WaveGuideを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 13939件
In this optical waveguide device 100, an optical cable by a core 12 and a cladding 13 is extended on a film substrate 11, a photoelectric conversion element 15 which is optically coupled with the core 12 is provided and metal wiring 14 electrically connected to the photoelectric conversion element 15 is extended toward the end of the direction of an optical guide.例文帳に追加
光導波路デバイス100は、コア部12とクラッド部13による光ケーブルがフィルム基板11上に延在され、コア部12と光学的に結合する光電変換素子15が設けられ、かつこの光電変換素子15に電気的に接続された金属配線14が光ガイド方向終端に向けて延在されている。 - 特許庁
The manufacturing method of the optical waveguide comprising a core and upper and lower clads between which the core is held comprises: a patterning process of performing the patterning of the core shapes by irradiating the surface of core material stacked on the lower part clad material with laser beams; and a development process of developing the core material on which the core shapes are patterned.例文帳に追加
コアと、コアを挟持する上下クラッドとを含む光導波路の製造方法であって、下部クラッド材料上に積層されたコア材料表面に対し、直接レーザー光を照射することによりコア形状のパターニングを行うパターニング工程と、コア形状がパターニングされたコア材料を現像する現像工程と、を含むものとすることができる。 - 特許庁
An optical boundary scan cell 18 has a capture and update register 13 for storing and updating test data, a photo detector 17a for detecting light signals, an optical switch 16 for switching a route of light signals between sides of the capture and update register 13 and an integrated circuit 1, and an optical waveguide 14 for transmitting light signals.例文帳に追加
光バウンダリ・スキャン・セル18は、試験データを格納し、更新するためのキャプチャーアンドアップデートレジスタ13と、光信号を検出する光検出器17aと、光信号の進路をキャプチャーアンドアップデートレジスタ13側と集積回路1側で切り換える光スイッチ16と、光信号を伝達するための光導波路14とを有する。 - 特許庁
The system includes receivers 2, 3 that are used to emit an error signal for aligning the optical arrangement of two optical waves in coherent heterodyne reception and placed in front of one end of an optical fiber 7 side by side to transmit a received information optical wave 1 to an optical waveguide coupler 6 via the optical fiber 7.例文帳に追加
装置は、コヒーレントなヘテロダイン受信において、2つの光波の光学的配列を調節する誤差信号を発するために使用され、受信された情報光波(1)を光ファイバー(7)を介して光導波管カプラー(6)に送信するために光ファイバー(7)の端部にある前面と向かい合わせて並べられるレシーバー装置(2、3、4)を含む。 - 特許庁
The waveguide further has at least one metallicity element, arranged inside the dielectric structure between the first and the second main front surfaces, this at least one metallicity element is constituted and arranged so that the second electromagnetic field distribution is generated, and the amount of the second electromagnetic field distribution, incident on a region selected in the second main front surface.例文帳に追加
導波路は、第1主表面と第2主表面との間の誘電体構造内に配置された少なくとも1つの金属性要素を更に有し、この少なくとも1つの金属性要素は、第2電磁場分布を生成するよう構成及び配置され、第2主表面の選択された領域に入射する第2電磁場分布の量を増大させる。 - 特許庁
To provide a polymer optical waveguide which can prevent moisture absorption through an upper clad layer, can suppress change in characteristics and deterioration of adhesion with the substrate due to moisture absorption of materials under severe environmental conditions, and has stable transmission characteristics capable of securing a sufficient reliability without degrading optical properties before and after a reliability test.例文帳に追加
上部クラッド層を介した吸湿を防止することができ、厳しい環境条件下でも材料の吸湿による特性変化や、基板との密着性低下を抑制することができ、しかも、信頼性試験の前後で光学特性が劣化せず、十分な信頼性を確保することのできる、安定した伝送特性を有するポリマー光導波路を提供する。 - 特許庁
