「Random access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

Picture image information by a CCD camera 1 and each sensor information of car speed sensor 3-acceleration sensor 6 are simultaneously recorded in a random access memory 12 by control of a control circuit 11.例文帳に追加

ＣＣＤカメラ１による画像情報と、車速センサ３〜加速度センサ６の各センサ情報を制御回路１１の制御により同時にランダムアクセスメモリ１２に記録する。 - 特許庁

To improve the capacity of a network processor for moving data to a dynamic random access memory(DRAM) chip to be used for a computer system or moving data from the chip.例文帳に追加

コンピュータ・システムで使用されるダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）チップへデータへ移動し、また該チップからデータを移動するためのネットワーク・プロセッサの能力をいくつかの点で高める。 - 特許庁

To provide a 2T-1C type ferroelectric random access memory having excellent reliability by solving the problem of fatigue or deterioration of an imprint, and to provide a method for operating the same.例文帳に追加

疲労やインプリントといった劣化の問題を解決し、信頼性に優れた２Ｔ−１Ｃ型強誘電体ランダムアクセスメモリ及びその動作方法を提供する。 - 特許庁

To solve a problem that the satisfaction of a high dielectric constant, a small leakage current and a temperature depending property for the same is required by a capacitance insulating film employed for the capacitor of a DRAM (dynamic random access memory).例文帳に追加

ＤＲＡＭのキャパシタに用いられる容量絶縁膜には高い誘電率と共に小さいリーク電流およびその温度依存性を満たすことが要求される。 - 特許庁

Priority order of the request arbitration to the requests RQ0-RQn is order of a page hit, bank open, and LRU, and a bank priority order to SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) is determined.例文帳に追加

そして、リクエストＲＱ０〜ＲＱｎに対するリクエスト調停の優先順位はページヒット、バンクオープン、ＬＲＵの順で、ＳＤＲＡＭに対するバンク優先順位が決定する。 - 特許庁

To provide a method relative to a magnetic resistance random access memory (MRAM) and theimprovement thereof, especially, a method relative to the conversion of a low-resistance cell in the MRAM device into a capacitance cell.例文帳に追加

本発明は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）及びその改良に関し、特にＭＲＡＭ装置における低抵抗セルを容量セルに変換する方法に関する。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory which makes the inverted magnetic field of a ferromagnetic free layer lowered and reduces current, when writing data.例文帳に追加

反転に必要な磁場を低下させる磁気抵抗メモリは、強磁性自由層の反転磁場を降下させる利点を有すると共に、データを書き込む際の電流を低下させる。 - 特許庁

When the CT mode game is executed, a presentation for a CT mode period 1 is performed (step 129), and a value 49 as a comparison value A is set in a RAM 33 or a random access memory 33 (step 130).例文帳に追加

ＣＴゲームが実行されると、ＣＴ期間時１の演出が行われ（ステップ１２９）、ＲＡＭ３３に比較値Ａとして値４９がセットされる（ステップ１３０）。 - 特許庁

A timer value is stored in a RAM (random access memory) 1 to indicate a residual time the timer by the timer, and updating of the timer value and the time-out thereof are detected by a count processing part 5.例文帳に追加

ＲＡＭ１にはタイマ毎の残り時間を示すタイマ値が格納され、カウント処理部５によってタイマ値の更新及びタイムアウトの検出が行われる。 - 特許庁

A resistance based random access memory (ReRAM) is provided with a current reference circuit including at least three ReRAM reference cells coupled in parallel with one another.例文帳に追加

抵抗基盤ランダムアクセスメモリ（ＲｅＲＡＭ）は互いに並列に接続された少なくとも３つのＲｅＲＡＭ基準セルを有する電流基準回路を具備する。 - 特許庁

To provide a DRAM(dynamic random-access memory) of a non- independence bank system in which occurrence probability of operation restriction is reduced, high speed operation can be performed, and system performance is improved.例文帳に追加

動作制約の発生確率を低減して、高速動作を可能にすると共に、システムパフォマンス向上を図った非独立バンク方式のＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

