「SURFACE DIFFUSION」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a measuring method capable of accurately and easily measuring the diffusion length of minority carriers which are few in number in semiconductor by an SPV (surface photovoltage) method even in the case of a P-type epitaxial wafer.例文帳に追加

Ｐ型エピタキシャルウエハにおいても、ＳＰＶ法により、正確かつ容易に少数キャリア拡散長の測定を行うことができる測定方法を提供する。 - 特許庁

Then, drawing with a material for the sealing material by a dispenser method on the lower surface of the upper side glass substrate 1 in the immediate inside the barrier 6 to diffusion of the sealing material forms a sealing material 3.例文帳に追加

そして、上側のガラス基板１の下面においてシール材拡散防止壁６のすぐ内側にシール材材料をディスペンサ法により描画し、シール材３を形成する。 - 特許庁

Then, the water draining part 68 is protruded and installed in the oxidation gas flow passage 42 from the surface of the diffusion layer 36 so as to have a gap between the gas flow passage wall face 61.例文帳に追加

そして、排水部６８は、ガス流路壁面６１と隙間を存するように拡散層３６の表面から酸化ガス流路４２内に突出して設けられる。 - 特許庁

Tips and cracks are removed by applying sandblast to the edge part 6b of the bonding surface 6a and forming a diffusion part diffusing light so that tips and cracks are not outstanding.例文帳に追加

接着面６ａのエッジ部６ｂにサンドブラスト加工を施してチップやクラックを除去し、光を拡散する拡散部を形成してチップやクラックを目立たなくしている。 - 特許庁

A body region 2, comprising a plurality of regular p-type diffusion regions, is formed on the front surface side of an n-type semiconductor layer which is to be a drain region 1.例文帳に追加

ドレイン領域１となるｎ形の半導体層の表面側に規則的に複数個のｐ形拡散領域からなるボディ領域２が形成されている。 - 特許庁

Then, another insulation film 26, having a function to restrain or prevent the diffusion of copper, is formed on the upper surface as well as the side surfaces of the wirings 25 and the insulation films 20 (17).例文帳に追加

それから、配線２５の上面および側面上と絶縁膜２０（１７）上とに銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜２６を形成する。 - 特許庁

The light diffusion layer is formed by overlaying a resin coating layer (b) whose surface has a fine rugged structure on a resin coating layer (a) not containing fine particles.例文帳に追加

微粒子を含有しない樹脂皮膜層（ａ）上に、表面が微細凹凸構造を有する樹脂皮膜層（ｂ）が重畳形成されている光拡散層を形成する。 - 特許庁

Particularly, curvatures of upper corner parts A5, A7 and lower corner parts B5, B7 of the hole part 3a are smaller on the floating diffusion 7 side than a surface photodiode 5 side.例文帳に追加

そして特に、孔部３ａの上方角部Ａ５，Ａ７および下方角部Ｂ５，Ｂ７の曲率は、表面フォトダイオード５側よりもフローティングディフュージョン７側の方が小さい。 - 特許庁

To reduce a wet area on the skin abutting surface side of an absorptive article by accelerating diffusion more on the lower side than on the upper side in the thickness direction of an absorption layer.例文帳に追加

吸収層の厚み方向の上側よりも下側における拡散をより促進し、吸収性物品の肌当接面側における濡れ面積が減らす。 - 特許庁

A Fresnel lens screen 20 is composed of a Fresnel lens 24 having a total reflection type light entrance surface and a first light diffusion part 26 and a first base 25 which are arranged on the succeeding stage side of the Fresnel lens.例文帳に追加

フレネルレンズスクリーン２０は、入光面部分全反射式フレネルレンズ２４と、その後段側に設けられた第一の光拡散部２６と第一の基盤２５とからなる。 - 特許庁

At the time of the self-forming reaction for forming the diffusion barrier film, the surface of the Cu layer is exposed to an atmosphere which forms a gas-phase reaction product by reaction with Mn.例文帳に追加

