「THIN FILM TYPE」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, a third insulator film 11 that is thinner and stable is formed as a result of thermal oxidation of a surface of the light receiving portion 5, a p-type impurity ion is injected in a surface portion of the light receiving portion 5 of an n-type semiconductor substrate 1 through this third insulator film 11 that is thin and stable, and a high-concentration surface p+ layer is formed.例文帳に追加

さらに、受光部５の表面を熱酸化して膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を成膜し、この膜厚が薄く安定した第３の絶縁膜１１を通してｎ型半導体基板１の受光部５の表面部にｐ型不純物イオンの注入が為されて高濃度表面ｐ＋層を形成する。 - 特許庁

The reflection type spherical aberration correction element 40 includes a buckling type micro-actuator in which vibration plates (diaphragm) having such structure that a piezo thin film 44 is held between electrode films 43 and 45 are laminated on a semiconductor substrate 41, curvature of the reflection plane by the vibration plate is changed by controlling applied voltage to each electrode film 43, 45.例文帳に追加

この反射型球面収差補正素子４０は、半導体基板４１上にピエゾ薄膜４４を電極膜４３、４５で挟んた構造の振動板（ダイアフラム）を積層した座屈型マイクロアクチュエータを含むものであり、各電極膜４３、４５間の印加電圧を制御することで振動板による反射面の曲率を変化させる。 - 特許庁

The hydrogen production-separation integrated type functional thin film 10 is a thin film to decompose a molecular of a raw material gas into a hydrogen molecule and a molecule of a by-product and to separate hydrogen gas from gas after the decomposition, and includes: a hydrogen permeable film 11; and a titanium dioxide nanotube array 12 that is an aggregate of a titanium dioxide nanotube and is erected on one surface of the hydrogen permeable film.例文帳に追加

水素生成・分離一体型機能性薄膜１０は、原料ガスの分子を水素分子と副生成物の分子に分解すると共に、該分解後のガスから水素ガスを分離するための薄膜であって、水素分子を透過し、且つ前記副生成物の分子を透過しない水素透過膜１１と、前記水素透過膜の一方の表面に立設された二酸化チタンナノチューブの集合体である二酸化チタンナノチューブアレイ１２とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

To provide a fluoride thin film low in phonon energy, small in a load on the environment and useful, e.g. for a high efficiency waveguide type light amplifying element or wave guide type laser element, a light integrated circuit in which a waveguide type light receiving element for light multiplexing, branching or the like is integrated into these elements and a display device utilizing up-conversion and electroluminescence.例文帳に追加

効率の高い導波路型光増幅素子、導波路型レーザー素子、これらの素子に光合波、分岐等の導波路型光受動素子を一体化した光集積回路、アップコンバージョン及びエレクトロルミネセンス表示デバイス等に有用な、フォノンエネルギーが低い、環境に対する負荷の小さいフッ化物薄膜を提供する。 - 特許庁

A p-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 103 whereon a microscopic crystal silicon thin film solar battery si formed on a substrate 101, a microscopic crystal buffer layer 104, an i-type hydrogenated structure, containing at least an n-type hydrogenated microscopic crystal silicon layer 106, and a reflection electrode, formed on the laminated structure, are provided.例文帳に追加

微結晶シリコン薄膜太陽電池が、基板と、該基板の上に形成された、ｐ型水素化微結晶シリコン層、微結晶バッファ層、ｉ型水素化微結晶シリコン層、及びｎ型水素化微結晶シリコン層を少なくとも含む積層構造と、該積層構造の上に形成された反射電極と、を備える。 - 特許庁

The thin film coating apparatus is so constituted that a tip discharge opening 3 of a nozzle 4 is arranged in the vicinity of conveying downstream side of a supporting roll 10 supporting a film-shaped body 5 to be coated, and that a non-contact type vibration suppression mechanism D suppressing film vibration by spraying air is installed on the conveying downstream side of the tip discharge opening 3 of the nozzle 4.例文帳に追加

フィルム状の被塗工体５を支持する支持ロール10の搬送下流側の近傍位置に前記ノズル部４の先端吐出孔３を配設した構成とし、このノズル部４の先端吐出孔３の搬送下流側に、エアを吹き付けてフィルム振動を抑制する非接触式振動抑制機構Ｄを設けた構成とした薄膜塗工装置。 - 特許庁

The conductive zinc oxide laminated film 1 is film-formed on a substrate 10 of which at least the surface is non-conductive, and includes a conductive zinc oxide fine particle layer 11 including a plurality of fine particles 11p of at least one type with a conductive zinc oxide formed on the surface as a main constituent, and a conductive zinc oxide thin-film layer 12 formed on the conductive zinc oxide fine particle layer 11.例文帳に追加