The sequencer 304 reads the corrected bit split sequence out of the 2-port random access memory 802 to determine when respective bits of image data are loaded to a modulator array.例文帳に追加

シーケンサ３０４は、修正されたビット・スプリット・シーケンスを２ポート・ランダム・アクセス・メモリ８０２から読み出し、画像データの各ビットを変調器アレイにいつロードするかを決める。 - 特許庁

The present invention relates to a magnetic random access memory (MRAM) cell suitable for executing a heat-assist writing operation or a writing operation based a spin torque transfer (STT).例文帳に追加

本発明は、熱アシスト書き込み操作又はスピントルクトランスファー（ＳＴＴ）に基づいた書き込み操作を実施するのに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルに関する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which no refresh operation is required seemingly by automatically and efficiently performing refresh operation while performing high speed random access.例文帳に追加

高速なランダムアクセスを実現しながら、内部で自動的に且つ効率的にリフレッシュ動作を行って、見掛け上はリフレッシュ動作が不要な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a step 1, a CPU controls an information recording medium I/F through a CPU bus to copy a file allocation table (FAT) of the information recording medium in a dynamic random access memory (DRAM) for the FAT.例文帳に追加

ステップＳ１において、ＣＰＵは、ＣＰＵバスを介して、情報記録媒体Ｉ／Ｆを制御し、情報記録媒体のＦＡＴを、ＦＡＴ用ＤＲＡＭにコピーさせる。 - 特許庁

To enable record and reproduction control of isochronous data from a controller such as PC etc. to be performed after defining a command for recording and reproducing about a camcorder using a memory medium capable of random access.例文帳に追加

ランダムアクセス可能なメモリ媒体を使用したカムコーダに記録、再生用コマンドを定義してＰＣ等のコントローラからＩｓｏｃｈｒｏｎｏｕｓデータの記録再生制御を行えるようにする。 - 特許庁

To provide a multi-purpose memory device suitable for an application example of a wider range independently of whether reading of data is required or not in the asynchronous mode (as in standard memory) in random access or in a synchronous progressive mode in burst type access.例文帳に追加

ランダムアクセスで非同期モード（スタンダードメモリにおけるように）において又は順次的即ちバーストタイプアクセスで同期順次モードにおいてデータの読取を必要とするか否かに拘わらずに、より広い範囲の適用例に対して適した多目的メモリ装置を提供する。 - 特許庁

A dummy memory cell 3 of this SPRAM (Static Random Access Memory) is formed by replacing P channel MOS transistors (TRs) 21 and 22 for loading a normal memory cell 2 with N channel MOS TRs 27 and 28, applying a power source potential VDD to a memory node N2 and applying the ground potential GND to the source of the MOS TR 27.例文帳に追加

このＳＲＡＭのダミーメモリセル３は、正規のメモリセル２の負荷用のＰチャネルＭＯＳトランジスタ２１，２２をＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７，２８で置換し、記憶ノードＮ２に電源電位ＶＤＤを与え、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２７のソースに接地電位ＧＮＤを与えたものである。 - 特許庁

An LCD driver IC chip 10 (a liquid crystal display driving device) comprises an internal semiconductor element circuit configured so that a data input circuit 11 RAM(Random Access Memory) 12 as a storage part, a logic circuit 13 as a data processing part, an output circuit 14 for outputting a signal including a latch circuit, etc., are correlated with each other.例文帳に追加

ＬＣＤドライバ（液晶表示駆動装置）ＩＣチップ１０は、データが入力される入力回路１１、記憶部としてのＲＡＭ（Random Access Memory）１２、データ処理部としてのロジック回路１３、及びラッチ回路を含み信号出力をする出力回路１４等が相関するように構成された内部の半導体素子回路を有している。 - 特許庁

Flip-flops 6 and 7 of the memory controller 1 operate with respective clock signals CLK_-A and CLK_-B different in the change of timing at the same period, and fetch the read data from an SDRAM(synchronous dynamic random access memory) 2 at the same period and at different timings.例文帳に追加

