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「Random access memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索


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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Random access memoryの意味・解説 > Random access memoryに関連した英語例文

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Random access memoryの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 929



例文

When photographing is performed by depressing a shutter button while depressing an image recording standby switch, image data are temporarily stored in a fast writable RAM (Random Access Memory) and a state of taking the next photograph is provided.例文帳に追加

画像記録待機スイッチを押しながらシャッターボタンを押して撮影すると、画像データは高速で書き込み可能なRAMに一時記憶され、次の写真を撮影可能な状態になる。 - 特許庁

This device includes a battery for supplying voltage to the device, a power disconnection detection circuit for detecting the disconnection of power supply voltage and a random access memory to which power is fed by the battery.例文帳に追加

本発明の機器は、電圧を機器に供給するバッテリと、電源電圧の切断を検出するパワー切断検出回路と、バッテリによって給電されるランダムアクセスメモリとを含む。 - 特許庁

To provide a data relay control device capable of suitably combining the decrease of operation load and the suppression of circuit scale required for relay processing of data to and from a DRAM (Dynamic Random Access Memory).例文帳に追加

DRAMとの間でのデータの中継処理にかかる演算負荷の低減と回路規模の抑制との好適な両立を図ることのできるデータ中継制御装置を提供する。 - 特許庁

Upon receiving the power stoppage signal, the main substrate 1 maintains the state of a RAM(random access memory) 17, stops a prize ball delivery command, and outputs a power stoppage command to a prize ball control substrate 3.例文帳に追加

停電信号を入力した主基板1は、RAM17の状態を保持すると共に、賞球払出コマンドを停止してから、停電コマンドを賞球制御基板3に出力する。 - 特許庁

例文

In the information processing apparatus, a DMA control part 109 stores the data of a current DMA transferred region into a management table 21 stored in a storage part 107 during the DMA transfer of data from a ROM (Read Only Memory) 103 to a RAM (Random Access Memory) 104 by a DMA transfer part 108 of a bridge 105.例文帳に追加

ブリッジ105のDMA転送部108によるROM103からRAM104へのデータのDMA転送中にDMA制御部109は記憶部107に格納された管理テーブル21に現在DMA転送済みの領域のデータを保存する。 - 特許庁


例文

To provide an image processing apparatus capable of reducing the capacity of a memory storing image data and performing random access to a desired part of the image data stored in the memory further, its method, a program and a recording medium.例文帳に追加

画像データを格納するメモリの容量を削減し、さらに、メモリに記憶された画像データの所望の部分に対してランダムアクセスを行うことが可能な画像処理装置及びその方法、並びにプログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

The system comprises a read only memory (ROM) configured to store a first group of the microcode and a random access memory (RAM) cache configured to temporarily store blocks of a second group of the microcode.例文帳に追加

当システムは、マイクロコードの第1のグループを格納するよう構成された読み出し専用メモリ(ROM)及びマイクロコードの第2のグループのブロックを一時的に格納するよう構成されたランダム・アクセス・メモリ(RAM)キヤツシュを有する。 - 特許庁

To provide a high-density high-speed dynamic random access memory(DRAM) by satisfying the cut-off characteristics of transistors and high-level write compensation in the memory cell area of the DRAM and, at the same time, improving transistor driving forces in the peripheral circuit area of the DRAM.例文帳に追加

本発明は、DRAMのメモリセル領域におけるトランジスタのカットオフ特性とハイレベルの書き込み補償を満足するとともに周辺回路領域のトランジスタの駆動力を向上させて、高密度高速DRAMの実現を図る。 - 特許庁

Therefore, efficient access to an external memory 50 can be performed by directly issuing the external bus access request to the external memory interface 3 in a case such as random data access to discrete addresses, and issuing the DMA transfer request to the DMAC 4 in a case such as block transfer of data or page swapping requested by a virtual storage management mechanism.例文帳に追加