導電性酸化亜鉛積層膜１は、少なくとも表面が非導電性である基板１０上に成膜されてなり、その表面に形成された導電性酸化亜鉛を主成分とする少なくとも１種の複数の微粒子１１ｐを含む導電性酸化亜鉛微粒子層１１と、導電性酸化亜鉛微粒子層１１上に形成された導電性酸化亜鉛薄膜層１２とを備えている。 - 特許庁

The simple matrix type memory element is formed in such a way that, after peripheral circuits 21 and 22 are formed on a substrate 1 by transfer and a flattened film 3 is formed on the substrate 1 including the circuits 21 and 22, X-stripe electrodes 61-6n, a ferroelectric organic thin film 7, and Y-stripe electrodes 81-8m are successively formed on the flattened film 3.例文帳に追加

基板１上に周辺回路２１，２２を転写形成し、周辺回路２１，２２を含む基板１上に平坦化膜３を形成した後、平坦化膜３上にＸストライプ電極６１，６２，…，６ｎ、強誘電性有機薄膜７、及びＹストライプ電極８１，８２，…，８ｍを順次形成して単純マトリクス構造のメモリセルを形成する。 - 特許庁

The thin type battery pack is equipped with a laminate cell 1 covering a cell element 11 with an outer package film 10, wrapping the outer package film 10 at an outer side of the cell element 11 and storing the cell element 11 inside the outer package film 10 by joining a wrap part 12, and a circuit substrate 2 connected to an output lead 4 of the laminate cell 1.例文帳に追加

薄型バッテリーパックは、電池素子１１を外装フィルム１０で被覆し、電池素子１１の外側で外装フィルム１０をラップし、このラップ部１２を接合して外装フィルム１０の内部に電池素子１１を内蔵しているラミネート電池１と、このラミネート電池１の出力リード４に接続している回路基板２とを備える。 - 特許庁

A conductive film of a barrier nature (referred to as barrier type conductive film, hereafter) preventing the diffusion of copper is provided between thin-film transistors (represented as TFTs, hereafter), so as to form the wiring containing copper without diffusing copper to the semiconductor layer of the TFT.例文帳に追加

本発明では、半導体装置に用いる配線として、配線抵抗の低抵抗化を実現する銅を含む配線を微細化して用いるとともに、銅の拡散を防ぐバリア性の導電膜（以下、バリア性導電膜）を薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと表記する）との間に設けることによりＴＦＴの半導体層に銅が拡散することなく銅を含む配線を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an interlayer insulating film which can secure flatness as a flexible printed wiring board by making a thickness sufficiently thin as an interlayer insulating film, and improving wiring density of a multi-layered type flexible printed wiring plate along the thickness while securing adhesive strength for a circuit formation surface; and to provide electric, mechanical, and thermal reliability, and a flexible printed wiring board using the insulating film.例文帳に追加

回路形成面との接着性および電気的、機械的、熱的信頼性を確保しつつ、層間絶縁膜としての厚みを十分に薄くし、多層型フレキシブルプリント配線板の厚み方向の配線密度を向上させ、かつフレキシブルプリント配線板としての平坦性を確保できる層間絶縁膜およびその製造方法、ならびに該絶縁膜を用いたフレキシブルプリント配線板を提供すること。 - 特許庁

To provide a reflective film, a thin film for wiring or for an electrode and a semi-reflection type semi-transmission film having high reflectivity and low electric resistance while suppressing the reduction of the reflectivity caused by reaction with a trace amount of free halogen by heat and also improving the heat resistance of, and to provide a sputtering target material and a vapor deposition material useful for the production of the films.例文帳に追加

熱による微量の遊離ハロゲンとの反応による反射率の低下を抑制し且つ耐熱性を改善しつつ、高い反射率および低い電気抵抗を有し、しかも熱や湿度に対しても高い安定性を有する反射膜、配線用または電極用薄膜及び半反射型半透過膜、ならびにかかる膜の製造に有用なスパッタリングターゲット材および蒸着材料を提供すること。 - 特許庁

To provide a thin-shaped and low-loss type flat cable for signal transmission, capable of preventing a protection shielding layer from losing form/shape caused by peelings generated between an electric insulation thin-film layer and the protection shielding layer, and also capable of suppressing deterioration of a shielding effect caused by opening generated in a superposed area of one edge on the other edge of the protection shielding layer.例文帳に追加

