「PLASMA-TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a box for packing a glass plate, which can be transported efficiently in a stable quality without generating a blemish or a smudging on the surface of a large type glass plate for a flat panel display(liquid crystal display, plasma display panel or the like) and packing operation of which can be carried out efficiently and a packing method and an unpacking method.例文帳に追加

フラットパネルディスプレイ（液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル等）用の大型ガラス板の表面に傷や汚れが発生することなく安定した品質で高効率に搬送でき、また梱包作業を効率よく行うことのできるガラス板梱包箱、梱包方法及び開梱方法を提供する。 - 特許庁

As a transparent film substrate, the one in which thermal conductivity at 30°C is ≤1.5×10-3 [cal/cm.sec.K] is used, furthermore, a pressure gradient type plasma gun is used in a reaction ion plating method, and an ITO conductive layer crystallized by controlling the voltage and electric current to be applied is formed on the transparent film substrate.例文帳に追加

透明フィルム基板の３０℃における熱伝導率を１．５×１０^-3［ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・Ｋ］以下のものを用い、さらに反応性イオンプレーティング法に圧力勾配型プラズマガンを用いて、投入電圧、投入電流を制御することで結晶化したＩＴＯ導電層を透明フィルム基板上に形成する。 - 特許庁

This thin film of anatase-type titanium oxide is obtained by film-forming metallic titanium or titanium oxide on a substrately, an arc- discharge ion plating by using a pressure-inclined type plasma gun.例文帳に追加

本発明により、金属チタン又は酸化チタンを圧力勾配型プラズマガンによるアーク放電イオンプレーティングを用い基板上に成膜するアナターゼ型酸化チタン薄膜の製造方法としたことで、低基板温度での成膜が可能となり、基板の種類の制限が少なくなるとともに、真空プロセスによる成膜であるため、多層構造のデバイスを製造するに他の層を形成する装置と同様なものが使用できるため、製造の効率を上げることができるものとし、課題を解決するものである。 - 特許庁

To provide an alkaline development type photocuring conductive paste composition which is superior in adhesion to the substrate after firing and adhesion between the layers, and can easily form a conductive circuit pattern of large area and high definition by photolithography technology, is especially useful for forming an underlayer electrode circuit of a bus electrode formed on the front face substrate of a plasma display panel.例文帳に追加

焼成後の基板への密着性、層間の密着性に優れ、フォトリソグラフィー技術により容易に大面積に高精細の導電回路パターンを形成でき、特にプラズマディスプレイパネルの前面基板に形成されるバス電極の下層電極回路形成に有用なアルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material which achieves film deposition at lower energy than before particularly in a initial stage in which the sublimation of the vapor deposition material is started when depositing a vapor-deposited film by a plasma-type vapor deposition method, and which imparts directivity to the sublimed vapor deposition material without improving an apparatus, and to provide a vapor-deposited film formed by using the vapor deposition material.例文帳に追加

プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し、かつ装置の改良を行うことなく昇華した蒸着材料に指向性を付与し得る蒸着材及び該蒸着材を用いて成膜された蒸着膜を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectric converting element includes a stage of forming the silicon nitride film on one principal surface of the silicon substrate, the manufacturing method of the photoelectric converting element being characterized in that the silicon substrate is a (p) type on the principal surface side and has the principal surface subjected to a surface treatment using plasma produced using raw material gas containing nitrogen gas before the silicon nitride film is formed.例文帳に追加

本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2.例文帳に追加

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。 - 特許庁

To provide a winding type vacuum film deposition apparatus capable of maintaining the consistent traveling of a deposition film and the performance of a product for a long time by effectively performing the bias assist of irradiation on a substrate surface by accelerating charged particles such as ions in plasma, and a manufacturing method of the deposition film using the apparatus.例文帳に追加

本発明は、プラズマ中のイオン等の荷電粒子の加速による基板表面に照射するバイアスアシストを効果的に行い、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品の性能を維持することが可能な巻取真空成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造方法を提供することを目的としたものである。 - 特許庁

To provide a regenerative method of a vacuum heat treatment furnace capable of inexpensively efficiently eliminating soot attached to an insulator and the like of a heater when an inner heat-type heating method is applied in performing heat treatment by heating a treated object to a prescribed temperature in vacuum, without complicating a constitution of the device when oxygen plasma is used.例文帳に追加

真空中で被熱処理物を所定温度に加熱して熱処理する際に、内熱式加熱方式を採用した場合に発生する加熱ヒータの碍子等への煤付着を、酸素プラズマを用いた場合の装置構成の複雑化を招くことなく、低コストで効率よく除去できる真空熱処理炉の再生方法を提供する。 - 特許庁

