「PLASMA-TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

To improve the display contrast, to reduce the reactive power and to stabilize the write-in discharge for an AC type plasma display panel(PDP) in which adjacent two scanning lines commonly use one sustaining discharge electrode and a discharge separating body is provided to separate mutual surface discharge between the scanning lines.例文帳に追加

隣接する２本の走査線で１本の維持放電電極を共有すると共に隣接する走査線間で互いの面放電を分離するための放電分離体を備えたＡＣ型ＰＤＰにおいて、表示コントラストを向上し、無効電力を低減し、書き込み放電を安定化する。 - 特許庁

To purify a NO_x-containing exhaust gas discharged out of a non-transfer type plasma melting furnace by a common combustion gas treatment apparatus by reducing the purification load on the exhaust gas treatment apparatus by decreasing the NO_x concentration before the exhaust gas is introduced into the exhaust gas treatment apparatus.例文帳に追加

ノントランスファ方式のプラズマ溶融炉から排出されるＮＯｘ含有排ガスを排ガス処理装置へ導入する前にＮＯｘ濃度を低減しておくことで、排ガス処理装置への浄化負荷を低減させ、一般的な燃焼排ガス処理装置にて上記排ガスを浄化する。 - 特許庁

To provide a method for producing a vapor deposition material capable of achieving the film deposition with the lower energy when depositing a vapor deposition film by the plasma-type vapor deposition method, in particular, in the initial stage that sublimation of the vapor deposition material starts, and the vapor deposition material produced thereby.例文帳に追加

プラズマ式の蒸着法により蒸着膜を成膜する際、特に蒸着材の昇華が始まる初期段階において、従来よりも低エネルギーでの成膜を実現し得る蒸着材の製造方法及び該方法により製造された蒸着材を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma addressed display device, which is stable in the whole screen and durable, in a DC discharge type simple in driving and construction and capable of cost reduction by suppressing sputtering of electrodes and preventing reduction of transmissivity and a change in electric discharge characteristics due to splashing of metal or the like.例文帳に追加

電極のスパッタを抑制し、金属などの飛散による透過率低下及び放電特性変化を防止し、画面全域が安定で長寿命なプラズマアドレス表示装置を、駆動上・構造上簡易で低コスト化が可能なＤＣ放電タイプで提供することを目的とする。 - 特許庁

This ultraviolet curing type resin composite for electrode protection contains (A) a urethane acrylate based resin obtained by reacting at least polydiene polyol (a1), hydroxy alkyl acrylate (a2), and polyisocyanate (a3), (B) a polymerizable unsaturated compound, and (C) a photopolymerization initiator, and it is used in this plasma display panel.例文帳に追加

（Ａ）少なくともポリジエンポリオール（ａ１）、ヒドロキシアルキルアクリレート（ａ２）およびポリイソシアネート（ａ３）を反応させてなるウレタンアクリレート系樹脂、（Ｂ）重合性不飽和化合物、（Ｃ）光重合開始剤を含んでなる電極保護用紫外線硬化型樹脂組成物、およびこれを用いたプラズマディスプレイパネル。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tunnel type magnetic detecting element capable of reducing the value of product of resistance R and element area A than that of conventional one and of obtaining an interlayer coupling magnetic field Hin equal to or less than that of conventional one by especially optimizing a place where plasma treatment is applied.例文帳に追加

特に、プラズマ処理を施す場所を適正化することで、従来よりもＲＡを低減でき、ひいては、従来と同等以下の層間結合磁界Ｈｉｎを得ることができるトンネル型磁気検出素子の製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

As for film forming conditions of the tensile stress silicon nitride film 55p and the compression stress silicon nitride film 55c, RF power is set within a range of 0.03-0.4W/cm^2, and film formation temperature is set within a range of 200-350°C, respectively using a parallel plate type plasma CVD device.例文帳に追加

これらの引張応力シリコン窒化膜５５ｐ及び圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃの成膜条件は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＲＦパワーは０．０３〜０．４Ｗ／ｃｍ^2の範囲で、成膜温度は２００〜３５０℃の範囲にそれぞれ設定される。 - 特許庁