薄型でしかも低損失であり、また、電気絶縁薄膜層と保護遮蔽層との間の剥離発生に起因する保護遮蔽層の形崩れを防止でき、保護遮蔽層の一方の端縁部と他方の端縁部との重ね合わせ部における開口発生に起因する遮蔽効果の低下をも抑止する信号伝送用フラットケーブルを提供する。 - 特許庁

To provide a cell and a cell plate for a porous metal supporting type solid oxide fuel cell forming a thin film state battery element on a light weight, thin and low cost gas permeating metal substrate provided with reduction resistance and oxidation resistance preventing peeling or cracking of an electrolyte layer due to a difference in heat expansion and furthermore, a fuel cell using them.例文帳に追加

耐還元性及び耐酸化性を備え、軽量、薄肉、且つ安価なガス透過性金属基板に薄膜状の電池要素を形成することができ、ヒートサイクルの繰り返しによっても熱膨張差による電解質層の剥離や割れを防止することができ、耐久性に優れた多孔質金属支持型の固体酸化物形燃料電池用セル及びセル板、さらにこれらを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

The ceramic composition is an oxide ion mixed conductor having perovskite type crystal structure and is used as a porous body for oxygen separator composite material or a material for the dense thin film formed on the porous body.例文帳に追加

本発明の磁器組成物は、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物イオン混合伝導体であって、酸素分離用複合材料の多孔質体、あるいは、その多孔質体の上に形成された緻密質薄膜用の材料として用いる。 - 特許庁

The source solution for the formation of a perovskite type or Bi sheet perovskite oxide thin film containing Ba and/or Sr contains silicone.例文帳に追加

Ｂａ及び／又はＳｒを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜を成膜するための原料溶液において、該溶液中にシリコーンを含有するペロブスカイト型又はＢｉ層状ペロブスカイト型酸化物薄膜形成用原料溶液。 - 特許庁

The top gate type thin-film transistor includes the semiconductor layer comprising the amorphous oxide including In, Ga, and Zn, and includes the source electrode or the drain electrode at a side opposite to a source region or a drain region viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

A bottom gate type thin film transistor is constituted which includes a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and also has a source electrode or drain electrode formed before a source region or drain region when viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

An active matrix type display device comprises pixel electrodes formed on a substrate, thin film transistors for driving the pixel electrodes formed on the substrate, and protecting circuits including a transparent conductive material formed on the substrate.例文帳に追加

基板上に形成された画素電極と,前記基板上に形成された前記画素電極を駆動する薄膜トランジスタと、前記基板上に形成された透明導電材料を含む保護回路と、を有するアクティブマトリクス型表示装置である。 - 特許庁

In the plastic container 10 of which the inside layer coming into contact with content comprises a polyolefinic thermoplastic elastomer 12, the polyolefinic thermoplastic elastomer 12 is coated with a thin film 13 by generating the gaseous plasma of a silane type monomer gas.例文帳に追加

内容物に接する内側層がポリオレフィン系熱可塑性エラストマー１２であるプラスチック容器１０において、該ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー１２にシラン系モノマーガスをプラズマ化することにより薄膜１３で被覆したことを特徴とする薄膜層を有するプラスチック容器。 - 特許庁

When a perovskite type oxide dielectric thin film expressed by ATiO_3, an electron fed from oxygen deficiency caused by low oxygen partial pressure is trapped by adding excessively Fe with smaller valence number than tetravalent Ti to increase the breakdown strength.例文帳に追加

ＡＴｉＯ_３で表記されるペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜を形成するために、低い酸素分圧の結果生じる酸素欠陥から供給される電子を、４価であるＴｉよりも低い価数をとりうるＦｅを過剰に添加することによって、トラップし耐圧を高めることができる。 - 特許庁

The panel module with a sidelight system backlight using LEDs 13 as a light source includes thin-film type LEDs 13 directly formed on the glass substrate 11 constituting the panel module with the use of the semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

光源としてＬＥＤ１３を用いたサイドライト方式バックライトを備えたパネルモジュールにおいて、パネルモジュールを構成するガラス基板１１上に半導体製造プロセスを用いて直接形成した薄膜型のＬＥＤ１３を有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The electron source substrate manufacturing apparatus injects a solution containing a fine metal particle material for forming a conductive thin film between element electrodes on a substrate with an injection head to form a group of surface conduction type electron emitters.例文帳に追加

電子源基板製造装置において、基板上の複数の各素子電極間に導電性薄膜を形成するための金属微粒子材料を含有する溶液を噴射ヘッドにより噴射付与し、導電性薄膜による表面伝導型電子放出素子群を形成する。 - 特許庁

