| 意味 | 例文 |
Memory methodの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 14054件
In the rendering method, by executing pre-binning with an object included in a frame as a target, all geometry processing results are not recorded in an external memory, so that a use amount of the external memory can be reduced.例文帳に追加
さらに、レンダリング方法は、フレームに含まれたオブジェクトを対象としてプレビニングを実行することにより、すべての幾何学処理結果を外部メモリに記録しないため、外部メモリの使用量を減少させることができる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a flash memory element capable of enhancing a reliability of the flash memory element to which a shallow trench isolation (STI) process is applied and capable of being miniaturized.例文帳に追加
本発明は、シャロートレンチアイソレーション(shallow trench isolation:STI)工程が適用されるフラッシュメモリ素子の信頼性を向上させ且つ縮小化を図ることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a display control method capable of realizing a high quality image after enlargement/reduction processing and reducing the data transfer quantity related to frame memory capacity and frame memory when a plurality of images are multiply displayed.例文帳に追加
複数の画像を多重表示する際に、高品位な拡大/縮小処理画像を実現出来ると共に、フレームメモリ容量及びフレームメモリに関連するデータ転送量を削減出来る表示制御方法の提供。 - 特許庁
This communicating method allows a communication among processes 6a to 6c by a library 5 composed of a common memory (shared memory) 2, a FIFO file 3, and the processes 6a to 6c by using a history of transmission and reception messages corresponding to variable message length.例文帳に追加
共有メモリ(シェアドメモリ)2,FIFOファイル3及びプロセス6a〜6cからなるライブラリ5によって、複数プロセス6a〜6cとの間でメッセージ可変長に対応した送受信データの履歴による通信を行う。 - 特許庁
To provide a method for controlling a semiconductor memory device capable of controlling an operation mode including the operation to be a noise source by the operation mode including the operation desired to eliminate the influence of noise and a semiconductor memory device.例文帳に追加
ノイズの影響を排除したい動作を含む動作モードにより、ノイズ源となる動作を含む動作モードを制御することができる半導体記憶装置の制御方法及び半導体記憶装置を提供すること - 特許庁
To provide a memory element wherein recorded information is hardly lost even by light irradiation for reading recording, and also to provide an image processing method by which initialization, recording and erasure of memory element are made.例文帳に追加
本発明は、記録の読み出し光の照射によっても記録情報が失われにくいメモリ素子及び該メモリ素子の初期化、記録及び消去を行う画像処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a relay program, relay device and relay method, capable of transferring content information from a memory device to a display device even when the memory device and the display device exist in mutually different networks.例文帳に追加
記憶装置と表示装置とが互いに異なるネットワークに存在していても、記憶装置から表示装置へコンテンツ情報を転送することができる中継プログラム、中継装置、中継方法を提供する。 - 特許庁
To provide an offset voltage correcting device and its method requiring a less amount of data to be stored in a memory by storing in the memory data for the correction amount of offset voltage in the compressed condition.例文帳に追加
オフセット電圧の補正量データを圧縮した状態でメモリに記憶することで、メモリに記憶するデータ量を少なくすることができるオフセット電圧補正装置及びオフセット電圧補正方法を提供する。 - 特許庁
An RS conversion circuit 110 has only one X×Y-bit memory 111 and also has two prescribed modes as a method for allocating the address of the memory 111 when reading and writing image data respectively.例文帳に追加
RS変換回路110は、X×Yビットのメモリ111を一つだけ有し、また、画像データの書き込み時及び読み出し時におけるメモリ111のアドレスの割り当て方法としてそれぞれ、所定の二つのモードを有する。 - 特許庁
To provide an information processor equipped with a page history memory cache for varying a page size by reducing the deterioration of system performance and a variable page size corresponding page history memory cache method.例文帳に追加