To provide a method for easily and reliably manufacturing a fin-type field-effect transistor without constriction at the base end of a fin using the SOI wafer while including a step for eliminating damage caused by plasma etching by the wet-etching of a sacrificial oxide film.例文帳に追加

ＳＯＩウエハを用いて、プラズマエッチングにより生じたダメージを犠牲酸化膜のウエットエッチングにより除去する工程を含むものでありながら、フィンの基端部分にくびれのないフィン型電界効果トランジスタを簡単かつ確実に製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

The powder for nanocarbon production for producing nanocarbon by plasma contains carbon and a metal and/or a metal compound and has, in a particle size distribution on a volume basis measured by a laser diffraction/scattering type particle size measurement method, a mode diameter of ≤10 μm.例文帳に追加

プラズマによりナノカーボンを製造するためのナノカーボン製造用粉末であって、炭素と、金属及び／又は金属化合物とを含み、且つ、レーザー回折散乱式粒子径測定法で測定した体積基準の粒度分布において、モード径が１０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The plasma source comprises a ferrite structure which concentrates a field formed radially from a roof type linear antenna in which one sides of a first antenna and a second antenna formed at the inner upper part in a reaction chamber are connected on a treating substrate direction which is arranged in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明によるプラズマソースは、反応チャンバの内側上部に形成された第１アンテナ及び第２アンテナの一側を連結したルーフ型線形アンテナから放射状に形成されたフィールドを前記反応チャンバ内部に配設された処理基板方向に集中させるフェライト構造体を含む。 - 特許庁

To provide a combination useful in the prevention, delay of progression, or treatment of conditions mediated by dipeptidylpeptidase-IV (DPP-IV), in particular diabetes, more especially type 2 diabetes mellitus, conditions of impaired glucose tolerance (IGT), conditions of impaired fasting plasma glucose, metabolic acidosis, ketosis, arthritis, obesity, and osteoporosis.例文帳に追加

ジペプチジルペプチダーゼ−IV阻害剤（DPP-IV）仲介状態の予防、進行遅延、治療、特に糖尿病、さらに特に糖尿病２型、耐糖能障害（ＩＧＴ）、空腹時血中グルコース損傷状態、代謝性アシドーシス、ケトーシス、関節炎、肥満、骨粗しょう症において有用な組合せ物を提供すること。 - 特許庁

In this operation control method for the spark ignition type internal combustion engine igniting air fuel mixture by generating plasma by making an electric field created in the combustion chamber and spark discharge by spark plug react, air fuel mixture is kept lean in a region where the electric field is created in the combustion chamber.例文帳に追加

燃焼室内に生成される電界と点火プラグによる火花放電とを反応させてプラズマを生成して混合気に着火する火花点火式内燃機関の運転制御方法であって、燃焼室内の電界を生成する領域を空気の希薄な混合気にする。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

Ｐ型ＧａＡｓキャップ層上にプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ_2絶縁膜を形成して、そのＳｉＯ_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

In this face discharge type plasma display device, each line electrode in a pair of line electrodes is formed with a main body portion which extends to the horizontal direction and a protruding portion protruded from the main body portion in the vertical direction at every discharge light emission pixel, and the inside of the protruding portion is punched-out except the top portion.例文帳に追加

行電極対における行電極の各々を、水平方向に伸長する本体部と、放電発光画素領域毎に垂直方向に本体部から突出する突出部とで構成し、突出部はその先端部を除く部分において中抜き形状である。 - 特許庁

To provide a thin film forming method by a capacity coupling type RF plasma CVD method capable of forming a thin film of homogeneous film quality on the inside face of a cylindrical object to be treated composed of an electrically conductive material and capable of forming a thin film only on a specified part in the inside face.例文帳に追加

導電性材料からなる円筒状の被処理物の内側面に、均質な膜質で薄膜形成可能で、前記内側面の特定部分のみに薄膜形成可能な容量結合型のＲＦプラズマＣＶＤ法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

Maintenance electrodes (14a, 14b) of the AC type plasma display are formed in mesh shape with a plurality of openings (13), and each openings (13) is formed in a shape of either a rectangle with a length of less than 30 μat one of the two sides, or a strip with a width of less than 30 ×m.例文帳に追加