従って、離散したアドレスにランダムにデータアクセスを行う場合などは直接外部メモリインタフェース3に外部バスアクセス要求を発行し、データのブロック転送や仮想記憶管理機構が要求するページスワップなどを行う場合にはDMAC4にDMA転送要求を発行することで、外部メモリ50への効率的なアクセスが可能となる。 - 特許庁

例文

Therefore, when performing data access to dispersed addresses at random, the external bus access request is directly issued to the external memory interface 3, and when performing a block transfer of data or a page swap requested by a virtual storage management mechanism, an efficient access to the external memory 50 is possible by issuing the DMA transfer request to the DMA 4.例文帳に追加

従って、離散したアドレスにランダムにデータアクセスを行う場合などは直接外部メモリインタフェース3に外部バスアクセス要求を発行し、データのブロック転送や仮想記憶管理機構が要求するページスワップなどを行う場合にはDMAC4にDMA転送要求を発行することで、外部メモリ50への効率的なアクセスが可能となる。 - 特許庁

例文

To provide a configuration which can supply, to a processing circuit part, power necessary for data storage of a random access memory or clocking operation of a real time clock even if power supply voltage decreases, in a power supply circuit equipped with two step-down circuits connected in series on a power supply route from a power supply to the processing circuit part having the random access memory or the real time clock.例文帳に追加

電源から、ランダムアクセスメモリ又はリアルタイムクロックを備えた処理回路部へ至る電力供給経路上に、直列に接続された2つの降圧回路を備える電源回路において、電源電圧の低下が生じても、ランダムアクセスメモリのデータ保持やリアルタイムクロックの計時動作に必要な電力を処理回路部に供給できる構成を提供する。 - 特許庁

To perform continuously read-transfer operation to a SAM from a RAM and write-transfer operation to a RAM from a SAM without setting a pre-charge period, in a multi-port memory having a random access system(RAM) and a serial access system(SAM).例文帳に追加

ランダムアクセス系(RAM)とシリアルアクセス系(SAM)を有するマルチポートメモリにおいて、RAMからSAMへのリード転送動作およびSAMからRAMへのライト転送動作を、プリチャージ期間を設定することなく連続して実行する。 - 特許庁

To provide a memory device in which a random access characteristic is improved, the number of times of rewriting can be reduced, and the supremum of the number of times of disturbance can be easily controlled, making the most of a nonvolatile characteristic and a high integration characteristic of a cross point type ferroelectric memory and a memory system using it.例文帳に追加

クロスポイント型強誘電体メモリの不揮発性、高集積性を活かしつつ、そのランダムアクセス性を向上させ、かつ書き換え回数を低減でき、ディスターブ回数の上限を容易に制御することができるメモリ装置およびそれを用いたメモリシステムを提供する。 - 特許庁

Inside a USB memory 10 to which a power supply unit 11 is connected, for example, are provided with a controller 102, a dynamic random access memory (DRAM) 103 as a storage medium, a timer battery 104, a timer 105, and a remaining time display LED 106.例文帳に追加

例えば、電源装置11が接続されたUSBメモリ10の内部に、コントローラ102と、記憶媒体としてのダイナミック型ランダムアクセスメモリ(DRAM)103と、タイマ用電池104と、タイマ105と、残時間表示LED106などを備える。 - 特許庁

To surely write the latest data back to an electrically erasable programmable read only memory(EEPROM) without affecting control at the time of copying data from the EEPROM to a random access memory(RAM) and controlling a prescribed controlled system.例文帳に追加

EEPROM(書換可能な不揮発性メモリ)からRAM(読書き可能な揮発性メモリ)にデータを書写し所定の制御対象を制御する際、その制御に影響を与えることなくEEPROMに最新のデータを確実に書戻すこと。 - 特許庁

To provide an SRAM (Static Random Access Memory) which can reduce a memory cell area effectively while ensuring a margin for mask misregistration or the like in the formation of a gate wiring and a contact hole or the like.例文帳に追加

