「Random access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

This magnetic random access memory comprises a substrate (1), a magnetoresistive element (5) which includes a ferromagnetic layer (8) having reversible spontaneous magnetization and whose resistance changes according to the direction of the spontaneous magnetization and which is formed above the substrate (1), and wiring (1) through which a current for generating a magnetic field applied to the magnetoresistive element (5) flows.例文帳に追加

本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，基板（１）と、反転可能な自発磁化を有する強磁性層（８）を含み，自発磁化の方向に応じて抵抗が変化し，且つ，前記基板（１）の上方に形成された磁気抵抗素子（５）と，磁気抵抗素子（５）に印加される磁場を発生する電流を流すための配線（１１）とを備えている。 - 特許庁

The OS checks whether elapsing a prescribed time using a time measuring part 16, when elapsing the prescribed time, checks data in a RAM(random-access memory) region storage part 15 under use, clears a counter related to the device to RAM device in which data is written, and increases the counter related to the device in which no data is written.例文帳に追加

時間測定部１６を用いて一定時間が経過したかどうかをチェックし、一定時間経過していれば使用中ＲＡＭ領域記憶部１５内のデータをチェックし、データが書かれているＲＡＭデバイスに対してはそのデバイスに関するカウンタをクリアし、データが書かれていないＲＡＭデバイスに対してはそのデバイスに関するカウンタをインクリメントする。 - 特許庁

To provide a storage element of a magnetic random access memory (MRAM) with a thermally assisted switching writing procedure comprising: a magnetic tunnel junction formed from a magnetic storage layer, a reference layer, and an insulating layer inserted between the reference layer and the storage layer; and a first strap portion laterally connecting one end of the magnetic tunnel junction to a first selection transistor.例文帳に追加

磁気記憶層、基準層及び基準層と記憶層の間に挿入された絶縁層から成る磁気トンネル接合部と、磁気トンネル接合部の一方の端を第一の選択用トランジスタと横方向に接続する第一のストラップ部分とを有する、熱アシストスイッチング書込手順による磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）の記憶素子である。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このＤＭＤにおいては、シリコン基板１０の主面に１セル分のアドレス回路としてＳＲＡＭ１２がモノシリックに形成されるとともに、このＳＲＡＭ１２の上に酸化膜１４を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる１セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子１６がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

The thermal printer includes: a plurality of heating elements 8; a thermal head 1 which is under thermal control per dot; a RAM (Random Access Memory) 7 which stores density data (printing gradation values) of each dot or values related thereto when the thermal head 1 is driven at a same gradation data (predetermined gradation value) and performs printing.例文帳に追加

本発明によるサーマルプリンタは、複数の発熱体８を有し、ドット単位で発熱制御されるサーマルヘッド１と、サーマルヘッド１を同一の階調データ（所定の階調値）で駆動して印画した際における、各ドットの濃度データ（印画階調値）あるいはそれに関連した値を記憶するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）７とを備える。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive random access memory (MRAM) cell based on a thermally assisted switching writing procedure, comprising a magnetic tunnel junction having at least a first magnetic layer, a second magnetic layer, an insulating layer disposed between the first and second magnetic layers, further comprising a select transistor and a current line electrically connected to the junction.例文帳に追加

少なくとも第一の磁気レイヤ、第二の磁気レイヤ及び第一の磁気レイヤと第二の磁気レイヤの間に配置された絶縁レイヤを有する磁気トンネル接合部を備え、更に、選択トランジスタと、接合部と電気的に接続された電流ラインとを備えた熱アシストスイッチング式書き込み手順にもとづく磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory cell 100 comprises an insulating substrate 110, an electrically conductive base line 130 provided on the insulating substrate, at least one magnetic quantum dot 150 attached to the base line, and an electrically conductive top line 160 provided across at least one magnetic quantum dot in a direction transverse to the base line.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリセル１００は、絶縁性基板１１０と、この絶縁性基板上に設けられる導電性のベースライン１３０と、このベースラインに取り付けられる少なくとも１つの磁気量子ドット１５０と、ベースラインを横切る方向に少なくとも１つの量子ドットのところで交差して設けられる導電性のトップライン１６０を有する。 - 特許庁

