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buffer regionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 473件
An n+ buffer layer that is formed on the reverse side of an N- layer 11 consists of an inactive region 21 where the activation of ions is incomplete, and an active region 19 that is a region where the activation of ions has been improved.例文帳に追加
N^-層11の裏面に形成されたn^+バッファ層は、イオンの活性化が不完全な領域である不活性領域21と、イオンの活性化が高められた領域である活性領域19とからなる。 - 特許庁
The region formed with the groove 14, a region 14 in the internal circumferential side of the end face 11b and the region 15 in the outer circumferential side of the end face 11b are provided with abrasive grains fall-out buffer layers 16 where no abrasive grains 12 are disposed.例文帳に追加
溝13が形成された領域と、端面11bの内周側領域14と、端面11bの外周側領域15には、砥粒12が配列されない砥粒脱落緩衝層16が設けられている。 - 特許庁
Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加
これにより、n型バッファー層3とSJ構造4とが空間的に分離され、n型バッファー層3とn型ピラー領域5との間の接続部14におけるn型不純物の濃度が、n型バッファー層3及びn型ピラー領域5におけるn型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁
A position and a size of the rectangular region are designated in the head of Epoch, the rectangular region is fixed by the Epoch, and the Epoch is a period of time from clearing the object buffer and the plane buffer to re-clearing them.例文帳に追加
前記矩形領域の位置とサイズは、Epochの先頭で指定され、矩形領域は、前記Epochで固定されており、Epochは、前記オブジェクトバッファ及び前記プレーンメモリがクリアされてから再度クリアされるまでの期間である。 - 特許庁
Compressed air flowing from an oil air flow path 17c formed in the outside spacer 15 into the buffer region 30 is decompressed in the buffer region 30 and further compressed when flowing into the opposed regions A1, A2 on both axial sides.例文帳に追加
外側間座15に形成されたオイルエア用の流路17cからバッファ領域30に流入した圧縮空気は、バッファ領域30において減圧され、軸方向両側の対向領域A1,A2に流出するときに増圧される。 - 特許庁
This decoder is provided with an error buffer 19b for storing error information indicating a region for storing image data of the macroblocks which are not decoded due to an error in a video buffer 19a, and a filter 21 for smoothing image data in a prescribed region including the macroblocks corresponding to the error information stored in the buffer 19b out of the image data stored in the buffer 19a.例文帳に追加
エラーに起因して正常に復号されなかったマクロブロックの画像データがビデオバッファ19aにおいて記憶される領域を示すエラー情報を記憶するエラーバッファ19bと、ビデオバッファ19aに記憶された画像データのうち、エラーバッファ19bにより記憶されたエラー情報に対応するマクロブロックを含んだ所定の領域の画像データを平滑化するフィルタ21とを備える。 - 特許庁
A light receiving unit 40 initializes a read region range of an imaging section 45 or a timing generator, then fetches a frame image from the imaging section 45 into a capture image frame buffer 46, stores the fetched image in a plane designated by a buffer pointer n, and updates the buffer pointer.例文帳に追加
受光ユニット40は、撮像部45の読み出し領域範囲やタイミングジェネレータを初期化した後、撮像部45からのフレーム画像をキャプチャ画像フレームバッファ46に取り込み、バッファポインタnで指定されたプレーンに格納し、バッファポインタを更新する。 - 特許庁
An outer peripheral well terminal portion 29a of an outer peripheral well region 29 is located within a range surrounded by the buffer trenches 30.例文帳に追加
また、外周ウェル領域29の外周ウェル終端部29aをバッファートレンチ30で囲まれた範囲内に位置させる。 - 特許庁
A buffer space region B is set between a rear end surface 27c and a partition wall portion 14 to eliminate sealing between the surfaces thereof.例文帳に追加
後端面27cと仕切壁状部14との間にはバッファ空間域Bが設定され、両者間の面当てシールは行っていない。 - 特許庁
In this frame-shaped region, a buffer layer 13 and a light-reflecting film 12 are then removed to form a light-shielding frame 20.例文帳に追加
