「Random access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Each branch has a space stage that selects and packs at least a subset of data to be exchanged from an input data flow and a 2nd time stage including a random access memory device relating to a write memory and read memory that store sub sets of exchanged data and driven by a microprocessor and a main counter.例文帳に追加

このブランチの各々は少なくとも、交換されるデータのサブセットを入力データフローから選択しパックすることができる空間ステージと、交換されるデータのサブセットを格納することができかつマイクロプロセッサと主カウンタによって駆動される書込みメモリと読取りメモリに関連するランダムアクセスメモリ装置を含む第２の時間ステージとを含む。 - 特許庁

To increase a manufacturing yield of a Ti-Al alloy target for forming a film such as a Ti-Al-N film used for FeRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) or DRAM, besides reducing an amount of the impurities, and to enhance the film quality.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。 - 特許庁

The correlation arithmetic results are sequentially stored in prescribed addresses of a random access memory 31, arithmetic circuits 32, 33 read the stored data and process the data to apply correlation arithmetic operations to division codes A, B and a filter output is obtained on the basis of the arithmetic results.例文帳に追加

この相関演算結果をランダムアクセスメモリ３１の所定番地に順次記憶し、記憶データを読み出して演算回路３２，３３で処理して、分割符号Ａ及びＢとの相関演算を行い、これら演算結果に基づいてフィルタ出力を得る。 - 特許庁

Since the random access memory 36d stores no destination telephone number stored in the mobile phone HN but stores the address number, a storage means needing a high storage capacity is not required and number of components can be reduced.例文帳に追加

ランダムアクセスメモリ３６ｄには、携帯電話機ＨＮに記憶されている相手先電話番号を記憶するのではなく、アドレス番号を記憶するので、記憶容量の大きな記憶手段を不要にし、部品点数の低減等を図ることができる。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory (MRAM) in which the set value of writing current in a writing test mode is switched to a value smaller than and a value larger than those in normal use to realize evaluation of an erroneous margin or a writing margin resulting in the high reliability of the MRAM.例文帳に追加

ＭＲＡＭにおいて、書き込みテストモードにおいて書き込み電流の設定値を、通常使用時よりも小さい値と大きい値を切り替えて誤書き込みマージンや書き込みマージンを評価することを可能とし、高信頼性を実現する。 - 特許庁

To increase a manufacturing yield of a Ti-Al alloy target for forming a film such as a Ti-Al-N film used for FeRAM (Ferroelectrics Random Access Memory) or DRAM, besides reducing an amount of the impurities, and to enhance the film quality.例文帳に追加

ＦｅＲＡＭやＤＲＡＭなどに使用されるＴｉ−Ａｌ−Ｎ膜などの成膜用のＴｉ−Ａｌ合金ターゲットにおいて、不純物量の低減を図った上で、ターゲットの製造歩留りを高めると共に、膜品質の向上などを図る。 - 特許庁

In the ferroelectric random access memory device, a pulse generator circuit generates a pulse signal in response to the transition of an address and a chip enable buffer circuit activates a chip enable flag in response to a first transition of the pulse signal.例文帳に追加

本発明の強誘電体ランダムアクセスメモリ装置によると、パルス発生回路はアドレスの遷移に応答してパルス信号を発生し、チップイネーブルバッファ回路は前記パルス信号の第１遷移に応答してチップイネーブルフラグ信号を活性化させる。 - 特許庁

To provide a magnetic tunnel junction type magnetic random access memory cell array that achieves both the thermal stabilization of the magnetization of a free layer and reduction in electric current required for changing the direction of magnetization, to improve operational performance.例文帳に追加

フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

This method and architecture is for a host 302 having the processing capacity of a CPU level for accessing to a nonvolatile random access memory (NVRAM) and, at least, a single controller 306 via a simple 3-wire/4-wire mechanism.例文帳に追加