An SDRAM (static and dynamic random access memory) module MMD is constituted of macro selection circuits MSE0 to 3 to select whether or not instructions from the outside is carried out, operation registers provided in the macro selection circuits so that the instructions selected by the macro selection circuits are programmed from the outside and SDRAMs 10 to 13 to be operated by receiving instructions from the macro selection circuits.例文帳に追加

ＳＤＲＡＭモジュールＭＭＤを、外部からの命令を実行するか否かを選択するマクロ選択回路ＭＳＥ０〜３と、このマクロ選択回路が選択する命令を外部よりプログラムできるようにマクロ選択回路内に設けたオペレーションレジスタと、マクロ選択回路からの指示を受けて動作するＳＤＲＡＭ１０〜１３により構成する。 - 特許庁

The magnetic random access memory disclosed herein includes a magneto-resistance effect element MTJ, a write line 42 for providing a magnetic field for data write to the magneto-resistance effect element MTJ, and a means Is2 for increasing the temperature of the magneto-resistance effect element MTJ more than that of other magneto-resistance effect elements during the data write.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにデータ書き込みのための磁場を与える書き込み線４２と、データ書き込みを行っている間、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの温度をそれ以外の磁気抵抗効果素子の温度よりも高くする手段Ｉｓ２とを備える。 - 特許庁

This magnetic random access memory is provided with a magneto resistance effect element MTJ and current source circuits I1, I2, I3 for giving bias current/voltage to the magneto resistance effect element MTJ when data of the magneto resistance effect element MTJ is read out, a value of the bias current/voltage does not depend on a power source potential, and is varied depending on temperature.例文帳に追加

本発明の例に関わる磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子ＭＴＪのデータを読み出すときに、磁気抵抗効果素子ＭＴＪにバイアス電流／電圧を与えるための電流源回路Ｉ１，Ｉ２，Ｉ３とを備え、バイアス電流／電圧の値は、電源電位に依存せず、温度に依存して変化する。 - 特許庁

Then, the setting value of the size and position or the like for display of the signal on the slave screen is recorded and preserved in a random access memory RAM 13, and the setting value is fed through the central processing unit 11 to the OSD 12 which generates a graph so as to be reduced or magnified corresponding to the magnification or reduction of the image on the slave screen.例文帳に追加

そして子画面の表示のサイズ及び位置等の設定値はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１３に記録保存され、この設定値が中央処理装置１１を通じて重畳表示手段１２に供給されて子画面の拡大または縮小に対応して縮小または拡大するように図形の発生が行われる。 - 特許庁

In the method for fabricating a dynamic random access memory having a data storage capacitor structure and a data transfer gate, a dummy gate member 13 wider than the transfer gate 12 is formed together with the transfer gate 12 contiguously to the end of an array of the transfer gate 12 prior to a step for forming the capacitor structure 16 on the transfer gate 12 through an interlayer dielectric.例文帳に追加

データ蓄積用のキャパシタ構造及びデータのトランスファゲートを有するダイナミックランダムアクセスメモリの製造に関し、トランスファゲート１２上方に層間絶縁膜１２を介してキャパシタ構造１６を形成する前の工程において、トランスファゲート１２配列の端部に隣接してトランスファゲート１２より幅広のダミーゲート部材１３をトランスファゲート１２と共に形成する。 - 特許庁

A data transfer circuit 30 is configured by an SRAM (Static Random Access Memory) 304 for once storing the data transferred from the CPU, a bus switch 302 for disconnecting the SRAM 304 from a bus 11 after the data is stored into the SRAM 304, and a logic circuit 306 for reading the data out of the SRAM 304 and for supplying the data to a decoder 32.例文帳に追加

ＣＰＵから転送されたデータを一旦格納するためのＳＲＡＭ３０４と、ＳＲＡＭ３０４にデータが格納された後、当該ＳＲＡＭ３０４をバス１１から切り離すバススイッチ３０２と、ＳＲＡＭ３０４からデータを読み出して、デコーダ３２に供給するロジック回路３０６とによって、データ転送回路３０を構成する。 - 特許庁