ゲート配線やコンタクトホール等の形成の際のマスクずれ等に対するマージンを確保しながら、メモリセル面積を効率的に縮小することが可能なSRAM(Static Random Access Memory)を提供する。 - 特許庁

To provide write-in architecture used in a magnetic random access memory(MRAM) device in which adjacent cells in an array are not disturbed with a harmful form, preservation of data stored in the array is improved, and individual memory cell in the array can be selected.例文帳に追加

アレイ内の隣接セルを害のある形で擾乱せず、そこに保管されたデータの保全性を高める、アレイ内の個々のメモリ・セルの選択を可能にする、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイス内で使用される書込アーキテクチャを提供する。 - 特許庁

The semiconductor random access memory having a complex shape is provided with a ROM device storing an all latent row data pattern to be input to a memory cell array during test procedure, a variable step address generator, a comparing device, and a control device.例文帳に追加

複雑な形状を持つ半導体ランダムアクセス・メモリが、試験手順の間に記憶セル・アレイに入力すべき悉くの潜在的な行データ・パターンを記憶するROM装置、可変ステップ・アドレス発生器、比較装置及び制御装置を備えている。 - 特許庁

A CPU 101 controlling a whole image processing device, a RAM(random access memory) 102 offering a program work region, and a ROM 103 storing a program are connected to a CPU bus 119.例文帳に追加

画像処理装置全体の制御を行うCPU101と、プログラム作業領域を提供するRAM102と、プログラムが格納されたROM103とをCPUバス119に接続した。 - 特許庁

To reduce a scale of a random access memory(RAM) employed by a frame transfer system that converts received data synchronously with a received clock into transmission data synchronously with a transmission clock.例文帳に追加

受信クロックに同期した受信データを送信クロックに同期した送信データに変換するフレーム乗換え方式に関し、フレーム乗換え方式に適用するランダム・アクセス・メモリ(RAM)の規模を縮減する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistive effect element by which a high MR rate of a change can be obtained and correspondence to high densification can be expected, and to provide a magnetic head using the magnetoresistive effect element, a magnetic recording/reproducing apparatus, and a magnetic random access memory.例文帳に追加

高MR変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

To prevent overlapping of an address space of a ferroelectric random access memory (FeRAM) with an address space of an extending storage device on a main mounting board even if a predetermined address value is set as a head address of an extended address space.例文帳に追加

所定のアドレス値を拡張アドレス空間の先頭番地としても、主実装基板上のFeRAMのアドレス空間と拡張用記憶デバイスのアドレス空間とが重ならないようにする。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus, an information processing apparatus, a mobile terminal device, and an image processing method, for reducing a load on a bus and power consumption, by suppressing bus traffic for reading from a RAM(random access memory).例文帳に追加

RAMからの読み込みによるバストラフィックを抑制し、バスにかかる負荷と消費電力を低減する画像処理装置、情報処理装置、携帯端末装置及び画像処理方法を提供する。 - 特許庁

The CPU 11 associates the character image data with the specific page, associates them with a page except the specific page that is the attachment destination indicated by the attachment destination information, and stores them into a RAM (Random Access Memory) 13.例文帳に追加

そして、CPU11は、この文字画像データを、特定頁に対応付けるとともに、添付先情報が示す添付先である特定頁以外の頁に対応付けてRAM13に記憶する。 - 特許庁

An RAM (Random Access Memory) 2 stores the read card ID of the electronic money card, information indicating the occurrence of an error when the electronic money card is read, and the time when the electronic money card is read, correspondingly.例文帳に追加

RAM2は、読み取られた電子マネーカードのカードIDと、電子マネーカードが読み取られた際にエラーが生じたことを示す情報と、電子マネーカードが読み取られた時刻とを対応付けて記憶する。 - 特許庁

An analysis section 110 analyzes a music piece data stored in a random access memory (RAM) 7, and creates a music piece composition data including a sudden change data for indicating sudden change points of sound condition in the music piece data.例文帳に追加