本発明は、単純な３線／４線メカニズムを介して不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）と少なくとも１つのコントローラ３０６とにアクセスするためＣＰＵレベルの処理容量を具備したホスト３０２に対して方法およびアーキテクチャを提供する。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

The device is the semiconductor memory device constituted by arranging NAND strings in which a plurality of electrically rewritable non-volatile memory cells are connected in series, the device has a first data region and a second data region which has smaller capacity than that of the first data region and achieves high speed random access.例文帳に追加

複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続されたＮＡＮＤストリングを配列して構成される半導体記憶装置であって、第１のデータ領域と、前記第１のデータ領域に比べて小容量でかつ高速のランダムアクセスが可能な第２のデータ領域とを有する。 - 特許庁

The solid state storage device 100 is constituted by comprising a memory device 114 including any one of an atomic resolution storage device (ARS) and a magnetic random access memory (MRAM), a controller 400, and an integrated connector 104 to be used for directly connecting the storage device 100 with the other device.例文帳に追加

原子分解能記憶装置（ＡＲＳ）と磁気ランダム・アクセス・メモリ装置（ＭＲＡＭ）とのいずれか１つを含むメモリ装置１１４と、コントローラ４００と、記憶装置１００を別の装置に直接に接続するために使用される一体型コネクタ１０４とを含んでなる固体記憶装置１００を提供する。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第１磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第２磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁

To provide a technology for writing data into a magnetic recording layer using the movement of a magnetic wall and easily initializing a magnetization fixed region of the magnetic recording layer and the position of the magnetic wall for a magnetic random access memory having the magnetic recording layer having vertical magnetic anisotropy.例文帳に追加

磁壁移動によって磁気記録層へのデータ書き込みを行い、且つ磁気記録層の磁気異方性が垂直方向である磁気ランダムアクセスメモリに対して、磁気記録層の磁化固定領域及び磁壁位置の初期化を容易に行うための技術を提供する。 - 特許庁

When accordance decision is performed by the collation part 20, the CPU 10 specifies a replacement instruction storage address corresponding to the replaced instruction storage address in reference to a correspondence address table 63 stored in a RAM (Random Access Memory) 60 in place of an instruction of the execution address.例文帳に追加

そして、照合部２０により合致判定されると、ＣＰＵ１０は、当該実行アドレスの命令に代えて、ＲＡＭ６０に格納された対応アドレステーブル６３を参照し、当該被置換命令格納アドレスに対応する置換命令格納アドレスを特定する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory enabling remarkable reduction of a writing current value and writing of high reproducibility at a short pulse by contriving the crystal state of a magnetic layer of writing wiring with a yoke covering at least a part with a magnetic body.例文帳に追加

少なくとも一部が磁性体で被覆されたヨーク付きの書き込み配線の磁性層の結晶状態を工夫することにより、書き込み電流値の大幅な低減と、短パルスで再現性の高い書き込みを可能とした磁気ランダムアクセスメモリを提供する。 - 特許庁

To provide a SRAM (Static Random Access Memory) cell capable of performing reading and writing operations simultaneously without collision while reducing a size of cell, by providing a dual port SRAM cell constituted of six transistors.例文帳に追加

６個のトランジスタから構成されたデュアルポートＳＲＡＭセルを提供することによって、セルのサイズを縮小しながらも読み出しと書き込みが衝突なし同時に可能にしたＳＲＡＭ(Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ)セルを提供すること。 - 特許庁

In this device 30, a nonvolatile random access memory(NVRAM) structure comprises an implantation element 32 in a single-crystal silicon substrate 34, an insulating layer 36 on the substrate 34, an silicon-on-insulator(SOI) layer 38 on the insulating layer 36, and a sense element 40 in an SOI layer 38 overlapping the implanting element.例文帳に追加

不揮発性ランダム・アクセス・メモリ（ＮＶＲＡＭ）構造が、単結晶シリコン基板内の注入要素と、基板の上の絶縁層と、絶縁層の上のシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層と、注入要素の上に重なるＳＯＩ層内のセンス要素とを含む。 - 特許庁

