「Patterned」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

This optical position measuring device largely diverging a beam bundle emitted from a light source uses relatively fine reference mark structural bodies 10, 20 on the side of a graduation plate M and a scanning plate A in relation with relatively coarsely patterned detecting elements D1-D3.例文帳に追加

光源から放出されたビーム束の発散が大きい光学位置測定装置は目盛板Ｍと走査板Ａの側の比較的細かい基準マーク構造体１０，２０を比較的粗くパターン構造化した検出素子Ｄ１〜Ｄ３と関連させて使用する。 - 特許庁

After a pad oxide film 2, a silicon nitride film 3 and a resist film 4 are formed in order on a silicon substrate 1, the resist film 4 is patterned by photolithography, and a groove is formed by etching the silicon nitride film 3, the pad oxide film 2 and silicon substrate 1 with the resist film 4 as a mask.例文帳に追加

シリコン基板１上にパッド酸化膜２、シリコン窒化膜３、レジスト膜４を順に形成した後、レジスト膜４をフォトリソグラフィによってパターニングし、レジスト膜４をマスクとしてシリコン窒化膜３、パッド酸化膜２、シリコン基板１をエッチングして溝を形成する。 - 特許庁

On the surface of a silicon substrate 1, a gate oxide film 3 is formed, thereon an N-type polycrystalline silicon film 4 is formed, furthermore thereon a silicon nitride film 5 for preventing impurity diffusion is formed, and the films 3, 4, 5 are patterned so as to left in an NMOS region.例文帳に追加

シリコン基板１の表面上にゲート酸化膜３を形成し、その上にｎ型の多結晶シリコン膜４を形成し、さらにその上に不純物拡散防止用のシリコン窒化膜５を形成し、これらをｎＭＯＳ領域に残すようにパターニングする。 - 特許庁

To provide a photosensitive paste composition from which patterned barrier ribs for PDPs (plasma display panels) having high resolution and high accuracy can be produced by only one exposure and barrier ribs for PDPs having higher reflectance than conventional barrier ribs can be produced.例文帳に追加

１回の露光のみで高解像度および高精度のＰＤＰ用隔壁パターンを製造できるだけでなく、既存の隔壁に比べて高い反射率を有するＰＤＰ用隔壁を製造できる感光性ペースト組成物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The calculated results are set as estimate results to employ the principal moving channel of a fluid, that is, a flow line (122) and grooves are formed in the direction along the calculated flow line to form a patterned tire model (124, 126) and a planning proposal of good capacity is employed (128-132).例文帳に追加

計算結果を予測結果として流体の主要移動路すなわち流線を採用し（１２２）、求めた流線に沿う方向に溝を形成し、パターン付のタイヤモデルを作成し（１２４、１２６）、良好な性能の設計案を採用する（１２８〜１３２）。 - 特許庁

The patterned perpendicular magnetic recording medium that has spaced-apart pillars 230 with the magnetic material on their ends and the nonmagnetic trenches 232 between the pillars 230 is made with a method that allows use of a pre-etched substrate 212.例文帳に追加

磁性材料をそれらの端部２３１上に有する離間した柱２３０を有し、柱２３０の間に非磁性のトレンチ２３２を備えたタイプのパターン化垂直磁気記録媒体が、プリエッチングされた基板２１２の使用を可能にする方法を用いて作成される。 - 特許庁

A polisilicon film 7 and an insulating film 8 are patterned on a semiconductor substrate 1 including an element isolation region 2, and then lower electrodes 11a and 11b of the polisilicon film 7 and a dummy pattern 12 between the lower electrodes 11a and 11b are formed.例文帳に追加

素子分離領域２を含む半導体基板１上に多結晶シリコン膜７と絶縁膜８を形成してパターニングし、多結晶シリコン膜７かならる下部電極１１ａ，１１ｂおよび下部電極１１ａ，１１ｂ間のダミーパターン１２を形成する。 - 特許庁

After forming an element isolation region 105 that uses a silicon nitride film 102 for forming a field, the silicon nitride film 102 and a semiconductor substrate 100 are patterned to form a gate trench, which reaches the semiconductor substrate 100 in an active region 106.例文帳に追加

フィールド形成用のシリコン窒化膜１０２を用いて素子分離領域１０５を形成した後、このシリコン窒化膜１０２及び半導体基板１００をパターニングすることにより、半導体基板１００に達するゲートトレンチを活性領域１０６に形成する。 - 特許庁

To prevent the formation of a step cut and to sufficiently prevent the generation of a defect caused by the step cut in the case of a thin-film transistor or other semiconductor devices in which multilayer films are patterned collectively by using one mask pattern.例文帳に追加

