P-Rの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 872件
In this shift lever device 10, even when a magnet 42 is immovably installed, a first link 22 and a yoke plate 40 can slide, and a second link 30 can rotate to the first link 22, and the magnet 42 can switch between blocking and allowing operation from a "P" shift position to an "R" shift position of a shift lever by switching between attraction and non-attraction to the yoke plate 40.例文帳に追加
シフトレバー装置10では、マグネット42が移動不能に設置されても、第1リンク22及びヨークプレート40がスライド可能にされると共に、第1リンク22に対し第2リンク30が回動可能にされ、かつ、マグネット42がヨークプレート40に対する吸着と非吸着とを切り替えることで、シフトレバーの「P」シフト位置から「R」シフト位置への操作の阻止と許可とを切り替えることができる。 - 特許庁
The current flowing in a resistor R is amplified and detected by the built-in transistor of a photo-coupler P, and a relay coil L is operated based on a detection signal to open switches S, thereby the feed of the current to the resistor 1 is stopped to prevent overheating of the nonflammable double-faced control body.例文帳に追加
115℃で絶縁フィルムが溶解し上記不織紙に接触すると表裏面全面に漏洩電流が流れ、端部の一部に設けた端子とリード線でコントローラー内部のホトカプラにて検出しトランジスターで増幅し増幅検出された信号に基づいてリレーコイルを作動させ電源供給路に配置されたスイッチが開放して発熱体への電気の供給を遮断させる完全安全装置である。 - 特許庁
A delay reset signal based on time of power-on from a delay circuit 12, a low voltage detection reset signal from a low voltage detection part 14 detecting low voltage of a power source, and a WDT abnormality detection reset signal from a WDT abnormality detection circuit part 16 monitoring a P-RUN signal are inputted to the reset input terminal R of the microcomputer 10.例文帳に追加
遅延回路12からの電源投入時に基く遅延リセット信号、電源の低電圧を検出する低電圧検出部14からの低電圧検出リセット信号およびP−RUN信号を監視するWDT異常検出回路部16からのWDT異常検出リセット信号がマイクロコンピュータ10のリセット入力端子Rに入力される。 - 特許庁
The transmissivity distribution of the projection optical system P varies gradually and unevenly in the non-scanning direction, because of the unevenness of the transmissivity distribution of the reticle R, so the non-scanning directional transmissivity distribution of light made incident on the exposed region 21W is measured each time a prescribed number of wafers are exposed, and the quantity of exposure of wafers W is controlled by using the transmissivity distribution.例文帳に追加
レチクルRの透過率分布の不均一性によって投影光学系PLの透過率分布が次第に非走査方向に不均一に変化するため、所定の枚数のウエハへの露光を行う毎に露光領域21Wに入射する光の非走査方向への透過率分布を計測し、この透過率分布を用いてウエハWに対する露光量制御を行う。 - 特許庁
The optical element R has a front retardation Re at wavelength 550 nm in the range of from 100 to 180 nm and a refractive index ellipsoid showing the relation of nx>ny≥nz or nx≥nz>ny, and is disposed so that the angle formed by the in-plane delay axial direction and the absorption axis of the first polarizer P ranges from 40 to 50°.例文帳に追加
前記光学素子Rの一態様として、波長550nmにおける正面レターデーションReが100〜180nmの範囲であり、屈折率楕円体が、nx>ny≧nz、または、nx≧nz>nyの関係を示し、かつ、面内の遅相軸方向と、前記第1偏光子Pの吸収軸とのなす角が40°〜50°の範囲となるように配置されたものを用いることができる。 - 特許庁
An ignition timing sensor S4 is provided facing to a signal rotor 10 transmitted and connected to a crankshaft, a pickup signal P detected by the ignition timing sensor S4 is shaped in waveform by a waveform shaping circuit 41, and the rotation speed control signal R and the ignition timing control signal S are outputted by a control signal output circuit 42 based on a waveform shaping signal Q.例文帳に追加
クランク軸に伝動連結したシグナルロータ10に対向して点火時期センサS4を設け、その点火時期センサS4で検出したピックアップ信号Pを波形整形回路41で波形整形し、その波形整形信号Qに基づいて制御信号出力回路42により上記回転速度制御信号Rと上記点火時期制御信号Sとを出力させる。 - 特許庁
