「buffer region」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The control module is configured so as to separate attribute information from saving data, which are read from the flash memory with the predetermined size, store the attribute information in an attribute information storage buffer and transfer user data contained in the saving data to a saving data storage region during a writing operation including a read modify write operation of data, of which sizes are smaller than the predetermined size.例文帳に追加

前記制御モジュールは、前記サイズ単位未満のデータの書き換えを含む書き込み動作時に、前記フラッシュメモリから読み出した前記サイズ単位の退避データから属性情報を分離して属性情報格納用バッファに格納し、前記退避データに含まれるユーザデータを退避データ格納領域に転送する構成である。 - 特許庁

Moreover, an opening of the enclosed space 3a through the deformation of the buffer 3 improves makes a region inside the enclosed space 3a serve as an air space A to improve a void rate inside the fuel assembly storage cask 200 and restrain a pressure (internal pressure) in an internal space 201a from rising due to an expansion of the water W in a thermal environmental event.例文帳に追加

しかも、緩衝体３が変形して密閉空間３ａを開放することで、密閉空間３ａ内の領域が空気層Ａとなって燃料集合体収納容器２００内のボイド率が向上され、熱的環境事象において、水Ｗの膨張による内部空間２０１ａの圧力（内圧）の上昇が抑制される。 - 特許庁

Impurity diffusion layers 4, a buffer insulating layer 4 composed of (Ce, Zr)O2 (or CeO2), the second ferroelectric layer 5 comprising Bi3TiNbO9, the first ferroelectric layer 6 consisting of Bi4Ti3O12, and a gate electrode 7 composed of polysilicon are laminated successively in an active region surrounded by the LOCOS film 2 of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１のＬＯＣＯＳ膜２によって囲まれる活性領域には、不純物拡散層４と、（Ｃｅ，Ｚｒ）Ｏ_2 （又はＣｅＯ_2 ）からなるバッファ絶縁層４と、Ｂｉ_3 ＴｉＮｂＯ_9 からなる第２の強誘電体層５と、Ｂｉ_4 Ｔｉ_3 Ｏ__12からなる第１の強誘電体層６と、ポリシリコンからなるゲート電極７とが順に積層されている。 - 特許庁

An electronic device includes a drift layer having a first conductivity type, a buffer layer having a second conductivity type, opposite the first conductivity type, on the drift layer and forming a P-N junction with the drift layer, and a junction termination extension region having the second conductivity type in the drift layer near the P-N junction.例文帳に追加

第１の伝導型を有するドリフト層と、前記ドリフト層上にあって、前記第１の伝導型とは反対の第２の伝導型を有し、前記ドリフト層とＰ−Ｎ接合を形成するバッファ層と、前記Ｐ−Ｎ接合の近傍の前記ドリフト層内にあって前記第２の伝導型を有する接合終端拡張領域とを含む電子デバイスを提供する。 - 特許庁

To manufacture a flat panel display device comprising transistors having reduced characteristic dispersion and no direction dependency of the characteristic, by irradiating a desired region of an amorphous silicon film formed on a glass substrate with continuous oscillation laser light directly, to convert into a fine crystal silicon film, without a process of forming and removing a buffer film and a photo-thermal conversion film.例文帳に追加

バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。 - 特許庁

A short SW43 is provided for short-circuiting between the input side and the output side of a booster circuit 42 boosting a power supply voltage VCC supplied from the positive electrode side of a battery cell Vc5 to a drive voltage VCC1 for driving a MOS transistor in a buffer amplifier 30 in a saturation region to be supplied as a drive voltage.例文帳に追加

電池セルＶｃ５の正極側から供給される電源電圧ＶＣＣをバッファアンプ３０内のＭＯＳトランジスタを飽和領域で駆動させることができる駆動電圧ＶＣＣ１に昇圧して駆動電圧として供給する昇圧回路４２の入力側と出力側とを短絡させるショートＳＷ４３を備える。 - 特許庁

A semiconductor device or a radiographic imaging apparatus for bonding the substrate, having a semiconductor element or a conversion element and the support member via the bonded member has a gap between the substrate of a region, including the electrical connection part connected to at least the electrical component and the support member and has a buffer member in the gap.例文帳に追加

半導体素子または変換素子を有する基板と支持部材とが貼り合わせ部材を介して接着されてなる半導体装置または放射線撮像装置において、少なくとも電気部品が接続された電気接続部を含む領域の基板と支持部材との間に間隙を有し、間隙に緩衝部材を有することを特徴とする。 - 特許庁

To minimize deterioration of characteristics of an element by preventing an increase of resistance of a bit line and a storing electrode by lowering a deposition temperature of a buffer oxide film formed before deposition process of a nitride film for a gate spacer and by preventing out-diffusion of impurities implanted to a source/drain region.例文帳に追加

ゲートスペーサ用窒化膜の蒸着工程の前に形成する緩衝酸化膜の蒸着温度を低め、ソース／ドレイン領域に注入された不純物のアウト・ディヒュージョンを防ぐことにより、ビットラインと貯蔵電極のコンタクト抵抗の増加を防いで素子の特性の劣化を最小化させ、素子の特性及び信頼性を向上させること。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer, and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