一つのマスクパターンを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、薄膜トランジスタその他の半導体装置の製造方法において、段切れの形成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。 - 特許庁

An n- doped GaN diode is provided on the n+ doped GaN diode patterned in a plurality of slender fingers, a metal layer is provided on the n- doped GaN layer to form Schottky junction between the n- GaN layer and the metal layer.例文帳に追加

１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

This decorative sheet for a flooring material is provided with a picture-patterned layer and a surface protecting layer in this order on a rigid film having at least a 100-500 μm thickness, wherein the rigid film has ≥1,000 MPa tensile modulus measured according to the provision of JIS K6734.例文帳に追加

少なくとも厚みが100〜500μmの硬質フィルム上に、絵柄模様層、及び表面保護層を順に有する床材用化粧シートであって、硬質フィルムのＪＩＳ Ｋ６７３４の規定に従って測定した引張り弾性率が1000MPa以上である床材用化粧シート。 - 特許庁

The first set of apertures (12a) surrounding and close to a normal direction to the surface to be inspected (20) is connected to fibers (42) used to collect scattered radiation useful for the detection of micro-scratches and for anomaly detection on patterned surfaces.例文帳に追加

検査される表面（２０）に対して垂直な方向を取り囲んだ第１の組の開口（１２ａ）が、マイクロスクラッチの検出に有用な散乱照射線を集めるために使用されるファイバ（４２）に接続され、パターン化された表面上の異常を検出する。 - 特許庁

When transparent metal films 22A, 22B disposed on both front and rear faces of a transparent substrate 21 are patterned, an opaque layer 27 which blocks exposure light is formed on at least one of the transparent metal films and then photoresist films 23A, 23B are formed.例文帳に追加

透明基材２１の表裏両面に設けた透明金属膜２２Ａ、２２Ｂをパターンに形成する際に、透明金属膜の少なくとも一方の透明金属膜上に露光光を遮光する不透明層２７を形成し、フォトレジスト膜２３Ａ、２３Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a patterned medium type magnetic recording medium preventing deterioration of a substrate surface in a manufacturing step, suppressing variation of worked shape and a loss time until discharge is stabilized and having a stable worked pattern shape and excellent reliability.例文帳に追加

製造工程中にある基板表面の劣化を防ぎ、加工形状のばらつきおよび放電が安定するまでのロス時間を抑制し、加工したパターン形状が安定し信頼性にすぐれたパターンドメディア型磁気記録媒体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a positive photosensitive resin composition that can be patterned by exposure to active rays, such as, UV rays and has higher adhesion to a wafer, a glass base material or an organic substrate serving as a base material in comparison to a conventional electronic and electrical insulating material, and superior in heat resistance.例文帳に追加

紫外線等の活性光線の露光によりパターニングが可能で、基材となるウエーハやガラス基材、有機基板等への密着性が、従来の電子・電気絶縁材料よりも優れ、かつ耐熱性にも優れたポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

This process includes: exposing a first layer 106 to an active radiation through a patterned photomask to develop it and forming a first resist pattern 106' (Fig. 1B), heat-treating the formed resist pattern (Fig. 1C), and treating the surface of the first resist pattern with a substance effective for alkalization (Fig. 1D).例文帳に追加

第１の層１０６を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光・現像して第１のレジストパターン１０６’を形成した（図１Ｂ）後、熱処理し（図１Ｃ）、第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理する（図１Ｄ）。 - 特許庁

A multilayer reflective film 2 and an absorber film 4 are formed on the obtained mask blanking substrate 1 to make the reflective mask blank 10, and the absorber film 4 in the reflective mask blank 10 is patterned to form an absorber pattern to make the reflective mask 20.例文帳に追加

得られるマスクブランク用基板１上に多層反射膜２及び吸収体膜４を形成して反射型マスクブランク１０とし、この反射型マスクブランク１０における吸収体膜４をパターニングして吸収体パターンを形成して反射型マスク２０とする。 - 特許庁

There is provided the foaming sugar-coated food patterned with the mottles in which a recessed part of a sugar-coating material having an uneven pattern on the surface is coated with a foaming coating composition containing a foaming component composed of a carbonate and an acid as principal components and 10-30 wt.% of a solid fat.例文帳に追加

表面に凹凸模様を有する糖衣物の凹部に、主成分として炭酸塩と酸とからなる発泡性成分及び固形脂１０〜３０重量％を含有する発泡性コーティング組成物がコーティングされた斑模様入り発泡性糖衣食品。 - 特許庁