The resistance random access memory element 20 includes: a variable resistance film having a titanium oxide film 2 and a zirconium oxide film 3; a first electrode 1 formed under the titanium oxide film 2; and a second electrode 4 formed on the zirconium oxide film 3.例文帳に追加

抵抗変化型メモリ素子２０は、酸化チタン膜２と酸化ジルコニウム膜３とを有する抵抗変化膜と、前記酸化チタン膜２下に形成された第１の電極１と、前記酸化ジルコニウム膜３上に形成された第２の電極４とを備えている。 - 特許庁

The magnetoresistive random access memory architecture 10 includes a plurality of data columns each including a first plurality of non-volatile magnetoresistive elements 13, and a reference column 12 arranged adjacent to the plurality of data columns and including a second plurality of nonvolatile magnetoresistive elements 12.例文帳に追加

磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ・アーキテクチャ１０は、各々第１の複数の不揮発性磁気抵抗エレメント１３を含む複数のデータ列と、複数のデータ列に隣接して配置され、第２の複数の不揮発性磁気抵抗エレメントを含む基準列１２とを含む。 - 特許庁

In a step 120, picture data corresponding to a display picture being displayed at present among entire picture data of map pictures stored in the first storage area M1 of a VRAM(video random access memory) 11 are copied and stored in another forth storage area of the VRAM 11.例文帳に追加

ステップ１２０では、ＶＲＡＭ１１の第１記憶領域Ｍ１に記憶されている地図画像全体の画像データのうち、現在表示されている表示画像に該当する画像データを、ＶＲＡＭ１１の他の第４記憶領域Ｍ４にコピーして記憶する。 - 特許庁

This AV information recording device is provided with a writable disk 1 such as a hard disk or a DVD-RAM(digital versatile disk-random access memory), a hard disk driving section driving the disk 1, a first head 2 reading/writing data from/to the disk 1, and a second head 3 reading data from the disk 1.例文帳に追加

本発明のAV情報記録装置は、ハードディスク、DVD-RAMのような書き込み可能なディスク1と、このディスク1を駆動するハードディスク駆動部と、ディスク1にデータの読み取り／書き込みを行う第一ヘッド2と、ディスク1からデータの読み取りを行う第二ヘッド3を有する。 - 特許庁

At least one of a CF card 4 installed to the drive recorder body 5 via a CF card IF 17 and a hard disk 25 of a navigation device 2 is made to record peripheral information, stored in a recorder side RAM (Random Access Memory) 16 in each prescribed condition.例文帳に追加

所定の条件毎に、レコーダ側ＲＡＭ１６に記憶された周囲情報を、ＣＦカードＩＦ１７を介してドライブレコーダ本体５に装着されるＣＦカード４およびナビゲーション装置２のハードディスク２５の少なくともいずれか一方に記録させる。 - 特許庁

The magnetic random access memory is equipped with: multiple MRAM arrays 32 wherein magnetoresistive elements are integrated; and multiple magnetic shields 33, each of which is provided for each MRAM array 32 to prevent interlinkage of a disturbing magnetic field with the MRAM array 32.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気抵抗素子が集積化された複数のＭＲＡＭアレイ３２と、ＭＲＡＭアレイ３２のそれぞれに対して設けられ、外乱磁界がＭＲＡＭアレイ３２に鎖交することを防ぐための複数の磁気シールド３３とを具備している。 - 特許庁

The device includes a plurality of static random access memory cells 300 each of which includes a pair of driver transistors 302a and 302b each including a pFET, a pair of load transistors 304a and 304b each including an nFET, and a pair of transfer gates 306a and 306b each including a pFET.例文帳に追加