解析部110は、RAM7に記憶された楽曲データを解析して、楽曲データにおける音の態様の急変点を示す急変点データを含む楽曲構成データを生成する。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance effect element, capable of obtaining a high MR changing rate and coping with high-density, as well as a magnetic head, a magnetic recording reproducing device and a magnetic random access memory employing the magnetoresistance effect element.例文帳に追加

高MR変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。 - 特許庁

A magnetic random access memory comprises a magnetizing recording layer 10 which is a ferromagnetic layer having magnetic anisotropy, and reading layers 30 and 32 for reading the information provided on the magnetic recording layer 10.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層10と、前記磁気記録層10上に設けられた情報を読み出すための読出し層30,32とを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device includes the pixel controller and driver of a liquid crystal display, and/or an image sensor, a static random access memory(SRAM), a silicon on insulator(SOI), and a three-dimensional integration circuit device.例文帳に追加

半導体デバイスには、液晶表示装置の画素コントローラ及びドライバ並びに、イメージセンサ、スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)、シリコンオンインシュレータ(SOI)、及び3次元集積化回路デバイスが含まれる。 - 特許庁

To provide a sound simulator or a music simulator including a reverberation simulator having a substantially reduced volatile storage, random access memory, or buffer size in comparison to conventional reverberation simulators.例文帳に追加

従来技術のリバーブシミュレータと比較して、揮発性記憶装置、ランダムアクセスメモリ、またはバッファのサイズが実質的に低減されたリバーブシミュレータを含むサウンドシミュレータまたはミュージックシミュレータを提供すること。 - 特許庁

A method for designing a resistive random access memory array (80) is provided, in which elements are selected with values of resistances that are correlated to maintain a signal-to-noise ratio of 20 decibels or more for the array.例文帳に追加

抵抗性ランダムアクセスメモリアレイ(80)を設計するための方法が提供され、その場合エレメントは、アレイに対して20dB以上の信号対雑音比を維持するように相関された抵抗の値に選択される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory including variable resistive elements which can stably and highly controllably perform writing under an intended electric resistance state in a writing operation by a random access.例文帳に追加

ランダムアクセスによる書き込み動作において、所望の電気抵抗状態へ安定に、制御性よく書き込みを行うことが可能な、可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for displaying presentation image possible to accurately and quickly display a presentation image on a display means with random access memory even in an environment where external disturbances such as noises are easy to occur.例文帳に追加

ノイズ等の外乱が発生しやすい環境に置かれても、ランダムアクセスメモリを用いて表示手段に演出画像を正確かつ迅速に表示できる演出画像の表示方法を提供する。 - 特許庁

A SRAM(static random access memory) chip generates address A0' signal-address A18' signal, based on counts of an external clock signal by counters (T flip-flop 120-0 to 0-120-17) in a burn-in mode.例文帳に追加

SRAMチップは、バーンインモード中、カウンタ(Tフリップフロップ120−0〜120−17)による外部からのクロック信号のカウントをもとにして、アドレスA0′信号〜アドレスA18′信号を生成する。 - 特許庁

A magnetic random access memory is provided with a magnetic resistance element 1 having a recording layer 30, a fixed layer 10 and an intermediate non-magnetic layer 20 disposed between the recording layer and the fixed layer.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、記録層30と固定層10と記録層及び固定層間に設けられた中間非磁性層20とを有する磁気抵抗素子1を備えた磁気ランダムアクセスメモリである。 - 特許庁

To provide a display method of a presentation image capable of accurately and quickly displaying the presentation image to a display means by using a random access memory even when being put in an environment easy to produce disturbance such as noise.例文帳に追加

ノイズ等の外乱が発生しやすい環境に置かれても、ランダムアクセスメモリを用いて表示手段に演出画像を正確かつ迅速に表示できる演出画像の表示方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic recorder which has a magnetic reproducing head equipped with a high-output magneto-resistive effect element, and a random access magnetic memory which has a magnetization inversion function by a high-polarization spin injection means.例文帳に追加