To provide a graphene structure in which graphene is patterned with high precision so that an electronic device element and an electronic device can be fabricated precisely by using the graphene and the production costs of the electronic device element and the electronic device can be reduced remarkably and to provide a method for producing the graphene structure.例文帳に追加

グラフェンを高精度でパターニングすることができ、これにより、グラフェンを用いた電子デバイス要素及び電子デバイスの精細加工が可能であり、製造コストを格段に低減することが可能なグラフェン構造体及びその製造方法等を提供する。 - 特許庁

A rough surface 5 with pyramidal parts 3 ranging in parallel lines 6 is formed on one surface of a patterned film 1 in such a way that the lines 6 are inclined at a prescribed angle to each side 7 of the film 1.例文帳に追加

型フィルム１の一表面には、一直線状に連なる角錐形状の凸部３の列６が平行に複数列形成された粗面５が形成され、この一直線状に連なる凸部３の列６は、型フィルム１の端辺７に対して所定角度で傾斜する。 - 特許庁

An organic compound containing insulating layer 12 is covered with a double layer which is composed of a resist hard mask layer 13 formed on the organic compound containing insulating layer 12 and a resist layer 14 formed on the resist hard mask layer 13, and the double layer is patterned.例文帳に追加

有機化合物含有絶縁層１２を、この有機化合物含有絶縁層１２上に形成されたレジストハードマスク層１３とこのレジストハードマスク層１３上に形成されたレジスト層１４からなる２重層で覆い、次に、この２重層をパターニングする。 - 特許庁

To form a solder resist film using a thermosetting powder coating in a method for forming the solder resist film in a region other than a land 3 of a circuit conductor 2 of a circuit board 1 where the patterned circuit conductor 2 is provided at least on one surface.例文帳に追加

パターニングされた回路導体部２が少なくとも一方面上に設けられた回路基板１の回路導体部２のランド部３以外の領域にソルダーレジスト膜を形成する方法において、熱硬化型粉体塗料を用いてソルダーレジスト膜を形成する。 - 特許庁

To prevent a cross sectional shape of an upper patterned layer film from being tapered, even when the number of processings is increased, in the case that a laminated film having a lower layer film mainly comprising silicon and an upper layer film mainly comprising tungsten or tungsten compound is etched.例文帳に追加

シリコンを主成分とする下層膜と、タングステン又はタングステン化合物を主成分とする上層膜とを有する積層膜に対してエッチングする場合に、処理数が増加しても、パターン化された上層膜の断面形状がテーパ状にならないようにする。 - 特許庁

The first fixing element 16 is arranged in a first region 19 in a frame region 11, in which at least parts of two or more conductors 14 are patterned close to each other, and covers at least parts of the two or more conductors 14.例文帳に追加

第１の固着要素１６は、額縁領域１１のうち、少なくとも２個の導体１４の少なくとも一部分が互いに近接してパターニングされている第１領域１９に配置されて、少なくとも２個の導体１４の少なくとも一部分を被覆する。 - 特許庁

To provide a photo-curable resin composition which is excellent in transparency, chemical resistance, alkali resistance, heat resistance and water resistance, and also has a high compressive strength, thus gives a patterned transparent film and is excellent in process margin, photographic sensitivity and developability.例文帳に追加

透明性、耐薬品性、耐アルカリ性、耐熱性、耐水性に優れ、かつ高い圧縮強度を併せ持ち、表示素子に用いられるパターン化された透明膜を与える、プロセスマージン、感度、現像性に優れた光硬化性樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

Black matrix (BM) material is deposited on a glass substrate 111 and patterned to form a plurality of wells 130, and hydrophobic layers 140 is formed on the top surfaces 125 of walls 120 that define an array of the wells 130 to form a BM glass 110.例文帳に追加

ガラス基板１１１上にＢＭ（ブラックマトリクス）層を形成し、更に複数個のウェル１３０が形成されるようその層をパターニングし、ウェル１３０間を仕切る壁１２０の頂面１２５上に疎水層１４０を形成することにより、ＢＭガラス１１０を形成する。 - 特許庁

External environment is patterned on the basis of a different in air temperature between spring or summer and winter or a difference in solar radiation quantity between rainy weather and fine weather and a relationship between a target blow temperature and a damper position in an air blow port is stored to be one-to-one.例文帳に追加

春夏や冬といった気温の差または雨や快晴等といった日射量の差を条件として外部環境をパターン分けし、各パターン毎に目標吹出し温度と空気吹出口のダンパ位置との関係を一対一に対応させて記憶させておく。 - 特許庁