A signal transmission line 25 comprises a signal conductor 27, a couple of coplanar ground conductors 28, and a coplanar waveguide (CPWG) with a bottom surface gorund conductor including the bottom surface ground conductor 29, and the modulating signal is supplied from the signal source whose output impedance is 50 Ω to the optical modulator of a light absorbing modulation type laser module 11.例文帳に追加
信号伝送線路25は、信号導体27、一対のコプレーナ接地導体28、及び、底面接地導体29を含む底面接地導体付きコプレーナ導波路(CPWG)で構成され、出力インピダンスが50Ωの信号源から、光吸収変調型レーザモジュール11の光変調器に変調信号を供給する。 - 特許庁
A semiconductor optical device 100 is equipped with a current injection region 112 and a current non-injection region 114 in the optical axis direction of an optical waveguide layer 102, where an isolation groove 116 for electrically isolating the regions 112 and 114 from each other is provided between the regions 112 and 114.例文帳に追加
光導波路層102の光軸方向に電流注入領域112と電流非注入領域114とを有する半導体光素子100において,前記電流注入領域112と前記電流非注入領域114との間には,前記両領域間112,114を電気的に分離するための分離溝116が形成される。 - 特許庁
A method and apparatus for adjusting the path of an optical beam in particular, a method and apparatus for improving the coupling efficiency (power input) of free-space radiation into an optical waveguide using, as part of an optical train, a weak lens positioned along the path of the optical beam (the Z axis) and adapted to adjust the path of the optical beam, are provided.例文帳に追加
光ビームの経路を調節するための方法と装置、特に、光学構成要素列の一部として光ビーム路(Z軸)に沿って配置され光ビーム路を調整するように構成された弱レンズを用いることにより、光導波路内への自由空間放射光の結合効率(パワー入力)を改善するための方法と装置を提供する。 - 特許庁
An optical waveguide 1 comprises: a core layer 2 including a core part 21 and a cladding part 22 having a lower refractive index than the core part 21; two cladding layers 3 and 4 disposed to sandwich the core layer 2; and a thin film layer 5 with a thickness of 1 to 100 nm between the core layer 2 and at least one of the cladding layers 3 and 4.例文帳に追加
光導波路1は、コア部21と前記コア部21より屈折率の低いクラッド部22とを有するコア層2と、前記コア層2を挟んで配置される2つのクラッド層3、4とを備え、前記コア層2と前記2つのクラッド層3、4の少なくとも一方との間に厚さが1から100nmの薄膜層5を含む。 - 特許庁
To obtain a nonlinear optical material which is a waveguide type nonlinear optical material and effectively can performs poling without using a conductive polymer as a lower cladding layer, has a large electro-optic effect and excellent stability, and provide a method of manufacturing the same, and a nonlinear optical element using the nonlinear optical material.例文帳に追加
導波路型の非線形光学材料であって、下部クラッド層に導電性ポリマーを用いることなく有効にポーリングを行うことができ、電気光学効果が大きく、しかも安定性に優れる非線形光学材料、及びその製造方法、並びに上記非線形光学材料を用いた非線形光学素子を得ることである。 - 特許庁
The upper conductive plates 104A and 104B have the gap 112 on the insulated channel along with the axial line of the waveguide and this gap 112 has gap width for propagating the electromagnetic wave in the odd-numbered lengthwise direction magnetic mode but for suppressing the electromagnetic wave in the even-numbered lengthwise direction magnetic mode.例文帳に追加
上部導電性板体104A,104Bは、絶縁性チャンネル上に導波管の軸線に沿ってギャップ112を有し、このギャップ112は、奇数の長手方向磁気モードで電磁波を導波管の軸線に沿って伝搬するが、しかし、偶数の長手方向磁気モードで電磁波を抑制することを可能にするギャップ幅を備えている。 - 特許庁
This planar waveguide type optical device 1 has a base board 100, two optical waveguides 10 and 20 embedded in a clad 70 formed on the base board, two optical coupling parts 50 and 60 for coupling the optical waveguides 10 and 20 at the positions of both ends, and a light inputting part 4 and a light outputting part 5 coupled to the optical coupling parts 50 and 60.例文帳に追加