ＡＣ型プラズマディスプレイにおける維持電極（１４ａ，１４ｂ）が複数の開口部（１３）を有するメッシュ状であり、各開口部（１３）は、どちらか一辺の長さが３０μｍ未満である長方形に包含される大きさもしくは幅３０μｍ未満の帯状開口部とする。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two-layer resist system.例文帳に追加

高感度であり、０．２μｍ以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

In this driving method of an AC type PDP(plasma display panel), in an address period TA when addressing is performed, scanning electrodes Y are made to be in states, in which their electric conduction with a power source line become high impedance over at least the time of one parts of selection waite periods, prior to the time when they are biased to a selection potential Vya1.例文帳に追加

アドレッシングを行うアドレス期間ＴＡにおいて、スキャン電極Ｙを、当該スキャン電極Ｙが選択電位Ｖｙａ１にバイアスされる以前である選択待ち期間内の少なくとも一部の時間にわたって、電源ラインとの通電が高インピーダンスとなる状態にする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein electric charge accumulated at a substrate side does not cause the deterioration of a transistor and the like even if a semiconductor process such as a plasma CVD method or an ion implantation method is carried out at the surface side of an insulating substrate and to provide an optoelectric device and a projection-type display device.例文帳に追加

絶縁基板の表面側でプラズマＣＶＤ法やイオン打ち込みなどの半導体プロセスを行なっても、基板側に蓄積した電荷がトランジスタなどを劣化させることのない半導体装置、電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。 - 特許庁

Further, the light-shielding layer 3 is patterned to form a light-shielding pattern 3a, and the shifter layer 2 is subjected to dry etching with chlorine, using ICP(inductively coupled plasma) type dry etching apparatus, to form a phase shift pattern 2a for obtaining shift mask 100 of the invention.例文帳に追加

さらに、遮光層３をパターニング処理して遮光パターン３ａを形成し、さらに、シフター層２をＩＣＰ（誘電結合プラズマ）タイプのドライエッチング装置を用いて塩素によるドライエッチングにてエッチングし、位相シフトパターン２ａを形成し、本発明の位相シフトマスク１００を得る。 - 特許庁

The method of manufacturing the insulated gate-type semiconductor device has steps of: forming a gate insulating film on a semiconductor substrate; carrying out the film formation of the tantalum carbide film on the gate insulating film; and performing hydrogen plasma treatment after forming a mask pattern having an aperture for exposing a part of the tantalum carbide film.例文帳に追加

半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に炭化タンタル膜を成膜する工程と、前記炭化タンタル膜の一部を露出する開口を有するマスクパターンを形成したのち、水素プラズマ処理を行う工程とを設ける。 - 特許庁

To produce a disk type metal plate 10 of a flat plate probe, which is presented for measurement, a metal disk of such as gold, platinum, copper, stainless steel, aluminum, or the like, is installed into the plasma, and a conductive thin film, of which the material is different from the above disk material, is formed on the metal plate 10 of the flat plate probe.例文帳に追加

計測に供する平板プローブのディスク型金板１０を作成するために、金、白金、銅、ステンレス、アルミ等の金属のディスクをプラズマ中に設置し、前記ディスク材料と異なる導電性の薄膜を平板プローブ用のディスク型金板１０上に作成する。 - 特許庁

Rather than the conventional electrodes used as the display electrode and address electrode to be installed on the glass base plate, an electrode of the type metal-formed on the oxide layer is employed to prevent the glass base plate from yellowing and discoloring, and to enable obtaining a plasma display panel with a high image quality.例文帳に追加

従来ガラス基板上に形成されてきた表示電極やアドレス電極に用いられている電極を酸化物層上に金属形成させる構成の電極を用いることによってガラス基板の黄変や変色を防止しかつ、高画質のプラズマディスプレイパネルを得ることが出来る。 - 特許庁

The EUV light emitted from a plasma light source 2 when the light source 2 is irradiated with a laser pulse 1 is collected by using an enlarging optical illumination system 3 and the area to be inspected of the reflection type mask 6 is illuminated by reflecting the collected light 4 by means of a reflecting mirror 5 for illumination.例文帳に追加