The length P in the direction of a channel length of an overlapping area of a source electrode S of each thin film transistor 40 and a channel forming semiconductor thin film 36 via a channel protective film 37 for configuring a static protective element is longer than the length R in the direction of a channel length of an overlapping area of a drain electrode D and the channel forming semiconductor film 36 via the channel protective film 37.例文帳に追加
静電保護素子を構成する各薄膜トランジスタ40のソース電極Sとチャネル形成用半導体薄膜36とのチャネル保護膜37を介しての重合領域のチャネル長方向の長さPは、ドレイン電極Dとチャネル形成用半導体薄膜36とのチャネル保護膜37を介しての重合領域のチャネル長方向の長さRよりも長くなっている。 - 特許庁
On a straight line connecting the two points P, R, a coordinate system that varies while internally dividing the difference between the directions of the axes of the coordinate systems ΣP, ΣR is set and a specific point on the straight line connecting the two points is selected, and based on the coordinate system of the point, one control point Q is determined outside the target configuration (Steps 3, 4).例文帳に追加
前記2点P,Rを結ぶ直線上において、座標系ΣP,ΣRについての各軸同士の方向の差を内分して変化する座標系を設定して前記2点を結ぶ直線上の特定の一点を選択して、その点についての座標系に基づいて、前記対象形状の外側に1つのコントロールポイントQを決定する(Step3、4)。 - 特許庁
The flexible wiring board 11 comprises multiple electrode terminals 3a arranged thereon, and alignment marks 15 composed of a frame- like mark body 15a wherein the multiple electrode terminals 3a are formed to be connected electrically with multiple electrode terminals Pa of an article P connected by a resin bonding material R, and the mark body 15a is provided with a passage 16 communicating the inside and the outside thereof.例文帳に追加
整列配置されている多数の電極端子3aと、枠状のマーク本体15aを具備するアライメントマーク15とを有し、多数の電極端子3aが接続相手Pの多数の電極端子Paに対して樹脂製接合材Rにより電気的に接続可能に形成されている可撓配線板11において、マーク本体15aに、内外を連通する連通路16を設ける。 - 特許庁
The door frame 1 can be attached even after putting a wall panel P by attaching the first frame bodies 111 and 121 from the one wall surface S1 side, fixing column members Kx and beam members Ky within a fixing space R, and fitting the second frame bodies 112 and 122 to the first frame bodies 111 and 121 from the other wall surface S2 side.例文帳に追加
この扉枠1は、先に、一方の壁面S1側から第1枠体111,121を取り付け、固定用空間R内で柱部材Kxおよび梁部材Kyと固定した後に、他方の壁面S2側から第2枠体112,122を、第1枠体111,121へ嵌め込むことで取り付けることで、壁面パネルPを貼った後でも扉枠1を取り付けることができる。 - 特許庁
Thus, an RC circuit is comprised of parasitic capacity C_10 that is generated due to MOS structure formed of the conductor 15, the insulation film 14 and the resistor 13, resistance R of the resistor 13, and parasitic capacity C_1 that is generated due to MOS structure formed of the resistor 13, the insulation film 12 and the p-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加
これにより、導電体15、絶縁膜14および抵抗体13により形成されるMOS構造に起因して発生する寄生容量C_10と、抵抗体13の抵抗Rと、抵抗体13、絶縁膜12およびp型半導体基板10により形成されるMOS構造に起因して発生する寄生容量C_1とによりRC回路が構成される。 - 特許庁
When the current select position of the shift lever is in the P-range, the shift lever is estimated to be next switched to the R-range, and the variable speed ratio of a toroidal type continuously variable transmission is controlled to a value to output torque for starting the vehicle in the backward direction and traveling the same at a low speed from an output shaft 14 before the switching operation is completed.例文帳に追加
そして、このシフトレバーの現在の選択位置がPレンジである場合に、このシフトレバーが次にRレンジに切り換えられると予測して、トロイダル型無段変速機の変速比を、出力軸14から車両を後退方向に発進並びに低速で走行させられる程度のトルクを出力できる値に、この切り換え動作が完了する以前に調節する。 - 特許庁