The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加

ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、ｐ型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁

The forming method comprises a process of oxidizing the semiconductor surface of a substrate (9) to be processed on which a semiconductor element is formed with an oxygen atom active species produced by a plane parallel type plasma generation apparatus excited by a high frequency power supply (6) of a predetermined frequency, and hereby forming a first insulating film (18) on the substrate (9) to be processed.例文帳に追加

半導体素子が形成される被処理基板（９）の半導体表面を、所定の周波数の高周波電源（６）によって励振される平行平板型のプラズマ生成装置によって発生させた酸素原子活性種によって酸化することにより、被処理基板（９）に第１の絶縁膜（１８）を形成する工程を有する。 - 特許庁

An MC type explosive electric generator 20 amplifies a current to be supplied from a capacitor group 2, a first air-core transformer 30 stores the amplified current as electric energy, which passes through the plasma switch 40 to obtain a high voltage pulse, and a second air-core transformer 50 amplifies the high voltage pulse at a prescribed number of multiples.例文帳に追加

コンデンサ群１０から供給される電流をＭＣ型爆薬発電機２０で増幅し、この増幅電流を電気エネルギーとして第１の空芯トランス３０に蓄積し、この電気エネルギーをプラズマスイッチ４０を通過させることで高電圧パルスとし、この高電圧パルスを第２の空芯トランス５０によって更に所定倍数増幅する。 - 特許庁

To provide a combination useful for the prevention, delay of progression or treatment of conditions mediated by dipeptidylpeptidase-IV inhibitor (DPP-IV), particularly diabetes, further particularly type 2 diabetes, impairment of glucose tolerance (IGT), conditions of impaired fasting plasma glucose, metabolic acidosis, ketosis, arthritis, obesity and osteoporosis.例文帳に追加

ジペプチジルペプチダーゼ−IV阻害剤(ＤＰＰ−IV)仲介状態、特に糖尿病、さらに特に２型糖尿病、耐糖能障害(ＩＧＴ)、空腹時血糖値異常状態、代謝性アシドーシス、ケトーシス、関節炎、肥満および骨粗しょう症の予防、進行遅延または処置において有用な組合せ物を提供することが、本発明の課題である。 - 特許庁

The plasma film forming apparatus heats the glass substrate by using a heating means provided with a heat source for heating the glass substrate; and a secondary radiation source that is interposed between the heat source and the glass substrate and made of a material of a type wherein a wavelength region of a light absorption spectrum has a region overlapped with the wavelength region of the light absorption spectrum of a silicon dioxide.例文帳に追加

プラズマ成膜装置において、前記ガラス基板を加熱するための熱源と、この熱源及びガラス基板の間に介在し、その光吸収スペクトルの波長領域が二酸化珪素の光透過スペクトルの波長領域に重なる領域をもつ材質からなる二次輻射源と、を備えた加熱手段により、ガラス基板を加熱する。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

This surface covered cemented carbide cutting tool is constituted by depositing the diamond type carbon coat having hydrogen contents:10 to 15 atomic %, hardness:25 to 35GPa, surface roughness (R):less than 30nm and average layer thickness:06 to 1.5μm in a magnetic field by plasma CVD on a surface of a cemented carbide base body constituted of tungsten carbide group cemented carbide.例文帳に追加

表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金で構成された超硬基体の表面に、プラズマＣＶＤにて、水素含有量：１０〜１５原子％、硬さ：２５〜３５ＧＰａ、表面粗さ（Ｒ）：３０ｎｍ以下、平均層厚：０．６〜１．５μｍ、を有するダイヤモンド状炭素被膜を磁場中成膜してなる。 - 特許庁

The method of manufacturing the conductive silicon nitride film includes: a first step of forming a microcrystalline silicon film doped into an n-type or a p-type; and a second step of forming the conductive silicon nitride film by irradiating the microcrystalline silicon film with plasma including nitrogen to nitride the microcrystalline silicon film; wherein a dilution rate of material gas, introduced when forming the microcrystalline silicon film in the first step, is 150 to 600.例文帳に追加

本発明の導電性窒化シリコン膜の製造方法は、ｎ型またはｐ型にドーピングされた微結晶シリコン膜を形成する第１ステップと、該微結晶シリコン膜に対し、窒素を含むプラズマを照射して微結晶シリコン膜を窒化することにより、導電性窒化シリコン膜を形成する第２ステップとを含み、第１ステップにおいて、微結晶シリコン膜を形成するときに導入される材料ガスの希釈率は、１５０以上６００以下であることを特徴とする。 - 特許庁