高出力な磁気抵抗効果素子を備えた磁気再生ヘッドをもつ磁気記録装置と高偏極スピン注入手段による磁化反転機能を持つランダムアクセス磁性メモリを提供する。 - 特許庁

The circuit 13 issues an REF command to an SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) 30 when an REF flag register 14 is "ON" and a microcomputer 20 accesses (reads out or writes) another device 40.例文帳に追加

そして、コマンド生成回路13は、REFフラグレジスタ14が「ON」であって、マイコン20が他のデバイス40にアクセス(読み出し又は書き込み)しているときに、REFコマンドをSDRAM30に発行している。 - 特許庁

To provide a method and a structure for a non-volatile magnetic random access memory (MRAM) device having a stationary magnetic electrode, an oxide layer adjacent to the stationary magnetic electrode, and a free magnetic electrode.例文帳に追加

固定磁気電極、固定磁気電極に隣接した酸化物層、および自由磁気電極を有する不揮発性磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)デバイスのための方法および構造が提供される。 - 特許庁

In this data display system, content data are acquired from a file server 3 for storing the content data produced in a usual task by a user, and the content data are stored in an FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) 7 of the data display device 3.例文帳に追加

ユーザが普段の業務で作成したコンテンツデータを格納しているファイルサーバ3からコンテンツデータを取得し、そのコンテンツデータをデータ表示装置3のFeRAM7に格納するようにした。 - 特許庁

When the power supply feeding AC 25 V to a power supply substrate 15 is stopped, the power supply substrate 15 outputs a power stoppage signal to a main substrate 1 and a prize ball control substrate 3 to conduct the access prohibition process of a RAM(random access memory) 17 of the main substrate 1 and the access prohibition process of a RAM 19 of the prize ball control substrate 3.例文帳に追加

電源基板15に供給されるAC24Vの電源が停電したら、電源基板15から主基板1と、賞球制御基板3とに停電信号を出力して、主基板1のRAM17のアクセスの禁止処理と、賞球制御基板3のRAM19のアクセスの禁止処理とを行う。 - 特許庁

IN this JPEG animation recorder, which records animation by encoding the animation by using the JPEG encoding method, the table information for performing random access to the animation is incorporated in a COM (comment marker) which is defined as a JPEG marker at encoding of the animation; and the information for performing random access to a memory is read from the table information incorporated in the COM when decoding the animation.例文帳に追加

JPEG符号化方法を用いて動画像を符号化し記録するJPEG動画像記録装装置において、動画像符号化時にJPEGマーカーとして定義されているCOM(コメント・マーカー)に動画像のランダムアクセス用のテーブル情報を組み込み、復号化時にこのマーカ情報からメモリをランダムアクセスするための情報を読みとる。 - 特許庁

A voltage regulator for the dynamic random access memory is provided with a voltage reference circuit for generating a reference voltage, and a plurality of power amplifiers having gains larger than 1 for amplifying supply voltages to supply power to the dynamic random access memory and responding to the reference voltage, and a control circuit for generating a control signal to control the plurality of power amplifiers.例文帳に追加

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ用の電圧レギュレータは、基準電圧を生成する電圧基準回路と、ダイナミックランダムアクセスメモリに電力を供給するために、供給電圧を増幅する複数の電力増幅器であって、基準電圧に応答し、1よりも大きなゲインを有する複数の電力増幅器と、複数の電力増幅器を制御する制御信号を生成する制御回路と、を有している。 - 特許庁

This method, device and system are disclosed for redistributing memory allocation to insufficiently used portions of a dynamic random access memory (DRAM) device and a dual in-line memory module (DIMM) device in order to balance memory usage more evenly amongst active devices so as to limit the amount of power and the thermal load consumed by an individual memory component.例文帳に追加