A resource board for a circuit emulator holds other emulation resources such as a programmable logic device (PLD) and a random access memory (RAM), and employs both hard-wired and network-based virtual signal paths to flexibly route signals between the emulation resources on the resource board and resources mounted on other resource boards, workstations and other external equipment.例文帳に追加

回路エミュレータ用のリソースボードは、プログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）とランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のような他のエミュレーションリソースを具備し、ハードワイヤードでネットワークベースの仮想信号通路を用いてリソースボード上のエミュレーションリソースと、他のリソースボード上に取り付けられたリソース及びワークステーション並びに他の外部機器の間に柔軟に信号を送る。 - 特許庁

A semiconductor random access memory device with the characteristics of having the matrix of memory cells (C11) that includes the first MIS element (QW11), the drain (3) or the source (4) of the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the first MIS element (QW11), gate input capacity information storage capacitor (CS11) for the second MIS element (QW11). In the matrix of the memory array, the drain of the said first MIS element (QW11) electrically connected to the drain of the second MIS element (QW11), … connecting so that the data line (D1) orthogonally to sense (S1) and word (W1) lines of the each memory cell of the array. 例文帳に追加

第１のMIS素子（Qｗ11）と、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとして用いて前記第１のMIS素子（Qｗ11）の上に積み重ね形成された第２のMIS素子（QR11）と、この第２のMIS素子（QR11）のゲート入力容量である情報蓄積用のキャパシタ（Cｓ11）とを有したメモリセル（C11）をマトリックス状に配列したメモリアレイにおいて前記第１のMIS素子（Qｗ11）のドレインを第２のMIS素子（QＲ11）のドレインと電気的に結合して、……、データ線（D1）をメモリアレイの各メモリセル間にセンス線（S1）及びワード線（W1）に直交するように配線することを特徴とする半導体ランダムアクセスメモリ装置。 - 特許庁

To provide a spin injection magnetization reversal element which has high perpendicular magnetic anisotropy and moreover does not deteriorate the perpendicular magnetic anisotropy by heat treatment, a magnetic random access memory and an optical modulator constituted by using this spin injection magnetization reversal element, a display device, a holography apparatus, and a hologram recording apparatus constituted by using this optical modulator, and a method of manufacturing the optical modulator.例文帳に追加

高い垂直磁気異方性を有し、また、熱処理によっても垂直磁気異方性が劣化することのないスピン注入磁化反転素子、このスピン注入磁化反転素子を用いて構成される磁気ランダムアクセスメモリおよび光変調器、この光変調器を用いて構成される表示装置、ホログラフィ装置およびホログラム記録装置、この光変調器の製造方法を提供する。 - 特許庁

The voltage regulator for the dynamic random access memory is further provided with a circuit for generating a reference voltage from a voltage supplied from the outside, an amplifier for amplifying the reference voltage by a gain larger than one unit to generate an internal supply voltage to be used by first and second buses, and a control logic for generating a control signal to control the amplifier.例文帳に追加

また、本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、外部から供給された電圧から基準電圧を生成する回路と、第１バス及び第２バスで利用可能な内部供給電圧を生成するために、１単位よりも大きなゲインで基準電圧を増幅するための増幅器と、 増幅器を制御するための制御信号を生成する制御ロジックと、を有している。 - 特許庁

The spin injection magnetic random access memory relating to the example executes write to a magnetoresistance effect element MTJ by using a spin polarized electron generated by a spin injection current Is, and is provided with means AL, D1 and S1 for impressing a magnetic field in the magnetization hard axis direction of the magnetoresistance effect element MTJ to the magnetoresistance effect element MTJ when executing the write.例文帳に追加

本発明の例に関わるスピン注入磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入電流Ｉｓにより発生させたスピン偏極電子を用いて磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対する書き込みを実行し、書き込み時に、磁気抵抗効果素子ＭＴＪに対して、磁気抵抗効果素子ＭＴＪの磁化困難軸方向の磁場を印加する手段ＡＬ，Ｄ１，Ｓ１を備える。 - 特許庁