ｐＦＥＴからなる一対のドライバトランジスタ３０２ａ、３０２ｂと、ｎＦＥＴからなる一対の負荷トランジスタ３０４ａ、３０４ｂと、ｐＦＥＴからなる一対のトランスファゲート３０６ａ、３０６ｂとからなる複数のスタティックランダムアクセスメモリセル３００を具備する。 - 特許庁

To provide a small-scale read/reset system reading information stored in a prescribed address and resetting a storage region of the address, when using a random access memory as a status register for storing an alarm of a monitored device and status information.例文帳に追加

監視対象の装置のアラームやステータス情報を格納するステータス・レジスタとしてランダム・アクセス・メモリを使用する場合に、特定のアドレスに格納されている情報を読み出した後に当該アドレスの記憶領域をリセットするリード・リセット方式を小規模で提供する。 - 特許庁

To provide the device structure of a superconducting random access memory of ultra high speed and a large scale, of which the high temperature process can be employed for most of manufacturing processes, a memory cell can be miniaturized, an inductance can be efficiently formed on a DC bias current supply line, and a magnetic field is not affected by the bias current.例文帳に追加

大部分の製造工程に高温プロセスを採用することができ、また、メモリセルの小型化が可能であり、さらに、直流のバイアス電流供給線路に効率的にインダクタンスを形成でき且つこのバイアス電流による磁場の影響を受けない、超高速で、大規模な、超伝導ランダムアクセスメモリのデバイス構造を提供する。 - 特許庁

A level detector 12 of a DRAM (dynamic random access memory) resets a flip-flop 27, 28, when the external reference voltage VR2 becomes lower than the threshold potential in the voltage test mode, to produce the internal power-supply potential VCCP according to the external reference potential VR2, and releases the voltage test mode.例文帳に追加

ＤＲＡＭのレベル検出器１２は、外部基準電位ＶＲ２に従って内部電源電位ＶＣＣＰを生成するための電圧テストモードにおいて、外部基準電位ＶＲ２がしきい値電位よりも低下したことに応じてフリップフロップ２７，２８をリセットし、電圧テストモードを解除する。 - 特許庁

The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁

The power supply for a dynamic random access memory is equipped with multiple array blocks and multiple pads arranged in the center of the multiple array blocks, arranged near the multiple pads and equipped with multiple voltage source for generating the supply voltage to the multiple array blocks.例文帳に追加

本発明は、複数のアレイブロックと、複数のアレイブロックの中央に配置された複数のパッドとを具えるダイナミックランダムアクセスメモリ用の電源であって、複数のパッドの近傍に配置され、複数のアレイブロックへの供給電圧を生成するための複数の電圧源を具えている。 - 特許庁

This portable computing device uses a first processor used to provide the functionality of a greater part of the portable computing device, and a second processor used to read an audio file from a random access memory and to present the read file to a user.例文帳に追加

本発明の一態様によれば、ポータブルコンピューティングデバイスは、ポータブルコンピューティングデバイスの大部分の機能性を提供するために使用される第１のプロセッサと、ランダムアクセスメモリからオーディオファイルを読み出し、この読み出したものをユーザに提示するために使用される第２のプロセッサと、を利用する。 - 特許庁

This device is a dynamic random access memory cell operated with read lines (r1), word lines (w1), and bit lines (b1), and comprising of a first transistor connected between a bit line and a word line, a second transistor connected between a bit line and a read-line, and a third other transistor connected between two transistors and accumulating electric charges.例文帳に追加

リードライン（ｒｌ）、ワードライン（ｗｌ）、およびビットライン（ｂｌ）で動作し、ビットラインとワードライン間に接続された第一のトランジスタ、ビットラインとリードライン間に接続された第二のトランジスタ、他の二つトランジスタの間に接続されて電荷の蓄積を行う第三のトランジスタからなるダイナミックランダムアクセスメモリセル。 - 特許庁