次に、この枠状の領域においてバッファ層13及び光反射膜12を除去して遮光枠20を形成する。 - 特許庁
The dielectric regions extend in a vertical direction from at least just beneath the body region down at least into the buffer layer.例文帳に追加
誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層に達する。 - 特許庁
A compressing memory having a fixed memory amount is allotted at a first page, and a remaining utilizable region is allotted to a band buffer (Fig. 3 (b)).例文帳に追加
1ページ目で既定メモリ量の圧縮メモリを割当て、残りの利用可能領域をバンドバッファに割り当てる(図3(b))。 - 特許庁
To provide a hydraulic buffer capable of exerting a damping effect on both the elongation side and compression side and also exerting a damping effect on the compression side in a specific region.例文帳に追加
伸圧両側の減衰作用を可能にすると共に特定領域における圧側の減衰作用を可能にする。 - 特許庁
When print job of low priority is carried out, by obtaining a memory region of capacity capable of concurrent acquisition of both print buffer 0 and print buffer 1 and at the same time, allotment of a memory region for a scanning job of high priority is required, part of memory region ensured for the print job is released, and the released region is allotted for the memory region for implementing the scanning job.例文帳に追加
低優先順位の印字ジョブが、印字バッファ0及び印字バッファ1の同時取得を可能とする容量のメモリ領域を獲得して実行されている際に、高優先順位のスキャンジョブのメモリ領域の割り当てが要求された場合、印字ジョブが確保しているメモリ領域の一部を開放し、この開放されたメモリ領域をスキャンジョブを実行するためのメモリ領域として割り当てる。 - 特許庁
In the thin film transistor that uses the oxide semiconductor layer, a buffer layer having a high resistance region and a low resistance region on the oxide semiconductor layer is formed, and the oxide semiconductor layer and the source electrode layer or drain electrode layer contact each other through the low resistance region of the buffer layer.例文帳に追加
酸化物半導体層を用いた薄膜トランジスタにおいて、酸化物半導体層の上に高抵抗領域及び低抵抗領域を有するバッファ層を形成し、酸化物半導体層とソース電極層又はドレイン電極層とがバッファ層の低抵抗領域を介して接触するように薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁
A p^+-type collector region 8, an n^+-type buffer region 9, an n-type base region 10 formed of first and second regions 10a and 10b, a p-type base region 11 formed of first and second parts 11a and 11b and an emitter region 12 are formed in a semiconductor substrate 1 having a trench 5.例文帳に追加
トレンチ5を有する半導体基板1には、P^+型コレクタ領域8とN^+型バッファ領域9と第1及び第2の領域10a、10bから成るN型ベース領域10と第1及び第2の部分11a、11bから成るP型ベース領域11とエミッタ領域12とが形成されている。 - 特許庁
To prevent an adverse effect on a variety of shared resources distribution of a partial VR by setting a communication buffer region and a route table region in an edge apparatus at each VR.例文帳に追加
エッジ装置における通信バッファ領域及びルートテーブル領域を各VRごとに設定することにより、一部のVRの各種共有リソース配分に対する悪影響を防止する。 - 特許庁
A multiplexer 33 reads and multiplexes a predetermined access unit stored in a region 32A, based on elementary stream buffer index information stored in region 32B.例文帳に追加
マルチプレクサ33は、領域32Bに格納されているエレメンタリストリームバッファインデックス情報に基づいて、領域32Aに格納されている所定のアクセスユニットを読み出してビットストリームに多重化する。 - 特許庁
Next, data of an image in a region required for display in the loaded compressed image data or of an image in a region predicted to be required are decoded and stored in a buffer memory 70 (S12).例文帳に追加
次に、ロードした圧縮画像データのうち、表示に必要な領域の画像、または必要と予測される領域の画像のデータをデコードし、バッファメモリ70に格納する(S12)。 - 特許庁
The data of a document region 32 corresponding to the current screen of a document region 30 are developed in a VRAM 10 as bit image data, and its monochrome data are stored into a current screen buffer 42.例文帳に追加