平面導波路型光デバイス1は、基板100と、基板上に形成されたクラッド70内に埋設された2本の光導波路10、20と、光導波路10、20を両端の位置で結合させる2つの光結合部50、60と、光結合部50、60に結合する光入力部4、光出力部5を有する。 - 特許庁
In the dielectric waveguide slot antenna having a slot to which a dielectric body is exposed on one surface of the dielectric body, and in which, to a position opposite to the slot, a conductor plate having a through-hole larger than the slot is joined, the through-hole to be formed on the conductor plate is formed so as to become an H-shaped opening on the surface of the conductor plate.例文帳に追加
誘電体の一表面に誘電体が露出するスロットを備え、そのスロットに対向する位置にそのスロットよりも大きい貫通孔を備えた導体板が接合される誘電体導波管スロットアンテナにおいて、導体板に形成される貫通孔は、導体板表面においてH形の開口となるように形成されている。 - 特許庁
The method of manufacturing the optical waveguide substrate by which a quartz layer is formed on a silicone substrate is characterized in that a silicone substrate of which the front and back surfaces are mirror ground is used as the silicone substrate and a quartz layer is formed on the whole part of the silicone substrate by oxidizing the silicone substrate by a thermal oxidation method.例文帳に追加
シリコン基板上に石英膜を形成して光導波路基板を製造する方法であって、前記シリコン基板として基板の表面及び裏面が鏡面研磨されたシリコン基板を用い、該シリコン基板を熱酸化法により酸化することによって前記シリコン基板全体に石英膜を形成することを特徴とする光導波路基板の製造方法。 - 特許庁
In the method for manufacturing a ridge type or buried optical waveguide, a core part formation part on a flat lower clad layer 2 is coated with a primer in advance, and a dispenser is used to directly write with a transparent resin having a refractive index higher than that of the lower clad layer on the primer coated part, thus forming a core part.例文帳に追加
リッジ型又は埋め込み型光導波路の製造方法において、平坦な下部クラッド層2上のコア部形成部分に、予めプライマーを塗布し、プライマー塗布部の上に下部クラッド層よりも屈折率の高い透明樹脂を、ディスペンサーを使用して直接描画することにより、コア部3を形成することを特徴とする光導波路の製造方法。 - 特許庁
A grating 30, constituted of an n-type AlGaN layer, is formed by a selective growth method using lateral growth via a selective growth mask 32 formed of a dielectric film on the n-type AlGaN clad layer 18, and embedded by the n-type GaN optical waveguide layer 20 whose index of refraction is different from that of the n-type AlGaN layer.例文帳に追加
n型AlGaN層からなる回折格子30は、誘電体膜で形成された選択成長マスク32を介してn型AlGaNクラッド層18上にAlGaNの横方向成長性を利用した選択成長法により設けられ、n型AlGaN層とは屈折率の異なるn型GaN光導波層20で埋め込まれている。 - 特許庁
An asymmetric optical waveguide nitride laser diode structure 400 has an active layer 120 having first and second surfaces, a transition layer 429 which is brought into contact with the first surface of the active layer 120, a p-type clad layer 130 adhered adjacently to the transition layer 429, and an n-type layer 116 which is brought into contact with the second surface of the active layer 120.例文帳に追加
本発明の非対称導波路窒化物レーザダイオード構造400は、第1及び第2の表面を有する活性層120と、活性層の第1の表面と接触する遷移層429と、遷移層に隣接して付着されたp型クラッド層130と、活性層の第2の表面と接触するn型層116とを有する。 - 特許庁
The main part of the waveguide 20 is laminated structure consisting of an InP layer 22, an AlInAs layer 23 having 100 nm thickness, a GaInAsP layer 24, an AlInAs layer having 50 nm thickness, a GaInAsP layer 26, an AlInAs layer 27 having 100 nm thickness, and an InP layer 28 and formed on the InP substrate as a ridge 30.例文帳に追加
本半導体光導波路20の要部は、InP基板21上に形成され、InP層22、厚さ100nmのAlInAs層23、GaInAsP層24、厚さ50nmのAlInAs層25、GaInAsP層26、厚さ100nmのAlInAs層27、及び、InP層28の積層構造であって、リッジ30として形成されている。 - 特許庁