Furthermore the polycrystalline silicon film 77 and the granular silicon crystal 76 are removed from the top surface of the silicon oxide film 50 by etch-back, and the electrode of a DRAM(dynamic random access memory) data storage capacitor device is composed of a polycrystalline silicon film 77 and a granular silicon crystal 76.例文帳に追加

さらにシリコン酸化膜５０上面の多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６をエッチバックして除去し、多結晶シリコン膜７７および粒状シリコン結晶７６からなるＤＲＡＭの情報蓄積用容量素子を構成する下部電極を形成する。 - 特許庁

An address number denoting a storage location of a destination telephone number stored in a storage section MEM of a mobile phone HN is cross-referenced with a plurality of input means and the result is stored in a random access memory 34d provided to a control section 36 of the hands- free device 11 as registration data.例文帳に追加

携帯電話機ＨＮの記憶部ＭＥＭ中に記憶されている相手先電話番号の格納場所を示すアドレス番号を複数の入力手段に対応付け、登録データとしてハンズフリー装置１１中の制御部３６に備えられているランダムアクセスメモリ３６ｄに記憶する。 - 特許庁

This memory cell is composed of two MIS elements forming specific circuit in the memory cell circuit and a capacitor in which the first MIS element (QW11) and the second MIS element (QR11) formed above the former, further the either the source or drain of the first MIS element (QW11) is made function as the gate to the second MIS element (QR11) carrying a capacitor (CS11) thereby achieving a semiconductor random access memory device which is simplified. 例文帳に追加

特定のメモリセル回路を構成する２個のMIS素子と１個の情報蓄積用キャパシタとよりなるメモリセルを、第１のMIS素子（Qｗ11）と、この上に積み重ね形成され、かつ、第１のMIS素子（Qｗ11）のソース及びドレインのいずれか一方の領域をゲートとした第２のMIS素子（QＲ11）と、第２のMIS素子（QＲ11）のゲート部分に寄生する容量（Cｓ11）とで構成しているので、複雑な素子構造をなくした半導体ランダムアクセスメモリ装置を達成できる。 - 特許庁

A switching element and a storage node linked with the switching element are provided and the storage node is a phase-change random access memory having a bottom electrode, a top electrode, a phase-change substance layer interposed between the bottom electrode and the top electrode, and an adhesion interfacial layer interposed between the bottom electrode and the phase-change substance layer.例文帳に追加

スイッチング素子及びスイッチング素子に連結されるストレージノードを具備し、ストレージノードは、下部電極及び上部電極、下部電極と上部電極間との間に介在された相変化物質層、及び、下部電極と相変化物質層との間に介在される粘着界面層を有する相変化メモリ素子である。 - 特許庁

When any of a plurality of the input means is operated, the control section 36 acquires an address number corresponding to the operated input means from the random access memory 36d and the address is supplied to the connected mobile phone HN, which makes dialing of the destination telephone number corresponding to the address number.例文帳に追加

複数の入力手段のうち何れかの入力手段が操作されると、制御部３６が、操作された入力手段に対応するアドレス番号をランダムアクセスメモリ３６ｄより取得し、接続された携帯電話機ＨＮに供給し、アドレス番号に対応する相手先電話番号に基づいて発信を行わせる。 - 特許庁

An image varying means can varyingly display crosswise identification information of more than one kind, and reads image data stored in a random access memory to store temporarily basic date supplied from a basic data supply means, and sends in order to display on an image display device.例文帳に追加

画像変動手段は、複数種類の識別情報を左右方向に変動表示させることが可能であり、かつ、基本データ供給手段から供給された基本データを一時記憶するランダムアクセスメモリにより記憶されている画像データを読み出して画像表示装置に表示させるべく送信する。 - 特許庁

The magnetic random access memory for making the inverted magnetic field drop includes a first antiferromagnetic layer, a fixed layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the fixed layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a metal multilayer formed on the ferromagnetic free layer.例文帳に追加