拡散バリア膜を形成する自己形成反応の際に、Ｃｕ層表面を、Ｍｎと反応して気相反応生成物を形成する雰囲気に曝露する。 - 特許庁

This fuel cell is composed by employing electrodes each using a material having a diffusion layer of hydrogen ions on each surface of catalyst particles 3 or carriers of the catalyst particles 3.例文帳に追加

触媒粒子もしくは前記触媒粒子の担体の表面に、水素イオンの拡散層を有するものをもちいた電極により燃料電池を構成する。 - 特許庁

A gas turbine component comprises: a superalloy and a diffusion portion having a depth of less than or equal to 60 μm measured from the superalloy surface into the gas turbine component.例文帳に追加

本発明のガスタービン部品は、超合金と拡散部分とを含み、拡散部分は超合金の表面からガスタービン部品中に測定して６０μｍ以下の深さを有する。 - 特許庁

PMOS contact holes 20 are formed on the source/drain diffusion layer in a silicon substrate 11 of a PMOS transistor having a selective growth layer 15 formed on the surface.例文帳に追加

選択成長層１５が表面に形成されたＰＭＯＳトランジスタのシリコン基板１１内のソース／ドレイン拡散層上に、ＰＭＯＳ用コンタクトホール２０を形成する。 - 特許庁

In the terminal forming step, a gold layer 33, a nickel layer 32, and a copper layer 31 are stacked in sequence on the gold diffusion prevention layer to thereby form a surface connection terminal 30.例文帳に追加

端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層３３、ニッケル層３２及び銅層３１をこの順序で積層し、面接続端子３０を形成する。 - 特許庁

After a gate pattern 200 is formed on a semiconductor substrate 100, a diffusion-preventing film 164 is formed over the entire surface of the semiconductor substrate 100 including the gate pattern 200.例文帳に追加

半導体基板１００上にゲートパターン２００を形成後、ゲートパターン２００を含む半導体基板１００の全面に拡散防止膜１６４を形成する。 - 特許庁

A pair of first diffusion layers 5a, which are shallow surface layers of a semiconductor substrate, are formed in part of a region inwardly from lower both ends of the gate electrode 4.例文帳に追加

半導体基板の浅い表層であって、ゲート電極４の下部の両端部から内方にかけて一部の領域に一対の第１の拡散層５ａが形成されている。 - 特許庁

In the bag film 5, the injection tube 9 injecting the resin is arranged on the upper surface of the resin diffusion net 4 while being supported by an approximately sheet-shaped saddle 10 for the injection tube.例文帳に追加

バッグフィルム５内には樹脂を注入する注入管９を、樹脂拡散ネット４の上面に略平板状の注入管用サドル１０に支持させて配設する。 - 特許庁

Consequently, since free electrons are generated in the barrier layers, the electrons in the well layer excited by a laser beam are reduced in diffusion of the surface of a sample.例文帳に追加

これにより、障壁層において自由電子が発生するから、レーザ光によって励起された井戸層の電子が試料表面へ拡散してしまうのを低減できる。 - 特許庁

To provide an aromatic polycarbonate resin composition that has superior all light transmission rates, a light diffusion property, and moldability, has also high surface hardness, and has superior scratch resistance.例文帳に追加

全光線透過率、光拡散性に優れ、かつ成形性に優れると共に、表面硬度も高く、耐擦傷性に優れた芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The plated film 2 may comprise the diffusion layer 5 of the above second metal and a nickel-based plated layer 6, and may have fine particles 4 of the fluorine compound exposed on the surface.例文帳に追加

メッキ皮膜２は、前記第２の金属の拡散層５とニッケル系メッキ層６とで構成してもよく、表面にフッ素化合物の微粒子４が露出していてもよい。 - 特許庁

A drain electrode 51 is formed on the surface of the n^--type diffusion area 44D with a distance from the side walls 43 of the gate electrodes 42 by the width of a silicide block area 52.例文帳に追加

ｎ^−型拡散領域４４Ｄの表面に、ゲート電極４２のサイドウォール４３からシリサイドブロック領域５２分だけ離間してドレイン電極５１を形成した。 - 特許庁

On a side of a trench 5a dug from a surface of an epitaxial layer 4, a trench sidewall diffusion layer 6 made of polysilicon with N-type impurities introduced is deposited.例文帳に追加