To provide an optical element mounting substrate capable of achieving excellent optical connection to an optical waveguide, while securing sufficient conductivity of electric wires or insulation property between each electric wire, even when a plurality of light emitting/receiving parts are arranged highly densely; and to provide an optical/electrical hybrid substrate including the optical element mounting substrate, and an electronic device.例文帳に追加
複数の受発光部が高密度に配置されていても、電気配線の導電性や電気配線同士の絶縁性を十分に確保しつつ、光導波路に対して良好な光学的接続を可能にする光素子搭載基板、および、かかる光素子搭載基板を備えた光電気混載基板および電子機器を提供すること。 - 特許庁
The recording light generation part 40 has: a condensing part 41 which condenses light from a light source; a light emitting part 43 which irradiates the predetermined area with recording light; and an optical waveguide 42 which is formed extended so as to avoid direct contact with the magnetic poles 31 and 33, and leads light condensed by the condensing part 41 to the light emitting part 43.例文帳に追加
また、記録光生成部40は、光源からの光を集光する集光部41、前記所定領域に記録光を照射する光射出部43、及び、磁極31,33と直接接触しないように延在して形成され且つ集光部41で集光された光を光射出部43に導く光導波路42を有する。 - 特許庁
To provide a method for producing a plastic lens or an optical waveguide which can provide a cured material high in transparency even when its thickness is at least 0.2 mm by an optical imprint method, maintain a high throughput without lowering the illuminance of an exposure machine, sufficiently carry out curing even when a polydimethylsiloxane resin having oxygen permeability is used for a mold material, and can reduce the deterioration of a mold.例文帳に追加
光インプリント法で0.2mm以上の厚みでも透明性の高い硬化物が得られ、露光機の照度を落とすことがなく高スループットを維持でき、酸素透過性のあるポリジメチルシロキサン樹脂をモールド材料に用いた場合でも、十分に硬化出来、モールドの劣化を少なくすることができるプラスチックレンズ又は光導波路の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the nonvolatile optical memory element having a structure in which a ferromagnetic body is provided on a semiconductor that is connected to an optical waveguide, electrons are injected into the semiconductor via the ferromagnetic body so that the electrons that are spin-polarized according to a magnetization direction of the ferromagnetic body are injected, thereby enlarging a region in which a photomagnetic effect occurs effectively.例文帳に追加
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。 - 特許庁
The two Bragg grating patterns 12, 13 include the first Bragg grating pattern 12 formed on both-side walls of a core of an optical waveguide as horizontal irregularities, and the second Bragg grating pattern 13 having a projection structure and/or a recess structure formed on the center of a width direction of the core 10 and the upper part of a vertical direction.例文帳に追加
二通りのブラッググレーティングパターン12,13は、水平方向の凹凸として光導波路のコアの両側壁に形成された第一のブラッググレーティングパターン12と、コア10の幅方向中央かつ垂直方向上部に形成された突起状の構造および/または溝状の構造13からなる第2のブラッググレーティングパターンからなることもできる。 - 特許庁
In the optical waveguide including a core part and a clad part, the core part includes a composite body obtained by impregnating a matrix polymer material constituting the clad part with gas molecules of a compound having the properties: (i) having volatility, (ii) having a refractive index higher than that of the matrix polymer, and (iii) which is transparent at a propagation wavelength of light.例文帳に追加
コア部とクラッド部を有する光導波路において、コア部が、クラッド部を構成する母体ポリマー材料に下記の特性を有する化合物の気体分子を浸透させた複合体により構成されていることを特徴とする光導波路:(i)気化性を有している、(ii)母体ポリマーよりも屈折率が高い、(iii)光の伝搬波長において透明である。 - 特許庁