To provide conductive paste for forming an electrode on a p-type Si semiconductor substrate that can thin an electrode film with securing a desired solar battery characteristic, and provide the solar battery having the electrode formed using the conductive paste.例文帳に追加

所望の太陽電池特性を確保しつつ電極膜厚を薄くすることが可能な、ｐ型Ｓｉ半導体基板への電極形成用の導電性ペースト、及び該導電性ペーストを用いて形成した電極を備えた太陽電池を提供する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor device and its manufacturing method for realizing the MOS semiconductor device having a very fine channel length and a completely depleted channel region while using the fin of a longitudinal type semiconductor thin film with a very fine width.例文帳に追加

極微細な幅の縦型の半導体薄膜のフィンを用いた、極微細なチャネル長と完全空乏化チャネル領域を有するＭＯＳ型半導体装置を実現するためのＭＯＳ型半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

In a ladder-type band pass filter 1 having a plurality of piezoelectric thin film resonators, the width of a wiring part 11 connecting two series resonators 110 arranged in a serial arm is designed to be wider than that of the series resonator 110.例文帳に追加

複数の圧電薄膜共振器を有して構成されたラダー（梯子）型のバンドパスフィルタ１において、直列腕に配された２つの直列共振器１１０間を接続する配線部分１１の幅を直列共振器１１０の幅よりも広く設計する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device capable of improving transmissivity and realizing the same action as that of the lateral electric field type liquid crystal display device by forming electrodes of a counter side substrate and thin film transistor side substrate using a transparent metal.例文帳に追加

対向側基板及び薄膜トランジスタ側基板の電極を透明金属で形成し、透過率を向上させることができると共に、横電界方式の液晶表示装置と同一の動作をすることができる液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

The subject perovskite-type PLZT ferroelectric thin film-forming composition comprising respective alkoxides, partial hydrolyzates and/or organic acid salts of Pb, La, Zr and Ti is such as to be ≤0.8 wt.% in moisture content.例文帳に追加

Ｐｂ，Ｌａ，Ｚｒ及びＴｉの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＰＬＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物において、水分含有量が０．８重量％以下であるＰＬＺＴ強誘電体薄膜形成用組成物。 - 特許庁

To provide a tandem type thin film silicon solar cell module and its manufacturing method which suppress a current leak through an intermediate layer and suppress an enlargement of an invalid area not contributing to an electric power generation with a high optical conversion efficiency.例文帳に追加

中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有するタンデム型薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A semiconductor thin film consisting of a ZnO series compound which doped nitrogen as a p-form layer 11 is formed on an n-type ZnO bulk single crystal substrate 10 whose resistance is lowered by the doping of donor impurities, and is connected thereto through pn connection.例文帳に追加

ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。 - 特許庁

In this thin film inorganic light emitting device, a luminescence center contains a dispersion of zinc sulfide and an water-compatible p-type semiconductor polymer, for which a polythiophene/polymeric polyanion complex is desirable, contained as a dopant in the state of a single/double layer.例文帳に追加

本デバイスは、発光中心がドーパントとして添加されている硫化亜鉛の分散液と水相溶性ｐ型半導体ポリマー、好適にはポリチオフェン／高分子量ポリアニオン錯体を一層の状態または二層の状態で含有する。 - 特許庁

This method for evaporating off the organic solvent from the acrylic block copolymer solution comprising the acrylic block copolymer (A) and the organic solvent is characterized by using a thin film type evaporator.例文帳に追加

アクリル系ブロック共重合体（Ａ）並びに有機溶媒を含んでなるアクリル系ブロック共重合体溶液から有機溶媒を蒸発分離する方法であって、薄膜式蒸発機を用いることを特徴とするアクリル系ブロック共重合体溶液からの有機溶媒除去方法を用いること。 - 特許庁

This thin-film transistor, equipped with a sub gate and a Schottky source/ drain, can operate in modes of the two kinds of an n-channel and a p-type channel, on the same transistor by the bias voltage of the sub gate.例文帳に追加

サブゲート及びショットキーソース／ドレインを備えた本発明の薄膜トランジスタは、サブゲートのバイアス電圧により、同一のトランジスタ部品上で、ｎ型チャネルとｐ型チャネルとの２種類のモードで動作することができる。 - 特許庁

The characteristic of emitting white fluorescence in which the fluorescent intensity is high throughout the whole wavelength range of 450-700 nm is obtained by a perovskite type inorganic oxide thin film prepared by adding to CaTiO_3, a Bi element in an amount of 0.1-0.4 atom%.例文帳に追加