個々のメモリ構成要素によって消費される電力および熱負荷の量を制限するためにアクティブ・デバイスの間でより均等にメモリ使用のバランスをとるために、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)デバイスおよびデュアル・インライン・メモリ・モジュール(DIMM)デバイスのうちで十分に利用されていない部分にメモリ割振りを再配分する方法、装置、およびシステムを開示する。 - 特許庁

To prevent propagation of a soft error between adjoining column groups in a static random access memory comprising a semiconductor substrate on which a first conductivity type common well is formed, and a memory cell array consisting of memory cells arranged in matrix in the common well on the semiconductor substrate, so that a group of memory cells connected with a common bit line while being arranged in the column direction forms a memory cell column.例文帳に追加

第1の導電型の共通ウェルが形成された半導体基板と、前記半導体基板上の前記共通ウェルに行列状に配列されたメモリセルよりなり、列方向に整列して共通のビット線に接続される一群のメモリセルがメモリセルカラムを形成するメモリセルアレイからなるスタティックランダムアクセスメモリにおいて、隣接カラム群間のソフトエラーの伝搬を抑制する。 - 特許庁

The RAM 10a is provided with a flash interface circuit 19 which generates control signals required for data access to the flash memory 60 in synchronism with the command from the CPU 70, and a pseudo SRAM 29, a memory device capable of random access, to read and write data or the flash memory 60 or the pseudo SRAM according to the command from the CPU 70.例文帳に追加

RAM10aは、CPU70からの指令に同期して、フラッシュメモリ60に対するデータのアクセスに必要な制御信号を生成するフラッシュインタフェース回路19と、ランダムアクセス可能なメモリ素子である擬似SRAM29とを備え、CPU70からの指令に応じて、フラッシュメモリ60または擬似SRAM29に対して、データの読み出し、書き込みを行なう。 - 特許庁

In the first block B1 of the ferrorlectric random access memory, a first switch transistor TC1 and a plurality of first memory cells MC1 to MC4 having ferroelectric capacitors and cell transistors connected in parallel are serially connected between first and second ends.例文帳に追加

強誘電体ランダムアクセスメモリの第1ブロックB1において、第1スイッチトランジスタTC1と、並列接続された強誘電体キャパシタおよびセルトランジスタを有する複数の第1メモリセルMC1−MC4と、が第1、第2端の間に直列接続される。 - 特許庁

To provide a processor system allowing prevention of reduction of system performance without drastically expanding circuit size when a defect is present in a part of a word line of an SRAM (Static Random Access Memory) used for a cache memory or even when a part of the word line fails.例文帳に追加

キャッシュメモリに使用されるSRAMのワードラインの一部に欠陥がある場合やワードラインの一部が故障してしまった場合であっても、回路サイズを大幅に拡大することなく、システム性能の低下を防止することができるプロセッサシステムを提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic random access memory that prevents a write current from decreasing owing to back bias effect of a selection transistor when a relative magnetization direction between a free layer and a pinned layer is inverted from parallel to anti-parallel, and also prevents the area of a memory cell from increasing.例文帳に追加

自由層と固定層の相対的な磁化方向を平行から反平行に反転する際、選択トランジスタのバックバイアス効果による書き込み電流の減少を防止でき、かつメモリセルの面積増大を防ぐことができる磁気ランダムアクセスメモリを提供できる。 - 特許庁

例文

The multi-chip module comprises a first semiconductor chip on which a digital signal processing circuit is mounted; a second semiconductor chip constituting a dynamic random access memory; a third semiconductor chip constituting a nonvolatile memory; and a mounting substrate, all assembled into a stacked structure.例文帳に追加

デジタル信号処理回路が搭載された第1半導体チップと、ダイナミック型ランダム・アクセス・メモリを構成する第2半導体チップと、不揮発性メモリを構成する第3半導体チップと、搭載基板とを積層構造に組み立ててマルチチップモジュールを構成する。 - 特許庁




  
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