In the wavelength conversion element and the wavelength conversion light source, signal light and excitation light are made incident on a nonlinear optical medium in which polarization of a nonlinear optical material is periodically inverted and which has an optical waveguide structure, to output converted light, i.e., difference-frequency light between the signal light and the excitation light, from the nonlinear optical medium.例文帳に追加
非線形光学材料の分極が周期的に反転され光導波路構造を有する非線形光学媒質に、信号光と励起光とを入射し、前記非線形光学媒質から前記信号光と前記励起光との差周波光である変換光を出力する波長変換素子および波長変換光源が開示される。 - 特許庁
In a method of controlling operation of the certain mechanism having the separable component, preferably, the dispenser, electromagnetic radiation passing through the waveguide mounted at least partially on the separable component is measured, and the mechanism is operated only when the measured electromagnetic radiation agrees with one or more parameters selected in advance.例文帳に追加
離脱可能なコンポーネントを有するある機構、好ましくはディスペンサ、の作動を制御する方法であって、離脱可能なコンポーネント上に少なくとも部分的に担持された導波管を通過する電磁放射線を測定し、測定された電磁放射線が一以上の予め選択されたパラメータに合致する場合にのみ上記機構を作動させる方法。 - 特許庁
The optical image intensity distribution formed on a resist disposed on the side of a lower layer of a diffraction pattern by performing whole image exposure from the side of an upper surface of the diffraction pattern formed by lines L and spaces S on a substrate at a predetermined pattern pitch is calculated by using a multi-mode waveguide path analytic model or fractional Fourier transform for the diffraction pattern.例文帳に追加
ラインLとスペースSによって所定のパターンピッチで基板上に形成された回折パターンの上面側から全面露光を行なうことによって回折パターンの下層側に配置されたレジストに形成される光学像強度分布を、回折パターンに対してマルチモード導波路解析モデル又はフラクショナルフーリエ変換を用いることにより算出する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a photoelectric flexible wiring board, a method by which warping is reduced of the photoelectric flexible wiring board during the manufacturing, by which mixing of contaminations on an optical waveguide forming face during the manufacturing is reduced, irregularities on the surface of the flexible wiring board caused by contaminations are reduced, and by which bending resistance, sliding resistance, and quality improvement of optical transmission loss can be achieved.例文帳に追加
光電気フレキシブル配線板の製造工程中のそりの低減が図れると共に、製造工程で光導波路形成面の異物混入や異物によるフレキシブル配線板表面の凹凸が低減され、耐屈曲、耐スライド性や光伝搬損失の品質向上が図れる光電気フレキシブル配線板の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the wavelength conversion element and the wavelength conversion light source, a wavelength λ_1 of the signal light is fixed within a range of 1.53 to 1.62 μm, and a wavelength λ_3 of the excitation light is variable and is selected from a range of 1.02 to 1.08 μm, and a group velocity of the excitation light is equal to that of the converted light in the optical waveguide.例文帳に追加
前記波長変換素子および前記波長変換光源は、前記信号光の波長λ_1は1.53μm≦λ_1≦1.62μmの範囲で固定され、前記励起光の波長λ_3は可変かつ1.02μm≦λ_3≦1.08μmの範囲から選択され、前記光導波路における前記励起光の群速度と前記変換光の群速度とは等しいことを特徴とする。 - 特許庁
An optical waveguide element 10 includes a core 4 having a tapered section 12 which gradually tapers toward a tip 12c, an auxiliary core 5 which is provided to be in contact with a region including at least the tip 12c on one side surface 12a of the tapered section 12 and is made of a material different from that of the core 4, and an upper clad 6 which covers the core 4 and the auxiliary core 5.例文帳に追加
先端12cに向けて徐々に幅が狭くなるテーパ部12を有するコア4と、テーパ部12の一方の側面12aのうち少なくとも先端12cを含む領域に接して設けられ、コア4とは異なる材料からなる補助コア5と、コア4および補助コア5を覆う上部クラッド6と、を備えた光導波路素子10。 - 特許庁