本発明は、システム性能の低下を抑えてページサイズを可変にできるページ履歴メモリキャッシュを備えた情報処理装置および可変ページサイズ対応ページ履歴メモリキャッシュ方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a novel ferrocene-containing conductive polymer able to enhance action characteristics when used as a material of the organic active layer of an organic memory element, the organic memory element and a method for producing the same.例文帳に追加
有機メモリ素子の有機活性層の素材として使用するときに動作特性を向上させることが可能な新規のフェロセン含有伝導性高分子、これを用いる有機メモリ素子およびその製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a non-volatile memory that suppresses the leakage current of a ferroelectric substance and can be used stably, and to provide a method of manufacturing the non-volatile memory.例文帳に追加
本発明は、不揮発性メモリ及びその製造方法に関し、強誘電体のリーク電流を抑制し、安定して使用することができる不揮発性メモリ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
Further, for the magnetic memory device 10 composed of at least the memory layer 1, the tunnel insulating film 2, and the magnetization fixing layer 3, the distribution of the oxygen elements or the nitrogen elements is inspected by an electron energy loss spectroscopic method.例文帳に追加
また、少なくとも記憶層1と、トンネル絶縁膜2と、磁化固定層3とを有して成る磁気メモリ素子10に対して、電子エネルギー損失分光法により、酸素元素又は窒素元素の分布を検査する。 - 特許庁
To provide an efficient semiconductor memory and its test method which can improve test accuracy for products under-estimated in non-volatile memories such as a flash memory and the like and can cope with more various kinds.例文帳に追加
フラッシュメモリなどの不揮発性メモリにおける過小評価された製品の検査精度を上げることができ、より多品種に対応できる効率的な半導体記憶装置およびその検査方法を提供する。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor memory circuit driving method having good data holding characteristics, the data stored in a CMOS planar type nonvolatile memory cell in long-time use in only a read mode or a normal mode.例文帳に追加
リードモード、通常モードのみの長期間の使用において、CMOSプレーナー型の不揮発性メモリセルに記憶されているデータの保持特性が良好で信頼性の高い半導体メモリ回路駆動方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device capable of improving characteristics of a selection transistor when a memory cell unit and the selection transistor are formed on a semiconductor layer formed on an SOI, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加
SOI上に形成された半導体層上にメモリセルユニット及び選択トランジスタを形成した場合に、選択トランジスタの特性を向上できる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a memory device and its control method capable of reducing a memory area so that identification data responding to data memorized in a secure area is collectively controlled in a specific area of one page.例文帳に追加
セキュア領域に記憶するデータに対応する識別データを1ページ内の特定の領域において集中管理することにより、記憶領域を削減することが可能な記憶装置とその制御方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data transfer apparatus, data transfer method, data transfer program and recording medium, in which access requests from a plurality of direct memory access controllers (DMACs) of different priorities to a memory can be appropriately arbitrated by changing the priorities.例文帳に追加
優先順位の異なる複数のDMACからのメモリへのアクセス要求を優先順を変更して適切に調停するデータ転送装置、データ転送方法、データ転送プログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁
To provide a programming operation method for a flash memory device, capable of reducing the size of a flash memory device by using a data verification circuit to perform a programming operation of a multi-level cell without a data comparison circuit.例文帳に追加
データ検証回路を用いて、データ比較回路を備えなくてもマルチレベルセルのプログラム動作を実行することにより、フラッシュメモリ装置の大きさを減らすことが可能なフラッシュメモリ装置のプログラム動作方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for acquiring main memory data at the occurrence of a trouble by performing a memory dump when a system trouble occurs in a guest OS of a virtual computer system, even in an environment where a management OS cannot be operated.例文帳に追加
仮想計算機システムのゲストOSにシステム障害が発生した場合、管理OSが操作できない環境においても、メモリダンプを実施し、障害が発生時の主メモリデータを取得する方法を提供する。 - 特許庁