文書領域30の、現画面に相当する文書領域32のデータは、VRAM10にビットイメージデータで展開されると共に、現画面バッファ42にモノクロデータが格納される。 - 特許庁
The first and second transfer electrodes 12 and 14 are buried between the n-type region 28 and the buffer layer 18 and an insulating film 30 is interposed between the electrodes 12, 14 and the n-type region 28.例文帳に追加
第1および第2の転送電極12、14は、n型領域28とバッファー層18との間に埋め込まれ、n型領域28との間には絶縁膜30が介在している。 - 特許庁
Then an n-type gallium nitride semiconductor region 13, a gallium - indium nitride active layer 14, and a p-type gallium nitride semiconductor region 15 are successively formed on the buffer layer 12.例文帳に追加
バッファ層12の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域13、窒化ガリウムインジウムからなる活性層14、窒化ガリウムから成るp形半導体領域15を順次に形成する。 - 特許庁
An n type semiconductor region 14 made of gallium an active layer 15 made of gallium, a p type semiconductor region 16 made of gallium nitride are successively formed on the buffer layer 13.例文帳に追加
バッファ層13の上に窒化ガリウムから成るn形半導体領域14、窒化ガリウムインジウムからなる活性層15、窒化ガリウムから成るp形半導体領域16を順次に形成する。 - 特許庁
To provide an information processor capable of additionally increasing pieces of data stored in a remaining region excluding a frame buffer region of a memory section while displaying an image by an image display element.例文帳に追加
画像表示部によって画像を表示させつつ、記憶部のフレームバッファ領域を除く残余の領域に、より多くのデータを記憶させることができる情報処理装置を提供すること。 - 特許庁
An object substance region in one row, a high- and-low ion concentration buffer or a spacer region can be formed inside the channel so as to be easily introduced into the very small fluid system.例文帳に追加
一列の対象物質領域、高および低イオン濃度緩衝剤またはスペーサ領域は、微小流体システム内に容易に導入されるようにチャネル内に形成され得る。 - 特許庁
A semiconductor integrated circuit device has a basic buffer circuit 14 and a transistor resistance region 13 fitted in an approximately rectangular region using a GND wiring 11 and a part of a VDD wiring 12 as two sides respectively.例文帳に追加
GND配線11とVDD配線12の一部を2辺とする略矩形の領域にそれぞれ設けられた基本バッファ回路14と、トランジスタ抵抗領域13とを備える。 - 特許庁
Moreover, a lightly-doped region 12, which partitions the low noise-resistant circuit 108 off a logical circuit and an interface buffer circuit, is made at the boundary inside the corner region 6, and this region is low in impurity concentration, and is high in impedance.例文帳に追加
また、角領域6の内側の境界部に、低ノイズ耐性回路108と論理回路およびインターフェースバッファ回路とを仕切る抵不純物濃度領域12が形成され、この領域は不純物濃度が低く、高インピーダンスである。 - 特許庁
A size determining unit 62 determines to couple or divide the small region in accordance with the tilesize changing, and a small region size changing unit 54 couples or divides the coefficient of the small region read from the coefficient buffer 53.例文帳に追加
サイズ決定部62はタイルサイズ変換に伴う小領域の結合あるいは分断を判定し、小領域サイズ変換部54において、係数バッファ53から読み出した小領域の係数を、前記結合あるいは分断する。 - 特許庁
When transmitting, the network reception processing section 13 secures a transmission region in the transmission/reception buffer 11, when the capacity of the reception area in the transmission/reception buffer 11 is a prescribed threshold or higher.例文帳に追加
送信時において、ネットワーク受信処理部13は、送受信バッファ11内の受信用領域の容量が所定の閾値以上である場合には、送受信バッファ11内に送信用領域を確保する。 - 特許庁
When instructions are given to store a display screen by the operation of a rendering button 35, image data stored in the plotting frame buffer or the display frame buffer is stored in a screen shot storage region 153s.例文帳に追加
演出ボタン35の操作により表示画面を記憶させる指示があると、描画用フレームバッファまたは表示用フレームバッファに記憶されている画像データをスクリーンショット記憶領域153sに保存する。 - 特許庁
