「TE」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

In a region Z, a groove position is deepest in the core, and a difference is produced between an effective refractive index with respect to TE polarization and that with respect to TM polarization, mainly in this part.例文帳に追加

領域Ｚは最も溝位置がコア内部に入り込んでいる領域であり、主としてこの部分でＴＥ偏光とＴＭ偏光に対する有効屈折率に差が生じる。 - 特許庁

The radiation heat Te of the light source lamp 22 may be shut off by arranging the intake duct 37 formed of the thermally insulating material between an electronic circuit section 4 and the light source lamp 22.例文帳に追加

また、電子回路部４と光源ランプ２２との間に断熱材料で形成される吸気ダクト３７を配置することにより、光源ランプ２２の放熱Ｔｅを遮断できる。 - 特許庁

A primary expression, a polynominal, or the like showing the transition of C is determined from accumulated transition data, and an arrival time point (life) TE to the set capacity limit LIMIT is estimated and displayed.例文帳に追加

蓄積される推移データからＣの推移を表わす１次式、多項式等を定め、設定された能力限界ＬＩＭＩＴへの到達時点（寿命）ＴＥを推定し、表示する。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium contains magnetic crystal particles and a base material surrounding the magnetic crystal particles, and the base material contains an element selected from Zn, Cd, Al, Ga and In, and a component selected from P, As, Sb, S, Se, and Te.例文帳に追加

磁性結晶粒子と、この磁性結晶粒子を取り囲む母材とを有し、母材は、Ｚｎ，Ｃｄ，Ａｌ，Ｇａ，及びＩｎから選択される元素と、Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，及びＴｅから選択される成分を含有する。 - 特許庁

The lighting optical system sets a light to the specified pattern to be one with a range of specific incident angle, and it sets the light with a range of specific incident angle to TE polarization for the specified pattern.例文帳に追加

照明光学系は、所定のパターンに対する照明光を特定の入射角度範囲の照明光に設定すると共に、特定の入射角度範囲の照明光を所定のパターンに対するＴＥ偏光に設定する。 - 特許庁

Thus, it is confirmed that the storage area 2a of te storage apparatus 2 is normally operated, and the speed of the patrol process executed by the patrol process execution means 1a is regulated.例文帳に追加

これにより、ストレージ装置２の記憶領域２ａが正常に稼動していることが確認されるとともに、パトロール処理実行手段１ａで実行されるパトロール処理の速さが規制される。 - 特許庁

For example when a compound expressed by (Ti, Zr)4C2(S, Se, Te)2 is at least dispersedly formed in the alloy structure, this effect is remarkable.例文帳に追加

特にこの効果は、上記（Ｔｉ、Ｚｒ）系化合物として、例えば（Ｔｉ、Ｚｒ）_４Ｃ_２（Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）_２で表わされる化合物が、合金組織中に少なくとも分散形成されている場合に顕著である。 - 特許庁

The control part 10 applies calculated bias to the TE signal output from the differential amplifier 6A and sets gain G of the amplifier 6C to the calculated value.例文帳に追加

制御部１０は、差動増幅器６Ａから出力されているＴＥ信号に算出したバイアスを印加するとともに、増幅器６ＣのゲインＧを算出した値に設定する。 - 特許庁

To constitute a dielectric filter in which a part of an outer conductor can be removed easily, resonance frequency in a TE mode is shifted and spurious characteristics are improved.例文帳に追加

外導体の一部を容易に削除できるようにし、ＴＥモードの共振周波数をシフトさせて、スプリアス特性を改善した誘電体フィルタを構成する。 - 特許庁

As for a phase-changing optical recording medium, a recording layer 4 is made of phase-changing recording materials containing a Ib group element, a IIIb group element, an Sb element and a Te element.例文帳に追加

相変化光記録媒体１に関し、記録層４は、Ｉｂ族元素、 IIIｂ族元素、Ｓｂ元素及びＴｅ元素を有する相変化記録材料による。 - 特許庁

A test operation is designated by a switching signal NR/TE, to thereby switch transfer switches 3-7 to the terminal T side, and a test mode A is designated by the switching signal TA/TB, to thereby switch a transfer switch 8 to the terminal A side.例文帳に追加

切替信号ＮＲ／ＴＥでテスト動作を指定して切替スイッチ３〜７を端子Ｔ側に切り替え、切替信号ＴＡ／ＴＢでテストモードＡを指定して切替スイッチ８を端子Ａ側に切り替える。 - 特許庁

The light absorbing layer 3 is constituted of XYZ_2 (X is at least one element between Cu and Ag, Y is at least one element among B, In Ga and Al, and Z is at least one element among S, Se and Te).例文帳に追加