Moreover, the access unit selects by which of the first bank configuration and the second bank configuration the memory unit functions in accordance with a communication method of a coded signal and accesses the memory unit in accordance with the selected bank configuration.例文帳に追加
また、アクセス部は、符号化信号の通信方式に応じて、メモリ部を第1のバンク構成又は第2のバンク構成のいずれかで機能させるかを選択し、選択したバンク構成に応じてメモリ部にアクセスする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method suppressing film thinning of an STI (Shallow Trench Isolation) film by etching in a manufacturing process of a flash memory, and to provide a split gate type MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) type flash memory structure attaining it.例文帳に追加
フラッシュメモリの製造工程において、エッチングによるSTI膜の膜減りを抑制することができる製造方法と、それを可能にするスプリットゲートタイプのMONOS型フラシュメモリ構造を提供する。 - 特許庁
To provide a cache memory system and a control method for WAY prediction of a cache memory, which reduce failures of WAY prediction by WAY prediction not using address matching and is capable of preventing malfunction of the system.例文帳に追加
アドレスマッチングを用いないWAY予測により、WAY予測の失敗を減らし、システムの誤動作を防ぐことができるキャッシュメモリシステム及びキャッシュメモリのWAY予測の制御方法を提供すること。 - 特許庁
To prevent the performance decrease of the whole of a multiprocessor facility by allowing the overhead of a processor high in memory access speed to be reduced in the case where difference exists between a plurality of processors in a memory sharing method.例文帳に追加
メモリ共有方法において、複数のプロセッサのメモリアクセス速度に差がある場合に、メモリアクセス速度が高速のプロセッサのオーバーヘッドを削減でき、設備全体の性能の低下を防止することを目的とする。 - 特許庁
To provide an image-formation controller capable of increasing a processing speed related to the reduction of an error memory capacity and access to an error memory while suppressing the deterioration of an image grade, a quantization method and a printer device.例文帳に追加
画像品位の低下を抑制しつつ、誤差メモリ容量の削減と誤差メモリへのアクセスに係る処理速度の向上を可能にする画像形成コントローラ装置、量子化方法、およびプリンタ装置を提供する。 - 特許庁
In this advertisement method and system using the external memory device, basic advertisement data, advertisement server connection information and its inherent number are stored in the external memory device distributed to a user as an advertisement and a sales promotion means.例文帳に追加
外部メモリ装置を用いた広告方法及びシステムに関し、使用者に広告及び販促手段として配布される外部メモリ装置に、基本広告データと広告サーバーの接続情報と固有番号とを格納する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor storage device which improves a data readout margin to a dynamic/static imprint phenomenon of ferroelectric memory which forms a ROM (Read Only Memory), and to provide a semiconductor storage device.例文帳に追加
ROMを形成する強誘電体メモリのダイナミック/スタティック・インプリント現象に対するデータ読み出しマージンを改善することのできる半導体記憶装置の製造方法および半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
This merchandise advertisement method enhances the degree of recognition of merchandise by storing commercial message videos in an IC card memory and broadcasting these videos on a 6-inch small-sized television having the memory card built in relating to the objective merchandise in a selling place.例文帳に追加
ICカードメモリーにコマーシャル映像を記憶させ、売り場で、対象とする商品について、メモリーカード内臓の6インチ小型テレビに放映し、商品の認知度を高めることを特徴とする商品広告方法。 - 特許庁
The method also includes issuing commands to the selected one of the nonvolatile memory controller and the volatile memory via the shared interrace via the shared control signals.例文帳に追加
本発明の方法は、さらに、上記共通化された各制御信号を介して、選択された非揮発性メモリコントローラ、および揮発性メモリの一方に対して、各コマンドを共通化インターフェースを介して出力することを含む。 - 特許庁
To provide a device and a method for abnormality detection of a backup battery for a memory which accurately detects as abnormality a case wherein the battery voltage of the backup battery drops below the level needed for the operation of the memory.例文帳に追加