To prevent a highly conductive region (conductive layer) from forming in a buffer layer with conductive impurities mixing into an epitaxial layer, when preparing an electronic device such as a field-effect transistor containing a high electric mobility transistor or a hetero junction bipolar transistor on a semiconductor epitaxial wafer; and as a result to provide the semiconductor epitaxial wafer realizing high characteristics.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The generated plurality of processed images are then coupled, while removing the overlap regions to generate an output image; and thereby the size for one divided image is sufficient for the image-editing area of a buffer; and even in the vicinity of end portions of divided images, a correct arithmetic value can be determined from a plurality of pixel values, including also the pixel values in the overlapping region.例文帳に追加

そして、生成した複数の処理画像をオーバーラップ領域を除去して結合することによって出力画像を生成することにより、バッファの画像編集用領域は分割画像１つ分のサイズで済むようにするとともに、分割画像の端部付近においてもオーバーラップ領域の画素値も含めて複数の画素値から正しい演算値を求めることができるようにする。 - 特許庁

The band-like buffer advertisement display body detachably mounting the advertisement sheets, displaying advertisements by being wound around a columnar building, and having elasticity in a thickness direction includes: flexible sheets forming a rear face side; an engaging part engaging both ends; an adjusting part freely adjusting winding length; and an elastic member stuck on the whole region of the flexible sheet.例文帳に追加

広告シートを着脱自在に装着し、柱状建造物に巻付けて広告を表示する、厚み方向に弾性を有する帯状の緩衝性広告表示体であって、裏面側を形成する柔軟性シートと、両端を係合する係合部と、巻付長を自在に調整する調整部と、柔軟性シートの表面領域全体に貼着された弾性部材と、を有する。 - 特許庁

A plurality of kinds of transistor bulks having different a gate length and gate width, and different interval between a gate electrode and the contact of a source electrode or a drain electrode are arranged freely in an I/O buffer region and electrostatic protection capability and output drive capability are optimized by connecting transistor bulks, corresponding in number to requested functions or performances, arbitrarily through aluminum interconnect.例文帳に追加

入出力バッファ領域に、ゲート長やゲート幅、さらに、ソース電極やドレイン電極のコンタクトとゲート電極の間隔がそれぞれ異なるトランジスタのバルクを複数種類用意して自由に配置し、要求される機能や性能に応じた数のトランジスタのバルクを任意にアルミ配線により接続して静電保護能力や出力駆動能力の最適化を行う。 - 特許庁

This image processor comprises a highlight detecting means 104 for detecting a highlight region from a color luminance signal, a color converting means 106 for adaptively switching outputs, a halftoning means 107 and a means 117 for rearranging an index output and can performing a series of processing from an input to a band buffer in at least one line without being stalled for each output color.例文帳に追加

カラー輝度信号からハイライト領域を検出するハイライト検出手段１０４と、適応的に出力を切り替える色変換手段１０６と、ハーフトーニング手段１０７と、インデックス出力を再配置する手段１１７から構成され、入力からバンドバッファーに至る一連の処理を各出力色毎に少なくとも１ラインはストールなく行えることを特徴とする。 - 特許庁

The element for optical modulation has a metal thin film or metal microstructure exciting a surface plasmon, a dielectric thin film which selects an optical frequency coupled to the surface plasmon, and a micropulse light source having a frequency spread in a region where near field light leaks, and is characterized in using buffer effect of the surface plasmon on the interface between metal and a dielectric.例文帳に追加

本光変調素子は、表面プラズモンを励起する金属薄膜または金属微細構造体と、表面プラズモンと結合する光周波数を選択する誘電体薄膜と、周波数広がりをもった微小パルス光源を近接場光のしみ出す領域に有し、金属と誘電体の界面における表面プラズモンの緩衝効果を利用することを特徴としている。 - 特許庁

Through the buffer layer, a second single crystal semiconductor substrate is adhered to a first single crystal semiconductor substrate, the second single crystal semiconductor substrate is bonded to the first one, the first single crystal semiconductor substrate is heated to crack the damaged region, and one portion of the first single crystal semiconductor substrate is separated from the first single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

バッファ層を介して、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板を密着させ、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第１の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第１の単結晶半導体基板の一部を第１の単結晶半導体基板から分離する。 - 特許庁

The memory controller 33 divides a frame buffer 34 into a plurality of areas according to the selected display mode, writes an image corresponding to a prescribed area of the divided areas and supplied from an image processing part 32 in synchronism with the synchronizing signal supplied from the synchronization signal control part 37 and reads out an image stored in the other prescribed region in the divided regions.例文帳に追加

メモリコントローラ３３は、選択された表示モードに応じて、フレームバッファ３４を複数の領域に分割して、同期信号制御部３７から供給される同期信号に同期して、分割された領域の所定の領域に対する画像処理部３２から供給された画像の書き込み、および、分割された領域の他の所定の領域に記憶されている画像の読み出しを行う。 - 特許庁

The methods includes a hybridization reaction process with a probe on the microarray and a target nucleic acid labeled; a process for checking a probe's location from a signal from the label of the target nucleic acid that is detected by observing a surface with a probe fixing region with a cofocal microscope; and a process for eliminating the target nucleic acid by cleaning buffer, wherein theses processes are repeated to a same microarray.例文帳に追加

マイクロアレイ上のプローブと、標識したターゲット核酸とのハイブリダイゼーション反応工程と、共焦点型の顕微鏡によりプローブ固定領域が存する面を観察して検出されるターゲット核酸の標識からのシグナルからプローブの位置を確認する工程と、洗浄用バッファによりターゲット核酸を除去する工程とを有し、これらの工程を同じマイクロアレイに対して繰り返し行う。 - 特許庁