A thermal buffer layer 25 is provided on an external semiconductive layer 4 in the region of a return path conductor 5 performing connection by welding, and the return path conductor 5 is connected by welding on the thermal buffer layer 25.例文帳に追加
帰路導体5の溶接接続を行う領域の外部半導電層4上に熱的緩衝層25を設け、この熱的緩衝層25上で帰路導体5の溶接接続を行う。 - 特許庁
In an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), an insulating region 62 is formed as extended in the drift layer 28 up to a buffer layer 26 and arranged while being dispersed along an interface between the buffer layer 26 and the drift layer 28.例文帳に追加
IGBTにおいて、ドリフト層28内を伸びてバッファ層26に達するとともに、バッファ層26とドリフト層28の界面に沿って分散配置されている絶縁領域62が形成されている。 - 特許庁
A buffer layer is formed on the surface of a first semiconductor wafer, and an ion doping device irradiates the first semiconductor wafer with an H_3^+ ion to form a damaged region at a lower portion of the buffer layer.例文帳に追加
第1の半導体ウエハの表面上にバッファ層を形成し、イオンドーピング装置によりH_3^+イオンを第1の半導体ウエハに照射してバッファ層の下方に損傷領域を形成する。 - 特許庁
In a composition of the buffer layer 12, a region (substrate connection region 121) where the value of p is set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the lower end side, and a region (active layer connection region 122) where the value of p is also set to 0 (p=0) (GaN) is formed on the upper end side (electron transit layer 13 side).例文帳に追加
この緩衝層12の組成においては、下端側においてp=0(GaN)となった領域(基板接続領域121)が、上端側(電子走行層13側)においてもp=0(GaN)となった領域(能動層接続領域122)が、それぞれ設けられている。 - 特許庁
The hard mask film and buffer insulating film are patterned continuously for forming an opening for exposing a specific region on the semiconductor substrate.例文帳に追加
ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を連続してパターニングして半導体基板の所定の領域を露出させる開口部を形成する。 - 特許庁
The hard mask and the buffer insulation film are sequentially patterned, to form an opening for exposing a predetermined region of the semiconductor substrate.例文帳に追加
ハードマスク膜及びバッファ絶縁膜を連続してパターニングして半導体基板の所定の領域を露出させる開口部を形成する。 - 特許庁
Thus, values of memory region which becomes an input buffer are updated as needed and input data of the hash operation are different each time.例文帳に追加
これによって、入力バッファ8となるメモリ領域の値は随時書き換えられ、ハッシュ演算の入力データは毎回異なっている。 - 特許庁
Other input data, address data, a processor number and picture element position information are stored in the data storing region 1b of the data buffer 1.例文帳に追加
残りの入力データであるアドレスデータ、プロセッサNo.、及び画素位置情報がデータバッファ1のデータ格納領域1bに格納される。 - 特許庁
The dielectric regions extend in a vertical direction from at least just beneath the body region down at least into the buffer layer.例文帳に追加
誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層にまで達する。 - 特許庁
The first separator 24 has an oxidizer gas passage 42, and an entrance side buffer region 44a and an exit side buffer region 44b are provided between the oxidizer gas passage 42, an oxidizer gas supply communicating hole 28a, and an oxidizer gas discharging and communicating hole 28.例文帳に追加
第1セパレータ24は、酸化剤ガス流路42を有し、前記酸化剤ガス流路42と酸化剤ガス供給連通孔28a及び酸化剤ガス排出連通孔28bとの間には、入口側バッファ領域44aと出口側バッファ領域44bとが設けられる。 - 特許庁
To improve performance of a disk unit by automatically securing a large continuous empty region in a cache buffer and eliminating a standby for data writing due to a small empty region, in regard to a cache controller of the disk unit provided with the cache buffer.例文帳に追加
本発明は、キャッシュバッファを設けたディスク装置のキャッシュ制御装置に関し、キャッシュバッファ中にサイズの大きな連続した空領域を予め自動的に確保し、空領域のサイズが小さいことによるデータライトのための待機をなくし、ディスク装置の性能向上を図ることを目的とする。 - 特許庁