バックアップ用電池の電池電圧がメモリの動作に必要なレベルを下回る場合を正確に異常として検出するメモリのバックアップ用電池の異常検出装置及びその異常検出方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a semiconductor memory element capable of securing misalignment margin in contact hole formation in an active area even on a high integrated memory element and decreasing junction capacitance and leak current.例文帳に追加
高集積メモリ素子でも活性領域におけるコンタクトホール形成時のミスアラインマージンを確保でき、かつ接合キャパシタンス及び漏れ電流を減少させることができる半導体メモリ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Disclosed are the apparatus and associated method for a dual active-active array storage system with a first controller with top level control of a first memory space and a second controller with top level control of a second memory space.例文帳に追加
第1のメモリスペースのトップレベル制御を有する第1のコントローラと第2のメモリスペースのトップレベル制御を有する第2のコントローラとを有するデュアル・アクティブ−アクティブ・アレイ記憶システムに対する装置および関連する方法。 - 特許庁
To provide a capacitor which can completely prevent hydrogen from being diffused to a ferroelectric thin film or a high-dielectric thin film and which comprises an easily workable hydrogen barrier layer, to provide a memory element and to provide a method of manufacturing the memory element.例文帳に追加
強誘電体または高誘電体薄膜へ水素の拡散を完全に防止することができ、且つ加工しやすい水素バリア層を有するキャパシタとメモリ素子、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for accurately determining the actual arrival of data at a memory device relative to the write clock to accurately align the start of data capture and the arrival of the data at the memory device.例文帳に追加
データのメモリ装置への実際の到着を、WCLKを基準にして、正確に測定し、データキャプチャの開始とメモリ装置へのデータの到着とを正確にアライメントする方法および装置を提供する。 - 特許庁
To provide electronic equipment which can effectively utilize unstored storage areas generated in a storage area of a memory when storing data in the memory, and to provide a data storing method for the electronic equipment.例文帳に追加
本発明によれば、データをメモリに記憶する際に、メモリの記憶領域において生じた未記憶領域を有効活用することが可能な電子機器と、電子機器のデータ記憶方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
To realize a semiconductor storage device which reduces operation steps, for example, data transfer or copy in a memory part, alteration in allocating capacities to a protective region and a user data region in the memory part and so on, and also provide a method thereof.例文帳に追加
メモリ部内のデータの移動またはコピー、メモリ部内の保護領域及びユーザーデータ領域の容量割り当て変更等の作業ステップを短くできる半導体記憶装置およびその制御方法を実現する。 - 特許庁
To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加
半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー(Phase Change RAM)に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a data compression apparatus, a data compression method, and a data compression program capable of avoiding disadvantages of disabled expansion and display of compressed data due to a deficient memory capacity by setting a compression condition by taking into account a work memory capacity at expansion of the compressed data.例文帳に追加
圧縮データの展開時の作業メモリ量を考慮して圧縮条件を設定することで、メモリ不足により圧縮データの展開、表示を行うことができないという不都合を回避する。 - 特許庁
To simplify a control method for a memory card and to enhance control efficiency by enabling the occurrence of an error in the memory card to be notified to a host device without issuing a command for verifying whether or not the error has occurred.例文帳に追加
エラーが発生したかどうかを確認するためのコマンドを発行することなく、メモリカードにおけるエラーの発生をホスト機器へ通知でき、メモリカードの制御方法の簡素化及び制御効率の向上を図る。 - 特許庁
To provide a high density magnetoresistance memory and its manufacturing method which reduces a demand current and improves the selectivity by concentrating a magnetic flux, and is advantageous in forming a high-density and highly integrated memory cell.例文帳に追加
磁束を集中させることによって要求電流を減少させて選択度を向上させ、メモリセルの高密度および高集積化に有利である高密度磁気抵抗メモリおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the initialized state verifying method of a nonvolatile memory device, first, a block (or a page) initialization verify command and a block (or a page) address instructing the block (or the page) to be verified are received from a memory controller.例文帳に追加