To reduce damage to a base layer due to plasma by a method wherein at least one buffer layer out of buffer layers, which respectively have an optical gap lower than a specified value and exist between the P-type semiconductor layer and the intrinsic semiconductor layer and between the N-type semiconductor layer and the intrisic semiconductor layer in a semiconductor layer, is provided in the semiconductor layer.例文帳に追加

短波長光の有効利用が可能ないわゆるワイドギャップ半導体層を有する光起電力素子のように、ｎ型半導体層、及びｐ型半導体層が真性半導体層を挟んで積層されてなり、前記ｎ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_n）、及び前記ｐ型半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_p）の少なくとも一方が前記真性半導体層の光学ギャップ（Ｅｇ_i）よりも小さい半導体層を有する光起電力素子において、、その開放電圧や短絡電流等の特性を改良する。 - 特許庁

In order to solve the above-described problem, the invention according to Claim 1 of the present invention relates to a roll-to-roll type plasma CVD system capable of depositing ineffective deposits on a conductive sheet by forming the conductive sheet on an exposed part of a drum electrode except a part at which the drum electrode is abutted on a base material for vapor deposition.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く前記ドラム電極の露出箇所に、導電性のシートを形成することにより、該導電性のシートへと無効蒸着物を堆積させることを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 - 特許庁

In order to solve the above-described problem, the invention according to Claim 1 of the present invention relates to a roll-to-roll type plasma CVD system capable of depositing ineffective deposits on a conductive sheet by forming the shielding base material on an exposed part of a drum electrode except a part at which the drum electrode is abutted on a base material for vapor deposition.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明の請求項１記載の発明は、ロールツーロール方式のプラズマＣＶＤ装置において、前記ドラム電極と前記被蒸着基材とが当接する箇所を除く、前記ドラム電極の露出箇所に、該露出箇所への成膜を防止するための遮蔽基材を形成したことを特徴とする、プラズマＣＶＤ装置である。 - 特許庁

Visible light is blocked by forming a band-like and stripe-like shading film 47 which extends in the line direction at each non-discharging reverse slit S2 in an intermediate part in the thickness direction of a dielectric layer 17 of a three-electrode style surface discharge type plasma display panel.例文帳に追加

本発明は、前面基板上１１に、面放電のための放電スリットを隔てて配置した表示電極対４１をそれぞれ放電しない所定の逆スリットを隔てて複数対平行に配置し、背面基板上２１に、表示電極対４１と交差する複数のアドレス電極Ａおよび複数のストライプ状蛍光体２８を備えてなる３電極形式の面放電型プラズマ・ディスプレイ・パネルに関する。 - 特許庁

A powder mixture of tungsten W and chromium boride or the one obtd. by blending this with any powder of Ni, Fe and Co is melted on a nonconsumable type substrate or on a soluble substrate by a heat source of a plasma arc to produce a boride superhard material formed of a W-Cr-B ternary system and having hardness higher than that of all the composing stocks.例文帳に追加

タングステンＷと硼化クロムの粉末混合体、またはこれにＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏの何れかの粉末を配合し、非消耗型基板上または可溶性基板上でプラズマアークの熱源によって溶解し、構成する素材の何れよりも硬度が高いＷ、Ｃｒ、Ｂ三元系で形成した金属間化合物を主体とした硼化物系超硬質材料を作成する。 - 特許庁

To provide a sustained release agent type matrix tablet which can perfectly cover 24 hours, maintain high concentration peak values in plasma after each administration, ensure sufficient concentration in blood between two administrations, thereby maintain the efficacy of trimetazidine, maintain the energy metabolisms of cells exposed to hypoxic or ischemic states, and avoid the lowering of ATP concentrations in cells.例文帳に追加

２４時間を完全にカバーすることが可能であり、各投与後の高い血漿中濃度のピーク値を維持しつつ、２回の投与の間の十分な血中濃度を確保することによりトリメタジジンの有効性を維持し、低酸所又は虚血の状態の曝された細胞のエネルギー代謝を維持し、細胞内ＡＴＰ濃度の低下を避ける持続性剤型を提供する。 - 特許庁

A substrate is placed direct below a magnetron type discharge electrode where a high frequency electric field applied from the outside intersects a stationary magnetic field at a right angle, a metallic catalyst supported on a support is fixed on the substrate, magnetron plasma is produced under the coexistence of a hydrocarbon gas while heating the substrate by a heater and the single-wall carbon nanotube is formed on the metallic catalyst under the DC bias control of the substrate.例文帳に追加