A phosphor paste composition comprises a dispersant, a binder solution comprising a solvent and an organic binder, and a phosphor, wherein the dispersant is represented, for example, by a general formula (1) (wherein R is a hydrophobic aliphatic hydrocarbon group of a molecular weight in a range of 1 to 1,000 with or without an aromatic ring, and p is 1 to 22).例文帳に追加
分散剤、溶媒と有機バインダーとからなるバインダー溶液、および蛍光体を含む蛍光体ペースト組成物であって、前記分散剤として、例えば、(Rは疎水性を有する分子量1〜1000の脂肪族炭化水素基であって、前記脂肪族炭化水素基は芳香環を含んでいてもよく、pは1〜22の整数である。)を含むことを特徴とする、蛍光体ペースト組成物。 - 特許庁
The internal wall portion 50 of the duct located near a discharge side of a fan 12a and on a side with the largest flow rate of blowoff air by the fan 12a is provided with a damper 100 for varying a passage section form in the duct when pivoted on a pivotal axis P defined substantially parallel to a rotational axis R of the fan 12a.例文帳に追加
ファン12aの吐出側近傍であって、ファン12aによる吹き出し空気流速の最も大きくなる側に位置するダクトの内壁部50には、ファン12aの回転軸Rに対して略平行に配置された回動軸Pまわりに回動することによりダクト内の流路断面形状を変更するダンパ100が設けられていることを特徴とする。 - 特許庁
A gate electrode 9n of an (n) channel type MISFETQn and a gate electrode 9p of a (p) channel type MISFETQp and a lower electrode 13 of a capacitive element PIP are formed of a first polycrystalline silicon film 9a, and then an upper electrode 15 of the capacitive element PIP and a resistor 18 of a resistance element R are formed of a second polycrystalline silicon film 15a.例文帳に追加
第1の多結晶シリコン膜9aによってnチャネル型MISFETQnのゲート電極9nと、pチャネル型MISFETQpのゲート電極9pと、容量素子PIPの下部電極13とを形成した後、第2の多結晶シリコン膜15aによって容量素子PIPの上部電極15と、抵抗素子Rの抵抗体18とを形成する。 - 特許庁
The device is provided with a storage medium accessing device 3 accessing to a set storage medium 2 and a picture data control part 5 which instructs a printing part 4 to print out picture data G read from outside in detecting a printing request P and record-outputs picture data G read from outside in the medium 2 through the device 3 in detecting a conversion recording request R.例文帳に追加
セットされた記録媒体2にアクセスする記録媒体アクセス装置3と、プリント要求Pを検出すると外部から読み込んだ画像データGをプリントアウトするようプリント部4に指示し、変換記録要求Rを検出すると外部から読み込んだ画像データGを記録媒体アクセス装置3を介して記録媒体2に記録出力する画像データ制御部5とを設けたものである。 - 特許庁
In the electrochemical device having the polymeric material containing metal atoms and ligands capable of being coupled with two or more metal atoms between counter electrodes, at least one of the ligands includes at least one group selected from among -SH, -COOH, -P=O(OH)_2, -OP=O(OH)_2 and -Si(OR)_3 (R denotes an alkyl group) in molecules.例文帳に追加
対向電極間に、金属原子と、2つ以上の該金属原子と結合可能な配位子とを含有する高分子材料を有する電気化学デバイスであって、該配位子の少なくとも1つが、分子内に−SH、−COOH、−P=O(OH)_2、−OP=O(OH)_2及び−Si(OR)_3(Rは、アルキル基を表す)から選ばれる少なくとも1つの基を有することを特徴とする電気化学デバイス。 - 特許庁
The pad surface is constructed by uniformly forming resistance film material, the mouse uses electrically conductive material for a detecting part P as a contact part with the pad, and further, in left and right buttons 23 and 24, detecting parts L and R as contact parts with the pad are made of the conductive material in the same manner.例文帳に追加
パッド表面3上を縦横に移動可能なマウスと、コンピュータと接続される前記パッドの当接位置を検出するマウスパッドであって、前記パッド表面は抵抗膜材料を均一に形成することで構成され、マウスは前記パッドとの当接部としての検出部Pに導電性材料を使用し、更に左右釦23,24も同様に前記パッドとの当接部としての検出部LRを導電性材料で構成している。 - 特許庁
In the formula (1), R^1 is a 1-12C unhydrolyzable organic group; X is a hydrolyzable group; and (p) is an integer of 0-3.例文帳に追加
感放射線性組成物は、(A)下記一般式(1)で表されるシラン化合物、その加水分解物およびその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも1種、(R^1)_pSi(X)_4−p ・・・(1)(一般式(1)中、R^1は、炭素数が1〜12である非加水分解性の有機基、Xは加水分解性基、およびpは0〜3の整数である。)、および(B)放射線の照射を受けて酸または塩基を発生する化合物を含有する。 - 特許庁