The multiplexing/demultiplexing optical waveguide structure 150 has a first core part A1 on the multiplexing side formed along a first axis LA1 curved to one side S1, a second core part B1 on the demultiplexing side formed along a second axis LB1 curved to the one side S1, and a third core part C1 on the demultiplexing side formed along a third axis LC1 curved to the other side S2.例文帳に追加
合波分岐光導波路構造150は、一方の側S1に湾曲する第1の軸線LA1に沿って形成された合波側の第1のコア部A1と、一方の側S1に湾曲する第2の軸線LB1に沿って形成された分岐側の第2のコア部B1と、他方の側S2に湾曲する第3の軸線LC1に沿って形成された分岐側の第3のコア部C1とを有する。 - 特許庁
The manufacturing method of a nitride semiconductor laser element includes the steps of: laminating an n-type epitaxial layer, an active layer 14, and a p-type epitaxial layer; forming a waveguide structure by a striped ridge part 19 on the p-type epitaxial layer; and forming a photoresist film 70 to be shaped to cover only the ridge part 19.例文帳に追加
この窒化物系半導体レーザ素子の製造方法では、n型のエピタキシャル層と、活性層14と、p型のエピタキシャル層とを積層する工程と、p型のエピタキシャル層にストライプ状のリッジ部19による導波路構造を形成する工程と、リッジ部19のみを被覆する形状となるようにフォトレジスト膜70を形成する工程とを備えている。 - 特許庁
To prevent noise from being generated by the mode hop of a semiconductor light-emitting device and at the same time the internal power of the semiconductor light-emitting device from increasing for causing damage in a laser light source where the semiconductor light-emitting device is directly coupled to a waveguide-type wavelength selection element for selecting the wavelength of light being emitted from the semiconductor light-emitting device.例文帳に追加
半導体発光素子と、この半導体発光素子から発せられた光の波長を選択する導波路型の波長選択素子とが直接結合されてなるレーザー光源において、半導体発光素子のモードホップによるノイズの発生を防止するとともに、半導体発光素子の内部パワーが大きくなって損傷を招くことを防止する。 - 特許庁
An array waveguide diffraction grating element 61C comprises three chips which are a 1st AWG chip 121_1, a 2nd AWG chip 121_2 bonded to the 1st AWG chip 121_1 through a cutting line 63, and a 3rd AWG chip 121_3 bonded to the 2nd AWG chip 121_2 through another cutting line 102.例文帳に追加
アレイ導波路回折格子素子61Cは、第1のAWGチップ121_1と、この第1のAWGチップ121_1と切断線63を介して接着された第2のAWGチップ121_2と、第2のAWGチップ121_2と他の切断線102を介して接着された第3のAWGチップ121_3との3つのチップから構成されている。 - 特許庁
The carrier for the opticial waveguide substrate is composed of a pair of lateral frames 101 and a pair of mutually parallel longitudinal frames 102 for mutually connecting the end parts of the lateral frames 101 and a glass chip 200 is arranged between the mutually opposed inside edge parts of the lateral frames 101 to form positioning ribs 103 for positioning the glass chip 200 at an equal interval.例文帳に追加
一対の横フレーム101と、横フレーム101同士の端部同士を連結する互いに平行な一対の縦フレーム102とからなり、横フレーム101同士の互いに対向する内側縁部に、間にガラスチップ200を配置して、ガラスチップ200の位置決めを行う位置決めリブ103が等間隔に形成されている。 - 特許庁
An n-type GaAs light absorbing layer 1 where an opening 2 is provided at the center of a waveguide, is inserted between a p-type DBR layer 17 and a spacer 16 of the surface light-emitting semiconductor laser, as a light receiving part, and a PD electrode 23 for taking out electrons generated in the light absorbing layer 1 is formed on the light absorbing layer 1.例文帳に追加
面発光型半導体レーザのp型DBR層17とスペーサ層16との間に、導波路中心に開口部2が設けられたn型GaAs光吸収層1を受光部として挿入し、この光吸収層1内に発生した電子を取り出すためのPD電極23を光吸収層1の上に形成する。 - 特許庁
The blue laser light generating apparatus comprises a solid laser oscillation body 3 made of Nd doped YVO_4 crystal of 0.1 to 1.0 mm in length, reflecting means 6A and 6B which are provided to the oscillation body 3, an exciting light irradiating means 1 which irradiates the oscillation body 3 with exciting light, and a waveguide type higher harmonic generating element 5.例文帳に追加