光吸収層３は、ＸＹＺ_２（Ｘ＝Ｃｕ、Ａｇのうち少なくとも１元素、Ｙ＝Ｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌのうち少なくとも１元素、Ｚ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち少なくとも１元素）により構成される。 - 特許庁

The center thickness Tc of a part near a center of a work W, the edge side thickness Te of a part near an edge side, and the middle thickness Tm of a part between the center and the edge side are measured by displacement sensors 50c, 50e, 50m.例文帳に追加

変位センサ５０ｃ，５０ｅ，５０ｍにより、ワークＷの中心近傍の中心厚さＴｃ，縁辺近傍の縁辺厚さＴｅ，及び中心と縁辺との間の中間厚さＴｍを、計測する。 - 特許庁

A folding part Tf of the cut adhesive tape T is sucked and held by the tape suction member 36, and it is folded to be applied to the folded part receiving part Tg, thereby the folded part Te is formed.例文帳に追加

切断された粘着テープＴの折返し予定部分Ｔｆを、テープ吸引具３６で吸引保持しつつで折り返して折返し受け部分Ｔｇに貼着することにより、折返し部Ｔｅを形成する。 - 特許庁

Part of optical pulse 123 outputted from the optical fiber 106 is branched by an optical coupler 109, and is further branched into a TE polarization component and a TM polarization component by a polarization beam splitter 112.例文帳に追加

光ファイバ１０６から出力された光パルス１２３の一部は、光カプラ１０９にて分岐され、更に偏波スプリッタ１１２にてＴＥ偏波成分とＴＭ偏波成分に分岐される。 - 特許庁

The second semiconductor layer 12B mainly contains a Te mixed crystal, and formed by containing, for instance, a Be_x4Mg_x5Zn_x6Te mixed crystal (0≤x4≤1, 0≤x5≤1, 0≤x6≤1 and x4+x5+x6=1).例文帳に追加

第２半導体層１２Ｂは、Ｔｅ混晶を主に含んでおり、例えばＢｅ_ｘ４Ｍｇ_ｘ５Ｚｎ_ｘ６Ｔｅ混晶（０≦ｘ４≦１，０≦ｘ５≦１，０≦ｘ６≦１，ｘ４＋ｘ５＋ｘ６＝１）を含んで構成されている。 - 特許庁

In the case the solar heat reflectibility TE/NIR in the wavelength region of 0.8 to 2.1 μm of the coating film is high of ≥20%, a metallic substrate (such as an Al plated steel sheet) whose RE/NIR is high of ≥40% is used, and, reflection from the substrate is also utilized.例文帳に追加

この塗膜の 0.8〜2.1μｍの波長域での太陽熱透過率Ｔ_E/NIR が20％以上と高い場合には、Ｒ_E/NIR が40％以上と高い金属基板 (例、Al系めっき鋼板) を使用し、基板からの反射も利用する。 - 特許庁

A brazing material including Sb of 5 to 20 mass%, Te of 0.01 to 5 mass%, and Sn and non-avoidable impurity as the remainder is joined with the single surface of a seal cover consisting of a metal plate 6.例文帳に追加

Ｓｂ５〜２０質量％、およびＴｅ０．０１〜５質量％を含む、残部がＳｎおよび不可避不純物であるろう材５を、金属板６からなるシールカバーの片面に接合する。 - 特許庁

Moreover, it has been found out that 2 mm scanning results in 32.4 nm change, and thereafter, Δλ changes by 16.7 nm per 1 mm increase in the scanning length, and Δn has changed by 0.0016 in both of TE and TM modes.例文帳に追加

また、２ｍｍ走査した場合は３２. ４ｎｍ、以降、走査距離が１ｍｍ増えると、Δλは１６. ７ｎｍ変化していき、ΔｎはＴＥモード、ＴＭモードとも０. ００１６変化していることがわかった。 - 特許庁

To provide an optical disk device in which a time required fo adjusting a position of a movable lens for correcting spherical aberration and a value of a focus balance can be reduced in order to optimize an amplitude level of a TE signal.例文帳に追加

ＴＥ信号の振幅レベルを最適とするために、球面収差補正用の可動レンズ位置及びフォーカスバランス値を調整する時間を短時間とできる光ディスク装置を提供する。 - 特許庁

When a test signal TE is made to be 'H', all sub-arrays 10_k are selected by an OR31_k, and all word lines WL_i are made to be a non-selection state by an AND32_i.例文帳に追加

試験信号ＴＥを“Ｈ”にすると、ＯＲ３１_ｋによってすべてのサブアレイ１０_ｋが選択され、ＡＮＤ３２_ｉによってすべてのワード線ＷＬｉは非選択状態にされる。 - 特許庁