レーザーパルス１を照射して生成されるプラズマ光源２から発生するEUV光を、拡大照明光学系３を用いて捕集し、その捕集された照明光４を、照明用反射鏡５で反射させて反射型マスク６の被検査領域を照明する。 - 特許庁

To provide an AC type plasma display device, capable of realizing high light emission efficiency by suppressing power consumption as for an AC type display device in a M×L matrix structure, which has a plurality of sustaining blocks having as one unit connection groups, where a plurality of sustaining electrodes are connected in common, and a plurality of scan drivers having a multistage output for applying a discharge voltage to the plurality of scanning electrodes.例文帳に追加

複数のサステイン電極を共通接続した結線群を１単位とする複数の維持ブロックと、複数のスキャン電極に放電電圧を印加するための多段出力を持つ複数のスキャンドライバを有する、Ｍ×Ｌマトリクス構造のＡＣ型プラズマディスプレイ装置において、消費電力を抑制し、高い発光効率を実現することができるＡＣ型プラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In one embodiment, a method for forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer comprises: dynamically ramping up a silane gas supplied in a gas mixture to a surface of a substrate disposed in a processing chamber; dynamically ramping down an RF power applied in the gas mixture supplied to the processing chamber to form a plasma in the gas mixture; and forming an intrinsic type microcrystalline silicon layer on the substrate.例文帳に追加

一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 - 特許庁

The titanium oxide film having a multilayer structure, in which an upper layer film containing the rutile type titanium oxide less in the crystal defects is formed on an under layer film, can be obtained by sputtering a target containing titanium in a plasma containing oxygen while controlling the substrate temperature and the sputtering pressure on the surface of the substrate, on which the under layer film composed of crystal oriented rutile type titanium oxide is formed.例文帳に追加

結晶配向したルチル型酸化チタンからなる下層膜が形成された基板表面に、基板温度及びスパッタリング圧を制御した状態で、酸素を含むプラズマ中でチタンを含むターゲットをスパッタリングすることによって、前記下層膜の表面に結晶欠陥少ないルチル型酸化チタンが含まれた上層膜を形成した複層構造を有する酸化チタン膜を得ることができる。 - 特許庁

The negative charge type toner is obtained by externally adding a plurality of hydrophobed external additives to spherical polyester resin particles containing colored particles, wherein at least negative charge type silicon oxide particles, rodlike polyhedral hexagonal zinc oxide particles obtained by evaporating metal zinc with plasma and oxidizing the resultant vapor, and titanium oxide particles are externally added as the external additives.例文帳に追加

本発明の負帯電性トナーは、着色粒子を含有する球形ポリエステル系樹脂粒子に、複数の疎水化された外添剤を外添して得られる負帯電性トナーにおいて、該外添剤として少なくとも負帯電性酸化シリコン粒子、金属亜鉛をプラズマで蒸発させ蒸気を酸化して得られる棒状多面体六方晶系酸化亜鉛粒子、および酸化チタン粒子を外添したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method by which accumulations on the surface of parallel plate electrodes located in a reaction chamber of a parallel plate type plasma CVD device are removed using a gas containing F_2 or CF_3OF as a cleaning gas without causing damage on the material in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明の目的は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内に備わっている平行平板電極表面の堆積物を、Ｆ_２あるいはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いて、反応チャンバー内の材質に損傷を与えることなく除去する方法を提供することである。 - 特許庁

To stably keep a regular electrode gap without using an electrode drive mechanism, and to suppress the separation of a solid dielectric layer from an electrode and the generation of particles, in a plasma treatment device of a type for introducing gas into a gap between a pair of electrodes and activating the gas to exhaust it.例文帳に追加

一対の電極間のギャップにガスを導入し、ガスを活性化して排出する方式のプラズマ処理装置において、電極駆動機構なしに電極ギャップを安定して一定に保持できるようにすると共に、固体誘電体層の電極からの剥離やパーティクルの発生を抑制することである。 - 特許庁

The device 10 is equipped with an enclosure 12 for accommodating the superalloy article, an inversion type plasma transfer arc welding device 20 for welding the local area of the article, an induction coil 14 for heating the local area, a means 24 for sensing the temperature in the local area, and a means 26 for controlling it.例文帳に追加

