共に、消費電力と回路スペースの削減が可能な磁気メモリデバイスおよびセンスアンプ回路、ならびに磁気メモリデバイスの読出方法を提供する。 - 特許庁

To detect and restore charge loss of a memory cell even when the semiconductor memory device is installed in a system after shipping, regarding a method for restoring charge loss and the semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、チャージロス修復方法及び半導体記憶装置に関し、半導体記憶装置の出荷後でシステムへ組み込まれた状態であってもメモリセルのチャージロスを検出して修復可能とすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which sufficient amount of silicide can be formed in the peripheral circuit region while suppressing growth rate of silicide in a memory cell region, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

メモリセル領域でシリサイドの成長速度を抑制しつつ、周辺回路領域では十分な量のシリサイドを形成することのできる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor device which expands a setting range of a threshold voltage for a memory cell by practically increasing the threshold voltage of the memory cell for reading after programming; and to provide its control method.例文帳に追加

読み出し時にプログラム後のメモリセルの閾値電圧を実質的に増加させることにより、メモリセルの閾値電圧の設定範囲を拡大することが可能な不揮発性半導体記憶装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a memory system configuration for detecting and correcting plural errors on plural channels without requiring a complicated data correcting method and supporting hot swapping of a memory, where a fault occurs, as well.例文帳に追加

複雑なデータ修復方法を必要とせず、複数チャネル上の複数エラーに対するエラー検出および訂正を行うと共に、障害の発生したメモリのホットスワッピングもサポートする、メモリシステム構成を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and an operation method thereof for reducing influence of variation in transistor characteristics, securing a margin for data writing operation, and stably operating a static memory cell at a low voltage.例文帳に追加

トランジスタ特性バラツキの影響を低減し、かつデータ書き込み動作マージンを確保するができ、スタティックメモリセルを低電圧で安定動作させることが可能な半導体記憶装置およびその動作方法を提供する。 - 特許庁

The method also includes grouping some erase counts included in the plurality of elements into a first set and storing the erase counts associated with the first set in a memory component of the memory system.例文帳に追加

方法は、また、複数の要素に含まれるいくつかの消去カウントを第１セットにグループ分けすることと、第１セットに関連付けられた消去カウントをメモリシステムのメモリ構成要素に記憶することとを含む。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory for preventing deterioration in a ferroelectric capacitor by preventing hydrogens from being generated by the contact of metal wiring and an interlayer insulating film, and to provide a manufacturing method of the ferroelectric memory.例文帳に追加

金属配線と層間絶縁膜との接触による水素の発生を防止することで、強誘電体キャパシタの劣化を防止した、強誘電体メモリ、及び該強誘電体メモリの製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on a program verification method of the nonvolatile memory device, a memory cell that does not need program verification has no on-cell current flowing through because the cell cannot be precharged at a time of the program verification operation.例文帳に追加

本発明の実施形態による不揮発性メモリー装置のプログラム検証方法によれば、プログラム検証を必要としないメモリーセルは、プログラム検証動作の時プリチャージできないためにオンセル電流が流れない。 - 特許庁

This method optimizes a memory consumption quantity by reducing memory footprint while maintaining the accessibility of the other process needed to service not-executable information for debugging and a code in a field.例文帳に追加

本方法は、デバッグするための非実行可能情報およびフィールドにおけるコードをサービスするために必要な他のプロセスのアクセシビリティを維持しながら、メモリ・フットプリントを減少させることによってメモリ使用量を最適化する。 - 特許庁

To provide a storage system which can reduce frequency of ejection of data from a cache memory to a storage device or the frequency of read of data from the storage device to the cache memory, a cache control device and a cache control method.例文帳に追加

キャッシュメモリから記憶装置へのデータの追い出しの回数や、記憶装置からキャッシュメモリへのデータの読み込みの回数を、減少させることができるストレージシステム、キャッシュ制御装置、キャッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