There are provided the billet for the seamless steel tube which contains ≤0.05% C, 0.10 to 1.00% Si, 0.1 to 1.5% Mo, 20.0 to 30.0%例文帳に追加
C≦0.05%、Si:0.10〜1.00%、Mn:0.1〜1.5%、Cr:20.0〜30.0%、Ni:5.0〜11.0%、Mo:2.5〜4.0%、Al:0.001〜0.100%およびN:0.05〜0.50%を含有し、残部がFeおよび不純物からなり、不純物中のS≦0.010%、P≦0.040%であって、ビレット半径をR_0、ビレットの穴繰り半径をX、ビレット横断面の中心から任意の偏析部位置までの距離をR、該位置でのMoの偏析度をSとしたとき、ビレットに穴繰り加工を施さない場合は(1)式の関係を満足し、また、穴繰り加工を施す場合は、(2)式の関係を満足する継目無鋼管用ビレット、および該ビレットを用いて製造された継目無鋼管である。 - 特許庁
The analysis concerned found (i) the ratio of R&D expenses by non-financial companies to GDP averaged 2.3 percent in 1980-1989, and increased only moderately to an average 2.9 percent in 1990-1997; (ii) the ratio of the value of tangible fixed assets owned by companies to GDP averaged 14.1 percent in 1980-1989, and declined moderately to an average 12.6 percent in 1990-1997; and (iii) but the S&P 500 index, which reflects share prices of major US companies and which stood at 135.76 at the end of 1980, rose to 1,320.28 on January 1, 2001, and still was at 1148.08 on January 1, 2002, about 10 times the 1980 level.例文帳に追加
当該分析によると、①非金融企業のGDPに占める研究開発費の割合は、1980~1989年に平均2.3%であったのが、1990~1997年には平均2.9%と緩やかにしか上昇していないこと、②企業のGDPに占める有形固定資産額の割合は、1980~1989年に平均14.1%であったのが、1990~1997年には平均12.6%へと緩やかに減少していること、③しかしながら、主要な米国企業の株価が反映されているS&P500指数は、1980年末には135.76であったのが、2001年1月1日には1320.28、2002年1月1日においても1148.08と、10倍前後に上昇していることが観察されている。 - 経済産業省
(i) providing for the lapsing of the application if such a direction is not complied with within a time specified in the regulations; and (ii) providing for the restoration of an application that has so lapsed; and (k) empowering the Commissioner to hear and determine the question whether a person is an interested person for the purpose of doing any act permitted to be done under this Act by an interested person; and (m) providing for appeals against decisions of the Commissioner made under the regulations; and (n) making provision for and in relation to the practice and procedure of prescribed courts in proceedings under this Act, including provision prescribing the time within which any proceeding may be started or anything else may be done, and providing for the extension of any such time; and (p) requiring persons to make statutory declarations in relation to patent applications or patents or in proceedings under this Act (not being court proceedings); and (q) making provision for and in relation to the making of a declaration, or the doing of an act, under this Act on behalf of a person who, because of infancy or physical or mental disability, is unable to make the declaration or do the act; and (r) for the control of the professional conduct of registered patent attorneys and the practice of the profession and, for that purpose, making provision for and in relation to all or any of the following: 例文帳に追加
(i) 規則に定められた期間内に,前記の指示に応じない場合は,その出願が失効する旨を規定すること,及び (ii) そのように失効した出願の回復について規定すること,及び (k) 局長に,ある者が,本法に基づき利害関係人が実行することが許可されている行為の実行の目的で利害関係人であるか否かの問題を聴聞し,決定する権限を付与すること,及び (m) 局長の決定に対し,規則に基づいてされる上訴について規定すること,及び (n) 本法に基づく訴訟に関し,所定の裁判所の実務及び手続についての及びそれに関連する規定を制定すること。これには,訴訟を開始することができる又はそれ以外のことを実行することができる期間について規定し,かつ当該期間の延長について定める規定を含む。及び(p) 特許出願又は特許又は本法に基づく手続(裁判所手続を除く)に関し,ある者に制定法上の宣言(司法手続外誓約)を要求すること,及び (q) 未成年又は身体的若しくは精神的障害のために宣言を行い又は行為を実行することができない者の代理として,本法に基づき宣言を行い又は行為を実行することについての及びそれに関連する規定を制定すること,及び (r) 登録特許弁護士の職業行動及び当該職業の業務を規制するために,及びその目的のために,次の事項の全部又は一部についての及びそれに関連する規定を制定すること - 特許庁
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