装置（１０）は、超合金物品を収容するエンクロージャ（１２）と、物品の局部領域を溶接する極性反転式プラズマトランスファアーク溶接装置（２０）と、局部領域を加熱する誘導コイル（１４）と、局部領域の温度を感知する手段（２４）および制御する手段（２６）とを備える。 - 特許庁

To provide an exhaust hole processing device for a plasma display panel capable of improving processing efficiency of exhaust hole processing, and of improving a work environment by executing non-contact type processing using a laser, allowing efficient transfer design of a substrate and minimization of a friction coefficient thereof, and providing facilitation of substrate alignment.例文帳に追加

レーザーを利用する非接触式加工を行って、排気ホール加工の加工効率を向上させるとともに作業環境を改善させ、基板の効率的な移送設計及び摩擦係数最小化を可能にし、基板整列の容易化を提供するようにしたディスプレイパネル用排気ホール加工装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide powder which is a raw material for manufacturing a polycrystalline magnesium oxide vapor deposition material usable in industrially advantageously depositing a protective film of a dielectric layer of an AC (Auxiliary Channel) type plasma display panel by an electron beam vapor deposition process by developing a method capable effectively granulating the magnesium oxide powder by using water.例文帳に追加

酸化マグネシウム粉末を水を用いて効率良く造粒できる方法を開発して、工業的に有利に、電子ビーム蒸着法によりＡＣ型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜を成膜する際に用いる多結晶の酸化マグネシウム蒸着材を製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

By using an open-type head 24 for performing the atmospheric control with inert gas, a step of discharging the functional particles 4 in the liquid onto a substrate 3 with the desired distribution by the mist jet technology, and a step of depositing a thin film 8 by the atmospheric-pressure plasma chemical transport method thereafter are alternately repeated.例文帳に追加

開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

To provide a method for producing a gas barrier film, by which a silicon nitride film having excellent gas barrier properties can be produced with high productivity by reducing deformation of a substrate when the substrate is conveyed when the silicon nitride film is film-deposited on the substrate by a capacity coupling type plasma CVD while the long substrate is conveyed in a longitudinal direction.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、容量結合型プラズマＣＶＤによって、基板に窒化珪素膜を成膜する場合において、基板を搬送する際の基板の変形を低減して、ガスバリア性に優れた窒化珪素膜を、高い生産性で製造することができる、ガスバリアフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

The film can be deposited by means of a direct current plasma CVD method in which a reactant gas comprising a nitrogen gas and at least one type of compound gas selected from a carbocyclic compound gas that comprises Csp^2 and a nitrogen-containing heterocyclic compound gas that contains Csp^2, nitrogen and/or silicon is discharged at 1,500 V or more.例文帳に追加

この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 - 特許庁

An SOI substrate having a three-layer structure of the conductive silicon layer/silicon oxide layer/conductive silicon layer is prepared, and inductive coupling type plasma etching for removing selectively only silicon from the upper layer is performed, and L-shaped slits S1-S4 are carved, thereby to separate the substrate into a cross-shaped member 120 and fixed members 121-124.例文帳に追加

導電性シリコン層／酸化シリコン層／導電性シリコン層の３層構造をもったＳＯＩ基板を用意し、上層からシリコンのみ選択除去可能な誘導結合型プラズマエッチングを行い、Ｌ字形スリットＳ１〜Ｓ４を掘り、十字形部材１２０と固定部材１２１〜１２４とに分離する。 - 特許庁

At the time of driving the AC type plasma display panel which is constituted of an address period and a sustenance period, when gray levels is expressed by the sum of luminance of sub-fields to be selected, the mismatching of gray level expression due to luminance saturation is corrected by making the regularity of the selection order of sub-fields of lower bits different in accordance with gray levels.例文帳に追加

アドレス期間と維持期間とで構成されたＡＣ型プラズマディスプレイパネルの駆動時に、選択するサブフィールドの輝度の和により階調を表現する場合に、階調レベルの高低により、下位ビットのサブフィールド選択順序の規則性を異ならせることにより、輝度飽和による階調表現の不整合を補正する。 - 特許庁