外部印加の高周波電場と定常磁場とが直交するマグネトロン型放電電極の直下に基板を設置すると共に、該基板上に担体に担持された金属触媒を固定し、該基板をヒーターで加熱しながら炭化水素ガスの共存下にマグネトロンプラズマを発生し、該基板の直流バイアス制御のもとに前記金属触媒上に単層カーボンナノチューブを生成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the titanium alloy material being used for manufacturing the α+β type titanium alloy includes: preparing a raw material to be melted which includes sponge titanium, aluminum-vanadium mother alloy, or metallic aluminum and vanadium metal, and metallic boron or boride of titanium; and smelting the raw material with a vacuum arc fusion furnace, a plasma arc fusion furnace, a floatation melting method or an electron beam fusion furnace.例文帳に追加

また、このα＋β型チタン合金の製造に用いるチタン合金材の製造方法であって、スポンジチタン、アルミニウム−バナジウム母合金または金属アルミニウムと金属バナジウム、および金属ホウ素またはチタンのホウ化物から構成される溶解原料を、真空アーク溶解炉、プラズマアーク溶解炉、浮遊溶解法または電子ビーム溶解炉にて溶製することを特徴とする。 - 特許庁

The substrate transfer cart for transferring a substrate in the in-line type plasma enhanced CVD system has a substrate electrode 16a capable of holding a rectangular substrate of a size of ≥90 cm per side and a counter electrode 16d which is disposed in a manner to face a substrate 1 held by the substrate electrode 16a and is integrally connected to the substrate electrode 16a via an insulating member 16c.例文帳に追加

インライン型プラズマＣＶＤ装置において基板を搬送するための基板搬送カートは、１辺が９０ｃｍ以上の矩形の基板を保持し得る基板電極１６ａと、その基板電極１６ａに保持された基板１と対面して配置されかつ絶縁部材１６ｃを介して基板電極１６ａと一体に結合される対向電極１６ｄを含んでいる。 - 特許庁

Provided are generation systems 22 and 38 each of which is equipped with a plasma-type gasification melting furnace 1 for gasifying objective combustibles 23 under temperatures and oxygen concentrations favorable for gasification; a gas refiner 26 for refining the gases obtained by the gasification to form a refined gas 27 devoid of harmful things; and generators 30 and 43 each of which generates electricity by using the gas 27.例文帳に追加

炭素と水素とを含有する燃焼対象物２３を、ガス化に適した温度と酸素濃度下においてガス化するプラズマ式ガス化溶融炉１と、このガス化によって得られたガス化ガス２５を精製することによって有害物を除去した精製ガス２７にするガス精製器２６と、該精製ガス２７を用いて発電を行う発電装置３０，４３とを有するプラズマ式ガス化溶融炉を備えた発電システム２２，３８である。 - 特許庁

In this method, prescribed thickness of glass paste for PDP partition dissolved in organic solvent having a boiling point of not less than 200°C is applied to the work 15 of plasma display panel, and heated at about 160°C to dry it in a conveyer type multistage drier 13 after the work is heated up from room temperature to predetermined temperature and kept at the latter temperature in advance.例文帳に追加

２００℃以上の沸点をもつ有機溶剤を主溶媒としたＰＤＰ隔壁用ガラスペーストを所定厚さに塗布したプラズマディスプレイパネルのワーク１５を、コンベア搬送式多段乾燥装置１３により約１６０℃に高温乾燥するプラズマディスプレイパネルのペースト乾燥方法において、前記ワーク１５を高温乾燥する前に、室温から所定温度に保持して予備昇温することを特徴とする。 - 特許庁

In a driving method of an AC-type plasma display panel, tone display is conducted through constituting one field period by multiple subfields having an initializing period, a writing period and a maintaining period, and the maintaining operation of the maintaining period in at least one subfield of multiple subfields is synchronized with the initializing operation of the initializing period of a subfield following at least one subfield.例文帳に追加

初期化期間、書き込み期間および維持期間を有する複数のサブフィールドにより１フィールド期間を構成して階調表示を行うＡＣ型プラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも１つのサブフィールドにおける維持期間の維持動作と、前記少なくとも１つのサブフィールドに続くサブフィールドの初期化期間の初期化動作とを同時に行わせることを特徴とする。 - 特許庁

The thin film formation device 1 for forming a plurality of thin films in a substrate 10 in the same chamber 2 by an antenna type plasma CVD method (chemical vapor deposition) has a residue removal means for removing residue which affects property of a second thin film formed next to a first thin film of a plurality of thin films and is caused in a first thin film formation process.例文帳に追加