不揮発性メモリ装置の初期化状態検証方法は、まず、メモリコントローラからブロック(又は、ページ)初期化検証命令及び検証されるブロック(又は、ページ)を指示するブロック(又は、ページ)アドレスを受信する。 - 特許庁
To provide a threshold voltage control device of a non-volatile memory cell that can accurately control the threshold voltage of a memory cell being controlled by a word line voltage, reduces control time, and can be operated with a low power, and its method.例文帳に追加
ワードライン電圧により制御されるメモリセルのしきい電圧を正確に制御し、制御時間を短縮させ、低電力で動作し得る非揮発性メモリセルのしきい電圧制御装置及びその方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a control method of a semiconductor memory device by which a testing time can be shortened at the time of a test, while keeping low current consumption operation at the time of normal access operation.例文帳に追加
通常のアクセス動作時における低消費電流動作を維持しながら、試験時において、試験時間を短縮することが可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法を提供すること - 特許庁
To provide a semiconductor memory device and a memory access method in the same, in which the number of input/output lines for inputting/outputting data to/from an external device is increased without increasing the number of secondary amplifier circuits.例文帳に追加
2次増幅回路の数を増加させずに、データの装置外部との入出力を行うメイン入出力線数を増加させる半導体記憶装置及び半導体記憶装置におけるメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁
To provide the recording method of a portable memory during a call, which can record arbitrary information into the portable memory during the call without transmitting a dial signal to a communication line and to provide a call terminal with compilation function.例文帳に追加
通話中に任意の情報を通信回線へダイヤル信号を送出することなしに携帯メモリに記録することができる通話中携帯メモリ記録方法及び編集機能付通話端末の提供。 - 特許庁
To provide a computer system with a plurality of memory slot channels and an initialization method for a computer system that enable a user to set a memory access mode freely between an interleaved mode and an asymmetric mode.例文帳に追加
複数のメモリスロットチャネルを有するコンピュータシステムにおいて、インターリーブドモード及びアシンメトリックモードのメモリアクセスモードを自由にユーザが設定可能なコンピュータシステム及びコンピュータシステムの初期設定方法を提供する。 - 特許庁
In the operating method of erasing in a charge trap memory element, erasing is performed by applying composite pulses containing DC pulses and DC perturbation pulses in a charge trap memory element.例文帳に追加
電荷トラップ型メモリ素子に消去動作を行う作動方法において、電荷トラップメモリ素子にDCパルスとDC摂動パルスとを含む複合パルスを印加して消去を行う電荷トラップ型メモリ素子の作動方法である。 - 特許庁
To provide a flash memory cell which maintains a constant threshold voltage along the channel width dimension even if there is non-uniform charge concentration in a charge trapping structure along the channel width dimension, and also provide a method of manufacturing the flash memory cell.例文帳に追加
チャネル幅寸法に沿った電荷捕獲構造の電荷密度が一様でない場合でもチャネル幅寸法に沿ってしきい値電圧を一様に維持したフラッシュメモリセルおよびフラッシュメモリセルの製造方法を提供する。 - 特許庁
The disclosed method, apparatus and system are capable of identifying and tracking memory usage to minimize power consumption in a way that lessens the detrimental effects of "throttling" or the low-power modes for the memory devices.例文帳に追加
開示される方法、装置、およびシステムは、メモリ・デバイスの「スロットリング」または低電力モードの有害な影響を減らす形で電力消費を最小にするためにメモリ使用を識別し、追跡することができる。 - 特許庁
To provide a data writing method that enables the write of the data pattern for function evaluation at high speed and shorten the evaluation time in a non-volatile semiconductor memory device having a cross point memory cell array.例文帳に追加
クロスポイント型のメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、機能評価用のデータパターンの書き込みを高速化して評価時間の短縮化を可能とするデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁
| 意味 | 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|