An element of at least one kind selected from a group composed of Bi and Sb and an element of at least one kind selected from a group composed of Te and Se are prepared in a desired composition and used as a raw material (a step 1a).例文帳に追加

Ｂｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素と、Ｔｅ及びＳｅからなる群から選択された少なくとも１種の元素とを所望の組成に調整し原料とする（ステップ１ａ）。 - 特許庁

Symbol t denotes a bottom thickness of the rolled bar 1, tm denotes the average value of t in every groove 5, tf denotes the wall thickness at a boundary 7, and te denotes the wall thickness at an edge 8.例文帳に追加

ｔを溝５における圧延材１の底肉厚とし、ｔｍを全ての溝５におけるｔの平均値とし、ｔｆを境界７における肉厚とし、ｔｅを端縁８における肉厚とする。 - 特許庁

Free-cutting stainless steel containing one or more kinds among S, Se, Te, Pb and Bi as free-cutting components are used as the stock and subjected to warm forging at 400 to 600°C to be formed into dimensions close to those of the shape of parts.例文帳に追加

快削成分としてＳ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｂｉのうちいずれか１種以上を含有する快削ステンレス鋼を素材として、４００〜６００℃の温度において温間鍛造加工により、部品形状に近い寸法に成形する。 - 特許庁

Furthermore, the electric field mode converter 4 is provided at the connected part to convert the LSM mode of the NRD guide 32 into the TE mode of the rectangular waveguide 25.例文帳に追加

また、結合部には、電界モード変換装置４が設けられ、ＮＲＤガイド３２の信号のＬＳＭモードを、矩形導波管２５のＴＥモードに変換する。 - 特許庁

The first and the second protective layers consists of a mixture of ZnS and SiO_2, the recording layer has Ge, Sb and Te as main constituent elements and the reflective heat dissipation layer 5 consists of Al alloy.例文帳に追加

第１、第２の保護層はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物よりなり、記録層はＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主たる構成元素とし、反射放熱層５はＡｌ合金よりなる。 - 特許庁

In the variable gain control circuit 9, the tracking error signal TE is subjected to gain control by a total reflective light quantity signal PE and formed to the signal having the constant amplitude and supplied to the operation amplifier circuit 6.例文帳に追加

可変利得制御回路９では、トラッキングエラー信号ＴＥが総反射光量信号ＰＥで利得制御されて振幅一定の信号となり、作動増幅回路６に供給される。 - 特許庁

In this write-once type optical recording medium, on which information is recorded through light irradiation, its recording layer has Te, at least one element selected from the group consisting of {Al, Ga and In} and Zr.例文帳に追加

光を照射することにより情報を記録するライトワンス型光記録媒体であって、その記録層は、Ｔｅと、｛Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ｝の中から選ばれた少なくとも１つの元素Ｍ_1 と、Ｚｒとを有する。 - 特許庁

The phase change recording film having a high electric resistance has a composition of 15-30 atm% of Ge, 15-30 atm% of Sb, 1-15 atm% of oxygen, and the remainder of Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１５〜３０％、Ｓｂ：１５〜３０％を含有し、酸素：１〜１５％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する電気抵抗の高い相変化記録膜。 - 特許庁

A polarization multiplexer (24) multiplexes signal light (28) of the TE wave and control light (30) of the TM wave, and multiplexed light is made incident on the optical waveguide (18) through the reflecting means (20).例文帳に追加

偏光合波器（２４）は、ＴＥ波の信号光（２８）とＴＭ波の制御光（３０）を合波し、合波光を反射手段（２０）を介して光導波路（１８）に入射する。 - 特許庁

This target has a composition, by atomic%, 20-30% Ge, 20-30% Sb, 0.3-1.5% oxygen and the balance Te with unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２０〜３０％、Ｓｂ：２０〜３０％を含有し、酸素：０．３〜１．５％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する。 - 特許庁

A bracket structure (14) includes attachment parts (17, 18) for being attached to a base material (8), an engagement part (19) for engaging with another component (10), and an arrangement surface (20) arranging te wire harness (13).例文帳に追加

ブラケット構造（１４）は、母材（８）に取り付けられるための取付部（１７、１８）と、他部品（１０）を係合するための係合部（１９）と、ワイヤハーネス（１３）を配索する配索面（２０）とを備える。 - 特許庁

When an LC-IF#1a confirms a call from an ISDN terminal TE(a), a CPU 3 refers to management table 6 to acquire a connection destination number.例文帳に追加

ＣＰＵ３は、ＬＣ−ＩＦ＃１ａによりＩＳＤＮ端末装置ＴＥ（ａ）からの発呼が確認されると、管理テーブル６を参照し、接続先番号を取得する。 - 特許庁

The tilt angle of an optical pickup is changed from directions of an inner periphery to an outer periphery to the optical disk (S1), and a TE signal (tracking error signal) obtained in this case is stored in a memory in a control circuit (S2).例文帳に追加