アンテナ式プラズマＣＶＤ法（化学的気相成長法）により基板１０に複数の薄膜を同一チャンバ２内で形成する薄膜形成装置１であって、複数の薄膜のうち第１薄膜の次に形成する第２薄膜の特性に影響を与え、かつ、第１薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ２内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁

This discharge type gas treatment device 10 is provided with a conductive electrode 15 having protrusions 15a; a counter electrode 16 facing the conductive electrode 15; a dielectric 17 covering the conductive electrode 15 side of the counter electrode 16; and a discharge power source 13 applying required voltage between the conductive electrode 15 and counter electrode 16 to generate discharge plasma for cleaning treating gas.例文帳に追加

放電型ガス処理装置１０は、突起１５ａを有する導体電極１５と、導体電極１５に対向する対向電極１６と、対向電極１６の導体電極１５側を覆う誘電体１７と、導体電極１５と対向電極１６との間に所要の電圧を印加して被処理ガスに浄化処理を施すための放電プラズマを生成させる放電電源１３とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

This melt discharge mechanism is formed of a combination of a melt discharge port provided at a bottom part of the rotary hearth type plasma fusion treating apparatus for fusion-treating radioactive miscellaneous solid waste, to transfer the melt to the receiving container, a cylindrical ceramic guide interposed between the melt discharge port and the receiving container, and a plurality of resistance heating heaters arranged around the ceramic guide.例文帳に追加

放射性雑固体廃棄物を溶融処理する回転炉床式プラズマ溶融処理装置において、溶融処理装置の底部に設けられ、溶融物を受け容器に移すための溶融物排出口と、溶融物排出口と受け容器の間に介在させる筒状のセラミック製ガイドと、該セラミック製ガイドの周囲に配置される複数本の抵抗加熱ヒータとを組み合わせた溶融物排出機構。 - 特許庁

To provide a method for producing an antigen in high yields by which the production of the antigen is increased and the antigen equal to natural type HBs antigen (derived from blood plasma) on the physicochemical and immunological characteristics of the antigen can be obtained when an established cell line derived from the human liver cancer tissue producing hepatitis B virus surface antigen (HBs antigen) is cultured to obtain the antigen from the cultured supernatant.例文帳に追加

Ｂ型肝炎ウイルス表面抗原（ＨＢｓ抗原）を産生するヒト肝癌組織由来の樹立細胞株を培養して、その培養上清から該抗原を得るに際し、該抗原の産生を高め、かつ、該抗原の物理化学的特性および免疫学的特性が天然型のＨＢｓ抗原（血漿由来）と同等である抗原を得ることを可能とする該抗原の高収率産生方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

In the twin-torch type plasma heating device for heating molten steel in a tundish for a two-strand continuous casting machine, using two sets of anode torches and cathode torches, the two sets of anode torches and cathode torches are arranged to satisfy the expression to be defined on the basis of the molten steel ejection nozzle position from a ladle and the molten steel nozzle ejection nozzle position from the tundish to the mold.例文帳に追加

２ストランドの連続鋳造機用のタンディッシュ内溶鋼を２組のアノードトーチ及びカソードトーチを用いて加熱するツイントーチ式プラズマ加熱装置において、タンディッシュ内の溶鋼を加熱する際の２組のアノードトーチ及びカソードトーチが、取鍋からの溶鋼注入ノズル位置と、タンティッシュからモ−ルドへの溶鋼注入ノズル位置を基に規定した式を満足するように配置させることを特徴とするツイントーチ式プラズマ加熱装置。 - 特許庁

In the manufacturing method for cleaning sheet, plasma treatment is performed for the cleaning layer wherein the relative strength (the positive ion is the C_2H_3^+ ratio, and the negative ion is the O^- ratio) of at least one fragment ion of the specified fragment ions is 0.1 or less in the time-of-flight type secondary ion mass spectrometry.例文帳に追加

本発明のクリーニングシートの製造方法は、クリーニング層の特定のフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３^＋比、負イオンはＯ^−比）が飛行時間型２次イオン質量分析においてそれぞれ０．１以下である該クリーニング層を備える、クリーニングシートの製造方法であって、該特定のフラグメントイオンの少なくとも１つのフラグメントイオンの相対強度（正イオンはＣ_２Ｈ_３^＋比、負イオンはＯ^−比）が飛行時間型２次イオン質量分析において０．１を超えるクリーニング層にプラズマ処理を行う工程を含む。 - 特許庁