This magnetic random access memory (MRAM) comprises data storage unit including a fixed layer, a non-magnetic layer, and a free layer, a data input means connected electrically to both ends of the free layer to input data to the data storage unit, and a data output means connected electrically to the free layer and the fixed layer to output data stored in the data storage unit.例文帳に追加

固定層、非磁性体層及び自由層を含むデータ貯蔵ユニットと、前記データ貯蔵ユニットにデータを入力するために前記自由層の両端に電気的に接続されたデータ入力手段と、前記データ貯蔵ユニットに貯蔵されたデータを出力するために前記自由層及び固定層に電気的に接続されたデータ出力手段とを含む磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）とした。 - 特許庁

The nonvolatile memory of the present invention that is a nonvolatile RAM performing reading and writing of data at random comprises an initialization means which outputs, when an initialization signal is inputted, an interruption control signal, and initializes any one or all of memories; and an access interruption means which interrupts, when the interruption control signal is input, external accesses while the initialization is performed.例文帳に追加

本発明の不揮発性メモリは、ランダムにデータの読み書きを行う不揮発性ＲＡＭであり、イニシャライズ信号が入力されると、遮断制御信号を出力するとともに、メモリのいずれか、あるいは全てをイニシャライズするイニシャライズ手段と、遮断制御信号が入力されると、イニシャライズが行われている期間、外部からのアクセスを遮断するアクセス遮断手段とを有する。 - 特許庁

In this random access method for XML documents of table format and its program, processing is performed in: an analysis section 13 for analyzing a DOM 12 to generate a table 14; an editing part 15 editing to make a display based on the DOM 12 and the table 14 developed on a memory 2; and an operating section 17 for operating the DOM 12 and table 14.例文帳に追加

ＤＯＭ１２を解析してテーブル１４を生成するための解析部１３と、メモリ２上に展開されたＤＯＭ１２及びテーブル１４に基づいて表示を行なうために編集を行なう編集部１５と、表示部１６の表示に応じた所定の指示に基づいてＤＯＭ１２及びテーブル１４を操作するための操作部１７とにおいて処理を行なわせるテーブル形式のＸＭＬ文書のランダムアクセス方法及びそのプログラムを提供する。 - 特許庁

This editing method is provided for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加

未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁

This invention provides the editing method for editing unedited video by utilizing a system provided with a storage means for recording the unedited video onto a random access memory and a computer for controlling the storage means and includes a step of displaying a user interface for a plurality of editing operations on a display device of the computer and a step of using the user interface displayed on the display device to apply editing operations to the unedited video.例文帳に追加

未編集ビデオをランダムアクセス可能な記録媒体に記録する記憶手段と、上記記憶手段を制御するコンピュータとを備えたシステムを利用して、上記未編集ビデオを編集するための編集方法であって、複数の編集オペレーションのためのユーザインターフェースを、上記コンピュータのディスプレイに表示するステップと、上記ディスプレイに表示されているユーザインターフェースを使用して、上記未編集ビデオに対して編集オペレーションを施すステップを含む。 - 特許庁

The EU and the United States initiated countervailing duty investigations on July 25, 2002, and November 27, 2002, respectively, against imports of DRAMs (Dynamic Random Access Memory) manufactured by Hynix and Samsung Corporations of Korea. According to the petitions, Korean DRAM producers benefited from corporate bonds issued by the Korean Development Bank and other institutions, as well as from new investment and debt restructuring measures introduced by the Korean Government in 2001 to help rebuild Korea's industry after the Asian financial crisis.例文帳に追加

アジア通貨危機を背景とした、韓国開発銀行等による社債引受、並びに2001年に行われた韓国政府及び関係金融機関による新規融資、債務繰り延べ等の再建支援策から利益を受けた韓国のハイニックス社及びサムソン社製造のDRAM（記憶保持動作を必要とする随時書き込み及び読み出しが可能な半導体記憶素子）輸入により、国内産業への損害が発生したとして、EUは2002年７月25日に、米国は同年11月27日に、それぞれ相殺関税調査を開始した\\ - 経済産業省