本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。 - 特許庁

To provide: a magnetoresistive element structure that prevents characteristic deterioration of a magnetoresistive element due to heat etc., generated by heating or current injection during element manufacture; a magnetic random access memory using the magnetoresistive element structure; and a spatial light modulator using the magnetoresistive element structure.例文帳に追加

素子作製時の加熱や、電流注入によって生じる熱等による磁気抵抗効果素子の特性劣化を防止することができる磁気抵抗効果素子構造体、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた磁気ランダムアクセスメモリ、この磁気抵抗効果素子構造体を用いた空間光変調器を提供する。 - 特許庁

This pachinko machine 1 stores the game information on the game state in a RAM(random access memory) 83C, feeds a backup voltage to the RAM 83C from a large-capacity capacitor C via connectors C2 and C3 when the operating voltage drops to a prescribed value or below, and can preserve the game information stored in the RAM 83C.例文帳に追加

パチンコ機１は、遊技状態に関する遊技情報をＲＡＭ８３Ｃに記憶し、動作用電圧が所定値以下に低下した場合に、ＲＡＭ８３Ｃに大容量コンデンサＣ１からバックアップ電圧をコネクタＣ２及びＣ３を介して供給して、ＲＡＭ８３Ｃに記憶されている遊技情報を保存できる。 - 特許庁

The integrated circuit has, on one hand, a RAM(random access memory) for the purpose of storing the pattern, and has, on the other hand, an extraction means (PE) for the purpose of extracting the pixels as a function indicating the number of bit per pixel from a selected pattern, and supplying a coding means(CM) with the extracted pixels.例文帳に追加

集積回路は、一方では、パターンを保存することを目的とするＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）を備え、また他方では、選択されたパターンからピクセル当りのビット数を示す関数としてピクセルを抽出し、それらの抽出されたピクセルを符号化手段（ＣＭ）に供給することを目的とする抽出手段（ＰＥ）を備える。 - 特許庁

In the monitoring recording/reproducing device, an equipped RAM (high-speed random access memory) for alarm recording is utilized to control read from a hard disk drive and that from the RAM, thus switching the display without any additional costs and any breaks from the time shift reproduction to the live video reproduction.例文帳に追加

監視記録再生装置において、アラーム録画用の具備したＲＡＭ（高速ランダムアクセスメモリ）を利用し、ハードディスクドライブからの読み出しと、前記ＲＡＭからの読み出しを制御することで、余分なコストをかけることなくタイムシフト再生からライブ映像再生に切れ目を作ることなく表示を切替えることができる。 - 特許庁

This random access memory device is provided with NMOS transistors 14 connecting one end of plate lines PLS0-PLSm to word lines WL 0-WLm in accordance with switch control signals SELa, SELb, and NMOS transistors 16 connecting the other end of plate lines PLS0-PLSm to reference voltage (ground voltage) in accordance with switch control signals PRCHGa, PRCHGb.例文帳に追加

スイッチ制御信号ＳＥＬａ，ＳＥＬｂに応じてプレートラインＰＬＳ０〜ＰＬＳｍの一端をワードラインＷＬ０〜ＷＬｍに接続するＮＭＯＳトランジスタ１４と、スイッチ制御信号ＰＲＣＨＧａ，ＰＲＣＨＧｂに応じてプレートラインＰＬＳ０〜ＰＬＳｍの他端を基準電圧（接地電圧）に接続するＮＭＯＳトランジスタ１６とを設ける。 - 特許庁

And a method of manufacturing the magnetic random access memory is characterized that the tunnel oxide film is formed by atomic layer laminating method, and the other material films, especially the anti-oxidation film, are formed by a non-atomic layer laminating method.例文帳に追加

磁気トンネル接合層が下部磁性膜、酸化防止膜、トンネル酸化膜および上部磁性膜で構成されたことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ、ならびに前記トンネル酸化膜は原子層積層法で形成し、他の物質膜、特に前記酸化防止膜は非原子層積層法で形成することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリの製造方法。 - 特許庁