エピタキシャル層４の表面から掘り下がったトレンチ５ａの側面には、Ｎ型の不純物が導入されたポリシリコンからなるトレンチ側壁拡散層６が被着されている。 - 特許庁

The light emitted by the light emitting diodes 10 is diffused by a diffusion plate 11 and radiated from transmission windows 9 to shine the parts near the horizon of the inside wall surface of a dome.例文帳に追加

発光ダイオード１０が射出する光は拡散板１１により拡散され透過窓９より放射され、ドーム内壁面の地平線付近を照らし出す。 - 特許庁

To provide a preprocessing method for selectively forming a diffusion layer on the surface of a substrate while preventing a smear or a spread on a pattern after application using an inkjet system.例文帳に追加

インクジェット方式を用いて、塗布後のパターンが滲む又は広がることなく基板の表面に選択的に拡散層を形成するための前処理方法を提供すること。 - 特許庁

The gas diffusion layer substrate after allowing the cerium-containing oxide to be contacted with the water-repellent layer paste coating surface is heated to dissolve and remove the surfactant contained in the water-repellent layer paste.例文帳に追加

撥水層ペーストの塗工面にセリウム含有物が接触されたガス拡散層基材を加熱して、撥水層ペーストに含まれる界面活性剤を分解除去する。 - 特許庁

To always stably and highly accurately detect toner density even in the case that the diffusion reflectance of an image carrier surface is low in the toner density detecting means of a color image forming device.例文帳に追加

カラー画像形成装置のトナー濃度検出手段において、像担持体地肌の拡散反射率が低い場合でもトナー濃度を常に安定して精度良く検出する。 - 特許庁

Ions are implanted with conductor layer patterns 114b as a mask to form an embedded type impurity diffusion layer 120 near the surface of the semiconductor substrate between the patterns 114b.例文帳に追加

導電層パターン１１４ｂをマスクとしてイオン打ち込みを行い、これらの間の半導体基板の表面近傍に埋め込み型不純物拡散領域１２０を形成する。 - 特許庁

In the annealing process, only the silicon atoms in the vicinity of the surface of a silicon substrate 12 are selectively excited by the RLSA plasma, and the depth-direction impurity diffusion is suppressed.例文帳に追加

アニール工程では、ＲＬＳＡプラズマにより、シリコン基板１２表面近傍のシリコン原子のみが選択的に励起され、深さ方向への不純物拡散は抑制される。 - 特許庁

The dielectric mask is removed, and the p-GaAs lower contact layer 109, a hydrogen diffusion preventing layer 111, and a p-GaAs upper contact layer 112 are formed on the entire surface.例文帳に追加

その誘電体マスクを除去し、全面にｐ−ＧａＡｓ下部コンタクト層１０９、水素拡散防止層１１１、ｐ−ＧａＡｓ上部コンタクト層１１２を形成する。 - 特許庁

This allows diffusion of the phosphorus into the p-type silicon substrate and improvement in crystallinity of a semiconductor layer which is grown on a surface of the first semiconductor layer.例文帳に追加

そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 - 特許庁

A surface of a silicon oxide film 6 which is embedded inside a device isolation trench 4 is formed with a nitrogen introduction layer 7 having a small diffusion coefficient relative to an oxidation agent.例文帳に追加

素子分離溝４の内部に埋め込まれた酸化シリコン膜６の表面部分には、酸化剤に対する拡散係数が小さい窒素導入層７が形成されている。 - 特許庁

To move water generated in an electrochemical reaction of hydrogen and oxygen, from a catalyst layer to a desired position on the surface of a gas diffusion layer in a fuel cell.例文帳に追加

燃料電池において、水素と酸素との電気化学反応によって生成された生成水を、触媒層からガス拡散層の表面上の所望の位置に移動させる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a cell module capable of efficiently forming a catalyst layer and a gas diffusion layer on the inner surface of a hollow electrolyte membrane and enhancing productivity.例文帳に追加

中空状電解質膜の内面側に触媒層及びガス拡散層を効率よく形成することができ、生産性が高いセルモジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a silicone grease composition which sufficiently inhibits the diffusion of an oil component or an oily additive in the grease component from the coated surface, and a silicone oil compound composition.例文帳に追加