At least one power-supply pad VDD1 and one ground pad GND1 as well as a signal pad S1 which inputs/outputs a signal from and to the outside are arranged in a row on an IO buffer region in the direction perpendicular to a scribing line in the outer circumferential part of a chip which in the closest to the IO buffer region.例文帳に追加
電源パッドVDD1及びグランドパッドGND1の少なくとも1つと、外部に対する信号を入出力する信号のパッドS1とを、IOバッファ領域に最接近するチップ外周部分のスクライブライン1に垂直な方向で、該IOバッファ領域内に一列に配置する。 - 特許庁
A DMAC 13 monitors the address from the output circuit 12 in a fixed interval, and when the leading address of a memory region #2 of an input buffer 14 is reached, the DMAC 13 controls a bus arbiter 15 to start to write new data from the top of a memory region #1 of the input buffer 14.例文帳に追加
DMAC13は出力回路12からのアドレスを一定間隔で監視しており、これが入力バッファ14のメモリ領域#2の先頭のアドレスに達したときは、DMAC13がバスアービタ15を制御して入力バッファ14のメモリ領域#1の先頭から新規データを書き込み始める。 - 特許庁
The region of impurity elements (one or a plurality of kinds of elements selected from carbon, nitrogen and oxygen) locally added to the channel forming region, functions as a buffer region relaxing the stress of the silicon substrate subjected to the low oxygen treatment.例文帳に追加
チャネル形成領域に局部的に添加された不純物元素(炭素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素)の領域は、低酸素処理を施したシリコン基板の応力を緩和する緩衝領域として機能する。 - 特許庁
When a rectangular region in window definition information indicates a part of plane memory, a controller of an integrated circuit renders decoded graphics data stored in an object buffer inside the rectangular region and does not render them outside the rectangular region.例文帳に追加
集積回路のコントローラは、ウィンドゥ定義情報における矩形領域がプレーンメモリの一部を示す場合には、オブジェクトバッファに記憶されているデコードされたグラフィクスデータを前記矩形領域内で描画処理し、前記矩形領域外では描画処理しない。 - 特許庁
A driver-containing active matrix type display device or the like comprises a metal layer 32 formed on a partial region on a transparent substrate, and a buffer layer 11 provided to cove any of the metal layer 32 forming region and a metal layer 32 non-forming region.例文帳に追加
ドライバ内蔵型アクティブマトリクス型表示装置など、透明基板上の一部の領域に金属層32が形成され、金属層32の形成領域上及び非形成領域上のいずれをも覆うようにバッファ層11を備える。 - 特許庁
The buffer chamber 257 is provided in a heating region 201A inside the processing chamber 201 to which heat released from the heating means attains; and the discharging electrode unit out of the discharging electrode 270 which is inserted into the buffer chamber 257 from outside is positioned outside of the buffer chamber 257, so as to be located at a position to which heat released from the heating means does not attain.例文帳に追加
バッファ室257を加熱手段による加熱が及ぶ処理室201内の加熱領域201Aに設けて、バッファ室257外からバッファ室内に挿入される放電用電極270のうちの加熱手段による加熱が及ばない放電用電極部をバッファ室外に出す。 - 特許庁
An ROI region expansion section 24 reads out an image in the ROI region from a decoded image stored in a frame buffer 22, and performs expansion processing with an expansion ratio set in the ROI setting section 20.例文帳に追加
ROI領域拡大部24は、フレームバッファ22に格納された復号画像から、ROI領域の画像を読み出し、ROI設定部20で設定された拡大率によって、拡大処理を行う。 - 特許庁
In the plate-shaped substrate for forming semiconductor element, a main semiconductor region 4 composed of a nitride-based compound semiconductor for light emitting diode is provided on a silicon substrate 2 through a buffer region 3 composed of a nitride-based compound semiconductor.例文帳に追加
シリコン基板2の上に窒化物系化合物半導体から成るバッファ領域3を介して発光ダイオード用の窒化物系化合物半導体から成る主半導体領域4を設ける。 - 特許庁
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