When the metal thin film type magnetic layer having 5 to 55 nm thickness is deposited on the other principal surface side of the non-magnetic substrate by a vacuum thin film deposition method, a shielding layer consisting of diamond like carbon and having 3 to 25 nm thickness is provided between the non-magnetic substrate and the magnetic layer by plasma CVD method.例文帳に追加

非磁性支持体の一主面側に真空薄膜形成法により、厚さ５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下の金属薄膜型磁性層を形成するに際して、該非磁性支持体と該磁性層との間にダイヤモンドライクカーボンからなる厚さ３ｎｍ以上、２５ｎｍ以下のシールド層をプラズマＣＶＤ法により設ける。 - 特許庁

To obtain a positive type photoresist composition having high sensitivity and high resolving power of ≤0.2 μm in the production of a semiconductor device, giving a photoresist of a rectangular shape and less liable to cause a dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step when the composition is used as the upper layer resist of a two- layer resist system.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度で0.2μｍ以下の高解像力を有し、かつ矩形形状のフォトレジストを与え、また二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を得る。 - 特許庁

In this parallel plate type plasma treating equipment in which an upper electrode plate 2 having a plurality of penetrating holes 6 and a lower electrode 3 arranged parallel to the upper electrode are installed, and the outer peripheral part of the upper electrode plate 2 is covered with a shielding member, an insulating film 11 is interposed between the outer peripheral part of the upper electrode plate 2 and the shielding member.例文帳に追加

複数の貫通孔を有する上部電極板と、これに平行に配置された下部電極を有し、前記上部電極板の外周部がシールド部材で覆われている平行平板型プラズマ処理装置の上部電極板の外周部とシールド部材の間に絶縁性フィルムを介在させる。 - 特許庁

The catalyst layer-electrolyte membrane laminate is the catalyst layer-electrode membrane laminate for the solid polymer type fuel cell, wherein the catalyst layer is laminated on one face of the electrolyte membrane, and the hydrophilic group is given to a catalyst layer surface contacted with the electrolyte membrane by an atmospheric pressure plasma method.例文帳に追加

本発明の触媒層−電解質膜積層体は、電解質膜の片面に触媒層が積層されてなる固体高分子形燃料電池用触媒層−電解質膜積層体であって、電解質膜と接している触媒層表面が、大気圧プラズマ法により親水基を付与されていることを特徴とする。 - 特許庁

In this cup type axial electrode, holes 31a and 32a communicating with the internal spaces of tubular parts 33 and 34 are provided in contactors 31 and 32, and metal members 35 and 36 for plasma supply formed with a material liable to evaporate more than the contactors 31 and 32 are disposed in the internal spaces of the tubular parts 33 and 34.例文帳に追加

カップ形軸方向電極において、その筒状部３３，３４の内部空間に連通する孔３１ａ，３２ａを接触子３１，３２に設けるとともに、筒状部３３，３４の内部空間に、接触子３１，３２より蒸発し易い材料で形成したプラズマ供給用の金属部材３５，３６を配設したこと。 - 特許庁

To reduce the influence of a high frequency current flowing through a power feed bar on the temperature detection of a temperature detector, in a parallel plane plate type plasma treatment apparatus including the power feed bar for applying high frequency power to a placement base and the temperature detector for detecting the temperature of the substrate on the placement base.例文帳に追加

、載置台に高周波電力を印加する給電棒と載置台上の基板の温度を検出するための温度検出部とを備えた平行平板型のプラズマ処理装置において、給電棒に流れる高周波電流が温度検出部の温度検出に及ぼす影響を低減すること。 - 特許庁

The oil-in-water type emulsified food such as mayonnaise or dressing is obtained by emulsifying an oil phase and a water phase and uses at least a plasma fraction separated from a treated yolk obtained by hydrolyzing a yolk with phospholipase A2 and isolating a fatty acid at 2 positions of phospholipid, and albumen as an emulsifying agent.例文帳に追加

本発明は、油相と水相とが乳化されてなる、マヨネーズやドレッシング類などの水中油型乳化食品において、乳化剤として、少なくともリゾ化卵黄より分離されたプラズマ画分と卵白とを用いることを特徴とする水中油型乳化食品を提供するものである。 - 特許庁