青色レーザ発生装置は、長さが0.1mm以上、1.0mm以下のNdドープYVO_4結晶からなる固体レーザ発振体3、発振体3に設けられた反射手段6A、6B、発振体3に対して励起光を照射する励起光照射手段1、および導波路型高調波発生素子5を備えている。 - 特許庁
An optical modulator 1C has: a substrate 2 which is made of an electrooptic material and has one main surface and the other main surface; an optical waveguide which is formed on the substrate 2 and has one branch part 5 and the other branch part 3; and ground electrodes 4A and 4B and a signal electrode 4B which are provided on one main surface side of the substrate.例文帳に追加
光変調器1Cは、電気光学材料からなり、一方の主面と他方の主面とを備えている基板2、基板2に形成され、一方の分岐部5および他方の分岐部3を有する光導波路、および基板の一方の主面側に設けられた接地電極4A、4Cおよび信号電極4Bを備えている。 - 特許庁
When a laser beam pulse 24 from a pulse laser oscillator 22 is adjusted in its shape and intensity by a beam formation optical circuit system 26 and then radiated on a silicon thin film as a sample 42, a microwave 31 within a microwave waveguide 30 is applied onto a surface of the sample 42 from an antenna 36 so that an electrical field axis becomes vertical to the surface of the sample 42.例文帳に追加
パルスレーザ発振器22からのレーザ光パルス24をビーム成形光学回路系26で形状と強度を調節してシリコン薄膜の試料42に照射する際に、マイクロ波導波管30内のマイクロ波31をアンテナ36を用いて電場軸が試料42の表面に対して垂直となるよう試料42に作用させる。 - 特許庁
These portions 10, 12 are integrally formed from a synthetic resin and metal plating is applied to an opening end side surface of the feed horn 10 including a corrugation 20, an inside surface of the feed horn 10 that becomes a waveguide, and a portion of the supporting case 12 from the inside surface of the feed horn 10 to an abutting part at which the circuit board 30 is abutted.例文帳に追加
これら各部10、12は合成樹脂にて一体形成されており、コルゲート20を含むフィードホーン10の開口端側表面、導波路となるフィードホーン10の内側表面、及び、支持ケース12においてフィードホーン10の内側表面から回路基板30が当接される当接部に至る部分には、金属メッキが施されている。 - 特許庁
A laser measuring instrument 309 measures three-dimensional position data of side faces of planar waveguide type optical device parts 301 and 302, a data processing part 315 calculates positional deviation and turning deviation from the measured three-dimensional position data, and a motor drive control part adjusts positional deviation and turning deviation on the basis of the calculated positional deviation and turning deviation.例文帳に追加
レーザ測定器309によって平面導波路型光デバイス部品301、302の側面の3次元位置データを測定し、データ処理部315は、測定した3次元位置データから位置ずれ量と回転ずれ量とを算出し、モータ駆動制御部算出した位置ずれ量と回転ずれ量と基づいて位置ずれと回転ずれとを調整する。 - 特許庁
The polymer optical waveguide 11 is characterized in that it includes a core 12 and cladding 14A, 14B surrounding the core along the propagation direction (a) of light and that a groove 20 is formed at least in one end, wherein the groove has a slope 22 forming a 45° angle to the propagation direction of light and vertically reflecting the light propagating the core.例文帳に追加
コア12と、該コアを光の伝搬方向aに沿って包囲するクラッド14A,14Bとを含み、前記光の伝搬方向に対して45度の角度を成し、前記コアを伝搬する光を垂直方向に反射させる傾斜面22を有する溝20が、少なくとも一端部に形成されていることを特徴とする高分子光導波路11。 - 特許庁
Lights CW and CCW, which are generated by the laser medium member 21, resonate at the waveguides of the laser medium member 21 and the optical resonator 22, and propagate in the waveguides of the optical resonator 22 and the laser medium member 21, which are optically coupled, in opposite directions to each other, are respectively extracted from the waveguide of the optical resonator 22 so that they will be overlapped.例文帳に追加