A step of extracting transducer position information from bit patterned magnetic media includes a step of providing a magnetic storage medium having at least one data array with multiple discrete and separated recording bits and a step of providing the transducer adjacent to the data array.例文帳に追加

ビットパターン化された磁気媒体からトランスデューサ位置情報を抽出するステップは、複数の離散的かつ別個の記録ビットを備えた少なくとも１つのデータアレイを有する磁気記憶媒体を設けるステップと、データアレイに近接してトランスデューサを設けるステップとを含む。 - 特許庁

The coating composition can provide enhanced resolution of a patterned overcoated photoresist layer and includes the use of a low-activation temperature thermal acid generator, as well as, multiple thermal treatment to process a layer of the underlying coating composition.例文帳に追加

本発明の好ましいコーティング組成物および方法は、パターン化されたオーバーコートしたフォトレジスト層の解像度の向上を提供することができ、下地のコーティング組成物の層を処理するため、多重の熱処理と共に低活性化温度熱酸発生剤の使用を含む。 - 特許庁

Further, by cutting off the resin film only in the specific area necessitating etching after the whole surface of the planar display panel is completely covered with the resin film at first, the area necessitating etching can be easily patterned and its positioning can be easily made.例文帳に追加

また、最初に、平面型表示パネルの表面全体を樹脂フィルムで完全に覆った後で、エッチングの必要な特定領域のみ樹脂フィルムを切り取ることにより、容易にエッチング必要箇所のパターニングが可能となり、その位置決めも容易に行える。 - 特許庁

An electrodeposition resist layer 107 is formed by electro-depositing an electrodeposition resist on the surface of the metallic film 106, the electrodeposition resist layer 107 is patterned by a photolithography, thus an electrodeposition resist pattern 171 is formed in the region facing the metallic pattern 141 of a mirror part 131.例文帳に追加

金属膜１０６の表面に電着レジストを電着することで、電着レジスト層１０７を形成し、電着レジスト層１０７をフォトリソグラフィーによりパターニングし、ミラー部１３１の金属パターン１４１と対向する領域に、電着レジストパターン１７１を形成する。 - 特許庁

The patterned paper is produced by mixing an aqueous solution and/or a dispersion of a fluorescent agent with a mucilaginous agent to thicken the liquid, adding the resultant liquid onto a wet paper on wires of a paper machine by any one method selected from dropping, transportation and spraying, and diffusing the added liquid by regulating the shaking action of the paper machine.例文帳に追加

蛍光剤の水溶液および／または分散液と粘剤を混合して増粘させ、これを抄紙機のワイヤー上の湿紙に滴下、流送、スプレーの内の一つ以上の方法で添加し、抄紙機のシェーキング作用を調整することにより拡散させる。 - 特許庁

Next, the silicon substrate 3 is coated with a photoresist and an aligner is used to perform the patterning of the coated silicon substrate 3 through a photomask and the patterned silicon substrate is exposed and developed to be subjected to dry etching to form a minute flow channel groove 8 high in accuracy and having a cross section high in aspect ratio.例文帳に追加

次に、シリコン基板３にフォトレジストをコーティングし、アライナーを使用してフォトマスクでパターンニングをし、露光・現像して、その後、シリコン基板３をドライエッチングすることにより、微小で精度の高い、高アスペクト比の断面を有する流路溝８を作製する。 - 特許庁

An insulation film is deposited on a P-type Si substrate 1, a polysilicon film is formed with a CVD method after a well layer 2 is formed by implanting a P-type impurity such as boron and the like, and a plurality of gate-electrodes patterned with its corner-edge-contact arranged is formed.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上に絶縁膜を堆積し、Ｂ等Ｐ型不純物を注入してウエル層２を形成後、ＣＶＤ法でポリＳｉ膜を形成し、角部の頂点が接するような配置でパターニングされた複数のゲート電極部を形成する。 - 特許庁

A thin film device comprises the flexible substrate (10), a conductive film (14) which is patterned in a specified shape and disposed on one surface side of the substrate, and a hard film (16) which has higher hardness than the conductive film and is provided covering the conductive film.例文帳に追加

可撓性を有する基板(10)と、所定形状にパターニングされており、前記基板の一方面側に設けられる導電膜(14)と、前記導電膜よりも硬度が高く、当該導電膜を覆うようにして設けられる硬質膜(16)と、を備える、薄膜デバイスである。 - 特許庁

The upper electrode 15 of the nonlinear resistance element 16 is formed by sputtering into a second metal film of the same kind as a first metal film as the lower electrode 13, on an insulating film 14 formed by anodically oxidizing the surface of the first metal film, and then patterned by wet etching.例文帳に追加