塗布面からのグリース成分中の油分または油状添加物の拡散が十分に抑制されたシリコーングリース組成物およびシリコーンオイルコンパウンド組成物を提供する。 - 特許庁

A source/drain diffusion layer 15 is formed on a surface side of the semiconductor substrate 1, and the second sidewall 13a is selectively removed by wet etching using an alkaline etching solution.例文帳に追加

半導体基板１の表面側にソース／ドレイン拡散層１５を形成し、アルカリエッチング溶液を用いたウェットエッチングにより、第２サイドウォール１３ａを選択的に除去する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the silicon epitaxial wafer, a silicon epitaxial layer 9 is vapor grown on the main surface of the diffusion wafer 7 and the silicon epitaxial wafer 10 is manufactured.例文帳に追加

拡散ウェーハ７の主表面上にシリコンエピタキシャル層９を気相成長してシリコンエピタキシャルウェーハ１０を製造するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法である。 - 特許庁

The surface-side part of the portion overlapping the diffusion area 4 of a drain electrode 7 constituting metallic wiring becomes a drain pad 17 serving as a bonding pad.例文帳に追加

金属配線たるドレイン電極７においてｎ^+形ドレイン拡散領域４に重複する部分のうち表面側の一部がボンディングパッドたるドレインパッド１７となる。 - 特許庁

In the second opening 5b, a second semiconductor layer 7 having an impurity diffusion coefficient smaller than that of the semiconductor substrate 1 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

第２開口５ｂの内部において、半導体基板１より小さい不純物拡散係数を有する第２半導体層７を半導体基板１の表面に形成する。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR DECONTAMINATING SURFACE PERIPHERAL PORTION POLLUTED BY RADIOACTIVE ISOTOPE, WITHOUT REMELTING, RE-DIFFUSION AND REDEPOSITION BY USING NONTHERMAL LASER EXFOLIATION例文帳に追加

放射性同位元素に汚染された表面近傍部位を非熱的レーザー剥離を用いて再溶融無く、再拡散無く、且つ再汚染無く除染する方法とその装置 - 特許庁

Since the heat treatment temperature is so low as 1,500°C, roughness on a surface of a crystal is prevented; and since no outward diffusion occurs, so the device properties can be improved.例文帳に追加

加熱処理温度が１５００℃と低温であるため、結晶表面荒れが防止され、また外方拡散が起こらないため、デバイス特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a laminated light-diffusing film and a method for manufacturing the film excellent in translucency, light diffusion, mechanical strength and prodoctivity although it has a smooth surface.例文帳に追加

表面が平滑でありながら、光透過性、光拡散性、機械的強度、および生産性に優れた積層光拡散性フィルム、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition used in screen printing or the like which provides a light diffusion graduation treatment on one surface of a light guide plate, and to provide a light guide plate printed therewith.例文帳に追加

導光板の片面に光拡散グラデーション処理を施すスクリーン印刷等に用いる塗料組成物、及びそれを印刷した導光板を提供すること。 - 特許庁

The signal charge storage part 7 having the stray diffusion area 22, which is formed on the surface of the substrate, by detaching it from the charge supply part 5 by a prescribed distance, is disposed.例文帳に追加

上記基板表面に上記電荷供給部５から所定距離だけ離間して形成された浮遊拡散領域２２を有する信号電荷蓄積部７を備える。 - 特許庁

The louver layer has the first louver layer formed by arranging a light transmission band and a shielding band alternately for preventing the diffusion of light entering from the surface illuminations; and the second louver layer arranged in an orthogonal state with respect to the first louver layer formed by arranging a light transmission band and a shielding band alternately for preventing the diffusion of light entering from the surface illumination.例文帳に追加

ルーバー層は、光透過帯と遮光帯が交互に配置されて面照明から入射する光の拡散を防止する第１ルーバー層と、該第１ルーバー層と直交する状態で配置され光透過帯と遮光帯が交互に配置されて面照明から入射する光の拡散を防止する第２ルーバー層とを備える。 - 特許庁