メモリコントローラ１のフリップフロップ６，７は、互いに同一周期で変化のタイミングが異なるクロック信号CLK_AとCLK_Bのそれぞれにより動作してＳＤＲＡＭ２からのリードデータを同一周期で異なるタイミングで取り込む。 - 特許庁

The logic circuits 102, 103 are operated in accordance with the applied a random pattern, consequently, access is performed for the memory 101, and a value outputted from the memory 101 is taken into the logic circuit 103 by the same path as that in normal operation.例文帳に追加

印加されたランダムパタンに応じて論理回路１０２，１０３が動作し、その結果メモリ１０１へのアクセスが行われ、メモリ１０１から出力された値を通常動作と同じ経路で論理回路１０３に取り込む。 - 特許庁

This random access memory device is provided with a plurality of memory cells (30, 32), word lines (WL), plate lines (PLS), a plurality of bit lines (BL), a first global plate line (FGPL), a second global plate line (SGPL), a first switch circuit (34), and a second switch circuit (36).例文帳に追加

本発明に係わるランダムアクセスメモリデバイスは、複数のメモリセル(30,32）と、ワード線(WL）と、プレート線(PLS）と、複数のビット線(BL）と、第１グローバル・プレート線（FGPL）と、第２グローバル・プレート線（SGPL）と、第1スイッチ回路（34）と、第２スイッチ回路（36）と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for producing a target for forming a phase change recording film used for a phase change RAM (Random Access Memory) as one kind of a semiconductor nonvolatile memory with which presputtering time is shortened.例文帳に追加

半導体不揮発メモリーの一種である相変化メモリー（Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）に用いられる相変化記録膜を形成するためのプレスパッタ時間の短いターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic random-access memory includes at least one magnetic memory cell, comprising an antiferromagnetic layer 12, a pin layer 13 formed on it, a tunnel barrier layer 14 formed on it and a free layer 15 formed on it.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、反強磁性層（１２）とその上に形成されたピン層（１３）とその上に形成されたトンネルバリア層（１４）とその上に形成された自由層（１５）を備える少なくとも一つの磁気メモリセルを含む。 - 特許庁

A digital audio signal is supplied to an audio compression encoder/decoder 25, and the compressed signal is saved once in DRAM 27 (Dynamic Random Access Memory) via a memory controller 26 and them supplied to EFM and CIRC encoder/decoder 28.例文帳に追加

デジタルオーディオ信号が音声圧縮エンコーダ／デコーダ２５に供給され、圧縮された信号はメモリコントローラ２６を介してＤＲＡＭ２７に一度蓄えられてＥＦＭ及びＣＩＲＣエンコーダ／デコーダ２８に供給される。 - 特許庁

A chip 10 is constituted so that a DRAM (dynamic random access memory) controller (memory controller) 14 includes a dither circuit 15 for performing dither processing in order to reduce the data amount of data at the time of performing the storing or reading of data.例文帳に追加

本発明のチップ１０は、ＤＲＡＭコントローラ（メモリコントローラ）１４に、データの記憶または読み出し時に、データのデータ量を減縮するために、ディザー処理をおこなうディザー回路１５を含むように構成した。 - 特許庁

In a region ACT, 56 metal balls 106 which are connected with the bonding pads of an SRAM(static random access memory) chip 101 and the bonding pads of a FLASH memory chip 102 are formed, for example in a grid pattern.例文帳に追加

領域ＡＣＴ内において、ＳＲＡＭチップ１０１のボンディングパッドとＦＬＡＳＨメモリチップ１０２のボンディングパッドと電気的に接続されている金属ボール１０６は、例えば格子形状に５６個形成されている。 - 特許庁

The two-chip/single-die switching device architecture includes an internal memory storage block on the single-die, an external memory storage interface to a double data rate synchronous dynamic random access memory (DDR SDRAM), an external memory manager, and a packet data transfer engine effecting packet data transfers between an internal memory store and the external DDR SDRAM memory.例文帳に追加