そして、レーザ媒質部材21で生成されて光共振器22及びレーザ媒質部材21の導波路で共振し、光学的に結合された光共振器22及びレーザ媒質部材21の導波路内を互いに逆方向に伝搬する光CW,CCWを、重ね合わせるために光共振器22の導波路からそれぞれ引き出す。 - 特許庁
A stripe width which is at least in a ridge shape is provided directly below and in parallel with a stripe 201, at least in a ridge shape of the reverse side of a nitride semiconductor substrate 5 at the side opposite to a side with element structure, and a light absorbable film 202 for absorbing light with a laser oscillation wavelength which leaked out from a laser waveguide including an active layer is formed.例文帳に追加
素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。 - 特許庁
The flexible filmy glass waveguide can be obtained by forming a core 11 as a light propagation layer, having a larger refractive index than a glass film 10 formed on the filmy member 12, in the glass film 10, and the core 11 is formed through light convergence and irradiation with an ultrashort pulse laser beam of femtosecond order, so low loss is realized.例文帳に追加
フィルム状部材12の上に形成されたガラス膜10中にガラス膜10より屈折率の高い光伝搬層としてのコア11を形成することにより、フレキシブルなフィルム状ガラス導波路を得ることができ、フェムト秒オーダの超短パルスレーザビームの集光、照射によりコア11が形成されるので、低損失化を図ることができる。 - 特許庁
This electro-optic circuit substrate is constituted by forming the optical waveguide of an organic system having a layer consisting of an organic optical material having a hydroxyl group or alkyl group as a lower clad layer 4 on the electric circuit substrate formed with the wiring conductor 2 atop the same by disposing an intermediate layer 3 consisting of silicon oxide or silicon between the substrate and the wiring conductor 2.例文帳に追加
上面に配線導体2が形成された電気回路基板上に、配線導体2との間に酸化珪素または珪素から成る中間層3を介在させて、水酸基またはアルキル基を有する有機系光学材料から成る層を下部クラッド層4とした有機系の光導波路を形成した光電気回路基板である。 - 特許庁
The cooling means 5 comprises a cooling block 6 that surrounds the outer circumference of the discharge tube 2 so as to form a gap between the outer circumference of the discharge tube 2 at the connecting part and its vicinity of the discharge tube 2 and the waveguide 3, and a cylindrical member 7 having a shorter length than the cooling block 6 along the tube axis direction of the discharge tube 2.例文帳に追加
冷却手段5は、放電管2と導波管3との接続部及びその周辺において、放電管2の外周面との間に隙間を形成するように放電管2の外周を包囲する冷却ブロック6と、放電管2の管軸方向に沿った冷却ブロック6の長さよりも短い長さの筒状部材7とを有する。 - 特許庁
The optical and electronic parts mixedly loaded substrate is provided which has a light emission part and a light reception part for transmitting and receiving the light signal and an electronic circuit and uses an optical waveguide so formed that end surfaces of a plurality of core parts are coupled matching the light emission part and light reception part on the substrate.例文帳に追加
光信号を送受信するための発光部と受光部と、電子回路とを有する基板において、光信号の送受信を行なうのに、複数のコア部の端面が、基板上の発光部と受光部とに一致して結合するように形成された光導波路を用いることを特徴とする、光電子混載基板を提供する。 - 特許庁
A method for manufacturing a ridge type semiconductor laser comprises: a semiconductor stacked layer forming step S1 for forming a semiconductor stacked layer 23 having an active layer 13 and an etching stop layer 17; a first semiconductor stacked layer etching step S3; a semiconductor part forming step S5; a ridge waveguide part forming step S7; and a semiconductor diffracting grating element forming step S9.例文帳に追加
リッジ型半導体レーザの製造方法は、活性層13とエッチングストップ層17を含む半導体積層23を形成する半導体積層形成工程S1と、第1半導体積層エッチング工程S3と、半導体部形成工程S5と、リッジ導波路部形成工程S7と、半導体回折格子要素形成工程S9とを備える。 - 特許庁
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|