非線形抵抗素子１６の上部電極１５は、下部電極１３となる第１の金属膜の表面を陽極酸化して形成する絶縁膜１４の上に同種の第２の金属膜をスパッタリング法で形成し、ウエットエッチング法でパターニングして形成する。 - 特許庁

By laminating the substrate 30 and the resin film forming substrate 40, after the patterned resin film 43 is laminated on the mounting surface 27 of the optical element 2, the resin film forming substrate 40 is peeled from the resin film 43 by removing the sacrifice film 42.例文帳に追加

基板３０と樹脂膜形成基板４０とを貼り合わせることにより、パターニングした樹脂膜４３を光学素子２の取り付け面２７に貼り合わせた後、犠牲膜４２を除去することにより樹脂膜形成基板４０を樹脂膜４３から剥離する。 - 特許庁

Finally, the second organic film 105 is etched away using the mask patterns 108 as the masks to form a wiring trench as well as the first organic film 103 is etched away using the patterned silicon containing organic oxide film 104 as the mask to form a contact hole.例文帳に追加

第２の有機膜１０５に対してマスクパターン１０８をマスクとしてエッチングして配線溝を形成すると共に、第１の有機膜１０３に対してパターン化された有機含有シリコン酸化膜１０４をマスクとしてエッチングしてコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

An adhesive sheet is pasted on the surface of the metal films 5, 6, 7, the adhesive sheet is then stripped, the metal films 5, 6, 7 are left inside the opening 3 including its taper part, the metal films 5, 6, 7 on the insulating film 2 in their circumference are removed so as to be patterned.例文帳に追加

金属膜５，６，７の上面に粘着シートを貼り付け、そして、粘着シートを剥がすことにより、テーパ部を含めた開口部３内に金属膜５，６，７を残すとともにその周辺の絶縁膜２上の金属膜５，６，７を除去してパターニングする。 - 特許庁

This decorative sheet for a flooring material is provided with a picture-patterned layer and a surface protecting layer in this order on a rigid film having at least a 100-500 μm thickness, where the rigid film has ≥1,000 MPa tensile modulus measured according to the provision of JIS K6734.例文帳に追加

少なくとも厚みが100〜500μmの硬質フィルム上に、絵柄模様層、及び表面保護層を順に有する床材用化粧シートであって、硬質フィルムのＪＩＳ Ｋ６７３４の規定に従って測定した引張り弾性率が1000MPa以上である床材用化粧シート。 - 特許庁

The flexible substrate resolver includes: a rotor 2; a stator 4 having a plurality of protrusions 3 circumferentially disposed, and radially protruded toward the rotor 2; and a flexible substrate 8 having a surface radially viewing the rotor 2, and formed with an excitation coil 5 and output coils 6, 7 which are patterned.例文帳に追加

ロータ２と、そのロータ２に向けて径方向に突き出た突起３を周方向に複数個並べたステータ４と、上記ロータ２に径方向から基板面を臨ませ励磁コイル５及び出力コイル６，７がパターンで形成されたフレキシブル基板８とを備えた。 - 特許庁

A commutator 54 is patterned on a gauge head 52 of which the dimension along the axial direction of the commutator 54 is sufficiently longer than a clearance between protrusions of cutter marks formed at external surfaces of the segments 56 and of which the width is sufficiently larger than a clearance between the segments 56.例文帳に追加

セグメント５６の外面に形成されたカッターマークの凸部間の間隔よりも整流子５４の軸方向に沿った寸法が充分に長く且つセグメント５６間の間隔よりも厚さ寸法が充分に大きい測定子５２に整流子５４を倣わせる。 - 特許庁

By supplying a means for shifting a patterned projection beam which is incident on a substrate in synchronism with the movement of the substrate during the duration of the pulse of the radiation, movement of the substrate inside is corrected during the duration of the pulse of one-time radiation.例文帳に追加

放射線のパルスの持続時間中に基板の移動と同期させて、基板上に入射するパターン化された投影ビームをシフトする手段を供給することにより、放射線の１回のパルスの持続時間中に内での基板の移動を補正する。 - 特許庁

A pattern formation method according to an embodiment comprises the steps of: forming a heat-shrinkable first film 101 on a base material 100; patterning the first film 101; and heating and shrinking the patterned first film 101.例文帳に追加

本実施形態によるパターン形成方法は、基材１００上に熱収縮性のある第１膜１０１を形成する工程と、前記第１膜１０１をパターニングする工程と、パターニングした前記第１膜１０１を加熱して収縮させる工程とを備える。 - 特許庁