光ピックアップのチルト角度が光ディスクに対して内周から外周方向へと変更され（Ｓ１）、この時得られるＴＥ信号（トラッキングエラー信号）を、制御回路内のメモリに記憶する（Ｓ２）。 - 特許庁

This copper alloy can moreover be incorporated with one or ≥ two kinds selected from the groups of Pb, Bi, Se, Te, Ca, Sr and misch metal by 0.001 to 0.5% in total.例文帳に追加

また、この銅合金は、更に、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃａ、Ｓｒおよびミッシュメタルよりなる群より選ばれた１種又は２種以上を総計で０．００１〜０．５ｗｔ％含むことが出来る。 - 特許庁

To provide a terminal adaptor, capable of cutting off a reference point U and performing communication between a network terminal NT on the side of a reference point T and a terminal TE 2 on the side of an adaptor.例文帳に追加

参照点Ｕの切り離しが可能で、かつ参照点Ｔ側の網終端装置ＮＴとアダプタ側の端末装置ＴＥ２間の通信ができるターミナルアダプタを提供する。 - 特許庁

Conditioned air discharged from a vehicle heating, ventilation and air conditioning (HVAC) unit (28) is further conditioned by a thermoelectric (TE) air conditioning unit (36) and then directed to air passages (24) in a vehicle seat (22a).例文帳に追加

車両暖房、換気、および空調（ＨＶＡＣ）ユニット２８から放出される調和空気が、さらに、熱電気（ＴＥ）空気調和ユニット３６によって調和され、その後、車両シート２２ａ内の空気通路２４に向けられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ge-Sb-Te sputtering target material for a thin film medium which records information by using the phase transformation of a recording layer material.例文帳に追加

本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The high-strength sputtering target has a composition containing, by atomic %, 10 to 30% Ge, 10 to 25% Sb, and 0.5 to 5% Ti, and consists of the balance Te and inevitable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：１０〜３０％、Ｓｂ：１０〜２５％、Ｔｉ：０．５〜５を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有する高強度スパッタリングターゲット。 - 特許庁

When the estimated temperature Te is equal to or higher than the specified temperature and the off-road traveling is judged, the target number of steps is changed to change the opening of the variable restriction mechanism 50 to a larger side.例文帳に追加

推定温度Ｔeが所定温度以上かつオフロード走行が判定された場合には、前記目標ステップ数を変更して、可変絞り機構５０の開度を大きい側に変更する。 - 特許庁

When the detected temperature Ti of a thermistor 3 is equal to or lower than the braking temperature (abnormal temperature) Te of the device and equal to or higher than the upper limit temperature Th, a heater lamp 2 is forcibly turned off.例文帳に追加

サーミスタ３の検出温度Ｔｉが装置の破壊温度（異常温度）Ｔｅ以下で、上限温度Ｔｈよりも大きい場合には、ヒータランプ２を強制的にＯＦＦとする。 - 特許庁

The charge generating layer comprises one or two or more compositions selected from a group of S, Se, Te, Si, SiC, and Ge, and is constituted of an amorphous film.例文帳に追加

電荷発生層がＳ・Ｓｅ・Ｔｅ・Ｓｉ・ＳｉＣ・Ｇｅの群から選択される１種もしくは２種以上の組成物からなり、かつ非晶質膜で構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

If no stopping machine is involved in the modification of capacity of the operating machine, an effect waiting time TE is set equal to the longest actual starting time of operating machine TA + single circulation time of water TC.例文帳に追加

運転機器能力の変更が停止機器を伴わない場合、運転機器の中で最長の実始動時間ＴＡ＋水１巡時間ＴＣを効果待ち時間ＴＥとする。 - 特許庁

The harmonic suppression resonator is provided with a nearly rectangular resonance region 21 in which a fundamental wave resonates in TE 101 mode, a blocking region for the fundamental wave which has its E plane projected, and an additional region 22 as a propagation region for harmonics.例文帳に追加

基本波がＴＥ１０１モードで共振する略矩形の共振領域２１と、そのＥ面が突出した形状をなして基本波の遮断域、高調波の伝搬域となる付加領域２２とを設ける。 - 特許庁

The CPU 14 allocates exposure periods P11, P12, P13, P14 so that exposure start times TS and exposure end times TE of the first imaging element 26-1 and the second imaging element 26-2 coincide with each other.例文帳に追加

また、ＣＰＵ１４は、第１撮像素子２６−１と第２撮像素子２６−２の露光開始時間Ｔ_Ｓと露光終了時間Ｔ_Ｅとが互いに一致するように、露光期間Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３，Ｐ１４の割り当てを行う。 - 特許庁