この２チップ／単一ダイの交換装置アーキテクチャは、単一ダイ上の内部記憶装置ブロック、ダブル・データ・レート・シンクロナス・ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ）への外部記憶装置インタフェース、外部記憶装置マネージャ、及び内部記憶装置と外部ＤＤＲ ＳＤＲＡＭ記憶装置との間でパケット・データの転送を実行するパケット・データ転送エンジンを含む。 - 特許庁

In this way, access speed can be increased when the management information storage area, to which random access or access before access to a user area UA is made with a high probability, is allocated to the nonvolatile semiconductor memory 4 while the user data storage area, to which sequential access to successive addresses is made with a high probability, is allocated to the hard disk device 2.例文帳に追加

このように、ランダムアクセス、およびユーザ領域ＵＡへのアクセスに先行したアクセスが行われる確率が高い管理情報の記憶領域を不揮発性半導体メモリ４に割り当て、連続するアドレスへのシーケンシャルなアクセスが行われる確率が高いユーザデータの記憶領域をハードディスク装置２に割り当てることによりアクセスの高速化を図る。 - 特許庁

To attain the high speed of a synchronous DRAM(dynamic type random access memory) or the like by suppressing the generation of hot carriers in a data input buffer and a data output buffer or the like without incurring an access delay especially at the munimum side of an external power source voltage VDD.例文帳に追加

特に外部電源電圧ＶＤＤのミニマム側でのアクセス遅延を招くことなく、データ入力バッファ及びデータ出力バッファ等におけるホットキャリアの発生を抑制し、シンクロナスＤＲＡＭ等の高速化を図る。 - 特許庁

The display controller 20 comprises a first memory 22 which memorizes image data and is to be accessed by sequential access operation in an access time shorter than for random access operation; a second memory 24 which stores image data with lower power consumption on accessing than in the first memory 22; and a data transfer control unit 30 which controls the transfer of the image data between the first and second memories 22, 24.例文帳に追加

表示コントローラ２０は、画像データを記憶し、アクセス時間がランダムアクセス動作時より短いシーケンシャルアクセス動作でアクセスされる第１のメモリ２２と、アクセス動作時の消費電力が第１のメモリ２２より小さく、画像データを記憶する第２のメモリ２４と、第１及び第２のメモリ２２、２４間で画像データの転送制御を行うデータ転送制御部３０とを含む。 - 特許庁

The electronic equipment is provided with a central processing unit(CPU) 1 for controlling the whole equipment, a rewritable nonvolatile memory 2 for storing a program and set information and a random access memory(RAM) 3 to be used as a work area and the memory 2 has at least three program areas 21 to 23.例文帳に追加

全体を制御する中央処理装置１と、プログラムや設定情報を格納する書き換え可能な不揮発性メモリ２と、ワークエリアとして使用するランダムアクセスメモリ３とを有し、不揮発性メモリは少なくとも３つのプログラム領域２１〜２３を有する。 - 特許庁

To shorten a data write-in time at a test time by giving a function writing the data read out from a specified bank in another bank in a synchronous type DRAM(dynamic random access memory) having multi-bank constitution.例文帳に追加

マルチバンク構成を有する同期型ＤＲＡＭにおいて、特定のバンクから読み出したデータを他のバンクに書き込みを行う機能を持たせ、試験に際してデータ書き込み時間を短縮する。 - 特許庁

A magnetic random access memory has a plane shape having a plurality of corners and is equipped with a magnetro-resistive element MTJ whose radius of curvature at least at one corner is 20 nm or less.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、複数のコーナーを有する平面形状であり、一つ以上のコーナーにおける曲率半径が２０ｎｍ以下である磁気抵抗効果素子ＭＴＪを具備する。 - 特許庁

A DRAM (Dynamic Random Access Memory) 11 in a transmitter transmits a frame at a communication speed α, and an NIC (Network Interface Controller) 12 in the transmitter transfers the frame at a communication speed β which is slower than the communication speed α.例文帳に追加