Ｂｉ元素を０．１原子％以上０．４原子％以下をＣａＴｉＯ_３に添加したペロブスカイト型無機酸化物薄膜により、４５０から７００ｎｍの波長全域で発光強度が大である白色蛍光特性を実現する。 - 特許庁

This thin-film acoustic piezoelectric resonator 23 of the integrated circuit is formed in the area of a silicon substrate 1 of a first conducting type, including a stack with plural alternate non-porous silicon layers 3, 7, 11 and porous silicon layers 5, 9, 13.例文帳に追加

複数の交互の非多孔質シリコン層（３，７，１１）と多孔質シリコン層（５，９，１３）を有するスタックを含む第一の導電形式のシリコン基板（１）の領域に集積回路の薄膜音響圧電共振器（２３）が形成されている。 - 特許庁

In this composition for forming the perovskite type LSCO conductive thin film containing metallic alkoxides of La, Sr and Co, the partially hydrolyzed material and/or an organic acid salt, the particles having ≥0.5 μm is ≤50 pieces/ml.例文帳に追加

Ｌａ，Ｓｒ及びＣｏの金属アルコキシド、その部分加水分解物及び／又は有機酸塩を含むペロブスカイト型ＬＳＣＯ導電性薄膜形成用組成物において、粒径０．５μｍ以上のパーティクルが５０個／ｍＬ以下であるＬＳＣＯ導電性薄膜形成用組成物。 - 特許庁

To obtain a uniform extremely thin coating film layer equal to or letter than that formed by a scrape-off type extrusion coating apparatus using a doctor blade and to reutilize a recovered coating liquid without applying liquid contitioning treatment or filtering treatment thereto.例文帳に追加

ドクターブレードを用いた掻き落としタイプのエクストルージョン型塗布装置と比べて同等以上に均一な極薄い塗布膜層を得ることができ、しかも回収した塗布液を調液処理やろ過処理を施すことなく再利用することができる。 - 特許庁

In order to eliminate a variation in the characteristic of a thin film transistor which is assumed to be resulting from a pulse interval of a pulse oscillation type excimer laser, a pulse width is set to 1 μs or more at the time of irradiating a silicon semiconductor with the pulse laser beam.例文帳に追加

パルス発振型のエキシマレーザーのパルス間隔に起因すると考えられる、薄膜トランジスタの特性のバラツキをなくすため、本発明は、半導体、特に珪素半導体に対するパルスレーザー光の照射に際して、そのパルス幅を１μｓ以上とする。 - 特許庁

To improve performance in an electronic device by epitaxially growing a perovskite-type oxide thin film on an inorganic amorphous layer or an organic solid layer in a desired direction, and further, to provide a high-performance electronic device by integrating the device into an IC.例文帳に追加

無機アモルファス層又は有機固体層の上にペロブスカイト型酸化物薄膜を所望の方向にエピタキシャル成長させて電子デバイスの高性能化を図るとともに、更には、ＩＣと集積化させて高性能な電子デバイスを提供する。 - 特許庁

When the transparent conductive layer 14 is formed of n-type zinc oxide, it is harder to transmit ultraviolet rays than when formed of ITO, thereby making the semiconductor thin film 5 hard to absorb the ultraviolet rays which may cause deterioration.例文帳に追加

そして、透明導電層１４をｎ型酸化亜鉛によって形成した場合には、ＩＴＯによって形成した場合と比較して、紫外線を透過させにくく、ひいては半導体薄膜５が劣化の原因となる紫外線を吸収しにくいようにすることができる。 - 特許庁

A method is for manufacturing a bottom gate type thin film transistor 1, in which a gate electrode 11, a gate insulating layer 12, a semiconductor active layer 13, a source electrode 14, and a drain electrode 15 are successively formed on a flexible plastic substrate 10.例文帳に追加

可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。 - 特許庁

By using the obtained 4H type single crystal silicon carbide as a growth substrate and growing a single crystal silicon carbide thin film by a vapor phase epitaxial growth method on the substrate, a high voltage-resistant and environment-resistant electronic device having excellent electric characteristics can be fabricated.例文帳に追加

このような４Ｈ型単結晶炭化珪素を成長用基板として用い、気相エピタキシャル成長法により、この基板上に単結晶炭化珪素薄膜を成長させれば、電気的特性の優れた高耐圧・耐環境性電子デバイスを製作することができる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display device, capable of reducing manufacturing costs, the active matrix type liquid crystal display device being equipped with a thin-film transistor as a switching element.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタをスイッチング素子として備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の製造方法に関し、製造コストを低減させることができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