送信装置内ＤＲＡＭ１１はフレームを通信速度αで送信し、送信装置内ＮＩＣ１２は当該フレームを通信速度αより遅い通信速度βで転送する。 - 特許庁

To provide a one-transistor (1T) nonvolatile random access memory (NVRAM) cell that utilizes silicon carbide (SiC), enabling both the isolation of nonequilibrium charge, and fast and nondestructive charging/discharging.例文帳に追加

炭化ケイ素（ＳｉＣ）を使用して非平衡電荷の分離および高速で非破壊充放電の両方を可能にする１トランジスタ（１Ｔ）不揮発性ランダム・アクセス・メモリ・セルを提供する。 - 特許庁

In view of maintaining a voltage on the bit line higher than the low reference voltage source, a circuit is provided to clamp the voltage appearing on the bit lines 3, 4 of a dynamic random access memory(DRAM) device.例文帳に追加

ビット線上の電圧を低基準電圧源より高く維持するようにダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）装置のビット線上に表われる電圧をクランプする回路を設ける。 - 特許庁

A communication control unit of a wireless device controls in such a way that an original transmission source address and a packet number included in a message packet transferred by the wireless device are stored in a random access memory (RAM).例文帳に追加

各無線装置の通信制御部は、当該無線装置によって転送されたメッセージパケットに含まれる、オリジナル送信元アドレスとパケット番号とをラムに記憶するように制御する。 - 特許庁

To provide a low power consumption dynamic random access memory which reduces current consumption as a DRAM by an external signal and does not malfunction in the case of small current consumption.例文帳に追加

外部の信号によりDRAMとしての消費電流を小さくして、かつこの低消費電流時に誤動作をしない低消費電力型ダイナミックランダムアクセスメモリを提供することにある。 - 特許庁

To provide a silicon-on-insulator (SOI) method with a pattern for manufacturing a composite integrated circuit having both of a logic circuit part and a buried dynamic random access memory (DRAM) array part.例文帳に追加

論理回路部分と埋め込みダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）アレイ部分の両方を有する複合集積回路を製作するパターン付きシリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）方法を提供する。 - 特許庁

A non-volatile memory 13 includes a plurality of banks BA1 to BAN which are required to be erased in data rewriting and can be respectively independently driven and can access each address at random.例文帳に追加

不揮発性メモリ１３は、データの書き換え時に消去が必要であり、それぞれが独立して動作可能な複数のバンクＢＡ１乃至ＢＡＮを有し、各アドレスにランダムアクセス可能である。 - 特許庁

At the time, definition of read/write is performed by a first command, a decode-address of a memory cell array also is taken in by the first command and shortening more the random access time tRAC is realized.例文帳に追加

この際、リード／ライトの定義を第１のコマンドで行い、且つメモリセルアレイのデコードアドレスも第１のコマンドで取り込んでランダムアクセスタイムｔＲＡＣの更なる高速化を実現する。 - 特許庁

To provide a control circuit and a control method for enabling a CPU to perform normal processing even though information to be stored in an SRAM (static random access memory) is damaged by the influence of noise, etc.例文帳に追加

ノイズなどの影響により、ＳＲＡＭに記憶される情報が壊れても、ＣＰＵが正常な処理を行うことが可能な制御回路および制御方法を提供する。 - 特許庁

The invention consists in keeping the power from the backup power to the random access memory (RAM) of the main control substrate, at the time of shutting off of the power source, furnished through the harness connecting the door substrate and the main control substrate.例文帳に追加

電源断時のバックアップ電源から主制御基板のＲＡＭへの電力供給が、扉基板と主制御基板とを接続するハーネスを介して行われるようにする。 - 特許庁

A central processing unit (CPU) 10 obtains three-dimensional row-of-teeth data from the patient, data on the jawbone continuing into the row of his/her teeth, and data on mastication using the row of his/her teeth, and stores those data in a random-access memory (RAM) 11.例文帳に追加

ＣＰＵ１０は、患者から取得した３次元の歯列データ，該歯列に連なる顎骨データ及び該歯列における咀嚼データを取得してＲＡＭ１１に記憶する。 - 特許庁